JPS6145543A - 光導電形撮像管 - Google Patents
光導電形撮像管Info
- Publication number
- JPS6145543A JPS6145543A JP16633484A JP16633484A JPS6145543A JP S6145543 A JPS6145543 A JP S6145543A JP 16633484 A JP16633484 A JP 16633484A JP 16633484 A JP16633484 A JP 16633484A JP S6145543 A JPS6145543 A JP S6145543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive
- image pickup
- coating
- lif
- pickup tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＳｅを主成分とする光導電膜を有する撮像管、
特にその光導゛電性ターゲットに関する。
特にその光導゛電性ターゲットに関する。
Ｓｅを主成分とする光導電形撮像管は、例えば商品名サ
チコンとして知られ、他の形成に比較して暗電流が少な
く、感度ないし分光感度特性が可視光域において優れ、
かつ残像や画像の焼付現象も比較的少ないことからカラ
ーテレビジョン撮像用として広く使用されている。
チコンとして知られ、他の形成に比較して暗電流が少な
く、感度ないし分光感度特性が可視光域において優れ、
かつ残像や画像の焼付現象も比較的少ないことからカラ
ーテレビジョン撮像用として広く使用されている。
しかしながら、このような撮像管においても、特に長時
間連続して使用したような場合には暗電流が次第に増大
する現象が認められ、その結果再生画像に変化が生じて
十分な安定性が得られない。
間連続して使用したような場合には暗電流が次第に増大
する現象が認められ、その結果再生画像に変化が生じて
十分な安定性が得られない。
このような暗電流の経時的増大の現象は、光導電膜の組
成によっても異なる。すなわち、この光導電膜はＳｅを
主体とし、さらに主として光電変換感度を向上させ、感
光波長域を長波長側に伸張させることを目的として（つ
まり増感剤として）Ｔｅ等を一部に添加したり、また熱
的安定性の改善を主目的としてＡｓを添加したりして構
成されるが（例えば特公昭５０−２７３２６号、特公昭
５６−４１１４８号）、透明電極またはこれと光導電膜
との間に形成された中間阻止膜に接する部位ないしその
近傍部の、光導電膜中のＡｓ濃度を大としだ場合におい
て著しい。
成によっても異なる。すなわち、この光導電膜はＳｅを
主体とし、さらに主として光電変換感度を向上させ、感
光波長域を長波長側に伸張させることを目的として（つ
まり増感剤として）Ｔｅ等を一部に添加したり、また熱
的安定性の改善を主目的としてＡｓを添加したりして構
成されるが（例えば特公昭５０−２７３２６号、特公昭
５６−４１１４８号）、透明電極またはこれと光導電膜
との間に形成された中間阻止膜に接する部位ないしその
近傍部の、光導電膜中のＡｓ濃度を大としだ場合におい
て著しい。
上記部位ないしその近傍部のＡｓは、上述したように熱
的安定性の改善、つまり通常３０℃程度であるＳｅのガ
ラス転移温度を上昇させること、またＴ ｃ ％の増感
剤の熱拡散を防止、すなわち感度低下を軽減することを
目的として添加されるものであるから、いわば、感度を
上昇させたり耐熱性を向上させようとすると、副次的に
上述したような暗電流の経時的増大を引きおこすことと
なる。特に苛酷な使用条件で使われることの多い用途で
は画質悪化をまねく要因となる。
的安定性の改善、つまり通常３０℃程度であるＳｅのガ
ラス転移温度を上昇させること、またＴ ｃ ％の増感
剤の熱拡散を防止、すなわち感度低下を軽減することを
目的として添加されるものであるから、いわば、感度を
上昇させたり耐熱性を向上させようとすると、副次的に
上述したような暗電流の経時的増大を引きおこすことと
なる。特に苛酷な使用条件で使われることの多い用途で
は画質悪化をまねく要因となる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、暗電流の経時的増大傾向を解消し、長時間連続
使用しても画質の変化のない安定した撮像を行なうこと
ができる光導電形撮像管を提供することにある。
目的は、暗電流の経時的増大傾向を解消し、長時間連続
使用しても画質の変化のない安定した撮像を行なうこと
ができる光導電形撮像管を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、阻止多接
触近傍の増感剤を含まないＡｓ含有領域に、弗化物を含
有させたものである。
触近傍の増感剤を含まないＡｓ含有領域に、弗化物を含
有させたものである。
このようにＬＩＦを含有させることによって暗電流の経
