DE2007261B2 - Elektrische Widerstandssubstanz, insbesondere Widerstandsschicht und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Elektrische Widerstandssubstanz, insbesondere Widerstandsschicht und Verfahren zu deren Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine elektrische Widerstandssubstänz, die insbesondere zur Hcrstcüun17 von Wirjprstandsschichten geeignet ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Widerstandsschichten. Zum Gegenstand der Erfindung gehört ferner eine Elektronenstrahl-Speichervorrichtung mit einem aus einer solchen Widerstandssubstanz bzw. Widerstandsschicht bestehenden Schirmkörper.
In neuerer Zeit haben gewisse lichtempfindliche Speichervorrichtungen Interesse gewonnen, die für den Einsatz in Fernseh-Aufnahmeröhren geeignet sind. Derartige Vorrichtungen weisen im allgemeinen eine Schirmstruktur mit einem planaren, n-leitsnden Halbleiter mit einer Anordnung von isolierten, p-leitenden Bereichen auf, die mit dem Substrat der Vorrichtung Sperrschichtdioden bilden. Im Betrieb der Vorrichtung wird das Substrat auf einem festen Potential bezüglich der Katode der Aufnahmerohre gehalten, während ein Elektronen-Abtaststrahl zur Vorspannungsumkehr aufeinanderfolgend abgetasteter Diodenabschnitte verwendet wird. Diese Spannungsumkehr erfolgt bis zu einer solchen Spannung, welche der Potentialdifferenz zwischen Substrat und Katode entspricht
Der Leckstrom der Dioden bei Abwesenheit einer Lichtheaufschlagung ist so gering, daß die Dioden für eine Zeitdauer von mehr als einer Sekunde in diesem Umkehr-Vorspannungszustand verbleiben. Auf das η-leitende Substrat von der bezüglich des Abtaststrahles entgepengesetzten Seite in unmittelbarer Nachbarschaft der Dioden auffallendes Licht erhöht den Leckstroni durch Photonenauslösung von Loch-Elektronenpaaren. Wenn der Abtaststrahl erneut die p-leitende Oberfläche überstreicht und diese damit auf Katodenpotential umlädt sowie den vollen Wert der Umkehr-Vorspannung wieder herstellt, so entspricht die auf jedem p-leitenden Bereich abgesetzte Ladung gerade derjenigen Ladung, die durch den Leckstrom während der vorangehenden Abtastperiode abgeflossen war. Diese Ladung ist wiederum von der örtlichen Lichtintensität abhängig, der das betreffende Halbleitersegmenl ausgesetzt war. Das Wiederaufladen einer Diode ist mit einem entsprechenden Strom im äußeren Schaltungskreis verbunden. Dieser Strom verändert sich somit über eine Abtastperiode im Verhältnis zu der räumlichen Verteilung der Lichtintensität innerhalb der aufeinanderfolgend abgetasteten Bereich und bildet somit das Video-Ausgangssignal.
Kürzlich ist ferner eine Vorrichtung dor erwähnten Art beschrieben worden, bei der die Dioden so bemessen sind, daß der Abtaststrahl gleichzeitig mehrere Dioden trifft. Hierdurch werden Schwierigkeiten infolge ungenauer Ausrichtung der Schirmstruktur und infolge Ausfalles einzelner Dioden vermieden. Auf der dem Abtaststrahl zugewandten Oberfläche des Halbleitersubstrats ist hierbei ein Isolierüberzug vorgesehen, der das Substrat gegen den Strahl abschirmt. Auf diesem Isolierfiberzug ist ein Leitüberzug vorgesehen, der zur Steuerung des Oberflächenpotentials dient und mit einer Spannungsquelle für die Abführung der Elektronen von der Isolierung verbunden ist. Die Kapazität der Sperrschichten in den Dioden wird durch Aufbringung von gesonderten Kontaktelementen oder sonstigen elektrisch leitenden Bereichen, die gegenüber dem Leitüberzug isoliert sind, über den Dioden auf einen passenden Wert erhöht.
