JPS62223951A - 光導電膜 - Google Patents
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- JPS62223951A JPS62223951A JP61065760A JP6576086A JPS62223951A JP S62223951 A JPS62223951 A JP S62223951A JP 61065760 A JP61065760 A JP 61065760A JP 6576086 A JP6576086 A JP 6576086A JP S62223951 A JPS62223951 A JP S62223951A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテレビジョン用撮像管のターゲットに係わり、
高温動作時の焼付を低減する光導電膜に関する。
高温動作時の焼付を低減する光導電膜に関する。
非晶質Ｓｅは光導電性を示し、一般にｐ形溝電性を有す
るとともにｎ形溝電性の材料と整流性接触をなすことか
ら、この特徴を生かしたホトダイオード形の撮像管ター
ゲットを作ることが出来る。
るとともにｎ形溝電性の材料と整流性接触をなすことか
ら、この特徴を生かしたホトダイオード形の撮像管ター
ゲットを作ることが出来る。
この場合Ｓｓは長波長光に対する感度を持たないので、
これを改善するためにＳｅ層の一部にＴｅを添加する方
法がとられている（特公昭５２−３００９１、特公昭５
６−４１１４８号公報）。
これを改善するためにＳｅ層の一部にＴｅを添加する方
法がとられている（特公昭５２−３００９１、特公昭５
６−４１１４８号公報）。
また、前記ｐ形光導電層の一部に特定の弗化物を添加し
て、強い入射が遮断された場合の応答特性を改良する方
法（特公昭５８−３２４５４号）がとられている。
て、強い入射が遮断された場合の応答特性を改良する方
法（特公昭５８−３２４５４号）がとられている。
第１図は、従来技術によるターゲットの構造の一例を示
したもので、１は透光性基板、２は透光性導電膜、３は
５ｅ−Ａｓ−Ｔｅからなるｐ形光導電層、４は５ｅ−Ａ
ｓからなるｐ形光導電層、５は多孔質のＳｂ２Ｓ３から
なる走査電子ビームランデング層であるｅ Ｔ ｅは上
述したように赤色光に対する感度を増強するための成分
であり、ＡｓはＳｓを主体とする非晶質膜の粘性を高め
、熱的安定性を高めるための成分である。このような構
造を持つターゲットは正孔の注入と走査電子の注入が阻
止されてホトダイオード形の動作を示し、暗電流が少な
く残像特性の良好な撮像特性かえられる。
したもので、１は透光性基板、２は透光性導電膜、３は
５ｅ−Ａｓ−Ｔｅからなるｐ形光導電層、４は５ｅ−Ａ
ｓからなるｐ形光導電層、５は多孔質のＳｂ２Ｓ３から
なる走査電子ビームランデング層であるｅ Ｔ ｅは上
述したように赤色光に対する感度を増強するための成分
であり、ＡｓはＳｓを主体とする非晶質膜の粘性を高め
、熱的安定性を高めるための成分である。このような構
造を持つターゲットは正孔の注入と走査電子の注入が阻
止されてホトダイオード形の動作を示し、暗電流が少な
く残像特性の良好な撮像特性かえられる。
しかしなから、上記従来技術の撮像管ターゲットは、通
常の使用条件下では良好な撮像特性を示すが、撮像管の
使用温度が上昇した場合についての配慮が必ずしも十分
なされておらず、高温動作時に焼付が増加しやすい欠点
があった。
常の使用条件下では良好な撮像特性を示すが、撮像管の
使用温度が上昇した場合についての配慮が必ずしも十分
なされておらず、高温動作時に焼付が増加しやすい欠点
があった。
本発明の目的は、非晶質Ｓｅを主体とする撮像管ターゲ
ットの焼付が、使用温度が上昇した場合でも良好な光導
電膜を提供することである。
