DE2527527A1

DE2527527A1 - Target fuer photoleitende bildaufnahmeroehren und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: DE2527527A1
Application number: DE19752527527
Authority: DE
Inventors: Naohiro Goto; Tadaaki Hirai; Yasuhiko Nonaka; Keiichi Shidara
Original assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1974-06-21
Filing date: 1975-06-20
Publication date: 1976-01-08
Also published as: DE2527527B2; US4007473A; JPS51829A; GB1513165A; JPS5419127B2

Description

HITACHI LTD. " "' °"" '^Π3

5-1,1-chome, Marunouchi,
Chiyoda-ku,Tokyo, Japan

NIPPON HOSO KYOKAI

2-1, Jinnan 2-chome, 2o. Juni 1975

Shibuya-ku, Tokyo, Japan Anwaltsakte M-3 54o

Target für photoleitende Bildaufnahmeröhren und
Verfahren zu dessen Herstellung

Die Erfindung betrifft ein Target für den Einsatz in photoleitenden Bildaufnahmeröhren und insbesondere ein Target mit einer
heterogenen Übergangszone, das in einer Vidikon- oder photoleitenden Bildaufnahmeröhre eingesetzt wird. Die Erfindung ist aber auch auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets gerichtet.

Als eine Bildaufnahmeröhre mit einem Target, das einen nichtkristallinen photoleitenden Film aufweist, ist ein Vidikon bekannt geworden, das einen ohmschen Übergang aufweist, der mittels
eines Antimontrisulfid-Films aufgebaut worden ist. Vor kurzem
ist eine Bildaufnahmeröhre mit einem photoleitenden Target vorgeschlagen worden, das einen nichtkristallinen photoleitenden Filiji

aufweist. In diesem Target wird eine heterogene Übergangszone j

ι zwischen einem photoleitenden Film vom P-Typ und einem leitenden j

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Film vom N-Typ benutzt, wobei der photoleitende Film'vom P-Typ Selen und einen Verstärker (intensifier) wie z.B. Tellur enthält.

Eine Bildaufnahmeröhre dieser Bauart ist dadurch gekennzeichnet, daß sie einen weiten Bereich an Spektralempfindlichkeit überdeckt und eine schnelle Ansprechzeit, niedrigen Dunkelstrom und hohes Auflösungsvermögen besitzt. Diese Bildaufnahmeröhre läßt sich auch leicht herstellen.

Typischerweise wird das Target der Bildaufnahmeröhre mit solchen Charakteristiken aufgebaut, indem zunächst ein transparenter leitender Film aus im wesentlichen Indiumoxid oder Zinnoxid mit N-Leitung auf die Rückfläche eines Glassubstrates oder eines Glasfensters aufgebracht wird, das die Lichtstrahlen in die Bildaufnahmeröhre eintreten läßt. Weiterhin wird auf die Rückfläche des transparenten leitenden Films vom N-Typ über eine heterogene Übergangsfläche bzw. -zone ein photoleitender Film vom P-Typ aufgebracht, der aus Selen, weniger als 3o Atom-% Tellur und weniger als 3o Atom-% Arsen besteht. Z.B. kann ein pbotoleitender Film vom P-Typ aufgebracht werden, der aus einer Mischung einer ersten photoleitenden Substanz bestehend aus Selen und weniger als M-o Atom-% Tellur und einer zweiten photoleitenden Substanz bestehend ; aus Selen und Io Atom-% Arsen aufgebracht wird. i

Bei einem anderen Targettyp wird auf der Rückseite des transparen-\ ten leitenden Films von N-Typ ein transparenter Halbleiter-Eilm i vom N-Typ aufgebracht, indem Kadmiumselenid, Kadmiumsulfid, Zink- ■, sulfid, Galliumarsenik, Germanium oder Silizium im Vakuum aufge- j