Um die für die Bildung von gegenüber dem Leitüberzug isolierten Leiterbereichen erforderlichen, langwierigen Verfahrensschritte zu vermeiden, wurde bereits eine Anordnung entwickelt, bei der an die Stelle des Leitüberzuees auf der Isolierschicht eire halbisolie-
rende Schicht tritt, wobei letztere den Ladungsaufbau an der Isolierschicht steuert Für diesen Zweck geeignete Materialien weisen eine Entladungszweitkonstante auf, welche die Abtastperiode der Aufnahmeröhre um eine bestimmte Zeitdauer überschreitet; und zwar ist diese Zeitdauer wesentlich geringer als die Entladungszeitkonstante des hochisolierenden Überzuges. Diese Anforderungen werden von Substanzen erfüllt, die einen Oberflächenwiderstand von 1013 bis 1014 Ohm bezogen auf einen quadratischen Flächenbereich aufweisen. Zu diesen Substanzen gehören unter anderen Siliciummonoxid, Antimontrisulfid, Kadmiumsulfid, Zinksulfid und Ärsentrusulfid.
Keine der vorgenannten Substanzen hat, wie entsprechende Untersuchungen zeigten, ausreichende Stabilität, während die für eine lange Röhreniebensdauer erforderliche Hochtemperatur-Vakuumbehandlung oft zu einer Verschlechterung der elektrischen Materialeigenschaften führt Aufgabe der Erfinoung ist die Oberwindung dieser nachteiligen Eigenschaften und der sich hieraus ergebenden Anwendungsbeschränkungen. Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Widerstandssubstanz angegeben, die sich durch eine Zusammensetzung gemäß der Formel (M,Hf)N2-i kennzeichnet, wobei M einen Mengenanteil von Tantal, r> Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 11,5 liegt, während M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente, sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtspro- x> zente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt. Eine derartige Substanz eignet sich bevorzugt für den Schirmkörper einer Elektronenstrahl-Speichervorrichtung.
Aus der US-PS 32 42 006 ist bereits eine aus r> Tantalnitrid bestehende Widerstandsschicht bekannt, die einen Widerstand zwischen 5 und 30 Ohm pro Flächeneinheit bei 25°C sowie einen maximalen spezifischen Widerstandswert von 251 μΟΙιιη · cm bei einer Schichtdicke von 1000 Angström besitzt. Demgegenüber besitzen die erfindungsgemäß hergestellten Widerstandsschichten Widerstandswerte pro Flächeneinheit zwischen 3,5 · 10'° und 7,5 ■ 1012 sowie spezifische Widerstandswerte im Bereich von 105 bis 1010 Ohm ■ cm und sind gegen hohe Temperaturen bestän- -r. dig, wobei Änderungen von nicht mehr als einer Zenerpotenz auftreten. Diese Verbesserung des Widerstandes bei Tantalnitrid enthaltenden Widerstandssubstanzen um den Faktor 4 ■ 1010 stellt einen für die Fachwelt völlig unerwarteten technischen Erfolg dar, ><> der sowohl den technischen Fortschritt als auch die Erfindungshöhe der erfindungsgemäßen Lehre begründet.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt Vi
Fig. 1 einen stark vergrößerten Querschnittsbereich eines erfindungsgemäßen Schirmkörpers für eine Fernsehaufnahmekamera;
F i g. 2 die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes in Ohm · cm einer erfindungsgemäßen Wider- t>o Standssubstanz von dem in Gewichtsprozenten gemessenen Mengenanteil von Titan in Hafnium,
F i g. 3 ein Diagramm entsprechend F i g. 2. jedoch für eine Zusammensetzung mit Tantal und Hafnium, und