ットの焼付が、使用温度が上昇した場合でも良好な光導
電膜を提供することである。
本発明は、前記の目的を達成するため、ｎ形導電膜と、
その一部に赤色光感度を増加させるためにＴｅを添加し
た層を含むＳｅを主体とするｐ形光導電膜からなる光導
電性ターゲットにおいて、高濃度のＴｅを含む層と、浅
い準位を形成すると考えられる物質を添加した層とを有
する構造とすることを骨子とする。
その一部に赤色光感度を増加させるためにＴｅを添加し
た層を含むＳｅを主体とするｐ形光導電膜からなる光導
電性ターゲットにおいて、高濃度のＴｅを含む層と、浅
い準位を形成すると考えられる物質を添加した層とを有
する構造とすることを骨子とする。
本発明によれば、非晶質Ｓｅを主体とするｐ形光導電膜
と、該ｐ形光導電膜との界面で整流性接触を形成するｎ
形導電膜とを少なくとも有し、整流性接触を逆バイアス
して用いる撮像管ターゲットにおいて、前記ｐ形光導電
膜がその一部に少なくとも３５重量％をこえて６０重量
％以下のＴｅを含む層（以下、Ｔｅ高濃度層と呼ぶ）と
、浅い準位を形成すると考えられる物質のうち少なくと
も一部を０．００５重量％以上５重量％以下含有する層
とを有することによって、高温動作時の焼付を改善出来
ることが明らかとなった。
と、該ｐ形光導電膜との界面で整流性接触を形成するｎ
形導電膜とを少なくとも有し、整流性接触を逆バイアス
して用いる撮像管ターゲットにおいて、前記ｐ形光導電
膜がその一部に少なくとも３５重量％をこえて６０重量
％以下のＴｅを含む層（以下、Ｔｅ高濃度層と呼ぶ）と
、浅い準位を形成すると考えられる物質のうち少なくと
も一部を０．００５重量％以上５重量％以下含有する層
とを有することによって、高温動作時の焼付を改善出来
ることが明らかとなった。
第２図は、本発明の一例で、従来技術による撮像管ター
ゲットの原理的構成を示す第１図の３に相当する部分の
成分分布を示した図である。以下、本発明の説明中の成
分比は重量比で表示する。第２図の例では、Ｔｅは透明
導電膜との界面にあたる膜厚ゼロの位置には存在せず（
ａの部分）、膜厚５００人の部分から急速に濃度を増し
、４５％の濃度で膜厚６００人にわたって添加されてい
る（ｂの部分）。又、ｂの部分のうちａに接する膜厚３
００人の部分には０．８％のＬｉＦが添加されている。
ゲットの原理的構成を示す第１図の３に相当する部分の
成分分布を示した図である。以下、本発明の説明中の成
分比は重量比で表示する。第２図の例では、Ｔｅは透明
導電膜との界面にあたる膜厚ゼロの位置には存在せず（
ａの部分）、膜厚５００人の部分から急速に濃度を増し
、４５％の濃度で膜厚６００人にわたって添加されてい
る（ｂの部分）。又、ｂの部分のうちａに接する膜厚３
００人の部分には０．８％のＬｉＦが添加されている。
Ａｓはａの部分には６％、ｂの部分には３％の濃度で膜
厚方向に一様に分布している。
厚方向に一様に分布している。
このＴｅ、Ａｓの構成は原理的には第１図の場合と同じ
であるが、Ｔｅの高濃度層と浅い準位を形成すると考え
られるＬｉＦを添加した層とを有することによって、従
来の特性を損なうことなく高温動作時の焼付を改善する
ものである。Ｃの部分は増感補助層でＳｅとＡｓにより
構成されている。
であるが、Ｔｅの高濃度層と浅い準位を形成すると考え
られるＬｉＦを添加した層とを有することによって、従
来の特性を損なうことなく高温動作時の焼付を改善する
ものである。Ｃの部分は増感補助層でＳｅとＡｓにより
構成されている。
この場合Ａｓは、ｂに接する部分では３０％で膜厚が増
加するにつれて次第に減少し３００人の部分では３％に
なっている。
加するにつれて次第に減少し３００人の部分では３％に
なっている。
第２図の例では、Ｔｅは膜厚方向に一様に分布している
が、必ずしも一様である必要はなく、濃度変化を持って
いてもかまわない、たとえば、ａに接する部分のＴｅ濃