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dampft werden. Der vorstehend erwähnte photoleitende film vom P-Typ wird dann auf der Rückseite des transparenten halbleitenden Films vom N-Typ über eine heterogene Übergangszone ausgebildet. Um die Auftreffcharakteristik eines von einer Elektronenstrahlkanone emittierten und auf den photoleitenden Film auftreffenden Elektronenstrahls zu verbessern, wird auf der Rückseite des photoleitenden Films vom P-Typ ein poröser Film von Antimontrisulfxd (Sb^S ) ausgebildet. Wie anhand der beigefügten Figuren weiter unten beschrieben werden wird, ist in diesen Fällen das durch die erste photoleitende Substanz in das Target eingebrachte Tellur über die gesamte Dicke des photoleitenden Films vom P-Typ verteilt; dabei wächst die Konzentration des Tellurs im wesentlichen stetig von der heterogene Obergangszone aus an, während die Konzentration des Arsens aus der zweiten photoleitenden Substanz ausgehend von der heterogenen Übergangszone des photoleitenden Films vom P-Typ im wesentlichen über die gesamte Dicke dieses Films gleichmäßig ist.

Bei diesem Aufbau liegt der Bereich, in dem die Konzentration des Tellurs groß ist und der daher einen extrem niedrigen spezifischen Widerstand aufweist > in nächster Nähe der heterogenen Übergangszone, so daß die heterogene Übergangszone zumindest teilweise

zerstört wird und die Charakteristik für den anfänglichen Dunkelstrom in großem Maße verschlechtert wird. Wenn das Target gelagert wird oder in normaler Atmosphäre bei einer Temperatur größer als 60 in Ruhezustand gehalten wird, wird die heterogene Übergangszone unter Anwachsen des Dunkelstroms infolge einer Tellur-Diffusion verschlechtert. Diese Veränderungen in der Dunkelstrom-

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charakteristik führen zu einer schlechten Farbbalance des mittels der Bildaufnahmeröhre aufgenommenen Bildes, wodurch natürlich die Bildqualität verschlechtert wird. Da darüber hinaus Tellur unter Wärme stärker zur Kristallisation neigt als Selen, beschleunigt es die Kristallisation des P-photoleitenden Films, wodurch es zur lokalen Erniedrigung des Filmwiderstandes kommt. Als Folge davon treten Fehler in Form von weißen Flecken in den Bildern auf, wodurch die Bildqualität ebenfalls im großen Maße herabgesetzt wird.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Target für den Einsatz in photoleitenden Bildaufnahmeröhren zu schaffen, das eine stabile und niedrige Dunkelstromcharakteristik zeigt.

Außerdem soll die mit einem solchen Target bestückte Bildaufnahmeröhre mit kleiner Betriebsspannung betrieben werden können und leicht zu handhaben sein. Auch soll das Target eine verbesserte thermische Charakteristik aufweisen. Schließlich wird angestrebt, die spektrale Empfindlichkeit über einen weiten Bereich zu verbessern.

Die vorstehende Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der Anfangspunkt des den Verstärker enthaltenden Bereichs des photoleitenden Films vom P-Typ in einem vorgegebenen Bereich liegt, der in Dickenrichtung des Films von der heterogenen Übergangszone zwischen dem photoleitenden Film vom P-Typ und dem leitenden Film vom N-Typ einen Abstand aufweist.

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Weiterhin ist die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets gerichtet.

Das Verfahren ist durch die folgenden Schritte gekennzeichnet: Vorbereiten eines transparenten Substrates, Aufbringen eines transparenten leitenden Films vom N-Typ auf eine Seite des Substrats, Aufbringen einer zweiten photoleitenden Substanz auf den leitenden Film vom N-Typ mit im wesentlichen konstanter Geschwindigkeit, welche Substanz zu einem photoleitenden Film vom P-Typ führt, und Aufbringen einer ersten photoleitenden Substanz, die zu einem photoleitenden Film vom P-Typ führt, mit stetig veränderlicher Aufbringgeschwindigkeit und mit einer Zeitverzögerung gegenüber dem Aufbringen der zweiten photoleitenden Substanz, die auch während des Aufbringens der ersten photoleitenden Substanz weiter aufgebracht wird.

Der transparente leitende Film vom N-Typ kann aus Indiumoxid, Zinnoxid, einer Mischung aus Indiumoxid mit Zinnoxid oder einer Mischung von Zinnoxid mit Antimon bestehen.

