DE2007261C3

DE2007261C3 - Elektrische Widerstandssubstanz, insbesondere Widerstandsschicht und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE2007261C3
Application number: DE2007261A
Authority: DE
Inventors: Frederick Berkeley Heights N.J. Vratny
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1969-02-19
Filing date: 1970-02-18
Publication date: 1981-05-14
Also published as: US3574143A; JPS4936328B1; GB1298992A; NL7002270A; NL166568C; FR2073294A1; FR2073294B1; DE2007261B2; BE746076A; DE2007261A1

Description

Die Erfindung betrifft eine elektrische Widc-standssubstan/, die insbesondere zur Herstellung von Widerstandsschichten geeignet ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Widerstandsschichten. Zum Gegenstand der Erfindung gehört ferner eine Elektronenstrahl-Speichervorrichtung mit einem aus einer solciien Widerstandssubstanz bzw. Widerstandsschicht bestehenden Schirmkörper.

In neuerer Zeit haben gewisse lichtempfindliche Speichervorrichtungen Interesse gewonnen, die für den Einsatz in Fernseh-Aufnahmeröhren geeignet sind. Derartige Vorrichtungen weisen im allgemeinen eine Schirmstruktur mit einem planaren, n-leitend;n Halbleiter mit einer Anordnung von isolierten, p-leitenden Bereichen auf, die mit dem Substrat der Vorrichtung Sperrschichtdioden bilden. Im Betrieb der Vorrichtung wird das Substrat auf einem festen Potential bezüglich der Katode der Aufnahmerohre gehalten, während ein Elektronen-Abtaststrahl zur Vorspannungsumkehr aufeinanderfolgend abgetasteter Diodenabschnitte verwendet wird. Diese Spannungsumkehr erfolgt bis zu einer solchen Spannung, welche der Potenlialdifferenz zwischen Substrat und Katode entspricht.

Der Leckstrom der Dioden bei Abwesenheit einer Lichtbeaiifschlagung ist so gering, daß die Dioden für eine Zeitdauer von mehr als einer Sekunde in diesem Umkehr-Vorspannungszustand verbleiben. Auf das η-leitende Substrat von der bezüglich des Abtaststrahles entgegengesetzten Seite in unmittelbarer Nachbarschaft der Dioden auffallendes Licht erhöht den Leckstrom durch Photonenauslösung von Loch-Elektronenpaaren. Wenn der Abtaststrahl erneut die p-leitende Oberfläche überstreicht und diese damit auf Katodenpoteniial umlädt sowie den vollen Wert der Umkehr-Vorspannung wieder herstellt, so entspricht die auf jedem p-leitenden Bereich abgesetzte Ladung gerade derjenigen Ladung, die durch den Leckst rom während der vorangehenden Abtastperiode abgeflossen war. Diese Ladung ist wiederum von der örtlichen Lichtintensität abhängig, der das betreffende Halbleiiersegment ausgesetzt war. Das Wiederaufladen einer Diode is: mit einem entsprechenden Strom im äußeren Schaltungskreis verbunden. Dieser Strom verändert sich somit über eine Abtastperiode im Verhältnis zu der räumlichen Verteilung der Lichtintensität innerhalb der aufeinanderfolgend abgetasteten Bereich und bildet somit das Video-Ausgangssignal.

Kürzlich ist ferner eine Vorrichtung der erwähnten Art beschrieben worden, bei der die Dioden so bemessen sind, daß der Abtaststtahl gleichzeitig mehrere Dioden trifft. Hierdurch werden Schwierigkeiten infolge ungenauer Ausrichtung der Schirmstruktur und infolge Ausfalles einzelner Dioden vermieden. Auf der dem Abtaststrahl zugewandten Oberfläche des Halbleitersubstrats ist hierbei ein Isolierüberzug vorgesehen, der das Substrat gegen den Strahl abschirmt. Auf diesem Isolierüberzug ist ein Leitüberzug vorgesehen, der zur Steuerung des Oberflächenpotentials dient und mit einer Spannungsquelle für die Abführung der Elektronen von der Isolierung verbunden ist. Die Kapazität der Sperrschichten in den Dioden wird durch Aufbringung von gesonderten Kontaktelementen oder sonstigen elektrisch leitenden Bereichen, die gegenüber dem Leitüberzug isoliert sind, über den Dioden auf einen passenden Wert erhöht.