度が３０％で、その部分の膜厚が１５０人の層と、さら
にＴｅ濃度が５０％である層を２００人加え、あわせて
ｂの部分とすることも出来る。また、ａに接する部分の
Ｔｅ濃度が４０％で、その部分の膜厚が１５０人の層と
、さらにＴｅ濃度が４５％である層を２００人加え、あ
わせてｂの部分とすることも可能である。又、ここでは
浅い準位を形成すると考えられる物質としてＬｉＦを用
いたが、ＬｉＦに限定されるものではなく、ＬｉＦ、Ｎ
ａＦ、ＭｇＦ２．Ｃａ Ｆ２゜ＡＩＦ、、ＣｒＦ３ｔ
Ｍｎ１Ｆ’、、、ＣｏＦｚｔ ｐｂＦ２１ＢａＦ２
．ＣｅＦ３、ＴｌＦから成る弗化物、Ｌｉ。
が、必ずしも一様である必要はなく、濃度変化を持って
いてもかまわない、たとえば、ａに接する部分のＴｅ濃
度が３０％で、その部分の膜厚が１５０人の層と、さら
にＴｅ濃度が５０％である層を２００人加え、あわせて
ｂの部分とすることも出来る。また、ａに接する部分の
Ｔｅ濃度が４０％で、その部分の膜厚が１５０人の層と
、さらにＴｅ濃度が４５％である層を２００人加え、あ
わせてｂの部分とすることも可能である。又、ここでは
浅い準位を形成すると考えられる物質としてＬｉＦを用
いたが、ＬｉＦに限定されるものではなく、ＬｉＦ、Ｎ
ａＦ、ＭｇＦ２．Ｃａ Ｆ２゜ＡＩＦ、、ＣｒＦ３ｔ
Ｍｎ１Ｆ’、、、ＣｏＦｚｔ ｐｂＦ２１ＢａＦ２
．ＣｅＦ３、ＴｌＦから成る弗化物、Ｌｉ。
Ｎａ、に、Ｃｓ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒから成るアル
カリ、またはアルカリ土金属およびＴｌから成る群の中
から選ばれた一部でさしつかえない。
カリ、またはアルカリ土金属およびＴｌから成る群の中
から選ばれた一部でさしつかえない。
必要なことは、Ｔｅ高濃度部分のＴｅ濃度が３５％をこ
えて６０％以下、好ましくは４０％以上５５％以下であ
り、かつ浅い準位を形成すると考えられる物質を０．０
０５％以上５％以下添加した層とを有する構造である。
えて６０％以下、好ましくは４０％以上５５％以下であ
り、かつ浅い準位を形成すると考えられる物質を０．０
０５％以上５％以下添加した層とを有する構造である。
第３図は、第２図に示したターゲットのＴｅ濃度を変え
て高温動作時（４０℃、４５℃、５０℃）における本発
明の効果を示したものである１図から明らかなように、
４０℃〜５０℃の高温域で実用的な焼付量とするために
は、Ｔｅ濃度が３５％をこえて６０％以下、好ましくは
４０％以上５５％以下であることが必要である。
て高温動作時（４０℃、４５℃、５０℃）における本発
明の効果を示したものである１図から明らかなように、
４０℃〜５０℃の高温域で実用的な焼付量とするために
は、Ｔｅ濃度が３５％をこえて６０％以下、好ましくは
４０％以上５５％以下であることが必要である。
上記の効果をうるためには浅い準位を形成すると考えら
れる物質の濃度を０．００５％以上５％以下とすること
が必要である。
れる物質の濃度を０．００５％以上５％以下とすること
が必要である。
すでにまた、ｎ形溝ｉｔ膜と非晶質Ｓｅを主体とするｐ
形光導電膜との間にＣｅＯ□等のｎ形成化物を代表例と
する整流性接触補助層を介在せしめ暗電流を低減す方法
（例えば、特公昭５４−１７６３３号）や、非晶質Ｓｅ
を主体とする撮像管ターゲット用光導電膜を堆積する際
に、基板を６０℃以下の適正な温度に加熱保持すること
により、該光導電膜を再現性良く製造する方法（特願昭
６０−１１４０９０号）も提案されているが、これらの
方法と本発明を組合せることによって本発明の目的をよ
り効果的に達成することが出来る。
形光導電膜との間にＣｅＯ□等のｎ形成化物を代表例と
する整流性接触補助層を介在せしめ暗電流を低減す方法
（例えば、特公昭５４−１７６３３号）や、非晶質Ｓｅ
を主体とする撮像管ターゲット用光導電膜を堆積する際
