JPS59205135A - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS59205135A JPS59205135A JP7901183A JP7901183A JPS59205135A JP S59205135 A JPS59205135 A JP S59205135A JP 7901183 A JP7901183 A JP 7901183A JP 7901183 A JP7901183 A JP 7901183A JP S59205135 A JPS59205135 A JP S59205135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- concentration
- lif
- sensitivity
- increased
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は撮像管ターケ゛ットに関する。
背景技術とその問題点
従来、光導電膜として、Ｓｅ（セレン）、Ａｓ（砒素）
、Ｔｅ（テルル）を主成分とする非晶質蒸着膜の使用さ
れた撮像管ターデッドが提案されている。
、Ｔｅ（テルル）を主成分とする非晶質蒸着膜の使用さ
れた撮像管ターデッドが提案されている。
第１図はこれを示すもので、（１）はガラスフェースプ
レート、（２）は透明導電膜、（３）は上述したＳｅ
＊ Ａ３１Ｔｅを主成分とする光導電膜、（４）は５ｂ
２Ｓ３（三硫化アンチモン）よ）なるビームランディン
グ補助膜としての導電膜である。また（５）は入射光、
（６）は走査電子ビームである。
レート、（２）は透明導電膜、（３）は上述したＳｅ
＊ Ａ３１Ｔｅを主成分とする光導電膜、（４）は５ｂ
２Ｓ３（三硫化アンチモン）よ）なるビームランディン
グ補助膜としての導電膜である。また（５）は入射光、
（６）は走査電子ビームである。
第２図は光導電膜（３）におけるＳｅ ＋ Ａｓ ＋
Ｔｅの濃度分布例を示すものである。
Ｔｅの濃度分布例を示すものである。
このような撮像管ターゲットは高感度で暗電流の少ない
ことに特徴を有するものであるが、緑から赤の感度が比
較的低く、例えば単管カラー撮像管のターデッドとして
はさらに高感度化が要望されている。即ち、単管カラー
撮像管としては、白色光に対して感度をあげるだけでは
不充分で、宵から赤までの可視光に対して内蔵色フィル
レターの透過特性にあったバランスのよい感度特性が必
要とされる。
ことに特徴を有するものであるが、緑から赤の感度が比
較的低く、例えば単管カラー撮像管のターデッドとして
はさらに高感度化が要望されている。即ち、単管カラー
撮像管としては、白色光に対して感度をあげるだけでは
不充分で、宵から赤までの可視光に対して内蔵色フィル
レターの透過特性にあったバランスのよい感度特性が必
要とされる。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑み、他に不都合を生じさせることな
く一層高感度となる撮像管ターケ゛ットを提供するもの
である。
く一層高感度となる撮像管ターケ゛ットを提供するもの
である。
発明の概要
本発明は上記目的を達成するため、光導電膜のＴｅ層の
濃度が高くされると共にその膜厚が厚くされ、さらに透
明導電膜側から、Ｔｅ層の直前所定領域を除きＴｅ層の
５０４以上の領域までＬｉＦ（フッ化リチウム）が所定
量添加されるものである。
濃度が高くされると共にその膜厚が厚くされ、さらに透
明導電膜側から、Ｔｅ層の直前所定領域を除きＴｅ層の
５０４以上の領域までＬｉＦ（フッ化リチウム）が所定
量添加されるものである。
本発明はこのように構成され、Ｔｅ層の濃度が高くされ
ると共にその膜層が厚くされるので高感度となる。捷た
、ＬｉＦが添加されるので、ＴｅＮの濃度が高くされる
と共にその膜厚が厚くされても暗電流が少なく、低残像
となると共に焼付きを生じ難い。捷だ、ＬｉＦがＴｅ層
の５０４以上の領域まで添加されるので、信号電流の変
化量が改善される。さらに、Ｔｅ層の直前所定領域には
ＬｊＦが添加されないので、ＬｉＦの添加によってＴｅ
の熱拡散が助長され感度の低下を招くことがない。
ると共にその膜層が厚くされるので高感度となる。捷た