F i g. 4 ein weiteres Diags'amm der Abhängigkeit des tr> spezifischen Widerstandes Von der Zusammensetzung einer erfindungsgemäßen Widerstandssubstanz, und zwar für eine Titan-Tantal-' lafnium-Verbindune. wobei der Gewichtsanteil von Tantal auf der Abszisse aufgetragen und α er Gewichtsanteil von Titan als Parameter der dargestellten Kurvenschar angegeben ist
Der Querschnittsaufbau einer Schirmstruktur 11 gemäß F i g. 1 umfaßt eine Halbleiterscheibe, deren Hauptteil aus einem η-leitenden Substrat 12 mit einer Mehrzahl von isolierten, p-leiienden und längs der Schirmoberfläche angeordneten Bereichen 13, die im folgenden kurz als »Segmente« bezeichnet werden. Ein hochisolierender Überzug 14 bedeckt die gesamte Schirmoberfläche auf der Seite des Substrates 12, wobei die Segmente 13 jeeoch unbedeckt bleiben. Der Überzug 14 weist im allgemeinen eine Dicke von 0,01 bis 0,6 Mikron auf und überlappt die Karten der p-leitenden Segmente 13. Hierdurch werden die Endabschnitte der Segmente gegen den abtastenden Elektronenstrahl abgeschirmt und die Sperrschichten gegen Kurzschließen geschützt. Eine aus einer Widerstandssubstanz bestehende Schicht IS wird über dem Isolierüberzug ί4 und über den Segmenten 13 aufgebracht. Diese Widerstandsschicht weist eine Entladungszeitkonstante von etwa einer Sekunde auf. Auf der Rückseite des Substrates 12 wird eine transparente, aus Siliciumdioxid bestehende Schicht 16 und hierüber wiederum eine im wesentlichen transparente Leitschicht 17 aufgebracht.
Wie erwähnt, lassen sich die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen durch die allgemeine Formel (H,Hf)N2-i wiedergeben, wobei Η den Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Tantal-Titan-Mischung bedeutet, und der Index χ in einem Bereich zwischen 0,0 und 0,5 liegt. Eine Schicht einer Substanz mit einer Zusammensetzung gemäß diesem wesentlichen Erfindungsmerkmal kann durch reaktives Versprühen einer entsprechend zusammengesetzten Katode in Anwesenheit von Stickstoff hergestellt werden, wobei der Stickstoffdruck zwischen 10 und 150 Mikron liegen kann. Für die Katode kommt eine Legierung aus Hafnium und einer der unter dem Symbol M zusammengefaßten Substanzen in Betracht, wobei der Mengenanteil von Tantal in einer Hafnium-Tantal-Legierung 35 bis 96 Gewichtsprozente, der Mengenanteii von Titan in einer Hafnium-Titan-Legierung 4 bis 14 Gewichtsprozente betragen kann. Es kommt auch eine zusammengesetzte M-Hf-Katode in Betracht, die so ausgebildet ist, daß sich das gewünschte geometrische Verhältnis von M zu Hafnium über der gesamten Fläche in einem Bereich von 35 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal bzw. von 4 bis 14 Gewichtsprozenten Titan einstellt. Es wufde festgestellt, daß die geometrische Fläche der M-Komponente in der zusammengesetzten Struktur annähernd dem Anteil von M in Gewichtsprozenten innerhalb der abgeschiedenen Schicht entspricht. Abgeschiedene Schichten mit einem geringeren oder größeren Mengenanteil der M-Komponente lassen die für eine Dioden-Flächenspeicherung erforderlichen, obenerwähnten Kennwerte nicht in Erscheinung treten. Die gleichen Überlegungen gelten auch für ein ternäres System der Form (Ta1Ti,Hf)N2-*. Die hierbei einzuhaltenden Anteilsgrenzen liegen für Titan zwischen 0,1 und 14 Gewichtsprozenten sowie für Tantal zwischen 1 und 96 Gewichtsprozenten bei 4 bis 99 Gewichtsprozenten Hafnium.