に、基板を６０℃以下の適正な温度に加熱保持すること
により、該光導電膜を再現性良く製造する方法（特願昭
６０−１１４０９０号）も提案されているが、これらの
方法と本発明を組合せることによって本発明の目的をよ
り効果的に達成することが出来る。
さらにまた、増感補助層の少なくとも一部にＧ ａ Ｆ
３． Ｍ ｏ Ｆ３ｙ Ｉ ｎ２０３等を添加して強い
光に対する焼付や、撮像管起動直後に生ずる感度の変動
を低減する方法（特願昭５６−８０９１４号、ならびに
、特願昭５９−１００５３５号）と本発明を組合せても
、前者の発明の目的とする効果を損なうことなしに本発
明の目的を達成することが出来る。
３． Ｍ ｏ Ｆ３ｙ Ｉ ｎ２０３等を添加して強い
光に対する焼付や、撮像管起動直後に生ずる感度の変動
を低減する方法（特願昭５６−８０９１４号、ならびに
、特願昭５９−１００５３５号）と本発明を組合せても
、前者の発明の目的とする効果を損なうことなしに本発
明の目的を達成することが出来る。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例１
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、その上に第１層としてＳｓ、Ａｓ２Ｓｅ３．ＬｊＦ
をそれぞれ別々のボートから３００人の厚さに蒸着する
一Ａｓ濃度は１０％、ＬｉＦ濃度は６０００ｐｐｍで膜
厚方向に一様に分布させる。第１層の上に第２層として
Ｓｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸
着ボートから蒸発させ６００Å以上９００Å以下の厚さ
に蒸着する。Ｔｅ濃度は４０％、Ａｓ濃度は２％、Ｌｉ
Ｆ濃度は４００００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布させ
る。第２層の上に第３層を蒸着する。
し、その上に第１層としてＳｓ、Ａｓ２Ｓｅ３．ＬｊＦ
をそれぞれ別々のボートから３００人の厚さに蒸着する
一Ａｓ濃度は１０％、ＬｉＦ濃度は６０００ｐｐｍで膜
厚方向に一様に分布させる。第１層の上に第２層として
Ｓｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸
着ボートから蒸発させ６００Å以上９００Å以下の厚さ
に蒸着する。Ｔｅ濃度は４０％、Ａｓ濃度は２％、Ｌｉ
Ｆ濃度は４００００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布させ
る。第２層の上に第３層を蒸着する。
第３層は、まず前半部として６０Ａの厚さにＳｅ。
Ａｓ２Ｓｅ３．Ｉ ｎ２０３をそれぞれ別々の蒸着ボー
トにより蒸着する。この部分のＡｓ濃度は３０％。
トにより蒸着する。この部分のＡｓ濃度は３０％。
Ｉ ｎ２０３濃度は５００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分
布させる。さらにその上に第３層の後半部として５０人
の厚さにＳｅ、Ａｓ２５ｅｓ、Ｉ ｎ２０３をそれぞれ
別々の蒸着ボートにより蒸着する。Ａｓ濃度は３％、Ｉ
ｎ２Ｏ３濃度は５００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布さ
せる。この第３層の前半部と後半部を合わせて増感補助
層とする０次にＳｓ。
布させる。さらにその上に第３層の後半部として５０人
の厚さにＳｅ、Ａｓ２５ｅｓ、Ｉ ｎ２０３をそれぞれ
別々の蒸着ボートにより蒸着する。Ａｓ濃度は３％、Ｉ
ｎ２Ｏ３濃度は５００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布さ
せる。この第３層の前半部と後半部を合わせて増感補助
層とする０次にＳｓ。
Ａｓよりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚を６μｍとす
る。第４層のＡｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分
布させる。第１層から第４層までの蒸着は２ Ｘ １０
−’Ｔｅｒｒの真空中で行う、第４層の上に３ Ｘ １
０−１Ｔｅｒｒのアルゴン雰囲気中でｓｂ、ｓ、を５０
０人の厚さに蒸着する。
る。第４層のＡｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分
布させる。第１層から第４層までの蒸着は２ Ｘ １０
−’Ｔｅｒｒの真空中で行う、第４層の上に３ Ｘ １
０−１Ｔｅｒｒのアルゴン雰囲気中でｓｂ、ｓ、を５０
０人の厚さに蒸着する。
実施例２
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を２００人
、ＣｅＯ２を２００人の厚さに２ Ｘ １０−’Ｔｅｒ
ｒの真空中で蒸着する。その上に第１層としてＳ ｅ
ＨＡ ３２Ｓ ｅ３をそれぞれ別々のボートから２００
〜５００人の厚さに蒸着する。
し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を２００人
、ＣｅＯ２を２００人の厚さに２ Ｘ １０−’Ｔｅｒ
ｒの真空中で蒸着する。その上に第１層としてＳ ｅ
ＨＡ ３２Ｓ ｅ３をそれぞれ別々のボートから２００
〜５００人の厚さに蒸着する。
Ａｓ濃度は１０％で膜厚方向に一様に分布させる。
第１層の上に第２層の前半部としてＳｓ、Ａｓ２５８３
＃ Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートから蒸発
させ１５０人厚さに蒸着する。このときＡｓ濃度は２％
、Ｔｅ濃度は３０％で、ＬｉＦ濃度は８０００ｐｐｍと
し、膜厚方向に一様に分布させる。続いてＳ ｅ 、
Ａ ｓｒｓ ｅ３ｇ Ｔ ｏをそれぞれ別々の蒸着ボー
トから１５０Å以上２００Å以下の厚さに蒸着し第２層
の後半部を形成する。
＃ Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートから蒸発
させ１５０人厚さに蒸着する。このときＡｓ濃度は２％
、Ｔｅ濃度は３０％で、ＬｉＦ濃度は８０００ｐｐｍと
し、膜厚方向に一様に分布させる。続いてＳ ｅ 、
Ａ ｓｒｓ ｅ３ｇ Ｔ ｏをそれぞれ別々の蒸着ボー
トから１５０Å以上２００Å以下の厚さに蒸着し第２層
の後半部を形成する。
第２層後半部のＡｓ濃度は２％、Ｔｅ濃度は６０％とす
る。第２層の上に増感補助層として、Ｓｅ。
る。第２層の上に増感補助層として、Ｓｅ。
Ａｓからなる第３層を３００人の厚さに蒸着する。
第３層を蒸着する場合、Ｓｅ、Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸
着ボートから同時に蒸発させる。このとき各々の蒸着ボ
ート電流を制御することによって、始めのＡｓ濃度を３
３％とし、蒸着が進むにつれて次第に減少し第３層の終
わりで２％になるようにする第３層の上に第４層として
Ｓ ｅ ｐ Ａ ｓ２ｓ ６３を別々の蒸着ボートから
同時に蒸着し、全体の膜厚が４μｍとなるようにする。
着ボートから同時に蒸発させる。このとき各々の蒸着ボ
ート電流を制御することによって、始めのＡｓ濃度を３
３％とし、蒸着が進むにつれて次第に減少し第３層の終
わりで２％になるようにする第３層の上に第４層として
Ｓ ｅ ｐ Ａ ｓ２ｓ ６３を別々の蒸着ボートから
同時に蒸着し、全体の膜厚が４μｍとなるようにする。
このとき、第４層のＡｓ濃度は２％とし、膜厚方向に一
様に分布させる。第１層から第４層までの蒸着は２Ｘ１
０−ＢＴ ｏｒｒの真空中で行う。第４層の上にビーム