、ＬｉＦが添加されるので、ＴｅＮの濃度が高くされる
と共にその膜厚が厚くされても暗電流が少なく、低残像
となると共に焼付きを生じ難い。捷だ、ＬｉＦがＴｅ層
の５０４以上の領域まで添加されるので、信号電流の変
化量が改善される。さらに、Ｔｅ層の直前所定領域には
ＬｊＦが添加されないので、ＬｉＦの添加によってＴｅ
の熱拡散が助長され感度の低下を招くことがない。
実施例
以下第３図以降を参照しながら本発明の一実施例につい
て説明しよう。
て説明しよう。
上述炉た第１図及び第２図に示す撮像管ターグットにお
いて、光導電膜（３）のＴｅ層の濃度を高くするか、あ
るいはその膜厚を厚くすることによシ感度を上げること
ができる。
いて、光導電膜（３）のＴｅ層の濃度を高くするか、あ
るいはその膜厚を厚くすることによシ感度を上げること
ができる。
例えば、第３図Ａに示すようにＴｅ層の濃度が３１重量
条で、その膜厚が６００１であるとき（従来）に対し、
同図Ｂに示すようにＴｅ層の濃度が３８重量％で、その
膜厚が６００ Ｘであるとき、白色光の感度は略１．９
倍、赤色光の感度は略２倍、緑色光の感度は略１．７倍
、色フィルタ込みの感度は略１．４倍となる。また、同
図Ｃに示すようにＴｅ層の濃度が３４重量％で、その膜
厚が９００ｉであるとき、白色光の感度は略１．６倍、
赤色光の感度は略１．９倍、緑色光の感度は略１．９倍
、色フィルタ込みの感度は略１，５倍となる。さらに、
同図りに示すようにＴｅ層の濃度が３６重量％で、その
膜厚が７５０Ｘであるとき、白色光の感度は略１．８倍
、赤色光の感度は略１．８倍、緑色光の感度は略１．５
倍、色フィルタ込みの感度は略１，５倍となる。
条で、その膜厚が６００１であるとき（従来）に対し、
同図Ｂに示すようにＴｅ層の濃度が３８重量％で、その
膜厚が６００ Ｘであるとき、白色光の感度は略１．９
倍、赤色光の感度は略２倍、緑色光の感度は略１．７倍
、色フィルタ込みの感度は略１．４倍となる。また、同
図Ｃに示すようにＴｅ層の濃度が３４重量％で、その膜
厚が９００ｉであるとき、白色光の感度は略１．６倍、
赤色光の感度は略１．９倍、緑色光の感度は略１．９倍
、色フィルタ込みの感度は略１，５倍となる。さらに、
同図りに示すようにＴｅ層の濃度が３６重量％で、その
膜厚が７５０Ｘであるとき、白色光の感度は略１．８倍
、赤色光の感度は略１．８倍、緑色光の感度は略１．５
倍、色フィルタ込みの感度は略１，５倍となる。
また、第４図はＴｅ層の膜厚を６００ Ｘとしたときの
、Ｔｅ層の濃度と感度（信号電流〕との関係を示したも
のであシ、Ｔｅ層の濃度が高い程、感度が高くなること
がわかる。また、第５図はＴｅ層のｍ度を３８重量％と
したときの、Ｔｅ層の膜厚と感度（信号電流）との関係
を示したものであり、Ｔｅ層の膜厚が厚い程感度が高く
なることがわかる。
、Ｔｅ層の濃度と感度（信号電流〕との関係を示したも
のであシ、Ｔｅ層の濃度が高い程、感度が高くなること
がわかる。また、第５図はＴｅ層のｍ度を３８重量％と
したときの、Ｔｅ層の膜厚と感度（信号電流）との関係
を示したものであり、Ｔｅ層の膜厚が厚い程感度が高く
なることがわかる。
このように、Ｔｅ層の濃度を高くするか、あるいはその
膜厚を厚くすれば感度は高くなるが、感度を高くするた
めにむやみにＴｅ層の濃度を高く、あるいはその膜厚を
厚くすると、透明導電膜（２）と光導電膜（３）との間
の阻止型接触が弱くな９、暗電流が増大し、残像が増大
すると共に焼付を生じ易くする。
膜厚を厚くすれば感度は高くなるが、感度を高くするた
めにむやみにＴｅ層の濃度を高く、あるいはその膜厚を
厚くすると、透明導電膜（２）と光導電膜（３）との間
の阻止型接触が弱くな９、暗電流が増大し、残像が増大
すると共に焼付を生じ易くする。
即ち、第６図はＴｅ層の膜厚を６００ＸとしたときのＴ
ｅ層の濃度と暗電流との関係を示したものであり、Ｔｅ
層の濃度が高い穆暗電流が増加することがわかる。また
、第７図はＴｅ層の濃度を３８重量％としたときのＴｅ
層の膜厚と暗電流との関係を示したものであり、Ｔｅ層
の膜厚が厚い程暗電流が増加することがわかる。
ｅ層の濃度と暗電流との関係を示したものであり、Ｔｅ
層の濃度が高い穆暗電流が増加することがわかる。また
