JPS6319738A - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
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- JPS6319738A JPS6319738A JP16180586A JP16180586A JPS6319738A JP S6319738 A JPS6319738 A JP S6319738A JP 16180586 A JP16180586 A JP 16180586A JP 16180586 A JP16180586 A JP 16180586A JP S6319738 A JPS6319738 A JP S6319738A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｓｅを主成分としＡｓ及びＴｅ等を含有する
ｐ形の光導電膜と電子ビームランディング層を重ね合わ
せた膜を備えた撮像管ターゲットを、長期間使用後も特
性変化が少なく信頼性が高（なるように改善したものに
関する。
ｐ形の光導電膜と電子ビームランディング層を重ね合わ
せた膜を備えた撮像管ターゲットを、長期間使用後も特
性変化が少なく信頼性が高（なるように改善したものに
関する。
従来から、非晶質のＳｅ、、 Ｔｅ、 Ａｓ等を含有す
るｐ形光導電膜とｎ形溝電膜との間に整流性接触を形成
した整流性接触形の光導電性撮像管ターゲットが、特公
昭５０−２７３２６号、特公昭５４−１９１２７号、特
公昭６０−５１７７４号、特開昭５５−１８３７４９号
等において提案されている。この方式の撮像管ターゲッ
トは、残像、フレアが少なく、解像度が高く、しかも製
造方法が簡単である等の特徴を有しており、次のように
して形成される。すなわち、第２図に示すように、まず
透光性ガラス基板１の上に酸化錫または酸化インジウム
を主成分とする透明導電膜２を形成し、更にセレン化亜
鉛、酸化ゲルマニウム、酸化セリウム、フン化リチウム
等で形成された極めて薄いｎ形溝電膜３を重ねる。つい
で、このｎ形溝電Ｍ’Ａ３と整流性接触がなされるよう
に、このｎ形溝電１！３の上に、非晶質Ｓｅを主成分と
する数μｍ厚のｐ形光導電膜４を積重ね、そののち約１
０００人の厚さのＳｂ、Ｓ３等からなる電子ビームラン
ディング層５をｐ形光導電Ｈ＊ ４の上に積み重ねるこ
とにより、上記方式の撮像管ターゲットが完成される。
るｐ形光導電膜とｎ形溝電膜との間に整流性接触を形成
した整流性接触形の光導電性撮像管ターゲットが、特公
昭５０−２７３２６号、特公昭５４−１９１２７号、特
公昭６０−５１７７４号、特開昭５５−１８３７４９号
等において提案されている。この方式の撮像管ターゲッ
トは、残像、フレアが少なく、解像度が高く、しかも製
造方法が簡単である等の特徴を有しており、次のように
して形成される。すなわち、第２図に示すように、まず
透光性ガラス基板１の上に酸化錫または酸化インジウム
を主成分とする透明導電膜２を形成し、更にセレン化亜
鉛、酸化ゲルマニウム、酸化セリウム、フン化リチウム
等で形成された極めて薄いｎ形溝電膜３を重ねる。つい
で、このｎ形溝電Ｍ’Ａ３と整流性接触がなされるよう
に、このｎ形溝電１！３の上に、非晶質Ｓｅを主成分と
する数μｍ厚のｐ形光導電膜４を積重ね、そののち約１
０００人の厚さのＳｂ、Ｓ３等からなる電子ビームラン
ディング層５をｐ形光導電Ｈ＊ ４の上に積み重ねるこ
とにより、上記方式の撮像管ターゲットが完成される。
入射光６はガラス基板１側から照射され、走査電子ビー
ムはＳｂ、Ｓ３１Ｊ５上にランディングして光電変換走
査を行う。
ムはＳｂ、Ｓ３１Ｊ５上にランディングして光電変換走
査を行う。
通常、上記ｐ形光導電膜４は、その材質が非晶質Ｓｅだ
けであると、赤色光に対する感度が不十分であるとか、
非晶質Ｓｅが比較的低温で結晶化され易いとかのために
、白点状の画面欠陥が生じやすい。従って、このような
問題を解消する目的で、ｐ形光導電膜４のｎ形溝電膜３
側で、しかも整流性接触をなしている近傍の厚さ数百人
の部分に、２０〜５０重量％の極大値を有する赤色増感
剤としてのＴｅを加えて赤色光に対する感度を向上させ
ると共に、ｐ形光導電膜４に膜厚全領域にわたってＡｓ
を加え、非晶質Ｓｅの粘度を高めて結晶化速度を遅くす
るようにしている。この場合、光導電膜４は定められた
