JPS61267241A - 撮像管の光導電タ−ゲツト - Google Patents
撮像管の光導電タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS61267241A JPS61267241A JP10955585A JP10955585A JPS61267241A JP S61267241 A JPS61267241 A JP S61267241A JP 10955585 A JP10955585 A JP 10955585A JP 10955585 A JP10955585 A JP 10955585A JP S61267241 A JPS61267241 A JP S61267241A
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- JP
- Japan
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- layer
- photoconductive
- image pickup
- photo
- pickup tube
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光導電層を使用した撮像管の光導電ターゲッ
トに係シ、特に可視光領域あるいは近赤外光領域に高い
光電変換感度をもち残像特性の良い光導電ターゲットの
改良に関する。
トに係シ、特に可視光領域あるいは近赤外光領域に高い
光電変換感度をもち残像特性の良い光導電ターゲットの
改良に関する。
一般にビジコン型撮像管は、有底筒状の外囲器の開口端
に、内面に光導電ターゲットが形成された透光性基板が
接合封着され、更に光導電ターゲットに対向して外囲器
内にはメツシュ電極及び電子銃が配設されている。
に、内面に光導電ターゲットが形成された透光性基板が
接合封着され、更に光導電ターゲットに対向して外囲器
内にはメツシュ電極及び電子銃が配設されている。
そして、上記の光導電ターゲットの材料としては、これ
まで良く知られるように、Ｓｂ２Ｓ３゜ＰｂＯ、Ｓｔ
、 Ｓｅ −Ｔｅ −Ａｍ系、 Ｚｎ５ｅ −ＺｎＣｄ
Ｔｅ系、 Ｃｄ５ｅ−ＣｄＳｅ０３−Ａｓ２Ｓｅ５系な
どの材料が用いられている。これらのうち、ＰｂＯや５
ｅ−Ｔｅ−Ａｓ系を主成分とする光導電ターゲットは、
感度が比較的低いものの暗電流が小さく、応答速度が速
い利点を有しておυ、主としてカラー撮像の用途に使用
されている。又、Ｚｎ５ｅ−ＺｎＣｄＴｅ系、あるいは
ＣｄＳｅを用いたターゲットは、可視光領域において量
子効率が略１に近く、残像特性、即ち、応答速度が上記
ＰｂＯ等のターゲットに比べてやや遅い傾向がある反面
、約１０倍の高感度を有している。
まで良く知られるように、Ｓｂ２Ｓ３゜ＰｂＯ、Ｓｔ
、 Ｓｅ −Ｔｅ −Ａｍ系、 Ｚｎ５ｅ −ＺｎＣｄ
Ｔｅ系、 Ｃｄ５ｅ−ＣｄＳｅ０３−Ａｓ２Ｓｅ５系な
どの材料が用いられている。これらのうち、ＰｂＯや５
ｅ−Ｔｅ−Ａｓ系を主成分とする光導電ターゲットは、
感度が比較的低いものの暗電流が小さく、応答速度が速
い利点を有しておυ、主としてカラー撮像の用途に使用
されている。又、Ｚｎ５ｅ−ＺｎＣｄＴｅ系、あるいは
ＣｄＳｅを用いたターゲットは、可視光領域において量
子効率が略１に近く、残像特性、即ち、応答速度が上記
ＰｂＯ等のターゲットに比べてやや遅い傾向がある反面
、約１０倍の高感度を有している。
ところで、可視光のみならず赤外光領域にも高感度を有
し低暗電流特性を持つ光導電ターゲットが提案されてい
る。又、上記光導電ターゲットを改良し可視光領域で実
用上満足出来る光感度及び暗電流特性を有しながら、特
に残像特性の良い応答速度の速い撮像管の光導電ターゲ
ットが提案されている。これらは、光導電層としてＣｄ
Ｔｅ Ｓｅ を主成分とする材料を用い、（１−