Zur weiteren Erläuterung wird im folgenden auf ein spezielles Beispiel unter Verwendung einer Tantal-Hafnium-Katode Bezug genommen, wobei mittels dieser Katode ein Dünnfilm durch reaktive Katodenzerstäubiine auf einem eeeieneten Substrat verwendet wird.
Das Substrat wird hierbei zunächst mit Hilfe üblicher Verfahren sorgfältig gereinigt und anschließend in eine übliche Zerstäubungseinrichtung eingesetzt, beispielsweise eine Gleichspannungs- oder eine Hochfrequenz-Gleichspannungs-Zerstäubungseinrichtung od. dgl. Die ·-, Zusammensetzung der Katode kann hierbei gemäß den vorstehenden Angaben 35 bis 96 Gewichtsprozente TantEil bei restlichem Hafniumgehalt aufweisen. Die bei der Filmabscheidung einzuhaltenden Verfahrensbedingungen sind bekannt (siehe z. B. »Vacuum Deposition of Thin Films« L. Holland, H. Wiley & Sons, New York, 1956).
Die Vakuumkammer der Zerstäubungseinrichtung wird zuerst evakuiert und dann mit einem inerten Gas ausgespült, beispielsweise mit einem Edelgas wie Helium, Argon oder Neon. Nach erneuter Evakuierung wird Stickstoff mit einem Druck von 10 bis 150 Mikron in die Kammer eingeführt. Über- und Unterschreitung des angegebenen Druckbereiches führt zur Bildung von niederen Nitriden, denen die für Zwecke der Erfindung vorteilhaften Eigenschaften gemäß den vorangehenden Erläuterungen nicht zukommen. Untersuchungen haben ergeben, daß die Einhaltung des angegebenen Druckbereiches für die Bildung von Substanzen entsprechend der allgemeinen Formel (M,Hf)N2-* mit χ zwischen 0,0 und 0,5 wesentlich ist.
Die für das Aufsprühen oder Aufstäuben einer Tantal-Hafnium-Nitrid-Schicht gemäß der Erfindung erforderliche Spannung kann in einem Bereich zwischen 1 und 10 kV Gleichspannung liegen. Der Abgleich der verschiedenen Einflußgrößen wie Spannung, Druck und gegenseitige Anordnung von Katode, Anode und Substrat im Sinne einer hohen Abscheidungsquantität gehört zum bekannten Stande der Technik.
Unter entsprechender Einstellung von Spannung, Druck und Abstand der Elemente innerhalb der Vakuumkammer wurde im Beispielfall eine Tantal-Hafnium-Nitrid-Schicht in einer vorgegebenen Konfiguration auf einem Substrat abgeschieden. Die Zeitdauer des Aufstäubens richtet sich hierbei nach der gewünschten w Schichtdicke. Bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Schirmkörpers ist die Schichtdicke durch den Endwert des Oberflächenwiderstandes oder des spezifischen Widerstandes bestimmt und liegt vorzugsweise in einem Bereich von 500 bis 1000 A. Dieser Bereich der Schichtdicke entspricht einem spezifischen Schichtwiderstand von 108 Ohm · cm bei einem zweckentsprechenden Wert der Entladungszeitkonstante innerhalb des Widerstandsfilmes. Die angegebenen Grenzen der Schichtdicke sind jedoch nicht zwingend, sondern erlauben je nach Anwendungsfall Abweichungen nach oben und unten.
Nach dem Aufstäuben wird die erhaltene Schicht unter Vakuum einer Wärmebehandlung bei Temperaturen zwischen 250 und 500° C für eine Zeitdauer zwischen 04 und 24 Stunden unterzogen, wodurch eine Stabilisierung des abgeschiedenen Filmes erreicht werden soll. Die Temperaturgrenzen dieser Wärmebehandlung richten sich nach Gesichtspunkten der Gasentfernung innerhalb des Entladungsgefäßes und nach der letztlich zu erreichenden Stabilität Während dieser Vakuumwärmebehandlung ändert sich der spezifische Widerstand des Filmes erfahrungsgemäß um eine Größenordnung. Zur Erzielung von Filmen mit einem spezifischen Widerstand zwischen 105 und 1010 Ohm · cm ist daher beim Aufstäuben die Einstellung eines spezifischen Widerstandes von 104 bis 109 Ohm · cm erforderlich.