Ａｓを含有するＳｅとＡｓの合成材料を使用して蒸着す
るか、又はＳｅ単体とＡｓ２ Ｓｅ３化合物との１００
Å以下の薄層膜を交互に蒸着して形成する方法が公知（
特開昭４８−１０２９１９号）である。
けであると、赤色光に対する感度が不十分であるとか、
非晶質Ｓｅが比較的低温で結晶化され易いとかのために
、白点状の画面欠陥が生じやすい。従って、このような
問題を解消する目的で、ｐ形光導電膜４のｎ形溝電膜３
側で、しかも整流性接触をなしている近傍の厚さ数百人
の部分に、２０〜５０重量％の極大値を有する赤色増感
剤としてのＴｅを加えて赤色光に対する感度を向上させ
ると共に、ｐ形光導電膜４に膜厚全領域にわたってＡｓ
を加え、非晶質Ｓｅの粘度を高めて結晶化速度を遅くす
るようにしている。この場合、光導電膜４は定められた
Ａｓを含有するＳｅとＡｓの合成材料を使用して蒸着す
るか、又はＳｅ単体とＡｓ２ Ｓｅ３化合物との１００
Å以下の薄層膜を交互に蒸着して形成する方法が公知（
特開昭４８−１０２９１９号）である。
しかし、従来の上記撮像管ターゲットは、ターゲット印
加電圧に対する感度または飽和特性が十分良好なものと
は言えず、また暗電流を十分抑えることが出来ない。周
知の通り、ターゲット印加電圧に対する感度および飽和
特性が悪いと、撮像管ターゲットの取扱い上非常な困難
を伴う。例えば、ターゲット印加電圧を、その遅れにし
たがって高い電圧方向にシフトさせる必要がでてきたり
、青色光、赤色光に限らず全ての入射光に対して感度が
低下するという問題が生ずる。また、暗電流が大きいと
撮像画質が著しく劣化することになる。
加電圧に対する感度または飽和特性が十分良好なものと
は言えず、また暗電流を十分抑えることが出来ない。周
知の通り、ターゲット印加電圧に対する感度および飽和
特性が悪いと、撮像管ターゲットの取扱い上非常な困難
を伴う。例えば、ターゲット印加電圧を、その遅れにし
たがって高い電圧方向にシフトさせる必要がでてきたり
、青色光、赤色光に限らず全ての入射光に対して感度が
低下するという問題が生ずる。また、暗電流が大きいと
撮像画質が著しく劣化することになる。
このために、ｐ形光導電膜に添加するＡｓの総重量を２
．５〜６重量％とし、ターゲット電圧に対する感度また
は飽和特性を改良し、しかも暗電流の小さな撮像管ター
ゲットが、特開昭５３−６２４１９号に開示されている
。また急激な温度変化や高温度の環境においてＳｂ、Ｓ
３膜に生じやすいクラック発生防止のために特公昭５７
−４４０３０号において、Ｓｂ、Ｓ。
．５〜６重量％とし、ターゲット電圧に対する感度また
は飽和特性を改良し、しかも暗電流の小さな撮像管ター
ゲットが、特開昭５３−６２４１９号に開示されている
。また急激な温度変化や高温度の環境においてＳｂ、Ｓ
３膜に生じやすいクラック発生防止のために特公昭５７
−４４０３０号において、Ｓｂ、Ｓ。
層に接する０、１ μｍ厚の部分のＳｅ腹中のＡｓの含
有量を１０〜２０重量％にし、撮像画質を向上させる提
案もなされている。
有量を１０〜２０重量％にし、撮像画質を向上させる提
案もなされている。
しかし、従来の上記撮像管ターゲットは連続長時間動作
時に光導電膜内の内部電界変化が起こり、長時間動作時
のターゲット電圧に対する信号電流特性が変動し、高品
質な画像を得るには十分良好なものとは言えなかった。
時に光導電膜内の内部電界変化が起こり、長時間動作時
のターゲット電圧に対する信号電流特性が変動し、高品
質な画像を得るには十分良好なものとは言えなかった。
ターゲット電圧に対する信号電流特性の改善は高品位画
像が要求される撮像画質向上のために不可欠であった。
像が要求される撮像画質向上のために不可欠であった。
本発明は、上記この方式の従来の撮像管ターゲットの問
題点を解決し、ターゲット電圧に対する信号電流特性が
長期間安定して良好な撮像画質を得ることができる撮像
管を提供することを目的とする。
題点を解決し、ターゲット電圧に対する信号電流特性が
長期間安定して良好な撮像画質を得ることができる撮像
管を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明においては、Ｓｅを
主成分とするｐ形光導電膜に添加するＡｓの濃度と添加
領域を適切な値に制御することにした。即ち、第１図に
示すように、Ｓｂ２Ｓ３に接する部位からガラス基板方
向へ、ｐ形光導電膜中のＡｓ添、加濃度を８〜２０．を