Der photoleitende Film vom P-Typ wird durch eine erste photoleitende Substanz bestehend aus Tellur enthaltendem Selen und einer zweiten photoleitenden Substanz bestehend aus Arsen ent- ^! haltendem Selen aufgebaut. Der Gehalt an Tellur ist vorzugsweise _; kleiner als 3o Atom-% und der Gehalt an Selen ist vorzugsweise kleiner als 3o Atom-%. Die Konzentrationsverteilung von Arsen \ ist im wesentlichen über die gesamte Dicke des photoleitenden j

i Films vom P-Typ gleichförmig, während die Konzentration des Tellurs

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-6 -

nahe der heterogenen Obergangszone lokalisiert ist.

Weitere Unteransprüche betreffen vorteilhafte Ausgestaltungen des Targets.

Die Erfindung soll nun anhand der beigefügten Figuren genauer beschrieben werden. Es zeigt:

Figur IA und schematische Darstellungen des Aufbaus bekannter Figur IA' Targets zum Einsatz in photoleitenden Bildaufnahmeröhren ;

Figur IB eine graphische Darstellung der Verteilung der

Komponenten des photoleitenden Films vom P-Typ über die Schichtdicke, wie sie bei den Targets gemäß Figuren IA und IA¹ gegeben ist,

Figur 2A und schematische Längsschnitte durch erfindungsge-Figur 2A¹ mäße Targets;

Figur 2B eine graphische Darstellung der Verteilung der

Bestandteile des photoleitenden Films vom P-Typ über die Schichtdicke, wie sie bei den Targets ; gemäß den Figuren 2A und 2A¹ benutzt wird, ;

und es zeigen: >

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Figuren 3 bis 6 verschiedene Charakteristik^ einer photoleitenden Bildaufnahmeröhre, die mit dem erfindungsgemäßen Target ausgerüstet ist.

Wie in der Figur IA schematisch dargestellt worden ist, weist der allgemein mit der Bezugszahl 1 bezeichnete Targetaufbau für den Einsatz in einer photoleitenden Bildaufnahmeröhre ein transparentes Substrat 2 auf, das mit der Vorderseite des nicht näher dargestellten Röhrenkörpers abgedichtet verbunden ist. Auf der Rückseite des Substrates ist ein transparenter leitender Film 3 vom N-typ aufgebracht und auf die Rückseite des Films ist ein photoleitender Film 5 vom P-Typ aufgebracht. Zwischen dem transparenten leitenden Film 3 vom N-Typ und dem photoleitenden Film 5 vom P-Typ bildet sich eine heterogene Obergangszone 4 aus. Der transparente leitende Film 3 vom N-Typ kann aus Indiumoxid, Zinnoxid, einer Mischung aus Indiumoxid mit Zinnoxid oder einer Mischung von Zinnoxid mit Antimon bestehen. Der photoleitende Film 5 vom P-Typ besteht vorzugsweise aus Selen, weniger als 3o Atom-% Tellur und weniger als 3o Atom-% Arsen. Ein anderer zum Stand der Technik gehöriger Targetaufbau ist in der Figur IA¹ dargestellt und besteht aus einem Substrat 2, einem auf der Rückseite des Substrates 2 ausgebildeten transparenten leitenden Film 3 vom N-Typ, einem auf der Rückseite des transparenten leitenden Films !

3 vom N-Typ ausgebildeten transparenten Halbleiterfilm 6 vom N-Typ

5
und einem photoleitenden Film vom P-Typ, der auf die Rückseite ; des transparenten halbleitenden Filmes 6 vom N-Typ aufgebracht ist und aus einem Element aus der folgenden Gruppe besteht: Kadmiumselenid, Kadmiumsulfid, Zinksulfid, Galliumarsenik, Ger-