時的増大が防止される機構については必ずしも明瞭では
ないが、−石火のように考えられる。
時的増大が防止される機構については必ずしも明瞭では
ないが、−石火のように考えられる。
すなわち無定形Ｓｅ中にＡｓを配合すると光によって励
起された電子を捕捉する捕獲準位が多数形成され、これ
に捕獲された電子のために、その部分は負に帯電する。
起された電子を捕捉する捕獲準位が多数形成され、これ
に捕獲された電子のために、その部分は負に帯電する。
その結果透明電極と隣接する部位には強い電界傾斜が起
こり、阻止構造をへだてたトンネル機構による電導が起
きて、暗電流が増大するものと考えられる。これに対し
、当該電界傾斜の犬となる部位＜ｒ、ｉＦ等の正孔を捕
獲して正に帯電するような働きを有する材料を配合する
ことにより、負の帯電を中和させ、その結果暗電流の経
時的増大が防止できるものと考えられる。特に、３管式
カラーカメラに比較して悪い使用条件で使われることの
多い単管式カラーカメラ用撮像管では増感層の安定のた
めにＡｓを多く必要とし、電界勾配が急になりがちであ
ることから、このような場合には本発明は特に有効であ
る。
こり、阻止構造をへだてたトンネル機構による電導が起
きて、暗電流が増大するものと考えられる。これに対し
、当該電界傾斜の犬となる部位＜ｒ、ｉＦ等の正孔を捕
獲して正に帯電するような働きを有する材料を配合する
ことにより、負の帯電を中和させ、その結果暗電流の経
時的増大が防止できるものと考えられる。特に、３管式
カラーカメラに比較して悪い使用条件で使われることの
多い単管式カラーカメラ用撮像管では増感層の安定のた
めにＡｓを多く必要とし、電界勾配が急になりがちであ
ることから、このような場合には本発明は特に有効であ
る。
しかしながら、上記機構からも類推されるように、Ｌｉ
Ｆを光導電膜内に多量に配合することは光電感度、特に
比較的短波長光領域の光電感度の低下をきたし、また、
当該部位に添加するＡｓ濃度を増加して熱的な不安定性
をより一層抑制している作用を減殺し、この抑制が弱く
なることから熱忙より感度劣化をきたすおそれがある。
Ｆを光導電膜内に多量に配合することは光電感度、特に
比較的短波長光領域の光電感度の低下をきたし、また、
当該部位に添加するＡｓ濃度を増加して熱的な不安定性
をより一層抑制している作用を減殺し、この抑制が弱く
なることから熱忙より感度劣化をきたすおそれがある。
この場合１０ｗｔ％の添加で短波長光領域の感度低下は
１０％程度となることからこれを越える添加は実用的と
はいえず、撮像管の使用条件によっても異なるが、一般
には感度低下が５％以下程度にとどまるＳｗｔ％以下が
望ましい。また、逆に０．１ｗｔ％未満では十分な効果
は得られない。
１０％程度となることからこれを越える添加は実用的と
はいえず、撮像管の使用条件によっても異なるが、一般
には感度低下が５％以下程度にとどまるＳｗｔ％以下が
望ましい。また、逆に０．１ｗｔ％未満では十分な効果
は得られない。
第１図は本発明の一実施例を示す光電変換部の断面図で
ある。透明ガラス基板１上に透明電極２として酸化スズ
、酸化インジウム被膜が単独または混合体被膜として形
成しである。これは、管球＋４成時には（ｉ分取出端子
に接続される。その上にＣｅＯ２、ＧｅＯ２、ＬｉＦな
どの単体または複合蒸着層を中間阻止膜３として形成し
、その上にＳｅ、Ａｓ、Ｔｅなどからなる光導電膜４が
形成しである。この光電変換部１＞撮像管に組みこまれ
た後、撮像光５０入射により光導電膜４に生じた電荷の
パターンを陰極電位にある電子ビーム６で走査すること
により、正の電位に保持された透明電極２を経て光′を
信号が導出される。透明電極２と光導電膜４との間には
前者をｎ、後者をｐ形とする阻止形接合が形成されてお
り、そのために上述した電圧の印加圧よって低い暗電流
を有するすぐれた撮像管が得られるが、この構造でも長
時間撮像していると暗電流が次第に太き（なってくるこ
とは先に述べた通りである。
ある。透明ガラス基板１上に透明電極２として酸化スズ
、酸化インジウム被膜が単独または混合体被膜として形
成しである。これは、管球＋４成時には（ｉ分取出端子
に接続される。その上にＣｅＯ２、ＧｅＯ２、ＬｉＦな
どの単体または複合蒸着層を中間阻止膜３として形成し
、その上にＳｅ、Ａｓ、Ｔｅなどからなる光導電膜４が
形成しである。この光電変換部１＞撮像管に組みこまれ
た後、撮像光５０入射により光導電膜４に生じた電荷の
パターンを陰極電位にある電子ビーム６で走査すること
により、正の電位に保持された透明電極２を経て光′を
信号が導出される。透明電極２と光導電膜４との間には
前者をｎ、後者をｐ形とする阻止形接合が形成されてお
り、そのために上述した電圧の印加圧よって低い暗電流
を有するすぐれた撮像管が得られるが、この構造でも長
時間撮像していると暗電流が次第に太き（なってくるこ
とは先に述べた通りである。