Um die tür die Bildung von gegenüber dem Leitüberzug isolierten Leiterbereichen erforderlichen, langwierigen Verfahrensschritte zu vermeiden, wurde bereits eine Anordnung entwickelt, bei der an die Stelle des l.eitüberzuges auf der Isolierschicht eine halbisolie-

rende Schicht tritt, wobei letztere den Ladungsaufbau an der Isolierschicht steuert. Für diesen Zweck geeignete Materialien weisen eine Entladungszweitkonstante auf, welche die Abtastperiode der Aufnahmeröhre um eine bestimmte Zeitdauer unterschreitet; und zwar ist diese Zeitdauer wesentlich geringer als die Entladungszeitkonstante des hochisolierenden Überzuges. Diese Anforderungen werden von Substanzen erfüllt, die einen Oberflächenwiderstand von 10" bis 10^u Ohm bezogen auf einen quadratischen Flächenbereich aufweisen. Zu diesen Substanzen gehören unter anderen Siiiciummonoxid, Antimontrisulfid, Kadmiumsulfid, Zinksulfid und Arsentrusulfid.

Keine der vorgenannten Substanzen hat, wie entsprechende Untersuchungen zeigten, ausreichende Stabilität, während die für eine lange Röhrenlebensdauer erforderliche Hochtemperatur-Vakuumbehandlung οΓί zu einer Verschlechterung der elektrischen Materialeigenschaften führt. Aufgabe der Erfindung ist die Überwindung dieser nachteiligen Eigenschaften und der sich hieraus ergebenden Anwendungsbeschränkungen. Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Widerstandssubstanz angegeben, die sich durch eine Zusammensetzung gemäß der Formel (M₁Hf)N₂.., kennzeichnet, wobei M einen Mengenanteil von Tantal. Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index ν zwischen 0,0 und 0,5 liegt, während M für Tantal 35 bis 9b Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente, sowie für eine Mischung von Tantal una Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt. Eine derartige Substanz eigt.et sich bevorzugt für den Schirmkörper einer F.lektronenstrahl-Speichervorrichtung.

Aus der US-PS 32 42 006 ist bereits eine aus Tantalnitrid bestehende Widerstandsschicht bekannt, die einen Widerstand zwischen 5 und 30 Ohm pro Flächeneinheit bei 25°C sowie einen maximalen spezifischen WiJerstandswert von 251 μΟΙιηι · cm bei einer Schichtdicke von 1000 Angström besitzt. Demgegenüber besitzen die erfindungsgemäß hergestellten Widerstandsschichten Widerstandsweite pro Flacheneinheit zwischen 3,5 · 10¹⁰ und 7,5 ■ 10¹² sowie spezifische Widerstandswerte im Bereich von 10' bis 10'" Ohm ■ cm und sind gegen hohe Temperaturen beständig, wobei Änderungen von nicht mehr als einer Zenerpotenz auftreten. Diese Verbesserung des Widerstandes bei Taiüalnitrid enthaltenden Widerstandssubsianzen um den Faktor 4 ■ 10'" stellt einen für die Fachwelt völlig unerwarteten technischen Erfolg dar, der sowohl den technischen Fortschritt als auch die Erfindungshöhe der erfindungsgemäßen Lehre begründet.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 einen stark vergrößerten Querschnittsbereich eines erfindungsgemäßen Schirmkörpers für eine Fernsehaufnahmekamera;

F i g. 2 die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes in Ohm ■ cm einer erfindungsgemäßen WiderstandssLibstanz von de'm in dev.ichtsprozenten gemessenen Mengenanteil von Ί itan in Hafnium,

F i g. 3 ein Diagram^! entsprechend F i g. 2. jedoch für eine Zusammensetzung mit Tantal und Hafnium, und

F i g. 4 ein weiteres Diagramm der Abhängigkeit des spezifischen Widerstände.-· von der Zusammensetzung einer erfindungsgemäßen Widerstandssubstanz, und zwar für eine T'tan-Tantal-Hafnium-Verbindung, wobei der Gewichtsanteil von Tantal auf der Abszisse aufgetragen und der Gewichtsanteil von Titan als Parameter der dargestellten Kurvenschar angegeben ist.