In Fig.2 ist die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes eines aufgestäubten bzw. aufgesprühten Titan-Hafnium-Nitrid-Filmes von der Schichtzusammensetzung in Diagrammform dargestellt. Unter Berücksichtigung der erwähnten Widerstandsänderung bei der Vakuum-Wärmebehandlung ergibt sich somit für einen Endwert des spezifischen Widerstandes von 105 bis 1010 Ohm · cm ein Titan-Anteil von 4 bis 14 Gewichtsprozenten, Rest Hafnium.
In ähnlicher Weise ergibt sich für eine Tantal-Hafnium-Zusammensetzung ein Anfangsgehalt von 35 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal, Rest Hafnium, für das aufgestäubte Material (s. F i g. 3).
Die Verhältnisse für ein ternäres Titan-Tantal-Hafnium-Nitrid-System sind in dem Diagramm gemäß F i g. 4 angedeutet. Hieraus ergibt sich, daß der gewünschte spezifische Widerstand mit einer Zusammensetzung erreichbar ist, die zwischen 0,1 und 14 Gewichtsprozente Titan, zwischen 1 und 96 Gewichtsprozente Tantal und 4 bis 99 Gewichtsprozente Hafnium aufweist.
Anschließend werden noch die speziellen Daten von drei Ausführungsbeispielen angegeben.
Beispiel I
Durch Hochfrequenz-Gleichspannungs-Katodenzerstäubung wurde ein Tantal-Hafnium-Nitrit-Film abgeschieden. Als Substrat diente eine rechteckige Glasscheibe von etwa 2,5 mal 7,5 cm Seitenlänge. Die Scheibe wurde zur Erzielung einer reinen Oberfläche in Königswasser gekocht, in destilliertem Wasser gespült und sodann flammgetrocknet. Als Katode wurde eine flächenhafte Tantal-Hafnium-Struktur mit einer Ausdehnung von etwa 40 cm2 und einer Zusammensetzung aus 35 Gewichtsprozenten Tantal, Rest Hafnium, verwendet.
Die Vakuumkammer wurde zunächst auf einen Druck in der Größenordnung von 10~6 torr evakuiert. Sodann wurde Stickstoff bei einem Druck von 60 χ 10-3 torr zugeführt. Der Abstand zwischen Anode und Katode betrug etwa 7,5 cm, wobei in einem Abstand von etwa 2,5 cm von dem Substrat unmittelbar außerhalb des Crockeschen Dunkelraumes ein die Elektronenemission absaugendes Gitter angeordnet war. Sodann wurde zwischen Anode und Katode eine Gleichspannung von etwa 4000 V mit einer überlagerten Hochfrequenzleistung von etwa 100 W angelegt. Sodann wurde während einer Sprühdauer von 30 Minuten eine Verschlußschicht aufgebracht, die anschließend wieder entfernt und durch abermaliges Aufsprühen während einer Zeitdauer von 36 Minuten durch eine endgültige Widerstandsschicht ersetzt wurde. Es ergab sich eine Tantal-Hafnium-Nitrid-Schicht mit etwa 35 Gewichtsprozenten Tantal und einer Dicke von 1800 A sowie einem spezifischen Widerstand von 6,4 χ 107Ohm · cm.
