JPS61193336A - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、８　ｅ　＋　Ａ　ｓ　＋　Ｔ　ｅを主成分と
する光導電膜を備えた撮像管ターゲットに関するもので
ある。

〔発明の背景〕

従来、この種の光導電膜を備えた撮像管においては、ハ
イライトスティッキング、すなわち面輝度被写体の撮像
時に生ずる尾引き現象に対する対策としてＬｉＦ＋ｃａ
Ｆ２のようなフッ化物を、透明導電膜上に形成したＳｅ
、Ａｓを主成分とする第１層からＴｅ含有の第２層にか
けて、ドーピングすることが行なわれている（特願昭５
５−１５７０８４号）。

しかしながら、このような不純物のドーピングにより上
記ハイライトスティッキングは減少するものの、ハイラ
イト焼付、すなわち高輝度被写体撮像後その像が残って
消えない現象を十分に防止することができず、背色光は
ポジに焼付き（背景画面よ９明るく残る）、赤色光はネ
ガに焼付く（背景画面より暗く残る）という問題があっ
た。

〔発明の目的〕

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり
、その目的は、ハイライトｍ付を有効に抑えることが可
能な撮像管ターゲットを提供することＫある。

〔発明の概要〕

このような目的を達成するために、本発明は、透明導電
膜とＴｅ含有第２層との間の８　ｅ　＋　Ａ　ｓを主成
分とする第１層の厚さを９〜２４ｎｍとしたものである
。

〔発明の実施例〕

前述したように、ハイライト焼付レベルには色依存性が
あるが、これは、従来透明導電膜とＴｅ含有第２層との
間に存在する８　ｅ　、　Ａ　ｓを主成分とする厚さ３
Ｑｎｍの第１層で短波長の青色光の吸収が大きく、逆に
赤色光はこの層での吸収が少なく殆んど第２膚で吸収さ
れることによるものと考えられる。

そこで、青色光の吸収率の大きい第１層の厚さを小さく
し、第２層を透明導電膜側に近付けてこの第２層でも青
色光を吸収させるようにすることにより、波長による吸
収領域の違いを少なくしてハイライト焼付の色依存性を
無くし、青色光によるポジ、赤色光によるネガの各焼付
を打ち消すことが可能である。次にその厚さの限定根拠
について説明する。　　　　　　　　。

第１図は、光導電形の撮像管ターゲットの構造例を示す
図、第２図は光導電膜の濃度分布を示す図である。第１
図において、透光性基板としてのガラス面板１の上に透
明導電膜２を形成し、その上に順次積層した第１層３．
第２層４．第３層５からなる光導電膜を形成しである。

上記第１　ｊｄ　３は、Ａｓを６〜ｌ　ＯＷ　ｔｊ％含
有しかつＬｉＦを０．４〜０．８ｗｔＸドーピングした
５ｅ−Ａｓ−、ＬｉＦからなる光導電層であシ、＠２層
４はＴｅを約３ＱｗｔＸ含有すると共にＡｓを約３　ｗ
　１９６含有しかつ厚みの約１／２までＬｉＦを０．４
ｗｔ％　ドーピングした５ｅ−Ａｓ−Ｔｅ−Ｌ　ｉ　Ｆ
　カらナル。また、第３層５Ｆｉ８ｅ−Ａｓからなシ、
Ａｓ濃度を一定の勾配で漸時減少させた領域５ａと一定
Ａｓ　５度の領域５ｂとによって構成される。

ここで、−１層３の厚さｔを変えて、赤色光と青色光と
の焼付差、すなわち焼付の色依存性と、暗電流、すなわ
ち光しゃ断時て流れる信号電侃との変化を調べた結果を
第３図に示す。なお、上記焼付差を示す、数値は青緑赤
色光の焼付において、ポジ焼付を正、ネガ焼付を負とし
、それぞれの焼付量の最大と最小の差として算出したも
のである。

また、同図中（イ）が焼付差、（ロ）が暗電流を示す。

同図から明らか′々ように、ｓｇｔ層３の厚さを従来の
約３０　ｎ　ｍから次第に小さくして行くと、高輝度被
写体による赤色光と青色光で生ずる焼付の差は、（イ）
のように減少する。しかし、このように第１層３の厚さ
が小さくなるに伴って、他方で（ロ）に示すよう□に暗
電流が増大する。この暗電流は増大しすぎるとＳ／Ｎ比
が低くなシ、曳好な撮像画面が得にく、くなる。したが
って、ハイライト焼付を実用上問題とならないレベルま
で改善し、かつ暗電流の許容・限度を越えない範囲とし
て、第１層３の厚さは９〜２４ｎｍ’が適当であること
が分る。

す彦わち、第１層３の厚さを上記の範囲にするの場合で
０．５％以下と十分無視できるレベルまで改善すること
ができる。

なお、以上の説明は第１層および第２層にノ・イライト
スティッキング防止用の不純物としてＬｉＦを含有させ
た場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、上記不純・物としては他にもＣａＰ
２のようなフッ化物を用いてもよく、さらにＩ　ｎ＊ｏ
ｓのような金属酸化物等を加えた２種類以上の不純物を
含有した光導電膜にも　　　□適用できる。また、この
ような不純物を含有させない場合でも、／％イライ）Ａ
付の焼付差防止の効果は得られることは言うまでもない
。

〔発明の効果〕　　　　　　・′ 以上説明したように、本発明によれば、透明導電膜とＴ
ｅ含有第２・層との間の５ｅ−Ａｓからなる第１層の厚
さを従来の３Ｑｎｍから９〜２４ｎｍと減縮したことに
より、ノ１イライト焼付を有効に抑えた撮像管を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光導電形の撮像管ターゲットの構造例を示す図
、第２図は光導ｉ！膜の濃度分布を示す図、第３図はハ
イライト焼付差および暗電流の第１層膜厚依存性を示す
図である。 ト・・・ガラス面板（透光性基板）、２・・・・透明導
電膜、３・・・・第１層、４・・・；第２層、５・・・
・第３層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透光性基板上に形成した透明導電膜と、この透明導電膜
   上に形成したＳｅ、Ａｓ、Ｔｅを主成分とする光導電膜
   とを備えた撮像管ターゲットにおいて、光導電膜は、Ｓ
   ｅとＡｓとを主成分とする第１層と、Ｔｅを主成分とす
   る第２層と、Ｓｅ、Ａｓを主成分とする第３層とを備え
   、第１層の厚さを９〜２４ｎｍにしたことを特徴とする
   撮像管ターゲット。