量％に高くした領域の膜厚Ｅをｐ形光導電膜の全膜厚り
の５〜５０％となるようにした。
主成分とするｐ形光導電膜に添加するＡｓの濃度と添加
領域を適切な値に制御することにした。即ち、第１図に
示すように、Ｓｂ２Ｓ３に接する部位からガラス基板方
向へ、ｐ形光導電膜中のＡｓ添、加濃度を８〜２０．を
量％に高くした領域の膜厚Ｅをｐ形光導電膜の全膜厚り
の５〜５０％となるようにした。
非晶質Ｓｅ光導電膜中に添加するＡｓの役割については
前述した通りであり、Ａｓ添加量を増加すれば非晶質Ｓ
ｅ光導電膜中の粘度が高められ、結晶化速度も遅くなり
、また、膜粘度が高められることによって、Ｓｅ −Ａ
ｓ膜の熱膨張係数を低下させることができるため、ｓｂ
よｓ３ のクラック発生を防止することが出来る。しか
し、発明者等の実験によると非晶質Ｓｅ中のＡｓ濃度を
全域にわたって増加させると暗電流が増加することが判
った。これはＡｓがＳｅ自体の粘度を高める他に、入射
光によって発生するキャリアの捕獲中心として働き、こ
れによる電子捕獲によってＳｅ膜中の電位分布が変調さ
れ、増感材として添加したＴｅ含有部分で此の電界傾斜
が急激になり、ｎ形溝電膜から正孔が注入され易くなる
ために暗電流が増加することが明らかとなった。これに
対してはｎ形溝電膜側３０００人近傍へ添加するＡｓ濃
度が平均８重量％以下であれば暗電流は問題ない程度と
なることが判った。また第３図に示すように、ｎ形溝電
膜近傍のＡｓ濃度を５重量％とし、Ｓｂ、Ｓ３側の非晶
質Ｓｅ中のＡｓ添加濃度をパラメータとして、Ｓｅを主
成分とする光導電膜の膜厚し方向へのＡｓ高濃度添加領
域膜厚ｌの影響を検討したところ、第４図に示すように
、Ａｓｆｉ度を２０重量％以下とし、／／Ｌが５０％以
下であれば暗電流は増加しないが、Ａｓ濃度が２０重量
％を超えると暗電流が増加する傾向があることが判った
。さらに、このような光導電膜の撮像管を１０００時間
連続動作した後のターゲット電圧−信号電流特性を検討
したところ、連続動作する前に比べてＡｓ濃度を８〜２
０重量％とし１／Ｌを５〜５０％にした場合には、信号
電流特性が著しく改善されることが明らかになった。こ
の現象はＡｓが長時間動作中の入射光によって発生した
電子に対して捕獲中心として働き、Ｔｅ含有部分で発生
した正孔をＳｂ、５３側に引き出す作用をもったため、
Ｓｅ膜中での正孔の走行性を良好にし、信号電流飽和特
性を改善できたものであることが分かった。
前述した通りであり、Ａｓ添加量を増加すれば非晶質Ｓ
ｅ光導電膜中の粘度が高められ、結晶化速度も遅くなり
、また、膜粘度が高められることによって、Ｓｅ −Ａ
ｓ膜の熱膨張係数を低下させることができるため、ｓｂ
よｓ３ のクラック発生を防止することが出来る。しか
し、発明者等の実験によると非晶質Ｓｅ中のＡｓ濃度を
全域にわたって増加させると暗電流が増加することが判
った。これはＡｓがＳｅ自体の粘度を高める他に、入射
光によって発生するキャリアの捕獲中心として働き、こ
れによる電子捕獲によってＳｅ膜中の電位分布が変調さ
れ、増感材として添加したＴｅ含有部分で此の電界傾斜
が急激になり、ｎ形溝電膜から正孔が注入され易くなる
ために暗電流が増加することが明らかとなった。これに
対してはｎ形溝電膜側３０００人近傍へ添加するＡｓ濃
度が平均８重量％以下であれば暗電流は問題ない程度と
なることが判った。また第３図に示すように、ｎ形溝電
膜近傍のＡｓ濃度を５重量％とし、Ｓｂ、Ｓ３側の非晶
質Ｓｅ中のＡｓ添加濃度をパラメータとして、Ｓｅを主
成分とする光導電膜の膜厚し方向へのＡｓ高濃度添加領
域膜厚ｌの影響を検討したところ、第４図に示すように
、Ａｓｆｉ度を２０重量％以下とし、／／Ｌが５０％以
下であれば暗電流は増加しないが、Ａｓ濃度が２０重量
％を超えると暗電流が増加する傾向があることが判った
。さらに、このような光導電膜の撮像管を１０００時間
連続動作した後のターゲット電圧−信号電流特性を検討
したところ、連続動作する前に比べてＡｓ濃度を８〜２
０重量％とし１／Ｌを５〜５０％にした場合には、信号
電流特性が著しく改善されることが明らかになった。こ
の現象はＡｓが長時間動作中の入射光によって発生した
電子に対して捕獲中心として働き、Ｔｅ含有部分で発生
した正孔をＳｂ、５３側に引き出す作用をもったため、
Ｓｅ膜中での正孔の走行性を良好にし、信号電流飽和特
性を改善できたものであることが分かった。
５ｅｌｉ中にＴｅ含有部分をｎ形溝電膜から１０００人
