JPS6051774B2 - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
撮像管タ−ゲツトInfo
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- JPS6051774B2 JPS6051774B2 JP51137293A JP13729376A JPS6051774B2 JP S6051774 B2 JPS6051774 B2 JP S6051774B2 JP 51137293 A JP51137293 A JP 51137293A JP 13729376 A JP13729376 A JP 13729376A JP S6051774 B2 JPS6051774 B2 JP S6051774B2
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- Japan
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- film
- conductive film
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- weight
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管ターゲット、特にＰ型光導電膜の組成
に関するものである。
に関するものである。
近時、特公昭５０−２７３２６あるいは特願昭４７一
５９５１ホ特開昭４９−２４６１時において非晶質のセ
レン、テルル、ヒ素などを含有するＰ型光導電膜とＮ型
導電膜との間に整流性接触を形成した新しいタイプの整
流性接触型の光導電性撮像管ターゲットが提案されてい
る。
５９５１ホ特開昭４９−２４６１時において非晶質のセ
レン、テルル、ヒ素などを含有するＰ型光導電膜とＮ型
導電膜との間に整流性接触を形成した新しいタイプの整
流性接触型の光導電性撮像管ターゲットが提案されてい
る。
このタイプの撮像管ターゲットは、残像、フレアが少な
く、解像度が高く、 白点状の画面欠陥が少なく、しか
も製造方法が簡単である等の特徴を有しており、つぎの
ようにして形成される。すなわち、第１図に示すように
、まず透光性材料であるガラス基板１の上に錫、インジ
ウム又はチタンの中から選ばれた１元素の酸化物を主成
分とする透明導電膜２を設け、さらにＺｎＳｅ、ＧｅＯ
、ＣｅＯ。から選ばれた材料からなるきわめて薄いＮ型
導電膜３を重ねる。ついで、このＮ型導電膜３と整流性
接触がなされるようにこのＮ型導電膜３の上に、非晶質
Ｂｅを主成分とする数μ膜厚のＰ型光導電膜４を積重ね
、その後１０００への厚さのＳｂ、Ｓ。等からなる導電
膜５をＰ型光導電膜４の上に積重ねることにより、上記
タイプの撮像管ターゲットとして完成する。そして、入
射光６はガラス基板１側から供給され、走査電子ビーム
は導電膜５に供給される。 通常、上記Ｐ型光導電膜４
は、その材質が非晶質βｅだけであると、赤色光に対す
る感度が不十分であるとか、非晶 ｅが比較的低温で結
晶化・されやすいために、白点状の画面欠陥が発生しや
すい。
く、解像度が高く、 白点状の画面欠陥が少なく、しか
も製造方法が簡単である等の特徴を有しており、つぎの
ようにして形成される。すなわち、第１図に示すように
、まず透光性材料であるガラス基板１の上に錫、インジ
ウム又はチタンの中から選ばれた１元素の酸化物を主成
分とする透明導電膜２を設け、さらにＺｎＳｅ、ＧｅＯ
、ＣｅＯ。から選ばれた材料からなるきわめて薄いＮ型
導電膜３を重ねる。ついで、このＮ型導電膜３と整流性
接触がなされるようにこのＮ型導電膜３の上に、非晶質
Ｂｅを主成分とする数μ膜厚のＰ型光導電膜４を積重ね
、その後１０００への厚さのＳｂ、Ｓ。等からなる導電
膜５をＰ型光導電膜４の上に積重ねることにより、上記
タイプの撮像管ターゲットとして完成する。そして、入
射光６はガラス基板１側から供給され、走査電子ビーム
は導電膜５に供給される。 通常、上記Ｐ型光導電膜４
は、その材質が非晶質βｅだけであると、赤色光に対す
る感度が不十分であるとか、非晶 ｅが比較的低温で結
晶化・されやすいために、白点状の画面欠陥が発生しや
すい。
したがつて、このような問題を解消する目的で、Ｐ型光
導電膜４におけるＮ型導電膜３側で、しかも整流性接触
をなしている近傍の厚さ数１００Ａの部分に、２０〜４
鍾量パーセントの極大値を有する赤色増感剤としてのＴ