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manium und Silizium. Auf die Rückseite des P-photoleitenden Films 5 ist ein semi-poröser Film 7 von Antimontrisulfid (Sb„So) aufgebracht. Der transparente Halbleiterfilm 6 von N-Typ trägt zur Verringerung des Dunkelstroms während des Betriebs der Aufnahmeröhre und zur Reduktion der Weißflecken-Bildung bei. Wie bereits vorstehend erwähnt, trägt der semi-poröse Film 7 zur Verbesserung der Auftreffcharakteristik (landing characteristic) von Elektronenstrahlen bei. Es sind einfache, allerdings nicht dargestellte Abänderungen möglich, bei denen der semiporöse Film 7 auch in die Targetaufbauten gemäß Figuren IA und 2A in demselben Weise wie in den Figuren IA¹ und 2A¹ eingebaut werden kann. Eine heterogene Übergangszone 4- wird an der Zwischenfläche zwischen dem transparenten halbleitenden Film 6 vom N-Typ und dem photoleitenden Film 5 vom P-Typ ausgebildet. Der photoleitende Film 5 vom P-Typ besteht z.B. aus einer Mischung einer ersten photoleitenden Substanz bestehend aus Selen und 4o Atom-% Tellur und einer zweiten photoleitenden Substanz bestehend aus Selen und Io Atom-% Arsen. Das Tellur ist aber nicht über die Dicke gleichmäßig verteilt, sondern konzentriert sich in einer Schicht der Dicke t. . Wie insbesondere _: aus der Figur IB ersichtlich ist, verteilt sich das Tellur über i die Gesamtdicke, jedoch ist die Tellurkonzentration im Bereich t. der Figur IA am größten. Bemerkenswert ist auch die Tatsache, j daß das Gebiet t₁ an die heterogene Obergangszone H angrenzt. Aus ! diesem Grunde wiesen die zum Stand der Technik gehörigen Targetaufbauten eine Anzahl von Schwierigkeiten auf, wie dies bereits in der Beschreibungseinleitung dargelegt worden ist.

Gemäß einem bekannten Verfahren zur Herstellung des Targetaufbaus[

50 988 2/0768 -9-

für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre mit einer heterogenen Übergangszone der vorstehend beschriebenen Bauart wird zunächst der im wesentlichen aus Indiumoxid oder Zinnoxid bestehende transparente leitende Film mit N-Leitung auf dem transparenten Substrat 2 aufgebracht. Danach werden die ersten und zweiten photoleitenden Substanzen getrennt voneinander bereitgestellt und pulverisiert. Diese Pulver werden danach in getrennte Tantalverdampfungsschiffchen eingebracht und zur Ausbildung des photoleitenden Films vom P-Typ gleichzeitig verdampft. Während des Aufdampfens werden die durch die Schiffchen fließenden Ströme derart gesteuert, daß die Aufdampfgeschwindigkeit für die erste photoleitende Substanz variiert wird, während die Aufdampfgeschwindigkeit für die zweite photoleitende Substanz auf einem konstanten Wert gehalten wird, und zwar derart, daß der Tellur-Gehalt an beiden Zwischenflächen des photoleitenden Films vom P-Typ weniger als Io Atom-% beträgt und eine Maximalkonzentration von Io - 4o Atom-% an einer Stelle nahe dem N-leitenden Film und nicht in der Mitte des Films erreicht. Dies ist in der Figur IB dargestellt.

Die Figuren 2A und 2A¹ zeigen schematisch den Aufbau der erfindungsgemäßen Targets, in denen für die gleichen Bestandteile die bereits in den Figuren IA und IA' eingeführten Bezugszeichen verwendet '

werden. j

Die Figuren 2A und 2A¹ unterscheiden sich von den Figuren IA und ,' IA¹ darin, daß in den Figuren 2A und 2A¹ der Bereich t₉, der dem ; ■

¹ j

Bereich t.. mit hoher Tellur-Konzentration entspricht, nicht an j

J- J

die heterogene Übergangsfläche bzw. Übergangszone 4 angrenzt. !

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- Io -

Insbesondere weist der Anfangspunkt des Bereiches t₂ einen Abstand 1 von der heterogenen Obergangszone 4 auf. Wenn der Abstand 1 im

ο ο
Bereich von 8o A bis 15oo A ausgewählt wird, werden verschiedene Vorteile erreicht, die weiter unten im einzelnen beschrieben werden sollen. Die Konzentrationsverteilung in Deckenrichtung der Bestandteile für den P-photoleitenden Film 5 des Targets gemäß den Figuren 2A und 2A¹ ist in der Figur 2B dargestellt. Es sollte bei der Figur 2B insbesondere beachtet werden, daß der Anfangspunkt der Verteilungskurve für Tellur nicht am Nullpunkt der Dicke liegt.