そこで、本実施例では光導電膜４の、上記阻止多接触近
傍の増感剤を含まない領域にＬｉＦを含有させである。
傍の増感剤を含まない領域にＬｉＦを含有させである。
すなわち、第２図は光導電膜４の構成物質組成を膜厚方
向忙示したものであるが、光導電膜４は、最も透明電極
２に近く中間層３に接する層４−１ないし層４−６まで
のそれぞれ異なるｍ構成の層が積層された構造を有する
。ここでは、層４−３は増感剤Ｔｅを３０Ｘ程度含み主
として感光に寄与する層であるが、ＴｅのＳｅ中におけ
る拡散速度は比較的太であるため、その前後にＴｅの拡
散稀釈による感度低下を防ぐ目的でＡｓの高濃度な層、
４−２および４−４を設け℃ある。層４−１はＡｓを２
〜１０％程度、層４−２は５〜２０χ程度含有し、それ
ぞれ厚さは１００〜３００八程度に設定される。このＡ
ｓ（ｑが犬であるときには暗電流の経時変化が大きいが
、本実施例では層４−１部分ＶＣＬｉＦを０．５〜５ｗ
ｔ％程度含有せしめた結果、第３図に示すように、実線
（イ）で示す暗電流の経時変化は、破線（ロ）で示すＬ
ｉＦを含まない場合に比較して顕著に小さかった。なお
、この第３図は光電流４ｎＡ／−を流しながら実験した
結果である。また、このとき白色光撮影時の光電感度は
ＬｉＦ含有景３ ｗ ｔ％で、無添加の場合と変わらな
い値が得られた。
向忙示したものであるが、光導電膜４は、最も透明電極
２に近く中間層３に接する層４−１ないし層４−６まで
のそれぞれ異なるｍ構成の層が積層された構造を有する
。ここでは、層４−３は増感剤Ｔｅを３０Ｘ程度含み主
として感光に寄与する層であるが、ＴｅのＳｅ中におけ
る拡散速度は比較的太であるため、その前後にＴｅの拡
散稀釈による感度低下を防ぐ目的でＡｓの高濃度な層、
４−２および４−４を設け℃ある。層４−１はＡｓを２
〜１０％程度、層４−２は５〜２０χ程度含有し、それ
ぞれ厚さは１００〜３００八程度に設定される。このＡ
ｓ（ｑが犬であるときには暗電流の経時変化が大きいが
、本実施例では層４−１部分ＶＣＬｉＦを０．５〜５ｗ
ｔ％程度含有せしめた結果、第３図に示すように、実線
（イ）で示す暗電流の経時変化は、破線（ロ）で示すＬ
ｉＦを含まない場合に比較して顕著に小さかった。なお
、この第３図は光電流４ｎＡ／−を流しながら実験した
結果である。また、このとき白色光撮影時の光電感度は
ＬｉＦ含有景３ ｗ ｔ％で、無添加の場合と変わらな
い値が得られた。
次に、月４−１．４−２の全体にわたってＬｉＦを０．
５〜５ ｗ ｔ％添加した場合も、第３図に実線イで示
したとほぼ同様の暗電流の経時変化が得られた。感度の
低下はＯ〜３Ｘであった。
５〜５ ｗ ｔ％添加した場合も、第３図に実線イで示
したとほぼ同様の暗電流の経時変化が得られた。感度の
低下はＯ〜３Ｘであった。
上記構成において、光導電膜４は、例えば特公昭５２−
４０８０９に示されるようないくつかの異なる物質、例
えばＳｅ、 Ｔｅｓ Ａｓ２Ｓｅ３、ＬｉＦの蒸発源を
別個に設け、所望の組成になるように各蒸着源よりの蒸
発量を制御しながら薄い多数の層からなるように真空蒸
着することで形成され、この場合、少なくとも上記Ｌｉ
Ｆ、 Ｓｅ、 ’Ｓｅ＋Ａｓ、 Ｔｅの４種の蒸発源を
備えるのが便利である。
４０８０９に示されるようないくつかの異なる物質、例
えばＳｅ、 Ｔｅｓ Ａｓ２Ｓｅ３、ＬｉＦの蒸発源を
別個に設け、所望の組成になるように各蒸着源よりの蒸
発量を制御しながら薄い多数の層からなるように真空蒸
着することで形成され、この場合、少なくとも上記Ｌｉ
Ｆ、 Ｓｅ、 ’Ｓｅ＋Ａｓ、 Ｔｅの４種の蒸発源を
備えるのが便利である。
なお、焼付き防止のために、光電変換領域（主たる感光
層域）全体にＬｉＦをドープしてキャリアの再励起を防
ぐようにしたものがあるが、（特開昭５７−８０６３７
）、本発明ではＳｅを主成分とする光導電膜のうち主
たる光電変換が行なわれる増感剤としてのＴｅを含む領
域にはＬｉＦを含有せしめない。これにより、ＬｉＦを
含有させることによる前述したような感度の低下を比較
的軽度なものにとどめることができる。また、原因は不
詳であるが、ＬｉＦ蒸着時に万一凝集体が膜に混入した
とき忌 に、Ｔｅと共存することにより当該微小部分で著し感度
低下を生ずる傾向をもつことが判明しており、上述した
ような凝集体の混入が生じた場合に障害とならないよう
にするためにも、Ｔｅと共存させないことが有利である
。
層域）全体にＬｉＦをドープしてキャリアの再励起を防
ぐようにしたものがあるが、（特開昭５７−８０６３７
）、本発明ではＳｅを主成分とする光導電膜のうち主
たる光電変換が行なわれる増感剤としてのＴｅを含む領
域にはＬｉＦを含有せしめない。これにより、ＬｉＦを
含有させることによる前述したような感度の低下を比較
的軽度なものにとどめることができる。また、原因は不
詳であるが、ＬｉＦ蒸着時に万一凝集体が膜に混入した
とき忌 に、Ｔｅと共存することにより当該微小部分で著し感度
低下を生ずる傾向をもつことが判明しており、上述した