ランディング補助層として、２ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｅｒ
ｒのアルゴン雰囲気で５ｂ２ｓ３を７００人の厚さに蒸
着する。
様に分布させる。第１層から第４層までの蒸着は２Ｘ１
０−ＢＴ ｏｒｒの真空中で行う。第４層の上にビーム
ランディング補助層として、２ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｅｒ
ｒのアルゴン雰囲気で５ｂ２ｓ３を７００人の厚さに蒸
着する。
実施例３
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、さらに整流性接触補助層として、Ｃｅ ０２を３０
０人の厚さに２ Ｘ １０ ＝Ｔｅｒｒの真空中で蒸着
する。その上に第１層として、Ｓｅ。
し、さらに整流性接触補助層として、Ｃｅ ０２を３０
０人の厚さに２ Ｘ １０ ＝Ｔｅｒｒの真空中で蒸着
する。その上に第１層として、Ｓｅ。
Ａｓ２Ｓｅ３．ＬｉＦをそれぞれ別々のボートから２０
０人の厚さに蒸着する。Ａｓ濃度は１０％。
０人の厚さに蒸着する。Ａｓ濃度は１０％。
ＬｉＦ濃度は８０００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布さ
せる。第１層の上に第２層としてＳｅ。
せる。第１層の上に第２層としてＳｅ。
Ａｓ２Ｓｅ３． Ｔ６をそれぞれ別々の蒸着ボートから
蒸発させ５００Å以上７５０Å以下の厚さに蒸着する。
蒸発させ５００Å以上７５０Å以下の厚さに蒸着する。
Ｔｅ濃度は３６％、Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に
分布させる。第２層の上に第３層を蒸着する。第３層は
、まず前半部として６０人の厚さにＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３
をそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着する。この部分
のＡｓ濃度は２５％で膜厚方向に一様に分布させる。さ
らにその上に第３層の後半部として１５０人の厚さにＳ
ｅ ｐ Ａ ｓ２Ｓ ｅ３． Ｇ ａ Ｆ３をそれぞ
れ別々の蒸着ボートレこより蒸着する。Ａｓ濃度は２５
％。
分布させる。第２層の上に第３層を蒸着する。第３層は
、まず前半部として６０人の厚さにＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３
をそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着する。この部分
のＡｓ濃度は２５％で膜厚方向に一様に分布させる。さ
らにその上に第３層の後半部として１５０人の厚さにＳ
ｅ ｐ Ａ ｓ２Ｓ ｅ３． Ｇ ａ Ｆ３をそれぞ
れ別々の蒸着ボートレこより蒸着する。Ａｓ濃度は２５
％。
ＧａＦ３濃度は２５００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布
させる。この第３層の前半部と後半部を合わせて増感補
助層とする０次にＳｓ、Ａｓよりなる第４層を蒸着し、
全体の膜厚を５μｍとする。
させる。この第３層の前半部と後半部を合わせて増感補
助層とする０次にＳｓ、Ａｓよりなる第４層を蒸着し、
全体の膜厚を５μｍとする。
第４層のＡｓ濃度は２％とし、膜厚方向に一様に分布さ
せる。第１層から第４層までの蒸着は２ｘ１０＝Ｔｅｒ
ｒの真空中で行う、第４層の上に３×１０−’ Ｔｅｒ
ｒのアルゴン雰囲気中でｓｂ、ｓ３を５００人の厚さに
蒸着する。
せる。第１層から第４層までの蒸着は２ｘ１０＝Ｔｅｒ
ｒの真空中で行う、第４層の上に３×１０−’ Ｔｅｒ
ｒのアルゴン雰囲気中でｓｂ、ｓ３を５００人の厚さに
蒸着する。
実施例４