Die Figur 3 zeigt die Änderung des Dunkelstroms des Targets für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre für den Fall,bei dem die Schichtdicke der Schicht, die in einer frühen Stufe der Herstellung des P-photoleitenden Filmes ausgebildet wird und noch kein Tellur enthält, geändert wird. Wie aus der Figur 3 ablesbar ist, ist der Dunkelstrom sehr klein und stabil, wenn die Dicke 1 der

ο kein Tellur enthaltenden Schicht größer gleich 2oo A ist

(mit anderen Worten: Wenn der Anfangspunkt einer Tellur enthalten-r

o den Schicht einen Abstand von mindestens 2oo A von der heterogenen Übergangszone aufweist).Damit kann ein Target mit einer Dunkelstromcharakteristik eines stetigen und kleinen Wertes auf einfache

ο Weise erzielt werden. Ein Abstand, der 8o A übersteigt, führt ' bereits auch schon zu einem ziemlich zufriedenstellenden Ergebnis. \

Die Figur 4· ist eine graphische Darstellung des Zusammenhanges j

und !

zwischen der Targetspannung/der Änderung des Photostroms, wenn [

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das Target mit blauem Licht beleuchtet wird. Die Kurve A entspricht dem Fall, in dem die Dicke der kein Tellur enthaltenden

ο
Schicht O A beträgt (d.h. die Tellur enthaltende Schicht sich an

die heterogene Obergangszone bzw. Fläche anschließt). Die Kurve B entspricht dem Fall, in dem die Dicke der kein Tellur enthalten-

o
den Schicht 80 A beträgt. In beiden Fällen A und B geht der Photostrom in die Sättigung, wenn die Targetspannung (die Spannung, die dem photoleitenden Film vom P-Typ über eine nicht gezeigte Klemme aufgeprägt wird) anwächst. Jedoch nimmt die Sättigungsspannung des Targets ab, wenn die Dicke der kein Tellur enthaltenden Schicht gemäß dem Pfeil B anwächst. Je größer diese Sättigungsspannung ist, desto größer ist die Betriebsspannung der Bildaufnahmeröhre, wodurch deren Handhabung erschwert wird. Dadurch wird die Ausheizcharakteristik (baking characteristic^ eine der Charakteristiken des Targets, verschlechtert, wodurch die Qualität des aufgenommenen Bildes verschlechtert wird. Daher werden die Charakteristika der Bildaufnahmeröhre verbessert und ihre Handhabung wird leichter, wenn die Dicke 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht anwächst.

In der Figur 5 ist die Beziehung zwischen der Dicke 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht und dem Durchmesser der an lokalen Stellen des photoleitenden Films ausgebildeten Kristalle graphisch aufgetragen, welche Beziehung ein Maß für die Verbesserung der ■

ί thermischen Charakteristik des Targets ist. Die Kurve Io wurde :

erhalten, indem das Target bei loo C 12o Minuten lang ausgeheizt

wurde, während die Kurve D erhalten wurde, indem das Target j

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24o Minuten lang auf einer Temperatur von ISo C gehalten wurde. Aus der Figur 5 ist ablesbar, daß je größer die Schichtdicke 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht ist (mit anderen Worten: Je größer der Abstand zwischen dem Anfangspunkt der Tellur enthaltenden Schicht und der heterogenen Obergangszone ist) , desto kleinerist die Wachsgeschwindigkeit der lokal in der photoleitenden Schicht vom P-Typ ausgebildeten Kristalle. Mit anderen Worten: Mit dem Anwachsen der Dicke 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht wird die Kristallisation schwieriger, wodurch die thermische Charakteristik des Targets verbessert wird. Solche Kristallbildung führt zu lokaler Variation des Filmwiderstandes beim Betrieb der Bildaufnahmeröhre, wodurch es zu Bildfehlern in Form weißer Punkte kommt, die die Arbeitscharakteristik des Targets schädlich beeinflussen. Aus diesem Grunde sollte zur Verbesserung der thermischen Charakteristik die Dicke 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht vergrößert werden. Nach den vorstehenden Ausführungen wurde der Graph gemäß Figur 5 bei einer Temperatur von loo C aufgenommen; die tatsächliche Betriebstemperatur liegt aber in den meisten Fällen unter 4o°C. Jedesmal , wenn die Temperatur sich um Io C ändert, wächst die Kristallisationsgeschwindigkeit um einen Faktor 2 bis Io an. In jedem Falle reicht es zur Verbesserung der thermischen Charakteristik.aus, wenn die Dicke 1 der kein