> Der Querschnittsaufbau einer Schirmstruktur Ii gemäß F i g. 1 umfaßt eine Halbleiterscheibe, deren Hauptteil aus einem η-leitenden Substrat 12 mit einer Mehrzahl von isolierten, p-leitenden und längs der Schirmoberfläche angeordneten Bereichen 13, die im

in folgenden kurz als »Segmente« bezeichnet werden. Ein hochisolierender Überzug 14 bedeckt die gesamte Schirmoberfläche auf der Seite des Substrates 12, wobei die Segmente 13 jeeoch unbedeckt bleiben. Der Überzug 14 weist im allgemeinen eine Dicke von 0,01 bis

r. 0,6 Mikron auf und überlappt die Karten der p-ieitenden Segmente 13. Hierdurch werden die Endabschnitte der Segmente gegen den abtastenden Elektronenstrahl abgeschirmt und die Sperrschichten gegen Kurzschließen geschützt. Eine aus einer Widerstandssubstanz

jo bestehende Sch'cht 15 wird über dem Isolierüberzug 14 und über den Segmenten 13 aufgebracht. Diese Widerstandsschi^ht weist eine Entladungszeitkonstante von etwa einer Sekunde auf. Auf der Rückseite des Substrates 12 wird eine transparente, aus Siliciumdioxid

j. bestehende Schicht 16 und hierüber wiederum eine im wesentlichen transparente Leitschicht 17 aufgebracht.

Wie erwähnt, lassen sich die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen durch die allgemeine Formel (H,Hf)N). , wiedergeben, wobei H den Mengenanteil

in von Tantal. Titan oder einer Tantal-Titan-Mischung bedeutet, und der Index * in einem Bereich zwischen 0,0 und 0,5 liegt. Eine Schicht einer Substanz mit einer i-usammensetzung gemäß diesem wesentlichen F.rfindungsmerkmal kann durch reaktives Versprühen einer

Γι entsprechend zusammengesetzten Katode in Anwesenheit von Stickstoff hergestellt werden, wobei der Stickstoffdruck zwischen 10 und 150 Mikron liegen kann. Für die Katode kommt eine Legierung aus Hafnium tir.d einer der unter dem Symbol M

•ι» zusammengefaßten Substanzen in Betracht, wobei der Mengenanteil von Tantal in einer Hafnium-Tantal Legierung 35 bis 96 Gewichtsprozente, der Mengenanteil von Titan in einer Hafnium-Titan-Legierung 4 bis 14 Gewichtsprozente betragen kann. Es kommt auch eine

ti zusammengesetzte M-Hf-Katode in Betracht, die so ausgebildet ist, daß sich das gewünschte geometrische Verhältnis von M zu Hafnium über der gesamten Fläche in einem Bereich von 35 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal bzw. von 4 bis 14 Gewichtsprozenten Titan

in einstellt. Es wufde festgestellt, daß die geometrische Fläche der M-Komponente in der zusammengesetzten Struktur annähernd dem Anteil von M in Gewichtsprozenten innerhalb der abgeschiedenen Schicht entspricht. Abgeschiedene Schichten mit einem geringeren oder

ι") größeren Mengenanteil der M-Komponente lassen die für eine Dioden-Flächenspeicherung erforderlichen, obenerwähnten Kennwerte nicht in Erscheinung treten. Die gleichen Überlegungen gelten auch für ein ternäres System der Form (Ta₁Ti₁Hf)N₂-I- Die hierbei einzuhal-

W! tenden Anteilsgrenzen liegen für Titan zwischen 0,1 und 14 Gewichtsprozenten sowie für Tantal zwischen I und 96 Gewichtsprozenten bei 4 bis 99 Gewichtsprozenten Hiilnium.