ｘ） （ｘ） その上にＡｓ−８ｅ系無定形手導体層を形成したターゲ
ット層を使用したものである。
し低暗電流特性を持つ光導電ターゲットが提案されてい
る。又、上記光導電ターゲットを改良し可視光領域で実
用上満足出来る光感度及び暗電流特性を有しながら、特
に残像特性の良い応答速度の速い撮像管の光導電ターゲ
ットが提案されている。これらは、光導電層としてＣｄ
Ｔｅ Ｓｅ を主成分とする材料を用い、（１−
ｘ） （ｘ） その上にＡｓ−８ｅ系無定形手導体層を形成したターゲ
ット層を使用したものである。
ところが、前者の提案では、特に赤外光領域まで著しく
高い感度を有するが、ＰｂＯ膜等に比べてやや残像特性
が劣っている。後者の提案では、残像特性が大幅に収善
されるものの、より残像特性効果の大きいＡＩ＋濃度が
低い場合、焼付き消滅電圧（Ｅｓｊ７）が高くなり易く
、製造条件のコントロールが難つかしかった。
高い感度を有するが、ＰｂＯ膜等に比べてやや残像特性
が劣っている。後者の提案では、残像特性が大幅に収善
されるものの、より残像特性効果の大きいＡＩ＋濃度が
低い場合、焼付き消滅電圧（Ｅｓｊ７）が高くなり易く
、製造条件のコントロールが難つかしかった。
この発明の目的は、上記従来の問題点を解消し、可視光
領域あるいは近赤外光領域に高い光電変換感度を持ち、
残像特性の良い撮像管の光導電ターゲットを提供するこ
とである。
領域あるいは近赤外光領域に高い光電変換感度を持ち、
残像特性の良い撮像管の光導電ターゲットを提供するこ
とである。
この発明は、透光性基板上に形成された透光性導電層と
、この透光性導電層上に形成されたカドミウム（Ｃａ
）、テルル（Ｔｅ）及びセレン（Ｓｅ）を主成分とする
ＣｄＴｅ Ｓｅ からなる光導電（１−ｘ）
（ｘ） 層と、この光導電層上に形成された高抵抗層とからなる
撮像管の光導電ターゲットにおいて、上記高抵抗層は、
Ａｌ１及びＳｅを主成分とするＡｓ−８ｅ系無定形半導
体層からなり、この砒素（Ａｓ）−８ｅ系無定形ヰ導体
層のＡ＋ｓの組成モル比が上記光導電層側から表面側に
向って３％〜化学量論的平衡値の範囲内で変化してなる
撮像管の光導電ターゲットでちυ、更に、上記Ａｓの組
成モル比の変化が段階的あるいは連続的、又は段階的な
領域と連続的な領域とを含んでなる撮像管の光導電ター
ゲットである。
、この透光性導電層上に形成されたカドミウム（Ｃａ
）、テルル（Ｔｅ）及びセレン（Ｓｅ）を主成分とする
ＣｄＴｅ Ｓｅ からなる光導電（１−ｘ）
（ｘ） 層と、この光導電層上に形成された高抵抗層とからなる
撮像管の光導電ターゲットにおいて、上記高抵抗層は、
Ａｌ１及びＳｅを主成分とするＡｓ−８ｅ系無定形半導
体層からなり、この砒素（Ａｓ）−８ｅ系無定形ヰ導体
層のＡ＋ｓの組成モル比が上記光導電層側から表面側に
向って３％〜化学量論的平衡値の範囲内で変化してなる
撮像管の光導電ターゲットでちυ、更に、上記Ａｓの組
成モル比の変化が段階的あるいは連続的、又は段階的な
領域と連続的な領域とを含んでなる撮像管の光導電ター
ゲットである。
この発明による撮像管の光導電ターゲットは第１図に示
すように構成され、ガラス製フェースプレートのような
透光性基板１１上に、直接又は色フィルタ膜のようガ他
の透光性膜を介してネサ即ち、透光性導電層１２が形成
されている。この透光性導電層１２上には、Ｃｄ、Ｔｅ
及びＳｏを主成分とするＣｄＴｅ ｍｅ から
なる光（１−Ｘ） （Ｘ） 導電層１３が１０００えを越え２００００λ未満、例え
ば１５００００にの厚さで形成されている。そして、こ
の光導電層１３上には、高抵抗層１４−５＝ が形成され、この高抵抗層１４上には三硫化アンチモン
（Ｓｂ２Ｓ３）層１５が約１０００λの厚さで形成され
ている。この場合、上記高抵抗層１４はＡｓ−８ｅ系無
定形半導体層からなり、その厚さは２μｍ乃至１０μｍ
の範囲内の厚さで、−例として４μｍの厚さに設定され