位置に膜厚方向に１０００人幅で３０重量％添加し、次
にＴｅ含有層に連続して、Ａｓ濃度が３０Ｍ量％で膜厚
が１０００人の領域を形成する。これは、撮像時にＴｅ
含有領域で発生した正孔を効率よく走行させるためであ
る。更にＡｓ濃度をｎ形溝電膜から３μｍ領域内で５重
量％添加し、これに隣接してＳｅ膜中にＡｓ濃濃度１０
量量添加した膜厚１μｍの領域を形成し、次にビームラ
ンディング層としてＳｂ２Ｓ３１Ｑ１００Ｏ−人を形成
した第５図に示す構造の撮像管ターゲットを作った。本
ターゲットの暗電流は０．３１＾で、１０００時間連続
動作後の信号電流特性は初期値に対して変化量が極めて
少なかった。また、加熱強制試験においても、Ｓｂ、Ｓ
、膜のクランクが発生せず、極めて信頼性の優れた撮像
管ターゲットを得ることが出来た。
位置に膜厚方向に１０００人幅で３０重量％添加し、次
にＴｅ含有層に連続して、Ａｓ濃度が３０Ｍ量％で膜厚
が１０００人の領域を形成する。これは、撮像時にＴｅ
含有領域で発生した正孔を効率よく走行させるためであ
る。更にＡｓ濃度をｎ形溝電膜から３μｍ領域内で５重
量％添加し、これに隣接してＳｅ膜中にＡｓ濃濃度１０
量量添加した膜厚１μｍの領域を形成し、次にビームラ
ンディング層としてＳｂ２Ｓ３１Ｑ１００Ｏ−人を形成
した第５図に示す構造の撮像管ターゲットを作った。本
ターゲットの暗電流は０．３１＾で、１０００時間連続
動作後の信号電流特性は初期値に対して変化量が極めて
少なかった。また、加熱強制試験においても、Ｓｂ、Ｓ
、膜のクランクが発生せず、極めて信頼性の優れた撮像
管ターゲットを得ることが出来た。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、長期間使用後にも
、印加電圧−信号電流特性の変化が極めて少なく、高温
動作時にも電子ビームランディング膜のクランクが発生
しない信頼性の高い撮像管ターゲットが得られる。
、印加電圧−信号電流特性の変化が極めて少なく、高温
動作時にも電子ビームランディング膜のクランクが発生
しない信頼性の高い撮像管ターゲットが得られる。
第１図は本発明の説明図、第２図は撮像管ターゲット構
造説明図、第３図は５ｂ２Ｓ、側のＳｅ中のＡｓ濃度を
パラメータとし、Ａｓ高濃度添加領域膜厚の光導電膜全
膜厚に対する比率と暗電流の関係を示す図、第４図はＡ
ｓ高濃度領域ｌと光導電膜全膜厚りとの比１／ＬとＡｓ
４度の関係およびｆｉ像時特性良好領域を示す図、第５
図は本発明一実施例における光導電膜厚と膜厚方向各部
における成分の状態を示す図である。 １・−・透光性ガラス基板、 ２〜透明導電膜、３−・
−ｎ形溝電膜、 ４−Ｐ形光導電膜、 ５− 電子ビ
ームランディング層、 ６−入射光、 ７−走査電子
ビーム。 代理人 弁理士 小川 勝男１＼ 第 ３ 図 第 ５ 図 に耳９ＩＩＰＪ（μす
造説明図、第３図は５ｂ２Ｓ、側のＳｅ中のＡｓ濃度を
パラメータとし、Ａｓ高濃度添加領域膜厚の光導電膜全
膜厚に対する比率と暗電流の関係を示す図、第４図はＡ
ｓ高濃度領域ｌと光導電膜全膜厚りとの比１／ＬとＡｓ
４度の関係およびｆｉ像時特性良好領域を示す図、第５
図は本発明一実施例における光導電膜厚と膜厚方向各部
における成分の状態を示す図である。 １・−・透光性ガラス基板、 ２〜透明導電膜、３−・
−ｎ形溝電膜、 ４−Ｐ形光導電膜、 ５− 電子ビ
ームランディング層、 ６−入射光、 ７−走査電子
ビーム。 代理人 弁理士 小川 勝男１＼ 第 ３ 図 第 ５ 図 に耳９ＩＩＰＪ（μす
Claims (1)
- １、透光性基板上に被着されたｎ形透明導電膜と、この
透明導電膜上に直接またはｎ形正孔阻止膜を介して被着
されたＳｅを主成分としＡｓ及びＴｅ等を含有するｐ形
光導電膜と、更に其の上に被着された電子ビームランデ
ィング層とより成る撮像管ターゲットにおいて、前記Ｓ
ｅを主成分とするｐ形光導電膜を、透明導電膜または正
孔阻止膜側から膜厚方向に、当初、Ａｓ含有総濃度を２
．５〜６重量％にして形成させ、途中から、Ａｓ含有総
濃度を８〜２０重量％に増加して形成させ、このＡｓ含
有濃度増加領域が、電子ビームランディング層に接する
側から基板側へ向かう膜厚方向で、ｐ形光導電膜の総膜
厚の５〜５０％の領域に分布するようにしたことを特徴