、第７図はＴｅ層の濃度を３８重量％としたときのＴｅ
層の膜厚と暗電流との関係を示したものであり、Ｔｅ層
の膜厚が厚い程暗電流が増加することがわかる。
このように暗電流が増加するのは上述したように透明導
電膜（２）と光導電膜（３）との阻止型接触が弱くなる
ためであり、これを改善するため、光導電膜（３）にＬ
ＩＦ（フッ化リチウム）を添加することが知られている
（第８図に図示）。第９図はＴｅ１ｉの濃度が３８重量
％で、その膜厚が６００Ｘであるときの、暗電流動作特
性を示すものである。この特性は、一定光量、例えば信
号電流が１５０ ｎＡとなる光量の下で動作させたとき
のものである。
電膜（２）と光導電膜（３）との阻止型接触が弱くなる
ためであり、これを改善するため、光導電膜（３）にＬ
ＩＦ（フッ化リチウム）を添加することが知られている
（第８図に図示）。第９図はＴｅ１ｉの濃度が３８重量
％で、その膜厚が６００Ｘであるときの、暗電流動作特
性を示すものである。この特性は、一定光量、例えば信
号電流が１５０ ｎＡとなる光量の下で動作させたとき
のものである。
ＬＩＦを添加したもの（同図実線ａで示す）においては
、Ｌｌｌｉ”を添加しないもの（同図実線すて示す）に
比べて、初期暗電流（時間０のときの暗電流）が減シ、
しかも長時間動作させても暗電流が少ないことがわかる
。
、Ｌｌｌｉ”を添加しないもの（同図実線すて示す）に
比べて、初期暗電流（時間０のときの暗電流）が減シ、
しかも長時間動作させても暗電流が少ないことがわかる
。
このように、ＬｉＦを添加したものにおいては、阻止型
接触が改善される。
接触が改善される。
ところで、単に阻止型接触を改善するためだけならば、
透明導電膜（２）側の薄い領域（５０１〜１５０Ｘ）に
添加するだけでよい。しかし、上述したようにＴｅ層の
濃度を高くしたシ、その膜厚を厚くすると、信号電流（
感度〕が時間と共に犬きく変るようになる。この点を改
善するにはＬｉＦの添加をＴｅ層の領域まで延ばす必要
がある。
透明導電膜（２）側の薄い領域（５０１〜１５０Ｘ）に
添加するだけでよい。しかし、上述したようにＴｅ層の
濃度を高くしたシ、その膜厚を厚くすると、信号電流（
感度〕が時間と共に犬きく変るようになる。この点を改
善するにはＬｉＦの添加をＴｅ層の領域まで延ばす必要
がある。
第１０図は動作時間に対する信号電流変化量の関係を示
すものである。同図において実線ｇは、Ｔｅ層の濃度が
３１重量％、その膜厚が６００Ｘで、Ｔｅ層に対しての
ＬｉＦの重なυ量ｔ（第８図参照）がＯＸの」場合であ
り、これに対して同図実線ｊは、Ｔｅ層の濃度が３６重
量％、その膜厚が１２００１で、重なりｉｔがＯＸの場
合である。この実線ｇ及びｊからも明らかなように、Ｔ
ｅ層の濃度を高くしたり、その膜厚を厚くすると、信号
電流変化量が大きくなることがわかる。
すものである。同図において実線ｇは、Ｔｅ層の濃度が
３１重量％、その膜厚が６００Ｘで、Ｔｅ層に対しての
ＬｉＦの重なυ量ｔ（第８図参照）がＯＸの」場合であ
り、これに対して同図実線ｊは、Ｔｅ層の濃度が３６重
量％、その膜厚が１２００１で、重なりｉｔがＯＸの場
合である。この実線ｇ及びｊからも明らかなように、Ｔ
ｅ層の濃度を高くしたり、その膜厚を厚くすると、信号
電流変化量が大きくなることがわかる。
壕だ第１０図において、実線り及びｌは、Ｔｅ層の濃度
が３１重量％、その膜厚が６００Ｘで、重なり量ｔが夫
々３００Ｘ及び５００Ｘの場合である。また同図におい
て、実線には、Ｔｅ層の濃度が３６重量％、その膜厚が
１２００ Ｘで、重な！ｌｌ量ｔが６００Ｘの場合であ
る。
が３１重量％、その膜厚が６００Ｘで、重なり量ｔが夫
々３００Ｘ及び５００Ｘの場合である。また同図におい
て、実線には、Ｔｅ層の濃度が３６重量％、その膜厚が
１２００ Ｘで、重な！ｌｌ量ｔが６００Ｘの場合であ
る。
これらからも明らかなように、重なｐ量ｔをＴｅ層の例
えば５０チ以上としたときには、信号変化量が確かに改
善されることがわかる。
えば５０チ以上としたときには、信号変化量が確かに改
善されることがわかる。
ところで、Ａｓ及びＴｅを含むＳｅ系の光導電膜を使用
した撮像管ターゲットにおいては、高温になるとＴｅの
熱拡散が顕著となり、感度の低下が起こる。これを改善