ている。そして、第２図に示すように、このＡｓ−８ｅ
系無定形牛導体層のＡ８の組成モル比が、上記光導電層
側から表面側に向って、３％〜化学量論的平衡値の範囲
内で例えば段階的に変化するように設定されている。
すように構成され、ガラス製フェースプレートのような
透光性基板１１上に、直接又は色フィルタ膜のようガ他
の透光性膜を介してネサ即ち、透光性導電層１２が形成
されている。この透光性導電層１２上には、Ｃｄ、Ｔｅ
及びＳｏを主成分とするＣｄＴｅ ｍｅ から
なる光（１−Ｘ） （Ｘ） 導電層１３が１０００えを越え２００００λ未満、例え
ば１５００００にの厚さで形成されている。そして、こ
の光導電層１３上には、高抵抗層１４−５＝ が形成され、この高抵抗層１４上には三硫化アンチモン
（Ｓｂ２Ｓ３）層１５が約１０００λの厚さで形成され
ている。この場合、上記高抵抗層１４はＡｓ−８ｅ系無
定形半導体層からなり、その厚さは２μｍ乃至１０μｍ
の範囲内の厚さで、−例として４μｍの厚さに設定され
ている。そして、第２図に示すように、このＡｓ−８ｅ
系無定形牛導体層のＡ８の組成モル比が、上記光導電層
側から表面側に向って、３％〜化学量論的平衡値の範囲
内で例えば段階的に変化するように設定されている。
次に、上記光導電ターゲットの製造方法について説明す
る。
る。
先ず、透光性基板１１上に透光性導電層１２を形成する
。そして、この透光性導電層１２上に、基板温度を１０
０℃〜４００℃の範囲内の温度に保ちながら、０．０１
〜Ｉ Ｔｅｒｒの範囲内の圧力のアルゴン（Ａｒ）ガス
雰囲気中で、ＣｄＴｅとＣｄＳｅを蒸着する。この蒸着
に当たっては、ＣｄＴｅ粉末とＣｄＳｅ粉末とを所定モ
ル比で混合し、熱処理して固溶材料としたものを蒸発用
るつぼ６一 に入れて蒸着しても良い。あるいは又、ＣｄＴｅとＣｄ
’ｓを別々の蒸発源に入れるか、若しくはＣｄ 。
。そして、この透光性導電層１２上に、基板温度を１０
０℃〜４００℃の範囲内の温度に保ちながら、０．０１
〜Ｉ Ｔｅｒｒの範囲内の圧力のアルゴン（Ａｒ）ガス
雰囲気中で、ＣｄＴｅとＣｄＳｅを蒸着する。この蒸着
に当たっては、ＣｄＴｅ粉末とＣｄＳｅ粉末とを所定モ
ル比で混合し、熱処理して固溶材料としたものを蒸発用
るつぼ６一 に入れて蒸着しても良い。あるいは又、ＣｄＴｅとＣｄ
’ｓを別々の蒸発源に入れるか、若しくはＣｄ 。
Ｔｅ 、 Ｓｅを各々別々の蒸発源に入れて、同時蒸着
又は循環的に積層するようにして蒸着しても良い。
又は循環的に積層するようにして蒸着しても良い。
こうして光導電層１３を例えば約１５０００１の厚さに
形成し、引き続いてこれをテルル（Ｔｅ）蒸気を含む窒
素（Ｎ２）のような不活性ガス雰囲気中で、５００℃〜
７００℃の範囲の温度で、例えば２０分間熱処理によシ
焼結を行なう。次いで、この焼結されたＣｄＴｅ
Ｓ・ の光導電層１３（１−ｘ） （ｘ） 上に、第２図に示すようにＡｓ−８ｓ系で例えばＡｓが
モル比０．１、Ｓｅがモル比０．９の無定形半導体から
なる高抵抗層を１μｍ、その上にＡｓがモル比０．２．
Ｓｅがモル比０．８の無定形半導体からなる高抵抗層を
１μｍ、その上にＡｓがモル比０．３、Ｓｅがモル比０
．７の無定形半導体からなる高抵抗層を１１ １
１ｍ５その上にＡ８がモル比０．４、Ｓｅがモル比０．
６の無定形半導体からなる高抵抗層を１μｍと、合計の
膜厚５μｍになるように高抵抗層１４を蒸着し、更にそ
の上に５ｂ２８３層１５を約１０００λの厚さで形成し
て、これら複合層からなる光導電ターゲットを得る。
形成し、引き続いてこれをテルル（Ｔｅ）蒸気を含む窒
素（Ｎ２）のような不活性ガス雰囲気中で、５００℃〜
７００℃の範囲の温度で、例えば２０分間熱処理によシ
焼結を行なう。次いで、この焼結されたＣｄＴｅ
Ｓ・ の光導電層１３（１−ｘ） （ｘ） 上に、第２図に示すようにＡｓ−８ｓ系で例えばＡｓが
モル比０．１、Ｓｅがモル比０．９の無定形半導体から