ο Tellur enthaltenden Schicht größer als 2oo A gewählt wird. In der'

Praxis führt eine kein Tellur enthaltende Schicht mit einer

ο
Schichtdicke von mehr als 8o A ebenfalls zu zufriedenstellenden

Ergebnissen. ;

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In der Figur 6 ist die spektrale Empfindlichkeit des Targets für verschiedene Dicken 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht

ο dargestellt. Im Falle E beträgt die Schichtdicke 1 8o A. Im Falle

F beträgt die Schichtdicke 1 22o A und die Fälle G₅H und I bees ο ο ziehen sich auf Schichtdicken 1 von 15oo A, 3ooo A, bzw. 7ooo A.

Aus der Figur 6 kann deutlich abgelesen werden: ßei zu großer Dicke 1 der kein Tellur enthaltenden Schicht (Fälle H und I) zeigt das Target irreguläre Spektralempfindlichkeitsverlaufe, bei denen die Intensität bei kurzen Wellenlängen und bei langen Wellenlängen im sichtbaren Bereich verbessert ist. Eine Bildaufnahmeröhre soll jedoch eine hohe Spektralempfindlichkeit über einen weiten Bereich im sichtbaren Gebiet aufweisen, unabhängig davon, ob sie für monochromatisches Licht oder für mehrfarbiges Licht eingesetzt wird. Für praktische Zwecke ist eine Spektralempfindlichkeit erforderlich, wie sie von einer Schicht mit einer Dicke 1 bis zu

ο
15oo A gegeben ist.

Unter Bezugnahme auf die Figuren 3 bis 6 wurde vorstehend beschrieben, daß eine Stabilisierung der Dunkelstromcharakteristik des Targets einer Bildaufnahmeröhre, die Verhinderung der Erzeugung von Bildfehlern und eine Verbesserung der Spektralempfindlichkeitscharakteristik möglich ist, da der Anfangspunkt des Tellur enthaltenden Bereichs in einem Bereich liegt, der

ο
einen Abstand von 8o bis 15oo A von der heterogenen Übergangszone zwischen dem photoleitenden Film vom P-Typ und dem anderen Film in Dickenrichtung des Films aufweist.

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Ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Targets soll nun beschrieben werden. Da das bekannte Target keine kein Tellur enthaltende Schicht aufweist, werden zu dessen Herstellung die ersten und zweiten photoleitenden Substanzen zur gleichen Zeit von dem Augenblick an aufgedampft, an dem die Bedampfung beginnt. Im Gegensatz dazu wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ausbildung einer kein Tellur enthaltenden Schicht einer Schichtdicke 1 das Aufdampfen der ersten photoleitenden Substanz bezüglich des Beginns des Aufdampfens der zweiten photoleitenden Substanz verzögert.

Im einzelnen wird zunächst ein die Form des Einfallsfensters der Bildröhre aufweisendes Glassubstrat hergestellt und in einer geeigneten Reinigungsflüssigkeit gereinigt, um an dem Glassubstrat anhaftende Staub- oder andere Fremdteilchen zu entfernen. Das gereinigte Glassubstrat wird in der Glocke eines bekannten Aufdampfstandes mit der einen Seite nach oben gelagert. Zunächst wird unter geeignetem Vakuum ein aus Indiumoxid oder Zinnoxid bestehender transparenter leitender Film 3 vom N-Typ auf das Glassubstrat aufgedampft. Es ist möglich, dem transparenten leitenden Film vom N-Typ mit vorgegebener Schichtdicke auf das Glassubstrat aufzudampfen, indem der das Verdampfungsschiffchen für das Material aufheizende Strom entsprechend gesteuert wird. Vorzugsweise liegt die Dicke des transparenten leitenden Films vom N-Typ