7'\r weiteren Erläuterung wird im folgenden auf ein

D -spezielles Beispiel unter Verwendung einer Tantal-Hafnium-Katode Bezug genommen, wobei mittels dieser Katode ein Dünnfilm durch reaktive Katodenzerstäubung auf einem geeigneten Substrat verwendet wird.

Das Substrat wird hierbei zunächst mit Hilfe üblicher Verfahren sorgfältig gereinigt und anschließend in eine übliche Zerstäubungseinrichtung eingesetzt, beispielsweise eine Gleichspannungs- oder eine Hoehfrequen/-Gleichspunnimgs-Zerstäubungseinrichuing od. dgl. Die Zusammensei/ ng der Katode kann hierbei gemäß den vorstehenden jigabcn 35 bis 96 Gewichtsprozente Tantal bei restlichem Hafniumgehalt aufweisen. Die bei der leimabscheidung einzuhaltenden Verfahrensbedingungen sind bekannt (siehe z. B. »Vacuum Deposition öl Thin Films« 1.. Holland, H. Wiley & Sons. New York. 1956).

Die Vakuumkammer der Zerstäubungseinrichiung wird zuerst evakuiert und dann mit einem inerten Gas ausgespült, beispielsweise mit einem Edelgas wie Helium, Argon oder Neon. Nach erneuter Evakuierung wird Stickstoff mit einem Druck von 10 bis 150 Mikron in die Kammer eingeführt. Über- und Unterschiebung des angegebenen Druckbereiches führt zur Bildung von niederen Nitriden, denen die für Zwecke der Erfindung vorteilhaften Eigenschaften gemäß den vorangehenden Erläuterungen nicht zukommen. Untersuchungen haben ergeben, daß die Einhaltung des angegebenen Druc"kbcreiches für die Bildung von Substanzen entsprechend der allgemeinen Formel (M₁Hf)N? , mit ν /wischen 0.0 und ()."> wesentlich ist.

Die für das Aufsprühen oder Aufstäuben einer Tanlal-Hafnium-Niirid-Schiehi gemäß der Erfindung erforderliche Spannung kann in einem Hereich zwischen 1 und 10 kV Gleichspannung liegen. Der Abgleich der verschiedenen Einflußgrößen wie Spannung, Druck und gegenseitige Anordnung von Katode. Anode und Substrat im Sinne einer hohen Abscheidungsquaniitiii gehört /um bekannten Stande der Technik.

Unter entsprechender Einstellung von Spannung. Druck und Abstand der Elemente innerhalb der Vakuumkammer wurde im Beispielfali eine 'Tantal-Il.ifnium-Nitrid-Schichl in einer vorgegebenen Konfiguration auf einem Substrat abgeschieden. Die Zeitdauer des Aufstäubens richtet sich hierbei nach der gewünschten Schichtdicke. Bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Schirmkörpers ist die Schichtdicke durch den Endwert des Überflächenwiderstandes oder des spezifischen Widerstandes bestimmt und liegt vorzugsweise in einem Bereich von 500 bis 1000 Ä. Dieser Bereich der Schichtdicke entspricht einem spezifischen Schichtwiderstand von 10⁸Ohm - cm bei einem z.weckentsprechenden Wert der Entladungszcitkonstante innerhalb des Widerstandsfilmes. Die angegebenen Grenzen der Schichtdicke sind jedoch nicht zwingend, sondern erlauben je nach Anwendungsfall Abweichungen nach oben und unten

Nach dem Aufstäuben wird die erhaltene Schicht unter Vakuum einer Wärmebehandlung bei Temperaturen zwischen 250 und 500^c C für eine Zeitdauer zwischen 0.5 und 24 Stunden unterzogen, wodurch eine Stabilisierung des abgeschiedenen Filmes erreicht werden soll. Die Temperaturgrenzen dieser Wärmebehandlung richten sich nach Gesichtspunkten der Gasentfernung innerhalb des Emladungsgefäßes und nach der letztlich zu erreichenden Stabilität. Während dieser Vakuumwärmebehandlung ändert sich der spezifische Widerstand des Filmes erfahrungsgemäß um eine Größenordnung. Zur Erzielung von Filmen mit einem spezifischen Widerstand zwischen 10⁵ und 10¹⁰ Ohm - cm ist daher beim Aufstäuben die Einstellung eines spezifischen Widerstandes von 10⁴ bis 10⁹ Ohm - cm erforderlich.