とする撮像管ターゲット。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16180586A JPS6319738A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 撮像管タ−ゲツト |
| DE8787109860T DE3768574D1 (de) | 1986-07-11 | 1987-07-08 | Target fuer bildaufnahmeroehre. |
| EP87109860A EP0254136B1 (en) | 1986-07-11 | 1987-07-08 | Image pick-up tube target |
| CN87104843.4A CN1004732B (zh) | 1986-07-11 | 1987-07-11 | 摄象管靶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16180586A JPS6319738A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319738A true JPS6319738A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15742247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16180586A Pending JPS6319738A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0254136B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6319738A (ja) |
| CN (1) | CN1004732B (ja) |
| DE (1) | DE3768574D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7980888B1 (en) | 2009-09-28 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Plug with a regulation pin to notify the required voltage |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832454B2 (ja) * | 1979-06-07 | 1983-07-13 | 日本放送協会 | 光導電性タ−ゲツト |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16180586A patent/JPS6319738A/ja active Pending
-
1987
- 1987-07-08 EP EP87109860A patent/EP0254136B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-08 DE DE8787109860T patent/DE3768574D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-11 CN CN87104843.4A patent/CN1004732B/zh not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7980888B1 (en) | 2009-09-28 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Plug with a regulation pin to notify the required voltage |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0254136B1 (en) | 1991-03-13 |
| EP0254136A1 (en) | 1988-01-27 |
| CN87104843A (zh) | 1988-01-27 |
| DE3768574D1 (de) | 1991-04-18 |
| CN1004732B (zh) | 1989-07-05 |
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