ような凝集体の混入が生じた場合に障害とならないよう
にするためにも、Ｔｅと共存させないことが有利である
。
上記の実施例では、もっばらＬｉＦを添加した場合につ
いて述べたが、その他にもＣａＦ２ 、ＭｇＦ２、Ｓｒ
Ｆ２、ＢａＦ２．ＮａＦ、ＫＦ、ＴＲＦ、ＭｎＦ２、Ｐ
ｂＦ２、ＣＯＦｓ 、Ａ ＬＦｓ 、Ｃｒ Ｆ３、Ｃｅ
Ｆ３などの弗化物を当該部位に添加しても類似の効果を
発揮することが確認された。
いて述べたが、その他にもＣａＦ２ 、ＭｇＦ２、Ｓｒ
Ｆ２、ＢａＦ２．ＮａＦ、ＫＦ、ＴＲＦ、ＭｎＦ２、Ｐ
ｂＦ２、ＣＯＦｓ 、Ａ ＬＦｓ 、Ｃｒ Ｆ３、Ｃｅ
Ｆ３などの弗化物を当該部位に添加しても類似の効果を
発揮することが確認された。
以上説明したように、本発明によれば、阻止形接触近傍
の増感剤を含まないＡｓ含有領域にＬｉＦを含有させた
ことにより、暗電流の経時的増大傾向を解消し、長時間
連続使用しても画質の変化しない安定した撮像を行なう
ことができる。
の増感剤を含まないＡｓ含有領域にＬｉＦを含有させた
ことにより、暗電流の経時的増大傾向を解消し、長時間
連続使用しても画質の変化しない安定した撮像を行なう
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す光電変換部の断面図、
第２図は光導電膜の構成物質組成を示す１′＼ ・嘆第３図は暗１．Σ流の経時変化例を示す図である。 １・・・・透明ガラス基板、２・・・・透明電極、３・
・・・中間阻止膜、４・・・・光導電膜、４−１．４−
２・・・・阻止形接触近傍の増感剤第１＠ 第２図 １Ｆ 第３図 経８時間
第２図は光導電膜の構成物質組成を示す１′＼ ・嘆第３図は暗１．Σ流の経時変化例を示す図である。 １・・・・透明ガラス基板、２・・・・透明電極、３・
・・・中間阻止膜、４・・・・光導電膜、４−１．４−
２・・・・阻止形接触近傍の増感剤第１＠ 第２図 １Ｆ 第３図 経８時間
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｓｅを主成分としかつ一部に増感剤を含む層を有し
阻止形接触を構成する光導電膜を備えた光導電形撮像管
において、光導電膜の、上記阻止形接触近傍の増感剤を
含まない領域に、Ａｓとともに弗化物を含有させたこと
を特徴とする光導電形撮像管。 ２、弗化物がＬｉＦであることを特徴とする特許請求範
囲第１項記載の光導電形撮像管。 ３、弗化物がＬｉＦであり当該部位における含有量が０
．１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光導電形撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16633484A JPS6145543A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光導電形撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16633484A JPS6145543A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光導電形撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145543A true JPS6145543A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15829435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16633484A Pending JPS6145543A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 光導電形撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145543A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205135A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Sony Corp | 撮像管タ−ゲツト |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16633484A patent/JPS6145543A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205135A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Sony Corp | 撮像管タ−ゲツト |
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