In F i g. 2 ist die •\bhangigkeil des spezifischen Widerstandes eines aufgestäubten bzw. aufgesprühten Tiian-Hafnium-Niirid-Filmes von der Schichtzusammensetzung in Diagrammform dargestellt. Unier Berücksichtigung der erwähnten Widerstandsänderung bei der Vakuum-Wärmebehandlung ergibt sich somit für einen Endwert des spezifischen Widerstandes von 10' bis 10'" Ohm cm ein Titan-Anteil von 4 bis 14 Gewichtsprozenten. Rest Hafnium.

In ahnlicher Weise ergibt sich für eine Tanta'-Ilainiiiiii-Zusammensetzung ein Anfangsgehall von 3'Ί bis 96 Gewichtsprozenten Tantal. Rest Hafnium, tür das aulgestäubic Matei ial (s. F i g. 3).

Die Verhältnisse tür ein ternärcs Tilaii-Taiiial-Haiiiium-Niirid-Sysicni sind in dem Diagramm gemäß I ι μ 4 angedeutet. Hieraus ergibt sich, daß der powiinsi |-,ie spezifische Widerstand mil einer Zusammensetzung erreichbar ist. die /wischen 0,1 und 14 Gewichtsprozente Titan, zwischen 1 und ^ι·6 Gewichtsprozente laiual und 4 bis 99 Gewichtsprozente Hafnium aufweist.

Anschließend wi. rden noch die speziellen Daten von drei Ausfühi niigsbeispiclen angegeben.

Beispiel I

Durch H och freq neu/-Gleichspannungs-K aiodenzerstäubung wurde ein Tantal-Hafnium-Nilrit Film abgeschieden. Als Subsii.it diente eine rechteckige Glas scheibe von etwa 2.^r> mal 7.¹J cm Seitenlange. Die Scheibe wurde zur Er/iclung einer reinen Oberfläche in Königswasser gekocht, in destilliertem Wasser gespült und sodann flammgcmu Miet. Als Katode wurde eine llachenhafte Tantai-I lalnium-Struktur mit einer Ausdehnung von etwa 4(i cm- und einer Zusammensetzung aus 35 Gewichtsprozenten Tantal. Rest Hafnium, verwendet.

Die Vakuumkammer wurde zunächst auf einen Druck in der Größenordnung von 10 ^b torr evakuiert. Sodann wurde Stickstoff bei einem Druck von 60 χ 10 ' torr zugeführt. Der Abstand zwischen Anode und Katode betrug etwa 7.5 cm. wobei in einem Abstand von etwa 2.5 cm von dcrn Substrat unmittelbar außerhalb des Crockeschen Dunkelraumcs ein die Elektronenemission absaugendes Gitter angeordnet war. Sodann wurde zwischen Anode und Katode eine Gleichspannung vor etwa 4000 V mit einer überlagerten Hochfrequenzlei stung von etwa 100 W angelegt. Sodann wurde währenc einer Sprühdauer von 30 Minuten eine Verschlußschichi aufgebracht, die anschließend wieder entfernt und durch abermaliges Aufsprühen während einer Zeitdauer vor 36 Minuten durch eine endgültige Widerstandsschichi ersetzt wurde. Es ergab sich eine Tantal-Hafnium-Ni trid-Schicht mit etwa 35 Gewichtsprozenten Tantal unc einer Dicke von 1800Ä sowie einem spezifischer W iderstand von 6.4 χ 10⁷ Ohm - cm.