するものとして、第１１図に示すようにＴｅ層の直前の
Ａｓの濃度を高くすることが提案されている。
した撮像管ターゲットにおいては、高温になるとＴｅの
熱拡散が顕著となり、感度の低下が起こる。これを改善
するものとして、第１１図に示すようにＴｅ層の直前の
Ａｓの濃度を高くすることが提案されている。
一方、上述したようにＬｉＦを添加することは、Ｔｏの
熱拡散をし易くする。例えば、６０℃で略１００時間保
存したときの赤感度化は、初期状態に対し、ＬＩＦを添
加しない場合には０．８であり、ＬｉＦを添加し、た場
合には０．５となる。従って例えば、上述したようにＴ
ｅ Ｎｉの直前のＡｓの濃度を高くするものに、ＬｉＦ
を添加すると熱拡散防止の効果が薄れることとなる。
熱拡散をし易くする。例えば、６０℃で略１００時間保
存したときの赤感度化は、初期状態に対し、ＬＩＦを添
加しない場合には０．８であり、ＬｉＦを添加し、た場
合には０．５となる。従って例えば、上述したようにＴ
ｅ Ｎｉの直前のＡｓの濃度を高くするものに、ＬｉＦ
を添加すると熱拡散防止の効果が薄れることとなる。
第１２図は以上の点が考慮された本発明の一実施例にお
ける光導電膜（３′）の濃度分布例を示すものである。
ける光導電膜（３′）の濃度分布例を示すものである。
同図においてＴｅ層の濃度は高く、例えば３４重量％〜
５０重量％とされると共に、その膜厚は厚く、例えば６
００ Ｘ〜２０００ Ｘとされる。また、この光導電膜
（３′）の透明導電膜（２）側からＴｅ層の５０ ％の
領域まで、ＬｉＦが０．０１重景チ〜１重量％の濃度で
添加される。ただしこの場合、Ｔｅ層の直前の領域ｄ１
例えば５０ Ｘ〜１５０Ｘの領域には添加されない。
５０重量％とされると共に、その膜厚は厚く、例えば６
００ Ｘ〜２０００ Ｘとされる。また、この光導電膜
（３′）の透明導電膜（２）側からＴｅ層の５０ ％の
領域まで、ＬｉＦが０．０１重景チ〜１重量％の濃度で
添加される。ただしこの場合、Ｔｅ層の直前の領域ｄ１
例えば５０ Ｘ〜１５０Ｘの領域には添加されない。
また、Ｔｅ層の直前の領域のＡｌ１の濃度が高くされる
。
。
光導電膜（３′）以外の部分は従来同様に構成される。
このように本例の撮像管ターゲットによれば、光導電膜
（３′）のＴｅ層の濃度は高く、シかもその膜厚は厚く
されるので、感度は高くなる。また、ＬＩＦが添加され
るので、透明導電膜（２）と光導電膜（３′）との阻止
型接触が改善され、暗電流が少なくなり、残像が減少す
ると共に焼付きが生じ難くなる。また、ＬｉＦがＴｅ層
の５０％以上の領域まで添加されるので、１６号電流の
変化量が改善される。また、Ｔｅ層の直前領域ｄを除き
ＬｉＦを添加するものであるから、Ｔｅの熱拡散を助長
することなく、感度の低下を招くことがない。また、Ｔ
ｅ層の面前のＡｓの濃度全土けるので、ＴｅＯ熱拡散防
止がされる。
（３′）のＴｅ層の濃度は高く、シかもその膜厚は厚く
されるので、感度は高くなる。また、ＬＩＦが添加され
るので、透明導電膜（２）と光導電膜（３′）との阻止
型接触が改善され、暗電流が少なくなり、残像が減少す
ると共に焼付きが生じ難くなる。また、ＬｉＦがＴｅ層
の５０％以上の領域まで添加されるので、１６号電流の
変化量が改善される。また、Ｔｅ層の直前領域ｄを除き
ＬｉＦを添加するものであるから、Ｔｅの熱拡散を助長
することなく、感度の低下を招くことがない。また、Ｔ
ｅ層の面前のＡｓの濃度全土けるので、ＴｅＯ熱拡散防
止がされる。
尚、上述実施例においては、光導電膜（３′）のＴ。
層の直前のＡｓの濃度を上げたものであるが、これは必
ずしも高くする必要はない。
ずしも高くする必要はない。
発明の効果
以上述べた本発明によれば、光導電膜のＴｅ層の濃度が
高くされると共に、その膜厚が厚くされるので高感度と
なる。また、ＬＩＦが添加されるので、Ｔｅ層の濃度が
高くされると共にその膜厚が厚くされても暗電流が少な
く、低残像となると共に焼付を生じ難い。また、ＬｉＦ
がＴｅ層の５０係以上の領域まで添加されるので、Ｔｅ
層の濃度が高くされると共にその膜厚が厚くされても、
信号電量の変化量が改善され、少なくされる。さらに、
Ｔｅ層の面前所定領域にはＬｉＦが添加されないので、
ＬｉＦ’の添加によってＴｏの熱拡散を助長し感度の低