なる高抵抗層を１μｍ、その上にＡｓがモル比０．２．
Ｓｅがモル比０．８の無定形半導体からなる高抵抗層を
１μｍ、その上にＡｓがモル比０．３、Ｓｅがモル比０
．７の無定形半導体からなる高抵抗層を１１ １
１ｍ５その上にＡ８がモル比０．４、Ｓｅがモル比０．
６の無定形半導体からなる高抵抗層を１μｍと、合計の
膜厚５μｍになるように高抵抗層１４を蒸着し、更にそ
の上に５ｂ２８３層１５を約１０００λの厚さで形成し
て、これら複合層からなる光導電ターゲットを得る。
一般に、光源温度が２８５６にの標準光源にょシタ−ゲ
ット面照度を１ルクスとした時の信号電流であるいわゆ
る白色光感度は、第３図に示すようにＣｄＴｅ（１−ｘ
） ５ｅ（ｘ）膜厚に大きく依存する。
ット面照度を１ルクスとした時の信号電流であるいわゆ
る白色光感度は、第３図に示すようにＣｄＴｅ（１−ｘ
） ５ｅ（ｘ）膜厚に大きく依存する。
例えばＣｄＴｅ （１−ｘ） Ｓｅ （ｘ）膜厚が１．
５μｍの場合の白色光感度は、約４００ ｎＡ７Ｌｕｘ
である。この時、膜厚が１．５μｍのＡｇ２Ｓｅ、高抵
抗層を使用した場合の残像値は、６％程度になる。更に
、Ａ３２Ｓｅ３膜厚を厚くすると、容量性残像が減少し
、残像特性が改善されるものの厚さ３μｍで残像が５％
となシ、更に厚くしても残像特性は余シ向上せず、逆に
解像度の低下が認められる。
５μｍの場合の白色光感度は、約４００ ｎＡ７Ｌｕｘ
である。この時、膜厚が１．５μｍのＡｇ２Ｓｅ、高抵
抗層を使用した場合の残像値は、６％程度になる。更に
、Ａ３２Ｓｅ３膜厚を厚くすると、容量性残像が減少し
、残像特性が改善されるものの厚さ３μｍで残像が５％
となシ、更に厚くしても残像特性は余シ向上せず、逆に
解像度の低下が認められる。
そこで、この発明では既述のように、Ａｓ−８ｓ系手導
体層のｃｄ Ｔｅ （、−ｘ） Ｓ ｅ（ｘ）層側に近
い層程Ｓｏ Ｉ）ッチとし、段階的にＡｓ濃度を増加さ
せることにより、ＣｄＴｅ（１−ｘ） ”ｅ（ｘ）層と
Ａｓ−８ｓ系生導体層の整流接触を強化すると共に、高
抵抗層内のキャリアのドリフト速度及びモビリティを犬
ならしめて、残像特性を改善したものである。
体層のｃｄ Ｔｅ （、−ｘ） Ｓ ｅ（ｘ）層側に近
い層程Ｓｏ Ｉ）ッチとし、段階的にＡｓ濃度を増加さ
せることにより、ＣｄＴｅ（１−ｘ） ”ｅ（ｘ）層と
Ａｓ−８ｓ系生導体層の整流接触を強化すると共に、高
抵抗層内のキャリアのドリフト速度及びモビリティを犬
ならしめて、残像特性を改善したものである。
即ち、この発明の実施例の場合、残像値は従来のＡ ａ
２ Ｓ ｓ ３高抵抗層を使用した場合の５チに対し
、３％と大幅に改善されている。又、高抵抗層をＡＥｉ
ｏ、１ ”ｅＯ，９のみで形成した場合に比べて、高抵
抗層の実効的抵抗値を抑えられ、焼付きの消える焼付消
滅電圧（Ｅｓ ｊｌ ）を低く抑えることが出来、キズ
発生電圧（Ｅｓ ｊ ２ ）この差、即ち、動作電圧余
裕度が大きくなる。
２ Ｓ ｓ ３高抵抗層を使用した場合の５チに対し
、３％と大幅に改善されている。又、高抵抗層をＡＥｉ
ｏ、１ ”ｅＯ，９のみで形成した場合に比べて、高抵
抗層の実効的抵抗値を抑えられ、焼付きの消える焼付消
滅電圧（Ｅｓ ｊｌ ）を低く抑えることが出来、キズ
発生電圧（Ｅｓ ｊ ２ ）この差、即ち、動作電圧余
裕度が大きくなる。
上記実施例では、Ａｓ−８ｓ系無定形ヰ導体層の組成モ
ル比を段階的に変化させた４層から、高抵抗層が構成さ
れているが、２層以上であれば残像低減の効果を奏する
ことも確認された。又、Ａｓ−８ｓ系無定形手導体層の
組成モル比の変化は、段階的ではなく連続的に変化せし
めれば、残像低減の効果は更に良好となる。又、組成モ
ル比の変化は、段階的な領域と連続的な領域とを組合せ
ても、同様な効果が得られる。
ル比を段階的に変化させた４層から、高抵抗層が構成さ
れているが、２層以上であれば残像低減の効果を奏する