ｅを加えて赤色光に対する感度を向上させるとともに、
Ｐ型光導電膜４に全領域にわたつてＭを加え、非晶？ｅ
の粘度を高めて結晶化速度を遅くするようにしている。
この場合、光導電膜４は定められたＡｓを含有するＳｅ
＜１５ＡＳの合成材料を使用して蒸着するか、又はＳｅ
単体とＡｓ２ｓｅ３化合物との１００Ａ以下の薄層膜を
交互に蒸着して形成する方法が公知（特開昭４８−１０
２９１９）である。しかしながら、従来の上記撮像管タ
ーゲットは、ターゲット印加電圧に対する感度又は飽和
特性が十分良好なものとはいえず、また暗電流を十分抑
えることができない。周知のとおり、ターゲット印加電
圧に対する感度ならびに飽和特性が悪いと、撮像管ター
ゲットの取扱い上非常な困難をともなう。たとえば、タ
ーゲット印加電圧を、その遅れにしたがつて高い電圧方
向にシフトさせる必要がでてきたり、青色光、赤色光に
限らず全ての入射光に対して感度が低下するという問題
が生ずる。また、暗電流が大きいと撮像画質が著しく劣
化することになる。しかがつて、本発明の目的は従来の
上記タイプの撮像管ターゲットを改良して、ターゲット
電圧に対する感度又は飽和特性が良好で、しかも暗電流
の小さな撮像管ターゲットを提供するものである。この
ような目的を達成するために、本発明はＰ型光導電膜に
添加するＡｓの総重量を適切な値に規制するものであり
以下実施例を用いて詳細に説明する。
導電膜４におけるＮ型導電膜３側で、しかも整流性接触
をなしている近傍の厚さ数１００Ａの部分に、２０〜４
鍾量パーセントの極大値を有する赤色増感剤としてのＴ
ｅを加えて赤色光に対する感度を向上させるとともに、
Ｐ型光導電膜４に全領域にわたつてＭを加え、非晶？ｅ
の粘度を高めて結晶化速度を遅くするようにしている。
この場合、光導電膜４は定められたＡｓを含有するＳｅ
＜１５ＡＳの合成材料を使用して蒸着するか、又はＳｅ
単体とＡｓ２ｓｅ３化合物との１００Ａ以下の薄層膜を
交互に蒸着して形成する方法が公知（特開昭４８−１０
２９１９）である。しかしながら、従来の上記撮像管タ
ーゲットは、ターゲット印加電圧に対する感度又は飽和
特性が十分良好なものとはいえず、また暗電流を十分抑
えることができない。周知のとおり、ターゲット印加電
圧に対する感度ならびに飽和特性が悪いと、撮像管ター
ゲットの取扱い上非常な困難をともなう。たとえば、タ
ーゲット印加電圧を、その遅れにしたがつて高い電圧方
向にシフトさせる必要がでてきたり、青色光、赤色光に
限らず全ての入射光に対して感度が低下するという問題
が生ずる。また、暗電流が大きいと撮像画質が著しく劣
化することになる。しかがつて、本発明の目的は従来の
上記タイプの撮像管ターゲットを改良して、ターゲット
電圧に対する感度又は飽和特性が良好で、しかも暗電流
の小さな撮像管ターゲットを提供するものである。この
ような目的を達成するために、本発明はＰ型光導電膜に
添加するＡｓの総重量を適切な値に規制するものであり
以下実施例を用いて詳細に説明する。
ここで光導電膜４は、組成材料の含有量を安定かつ精度
よくコントロールするためにＳｅ単体、Ｔｅ単体更には
Ａｓ単体を１００Ａ以下の薄層にし、必要に応じて上記
の２つ又は３つの材料を交互に蒸着して得るのが最適で
ある。ただし、Ａｓは空気中では不安定なためＡｓ２ｓ
ｅ３といつた化合物でも同等の効果は得られる。本発明
者の実験によると、Ｓｅを主体とするＰ型光導電膜に添
加するＡｓはＳｅ自体の粘度を高める他に、入射光にも
とづいてＴｅ含有部分で発生したホールキャリヤーのト
ラップとしても作用することが明らかとなつた。
よくコントロールするためにＳｅ単体、Ｔｅ単体更には
Ａｓ単体を１００Ａ以下の薄層にし、必要に応じて上記
の２つ又は３つの材料を交互に蒸着して得るのが最適で
ある。ただし、Ａｓは空気中では不安定なためＡｓ２ｓ
ｅ３といつた化合物でも同等の効果は得られる。本発明
者の実験によると、Ｓｅを主体とするＰ型光導電膜に添
加するＡｓはＳｅ自体の粘度を高める他に、入射光にも
とづいてＴｅ含有部分で発生したホールキャリヤーのト
ラップとしても作用することが明らかとなつた。
すなわち、ターゲット印加電圧に対する感度（青色光に
対する感度）の大きさを測定した結果、第２図に示す飽
和特性が得られた。同図において曲線１はＡｓの総重量
が１１％、曲線ｍはＡｓの総重量が８％、曲線ｎはＡｓ
の総重量が５％の場合の特性であり、同図から明らかな
ようにＭの総重量が少ない程飽和特性が良好になること
がわかる。このような見地からＭの総重量を求めたとこ