ο ο
im Bereich von 12oo A bis 35oo A. Danach wird der photoleitende Film 5 vom P-Typ auf den transparenten leitenden Film vom N-Typ bis zu einer Dicke von 2 bis Io Mikron aufgedampft, um zwischen \

den beiden Filmen eine heterogene Obergangszone auszubilden. Wie I

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die Figur 2 deutlich zeigt, weist die zweite photoleitende Substanz bestehend aus Selen und Io Atom-% Arsen eine im wesentlichen gleichförmige Verteilung über die gesamte Dicke des P-photoleitenden Films auf; daher wird sie mit einer im wesentlichen konstanten Geschwindigkeit aufgedampft. Dies kann dadurch erreicht werden, indem der Heizstrom für das die zweite photoleitende Substanz in Pulverform enthaltende Schiffchen in an sich bekannter Weise konstant gehalten wird. (Das Schiffchen besteht z.B. aus Tantal). Andererseits lokalisiert sich das erste photoleitende Material z.B. bestehend aus Selen und 4o Atom-% Tellur an Bereichen des photoleitenden Films vom P-Typ, die eine vorgegebene Dicke aufweisen, so daß die erste photoleitende Substanz mit einer sich stetig ändernden Aufdampfgeschwindigkeit aufgedampft werden sollte. Dies kann durch geeignete Steuerung des Heizstroms für das die erste photoleitende Substanz in Pulverform enthaltende Schiffchen erreicht werden. Die erste und zweite photoleitende Substanz werden jeweils in ein Schiffchen eingebracht. Wie bereits vorstehend erläutert worden ist, wird zur Erreichung der in Figur 2B gezeigten Tellur-Verteilung der Beginn des Aufdampfens der ersten photoleitenden Substanz bezüglich des Beginns des Aufdampfens der zweiten photoleitenden Substanz verzögert. Es wird daher zunächst das zweite photoleitende Material in der vorstehend beschriebenen Weise auf den transparenten leitenden Film vom N-Typ aufgedampft. Das Aufdampfen findet solange statt, bis sich der photoleitende Film vom P-Typ bis zu einer vorgegebenen Dicke aufgebaut hat. Nach dieser vorgegebenen Verdampfungszeit wird dem anderen mit der ersten photoleitenden Substanz geladenen Schiffchen Heizstrom zugeführt, damit das Aufdampfen der ersten Substanz beginnen kann.

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Obwohl dieses Aufdampfen solange fortgeführt wird, bis der photoleitende Film vom P-Typ bis zu einer vorgegebenen Dicke aufgebracht worden ist, wird im wesentlichen das gesamte Material in dieser frühen Stufe des Aufdampfganges aufgebracht, wie es in der Figur 2B dargestellt worden ist. Auf diese Weise wird ein photoleitender Film vom P-Typ aufgebracht, der eine Mischung aus der ersten und der zweiten photoleitenden Substanz darstellt. Z.B. wird bei anfänglichem Aufheizen des die zweite photoleitende Substanz enthaltenden Schiffchens mit 4 2A unter einem Vakuum von 2 χ lo~ Torr eine kein Tellur enthaltende Schicht mit einer

Schichtdicke von 8o bis 15oo A erzielt, wenn die Verzögerungszeit Io - 6o Sekunden beträgt.

Das fertige Target wird auf das eine Ende des zylindrischen Kolbens der Bildaufnahmeröhre mit Hilfe eines Dichtungsmittels befestigt, das z.B. metallisches Indium sein kann, welches als Zwischenleiter für den Anschluß einer äußeren Klemme dient.

Obwohl bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ein photoleitender Film vom P-Typ auf einem leitenden Film vom N-Typ ausgebildet wird und ein halbleitender Film vom N-Typ zwischen dem leitenden Film vom N-Typ und dem photoleitenden Film vom P-Typ eingeschoben wird, sollte doch klar sein, daß die vorliegende Erfindung keinesfalls auf diesen besonderen Aufbau des Targets beschränkt ist. Wo z.B. ein anderer photoleitender Film vom N-Typ ausgebildet wird, in dem der Anfangspunkt der tellurhaltigen Schicht bezüglich der heterogenen Übergangszone an der Zwischenfläche zwischen dem photoleitenden Film vom P-Typ und

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dem anderen Film gelegt wird, können dieselben Vorteile erzielt werden, so daß natürlich ein derart abgeänderter Aufbau des Targets noch unter die Erfindung fällt.