Beispiel II

Zur Bestimmung der Stabilität des erzeugten Filme bei hohen Temperaturen wurde das Verfahren gemäl Beispiel 1 mit veränderter Katodenzusammensetzunj ausgeführt und der erhaltene Film einer Vakuum-War mebehandlung in einem mittels einer lonenpump evakuierten System bei einem Druck von 1 χ 10~⁸ tor bei 430⁰C für eine Zeitdauer von 16 Stunde unterzogen. Der anfängliche Druckanstieg in der System lag während der Erhitzung in einem Bereic zwischen 10~⁴ und 10~⁵ torr. Der Filmwiderstand wurd

bei Raumtemperatur und bei Temperaturen bis herab zu Minus 90 C e mitielt. Zum Abspülen von T;iu und /·■:<: .Sicherstellung der Abwesenheit von Wasser bei den niedrigen Temperaturen wurde eine Spülung mn Stickstoff vorgesehen. Ks wurden die in der folgenden Tabelle festgehaltenen Krgebiiisvc e: /ielt:

iabelle

Änderung des Qiiadraifläehen-Widcstandes eines (Ta. Hf)NrFiInK¹S durch Vakuum-Wärmebehandlung bei 4 30 C

Gewichts	Quadratischen-	Widerstand m Omn	1.75
prozente			0,17
Tantal		K,	1,6 3
	vor Wanne	nach Wärme
	behandlung	behandlung
58.7	2 χ 10¹"	3,5 χ 10"»
54	3,4 χ 10'--	6,0x K)"
53	4,6 χ ΙΟ¹²	7,5 χ K)¹-

Hiernach nimmt der QuadraH'iächen-Widerstand durch die Vakuum-Wärmebehandhug im Mittel um weniger als eine Größenordnung /u.

Beispiel III

Kine Siüciumdioden-Sehirmanordnung. ähnlich derjenigen gemäß F i g. 1 wurde in einem Verfahren gemäß Beispiel 1 mit einer Auflage aus Tant.il-Hafnium-Niirid versehen. Du- ernaltenc Widerstandskörper (36.5"Zu Tantal und 63,5¹Co Hafnium) erfüllte alle in einer derartigen Speichervorrichtung gestellten Anforderungen, und /war bei einem spezifischen Widerstand von 6,8 χ 10" Ohm ■ cm und einem Quadratflächenwidersfind von 4 < 10" Ohm bei einer Schichtdicke von etwa 900 Λ.

Hierzu 2 Mall /cichnuiiLien

Claims

Patentansprüche:

1. Elektrische Widerstandssubstanz, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung gemäß der Formel (M₁Hf)N₃.,, in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, lerner dadurch gekennzeichnet, daß M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt.

2. Elektronenstrahl-Speichervorrichtung mit einem aus einer elektrischen Widerstandssubstanz bestehenden Schirmkörper, dadurch gekennzeichnet, daß eier Schirmkörper aus einer Substanz mit einer Zusammensetzung gemäß der formel (M₁Hf)N₂ < besieht, in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlcnwert des Index α zwischen 0,0 und 0,5 liegt, ferner dadurch gekennzeichnet, daß M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt.

3. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Widerstandsschicht, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Schichtsubstanz der Formel (M₁Hf)M₂ „ in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, eine Katode aus einer Legierung der allgemeinen Zusammensetzung M-Hf in Gegenwart von Stickstoff reaktiv versprüht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Katode zwischen 35 und 96 Gewichtsprozent Tantal enthält.

5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Katode zwischen 4 und 14 Gewichtsprozent Titan enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Zusammensetzung der Katode gemäß der Formel (It₁Hf)M₂., ein Anteil von 0,1 bis 14 Gewichtsprozenten Titan, ein Anteil von 1 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal und ein Anteil von 4 bis 99 Gewichtsprozenten Titan vorgesehen ist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis b, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktive Versprühung der Katode in Anwesenneit von Stickstoff mit einem Druck im Bereich von 10 bis 150 Mikron erfolgt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Aufsprühen erzeugte Widerstandsschicht nach dem Aufsprühen unter Stabilisierung der Schicht unter Vakuum einer Wärmebehandlung unterzogen wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung der Widerstandsschicht bei Temperaturen zwischen 250 und 500°C mit einer Behandlungsdauer von 0,5 bis 24 Stunden durchgeführt wird.