ろ、このＡｓの平均総重量が８重量％好ましくは５重量
％以下であれば、満足し得る飽和特性を得ることができ
ることがわかつた。この場合も、特開昭５１−８３０に
有るように増感剤としてのＴｅの含有部分を５０００Ａ
以内にし、かつ総重量比においても０．２０〜１．５唾
量パーセントの範囲内に有るようにすれば更に効果的で
ある。したがつてここでも、Ｔｅの含有巾を１２００Ａ
総重量で０．７５重量パーセントとつた実験例である。
本発明の実験において、上記タイプの撮像管につき、さ
らに明らからなつたことはＡｓの総重量によりＮ型導電
膜３とＰ型光導電膜４との間の整流性接触が変化するこ
とである。すなわち、Ａｓの総重量に対する暗電流の大
きさは第３図で示すようになる。同図から明らかなよう
に整流性接触はＡｓの総重量が６重量パーセントを越え
たあたりから急激に弱化していることがわかる。したが
つて、この見地からＡｓの総重量は６重量％以下が適切
な値である。しかしながら、Ａｓの総重量をあまり少な
くすると、非晶質Ｓｅの粘性を高め、結晶化を防止する
というＭ本来の機能を損うことになるので、この総重量
は２．５重量％以上の範囲に設定する必要がある。
対する感度）の大きさを測定した結果、第２図に示す飽
和特性が得られた。同図において曲線１はＡｓの総重量
が１１％、曲線ｍはＡｓの総重量が８％、曲線ｎはＡｓ
の総重量が５％の場合の特性であり、同図から明らかな
ようにＭの総重量が少ない程飽和特性が良好になること
がわかる。このような見地からＭの総重量を求めたとこ
ろ、このＡｓの平均総重量が８重量％好ましくは５重量
％以下であれば、満足し得る飽和特性を得ることができ
ることがわかつた。この場合も、特開昭５１−８３０に
有るように増感剤としてのＴｅの含有部分を５０００Ａ
以内にし、かつ総重量比においても０．２０〜１．５唾
量パーセントの範囲内に有るようにすれば更に効果的で
ある。したがつてここでも、Ｔｅの含有巾を１２００Ａ
総重量で０．７５重量パーセントとつた実験例である。
本発明の実験において、上記タイプの撮像管につき、さ
らに明らからなつたことはＡｓの総重量によりＮ型導電
膜３とＰ型光導電膜４との間の整流性接触が変化するこ
とである。すなわち、Ａｓの総重量に対する暗電流の大
きさは第３図で示すようになる。同図から明らかなよう
に整流性接触はＡｓの総重量が６重量パーセントを越え
たあたりから急激に弱化していることがわかる。したが
つて、この見地からＡｓの総重量は６重量％以下が適切
な値である。しかしながら、Ａｓの総重量をあまり少な
くすると、非晶質Ｓｅの粘性を高め、結晶化を防止する
というＭ本来の機能を損うことになるので、この総重量
は２．５重量％以上の範囲に設定する必要がある。
この場合、Ａｓ含量が少なくなることで、非晶質Ｓｅが
高低抗のため、反転現象を起す。この防止として導電膜
５を設ける必要がある。この導電膜５は一般的にはＳｂ
２Ｓ３のガス膜といつたものが用いられる。結論として
、Ａｓの総重量は２．５重量％以上で、良好な感度を得
る見地からは８重量％以下、好ましくは５重量％以下、
そして暗電流を十分小さくするためには６重量％以下と
すればよい。
高低抗のため、反転現象を起す。この防止として導電膜
５を設ける必要がある。この導電膜５は一般的にはＳｂ
２Ｓ３のガス膜といつたものが用いられる。結論として
、Ａｓの総重量は２．５重量％以上で、良好な感度を得
る見地からは８重量％以下、好ましくは５重量％以下、
そして暗電流を十分小さくするためには６重量％以下と
すればよい。
ここで、Ｎ型導電膜は透明導電膜がＮ型として作用する
場合には省略してもよい。
場合には省略してもよい。
また、本実施例においてはＡｓについて説明したがＭの
代りにｅを使用し、このｅの総重量を上述したような範
囲に設定してもよい。
代りにｅを使用し、このｅの総重量を上述したような範
囲に設定してもよい。
以上説明したように、本発明によると第１図に示す撮像
管ターゲットにおいて、Ｐ型光導電膜４の膜厚方向のほ
ぼ全領域にわたつて存在するＡ？又はαについても同様
なことがいえるが総重量としては量が２．５重量％以上
で８重量％以下好ましくは６重量％以下さらに好ましく
は５重量％以下の範囲で添加したので、非晶質Ｓｅの粘
性を低下させることなく感度、飽和特性を向上でき、し
かも暗電流を十分小さくできる効果を奏する。
管ターゲットにおいて、Ｐ型光導電膜４の膜厚方向のほ
ぼ全領域にわたつて存在するＡ？又はαについても同様
なことがいえるが総重量としては量が２．５重量％以上