ことも確認された。又、Ａｓ−８ｓ系無定形手導体層の
組成モル比の変化は、段階的ではなく連続的に変化せし
めれば、残像低減の効果は更に良好となる。又、組成モ
ル比の変化は、段階的な領域と連続的な領域とを組合せ
ても、同様な効果が得られる。
このように、この発明による光導電ターゲットは、高感
度で残像特性の良い即ち、応答速度の速い特性を示すこ
とが確認出来た。
度で残像特性の良い即ち、応答速度の速い特性を示すこ
とが確認出来た。
第１図はこの発明の一実施例に係る撮像管の光導電ター
ゲットを示す断面図、第２図はこの発明の高抵抗層にお
けるＡ８のモル比の変化を示す説明図、第３図はこの発
明における ＣｄＴｅ（１−ｘ） ５ｅ（ｘ）膜の膜厚と光感度の関
係を示す特性曲線図である。 １１・・・透光性基板、１２・・・透光性導電層、１３
・・・光導電層、１４・・・高抵抗層、Ｉ５・・・Ｓｂ
２Ｓ３層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ａｓａぞル毘 ０１２３４、Ａ−１ｍ 第２図
ゲットを示す断面図、第２図はこの発明の高抵抗層にお
けるＡ８のモル比の変化を示す説明図、第３図はこの発
明における ＣｄＴｅ（１−ｘ） ５ｅ（ｘ）膜の膜厚と光感度の関
係を示す特性曲線図である。 １１・・・透光性基板、１２・・・透光性導電層、１３
・・・光導電層、１４・・・高抵抗層、Ｉ５・・・Ｓｂ
２Ｓ３層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ａｓａぞル毘 ０１２３４、Ａ−１ｍ 第２図
Claims (4)
- （１）透光性基板と、この透光性基板上に形成された透
光性導電層と、この透光性導電層上に形成されたＣｄ、
Ｔｅ及びＳｅを主成分とするＣｄＴｅ＿（＿１＿−＿ｘ
＿）Ｓｅ＿（＿ｘ＿）からなる光導電層と、この光導電
層上に形成された高抵抗層とからなる撮像管の光導電タ
ーゲットにおいて、 上記高抵抗層は、Ａｓ及びＳｅを主成分とするＡＳ−Ｓ
ｅ系無定形半導体層からなり、このＡＳ−Ｓｅ系無定形
半導体層のＡｓの組成モル比が上記光導電層側から表面
側に向って３％〜化学量論的平衡値の範囲内で変化して
なることを特徴とする撮像管の光導電ターゲット。 - （２）上記Ａｓの組成モル比の変化が段階的である特許
請求の範囲第１項記載の撮像管の光導電ターゲット。 - （３）上記Ａｓの組成モル比の変化が連続的である特許
請求の範囲第１項記載の撮像管の光導電ターゲット。 - （４）上記Ａｓの組成モル比の変化が段階的な領域と連
続的な領域とを含んでなる特許請求の範囲第１項記載の
撮像管の光導電ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10955585A JPS61267241A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10955585A JPS61267241A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267241A true JPS61267241A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14513201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10955585A Pending JPS61267241A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267241A (ja) |
-
1985
- 1985-05-22 JP JP10955585A patent/JPS61267241A/ja active Pending
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