下を招くことがない。
高くされると共に、その膜厚が厚くされるので高感度と
なる。また、ＬＩＦが添加されるので、Ｔｅ層の濃度が
高くされると共にその膜厚が厚くされても暗電流が少な
く、低残像となると共に焼付を生じ難い。また、ＬｉＦ
がＴｅ層の５０係以上の領域まで添加されるので、Ｔｅ
層の濃度が高くされると共にその膜厚が厚くされても、
信号電量の変化量が改善され、少なくされる。さらに、
Ｔｅ層の面前所定領域にはＬｉＦが添加されないので、
ＬｉＦ’の添加によってＴｏの熱拡散を助長し感度の低
下を招くことがない。
第１図は撮像管ターゲットの一例を示す要部の断面図、
第２図はその光導電膜の各成分の濃度分布を示す図、第
３図〜第１１図は夫々本発明の説明のための図、第１２
図は本発明の一実施例における光導電膜の各成分の濃度
分布を示す図である。 （２）は透明導電膜、（３′）は光導電膜、（４）は導
電膜である。 第１図 第２図 旦 膜厚 第６図 １層の濃度Ｃ１ｆクリ 第７図 Ｔｅ層のＲ１厚（，４） 第９図 動作鍔間Ｃ特開〕 第１０図
第２図はその光導電膜の各成分の濃度分布を示す図、第
３図〜第１１図は夫々本発明の説明のための図、第１２
図は本発明の一実施例における光導電膜の各成分の濃度
分布を示す図である。 （２）は透明導電膜、（３′）は光導電膜、（４）は導
電膜である。 第１図 第２図 旦 膜厚 第６図 １層の濃度Ｃ１ｆクリ 第７図 Ｔｅ層のＲ１厚（，４） 第９図 動作鍔間Ｃ特開〕 第１０図
Claims (1)
- Ａｓ及びＴｅを含むＳｅ系光導電膜を有し、上記Ｔｅ層
の濃度が３４重景壬〜５０重量係とされると共にその膜
厚が６００χ〜２０００ Ｘとされ、上記光導電膜の透
明導電膜側から、上記Ｔｅ層の直前５０Ｘ〜１５０ｘの
領域を除き上記Ｔｅ層の５０係以上の領域まで、ＬｉＦ
が０−０１重量憾〜１重量係添加されることを特徴とす
る撮像管ターデッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7901183A JPS59205135A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 撮像管タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7901183A JPS59205135A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59205135A true JPS59205135A (ja) | 1984-11-20 |
Family
ID=13678004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7901183A Pending JPS59205135A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59205135A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6145543A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Hitachi Ltd | 光導電形撮像管 |
| JPS62223951A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | 光導電膜 |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP7901183A patent/JPS59205135A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6145543A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Hitachi Ltd | 光導電形撮像管 |
| JPS62223951A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | 光導電膜 |
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