で８重量％以下好ましくは６重量％以下さらに好ましく
は５重量％以下の範囲で添加したので、非晶質Ｓｅの粘
性を低下させることなく感度、飽和特性を向上でき、し
かも暗電流を十分小さくできる効果を奏する。
第１図は撮像管ターゲットの一例を示す簡略構成図、第
２図はターゲット電圧と青色光感度との関係を示す特性
図、第３図はＡｓ量と暗電流との関係を示す特性図、第
４図はＰ型光導電膜の成分組成値を示す特性図である。
２図はターゲット電圧と青色光感度との関係を示す特性
図、第３図はＡｓ量と暗電流との関係を示す特性図、第
４図はＰ型光導電膜の成分組成値を示す特性図である。
Claims (1)
- １ 透光性基板上に被着されたＮ型透明導電膜と、この
透明導電膜の上に直接又はＮ型導電膜を介して被着され
たＰ型光導電膜と、このＰ型光導電膜の上に被着された
導電膜とを少なくとも具備する撮像管ターゲットにおい
て、上記Ｐ型光導電膜が少なくとも主成分としての非晶
質Ｓｅと、総重量において０．２０〜１．５０重量パー
セントのＴｅと、Ａｓとを含有し、かつ上記Ａｓが上記
Ｐ型光導電膜の膜厚方向のほぼ全域に分布し、総重量に
おいて２．５重量パーセント以上でかつ６重量パーセン
ト以下の範囲に添加されていることを特徴とする撮像管
ターゲット。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51137293A JPS6051774B2 (ja) | 1976-11-17 | 1976-11-17 | 撮像管タ−ゲツト |
| US05/846,881 US4219831A (en) | 1976-11-17 | 1977-10-31 | Targets for use in photoconductive image pickup tubes |
| NLAANVRAGE7712234,A NL183913C (nl) | 1976-11-17 | 1977-11-07 | Trefelektrode voor een beeldopneembuis. |
| GB46565/77A GB1587649A (en) | 1976-11-17 | 1977-11-09 | Targets for use in photoconductive image pickup tubes |
| DE2750605A DE2750605C2 (de) | 1976-11-17 | 1977-11-11 | Photoleitendes Target für eine Bildaufnahmeröhre und Verfahren zu seiner Herstellung |
| FR7734488A FR2371771A1 (fr) | 1976-11-17 | 1977-11-16 | Cibles a utiliser dans des tubes capteurs d'images photoconducteurs |
| US06/083,565 US4277515A (en) | 1976-11-17 | 1979-10-11 | Targets for use in photoconductive image pickup tubes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51137293A JPS6051774B2 (ja) | 1976-11-17 | 1976-11-17 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5362419A JPS5362419A (en) | 1978-06-03 |
| JPS6051774B2 true JPS6051774B2 (ja) | 1985-11-15 |
Family
ID=15195287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51137293A Expired JPS6051774B2 (ja) | 1976-11-17 | 1976-11-17 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4219831A (ja) |
| JP (1) | JPS6051774B2 (ja) |
| DE (1) | DE2750605C2 (ja) |
| FR (1) | FR2371771A1 (ja) |
| GB (1) | GB1587649A (ja) |