Beispiel II
Zur Bestimmung der Stabilität des erzeugten Filmes bei hohen Temperaturen wurde das Verfahren gemäß Beispiel I mit veränderter Katodenzusammensetzung ausgeführt und der erhaltene Film einer Vakuum-Wärmebehandlung in einem mittels einer Ionenpumpe evakuierten System bei einem Druck von 1 χ 10-8torr bei 4300C für eine Zeitdauer von 16 Stunden unterzogen. Der anfängliche Druckanstieg in dem System lag während der Erhitzung in einem Bereich zwischen 10~4und 10~5 torr. Der Filmwiderstand wurde
bei Raumtemperatur und bei Temperaturen bis herab zu Minus 900C ermittelt. Zum Abspülen von Tau und zur Sicherstellung der Abwesenheit von Wasser bei den
niedrigen Temperaturen wurde <»ine Spülung mit Stickstoff vorgesehen. Es wurden die in der folgenden Tabelle festgehaltenen Ergebnisse erzielt:
Tabelle
Änderung des Quadratflächen-Widerstandes eines (Ta, Hf)N2-Filmes durch Vakuum-Wärmebehandlung bei 4300C
Gewichtsprozente
Tantal
Quadratflächen-Widerstand in Ohm
RsQ Rs
Rs
vor Wärmebehandlung
nach Wärmebehandlung
58,7
54
53
2x10'°
3,4 XiO'2
4,6 XiO'2
3,5x1O'o
6,0x10"
7,5x1012
1,75
0,17
1,63
Hiernach nimmt der Quadratflächen-Widerstand durch die Vakuum-Wärmebehandlung im Mittel um weniger als eine Größenordnung zu.
Beispiel III
Eine Siliciumdioden-Schirmanordnung, ähnlich derjenigen gemäß F i g. 1 wurde in einem Verfahren gemäß Beispiel I mit einer Auflage aus Tantal-Hafnium-Nitrid versehen. Der erhaltene Widerstandskörper (36,5% Tantal und 63,5% Hafnium) erfüllte alle in einer τ-, derartigen Speichervorrichtung gestellten Anforderungen, und zwar bei einem spezifischen Widerstand von 6,8 χ 108OlIm · cm und einem Quadratflächenwiderstand von 4 χ 10I3Ohm bei einer Schichtdicke von etwa 900 Ä.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Elektrische Widerstandssubstanz, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung gemäß ί der Formel (M,Hf)N2-«, in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlen wert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, ferner dadurch gekennzeichnet, daß M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 ι ο bis 14 Gewichtsprozente sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt
2. Elektronenstrahl-Speichervorrichtung mit einem aus einer elektrischen Widerstandssubstanz r> bestehenden Schirmkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Schirmkörper aus einer Substanz mit einer Zusammensetzung gemäß der Formel (M,Hf)N2.» besteht, in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe .?<> bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt ferner dadurch gekennzeichnet, daß M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente 2> Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt
3. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Widerstandsschicht, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Schichtsubstanz der Formel (M,Hf)M2„ in der M einen Mengenanteil von Tantal, hi Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, eine Katode aus einer Legierung der allgemeinen Zusammensetzung M-Hf in Gegenwart von Stickstoff reaktiv versprüht wird. r>
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Katode zwischen 35 und 96 Gewichtsprozent Tantal enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Katode zwischen 4 und 14 Gewichtsprozent Titan enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Zusammensetzung der Katode gemäß der Formei (It,Hf)M2-, ein Anteil von 0,1 bis 14 Gewichtsprozenten Titan, ein Anteil von 1 *r bis 96 Gewichtsprozenten Tantal und ein Anteil von 4 bis 99 Gewichtsprozenten Titan vorgesehen ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktive Versprühung der Katode in Anwesenheit von Stickstoff mit v) einem Druck im Bereich von 10 bis 150 Mikron erfolgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Aufsprühen erzeugte Widerstandsschicht nach dem Aufsprühen v> unter Stabilisierung der Schicht unter Vakuum einer Wärmebehandlung unterzogen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung der Widerstandsschicht bei Temperaturen ?wischen 250 und w> 5000C mit einer Behandlungsdauer von 0,5 bis 24 Stunden durchgeführt wird.
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