In der vorstehenden Beschreibung wurde die Festlegung der kein Tellur enthaltenden Schicht die Steuerung des Heizstroms für das Schiffchen herangezogen, das die erste photoleitende Substanz enthält. Es kann natürlich für die Erreichung desselben Ziels ein dem Schiffchen zugeordneter Verschluß gewählt werden.Die Verwendung eines solchen Verschlusses gehört zur Erfindung.

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Claims

Patentansprüche

Target für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre, mit einem transparenten Substrat, einem auf der Rückseite des Substrates aufgebrachten transparenten leitenden Films vom N-Typ und einem auf der Rückseite des Films vom N-Typ unter Ausbildung einer heterogenen Obergangsfläche bzw. -zone aufgebrachten photoleitenden Film vom P-Typ,der wenigstens Selen und Tellur als Verstärker enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Anfangspunkt des den Verstärker enthaltenden Bereichs des photoleitenden Films (5) vom P-Typ in einem vorgegebenen Bereich liegt, der in Dickenrichtung des Films von der heterogenen Obergangszone (4) zwischen dem photoleitenden Film (5) vom P-Typ und dem leitenden Film (3) vom N-Typ einen Abstand (1) aufweist.

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2. Target nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vorge-

o ο gebene Bereich sich zwischen 8o A und 15oo A erstreckt.
3. Target nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente leitende Film (3) vom N-Typ aus Indiumoxid oder einer Mischung von Indiumoxid mit Zinnoxid besteht.
4. Target nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente leitende Film (3) vom N-Typ aus Zinnoxid oder einer Mischung von Zinnoxid mit Antimon besteht.
5. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß der photoleitende Film vom P-Typ aus einer ersten photoleitenden Substanz bestehend aus Tellur enthaltendem Selen und einer zweiten photoleitenden Substanz bestehend aus Arsen enthaltendem Selen aufgebaut ist.
6. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der photoleitende Film (5) vom P-Typ aus einer Mischung von weniger als 3o Atom-% Tellur, weniger als 3o Atom-% Arsen und Selen besteht.
7. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentrationsverteilung von Arsen im wesentlichen gleichförmig über die gesamte Dicke des photoleitenden Films

(5) vom P-Typ ist. ·

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8. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeich- ^: net, daß die Konzentrationsverteilung von Tellur in der Nähe . der heterogenen Obergangszone (4) lokalisiert ist.
9. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des photoleitenden Films (5) vom P-Typ im Bereich von 2 - Io Mikron liegt.
10. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem transparenten leitenden Film (3) vom
N-Typ und dem photoleitenden Film (5) vom P-Typ ein transparenter halbleitender Film (6) vom N-Typ angeordnet ist.
11. Target nach einem der Ansprüche 1 bis Io, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente halbleitende Film (6) vom N-Typ aus ^: einem Element ausgewählt aus der folgenden Gruppe besteht:
Kadmiumselenid, Kadmiumsulfid, Zinnsulfid, Galliumarsenik, : Germanium und Silizium.
12. Target nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeich-j

net, daß auf der Rückseite des photoleitenden Films (5) vom i

P-Typ ein semiporöser Film (7) ausgebildet ist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der semiporöse Film (7) aus Antimontrisulfid
besteht.

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14. Verfahren zur Herstellung eines Targets nach einem der Ansprüche 1 bis 13, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Vorbereiten eines transparenten Substrates, Aufbringen eines transparenten leitenden Films vom N-Typ auf eine Seite des Substrats, Aufbringen einer zweiten photoleitenden Substanz auf den photoleitenden Film vom N-Typ mit im wesentlichen konstanter Geschwindigkeit, welche Substanz nach Ausbildung eines photoleitenden Films vom P-Typ führt, und Aufbringen einer ersten photoleitenden Substanz, die zum Aufbau des photoleitenden Films vom P-Tvo beiträgt,

und*

mit einer sich stetig ändernden Geschwindigkeit/mit einer Zeitverzögerung gegenüber dem Beginn des Aufbringens der zweiten photoleitenden Substanz, die auch während des Aufbringens der ersten photoleitenden Substanz aufgebracht wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der photoleitende Film von P-Typ von einer ersten photoleitenden Substanz bestehend aus Tellur enthaltendem Selen und einer zweiten photoleitenden Substanz bestehend aus Arsen enthaltendem Selen aufgebaut wird.

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