| NL (1) | NL183913C (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7805417A (nl) * | 1978-05-19 | 1979-11-21 | Philips Nv | Opneembuis. |
| US5101255A (en) * | 1987-01-14 | 1992-03-31 | Sachio Ishioka | Amorphous photoelectric conversion device with avalanche |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924619A (ja) * | 1972-07-03 | 1974-03-05 | ||
| JPS508417A (ja) * | 1973-05-21 | 1975-01-28 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3350595A (en) * | 1965-11-15 | 1967-10-31 | Rca Corp | Low dark current photoconductive device |
| US3922579A (en) * | 1970-04-22 | 1975-11-25 | Hitachi Ltd | Photoconductive target |
| JPS5240809B2 (ja) * | 1972-04-07 | 1977-10-14 | ||
| JPS5419127B2 (ja) * | 1974-06-21 | 1979-07-12 | ||
| JPS5419128B2 (ja) * | 1974-06-21 | 1979-07-12 |
-
1976
- 1976-11-17 JP JP51137293A patent/JPS6051774B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-10-31 US US05/846,881 patent/US4219831A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-11-07 NL NLAANVRAGE7712234,A patent/NL183913C/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-11-09 GB GB46565/77A patent/GB1587649A/en not_active Expired
- 1977-11-11 DE DE2750605A patent/DE2750605C2/de not_active Expired
- 1977-11-16 FR FR7734488A patent/FR2371771A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-10-11 US US06/083,565 patent/US4277515A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924619A (ja) * | 1972-07-03 | 1974-03-05 | ||
| JPS508417A (ja) * | 1973-05-21 | 1975-01-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4219831A (en) | 1980-08-26 |
| FR2371771A1 (fr) | 1978-06-16 |
| FR2371771B1 (ja) | 1981-08-07 |
| NL183913B (nl) | 1988-09-16 |
| NL183913C (nl) | 1989-02-16 |
| US4277515A (en) | 1981-07-07 |
| NL7712234A (nl) | 1978-05-19 |
| JPS5362419A (en) | 1978-06-03 |
| DE2750605A1 (de) | 1978-05-24 |
| GB1587649A (en) | 1981-04-08 |
| DE2750605C2 (de) | 1985-01-03 |
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