ガラス基板上に酸化インジュウムを主体とする透明導電
膜を形成し、さらに整流性接触補助層として、Ｃｅ ０
２を２００人の厚さに２Ｘ１０−’Ｔｅｒｒの真空中で
蒸着する。その上に第１層前半部として５ ｅ ｅ Ａ
ｓ ２ Ｓ ｅ ３ ｗ Ｃａ Ｆ ｚをそれぞれ別
々のボートから１５０人の厚さに蒸着する。
膜を形成し、さらに整流性接触補助層として、Ｃｅ ０
２を２００人の厚さに２Ｘ１０−’Ｔｅｒｒの真空中で
蒸着する。その上に第１層前半部として５ ｅ ｅ Ａ
ｓ ２ Ｓ ｅ ３ ｗ Ｃａ Ｆ ｚをそれぞれ別
々のボートから１５０人の厚さに蒸着する。
Ａｓ濃度は６％ｇ Ｃａ Ｆ ２濃度は３０００ｐｐｍ
で膜厚方向に一様に分布させる０次に第１層の後半部と
して１５０人の厚さにＳ ｅ ＨＡ ｓ２Ｓ ｅ３ｐＣ
ａＦ２をそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着する。Ａ
ｓ濃度は１５％、ＣａＦ２濃度は９０００ｐｐｍで膜厚
方向に一様に分布させる。この前半部と後半部を合わせ
て第１層とする。第１層の上に第２層前半部としてＳ
ａ ＨＡ ｓ２Ｓ ｅ３ｐ Ｔ ｅ ｇＣａＦ２をそれ
ぞれ別々の蒸着ボートから蒸着させ１００〜１５０人の
厚さに蒸着するｓＴｅ濃度は４５〜５０％、Ａｓ濃度は
２％、ＣａＦ２濃度は６０００ｐｐｍで膜厚方向に一様
に分布させる。
で膜厚方向に一様に分布させる０次に第１層の後半部と
して１５０人の厚さにＳ ｅ ＨＡ ｓ２Ｓ ｅ３ｐＣ
ａＦ２をそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着する。Ａ
ｓ濃度は１５％、ＣａＦ２濃度は９０００ｐｐｍで膜厚
方向に一様に分布させる。この前半部と後半部を合わせ
て第１層とする。第１層の上に第２層前半部としてＳ
ａ ＨＡ ｓ２Ｓ ｅ３ｐ Ｔ ｅ ｇＣａＦ２をそれ
ぞれ別々の蒸着ボートから蒸着させ１００〜１５０人の
厚さに蒸着するｓＴｅ濃度は４５〜５０％、Ａｓ濃度は
２％、ＣａＦ２濃度は６０００ｐｐｍで膜厚方向に一様
に分布させる。
次に第２層の後半部としてＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３ｐＴθを
それぞれ別々の蒸着ボートから蒸発させ１００Å以上１
５０Å以下の厚さに蒸着する。
それぞれ別々の蒸着ボートから蒸発させ１００Å以上１
５０Å以下の厚さに蒸着する。
Ｔａ濃度は４５％以上５０％以下、Ａｓ濃度は２％膜厚
方向に一様に分布させる。第２層の上に第３層を蒸着す
る。第３層は、まず前半部として５０人の厚さにＳ ｅ
、 Ａ ｓ２Ｓ ｅ３ｐ Ｉ ｎ２０３をそれぞれ別
々の蒸着ボートにより蒸着する。この部分のＡｓ濃度は
２５％、ＩｎｚＯ３濃度は５００ｐｐｍで膜厚方向に一
様に分布させる。さらにその上に第３層の後半部として
３００人の厚さにＳ ｅ 、 Ａ ｓ、Ｈ３ｅ３をそれ
ぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着する。このとき各々の
蒸着ボート電流を制御することによって、始めのＡｓ濃
度を２５％とし、蒸着が進むにつれて次第に減少し第３
層の終わりで３％になるようにする。この第３層の前半
部と後半部を合わせて増感補助層とする１次にＳｅ、Ａ
ｓよりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚を４μｍとする
。第４層のＡｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分布
させる。第１層から第４層までの蒸着は２ Ｘ １０−
’ Ｔｅｒｒの真空中で行う。
方向に一様に分布させる。第２層の上に第３層を蒸着す
る。第３層は、まず前半部として５０人の厚さにＳ ｅ
、 Ａ ｓ２Ｓ ｅ３ｐ Ｉ ｎ２０３をそれぞれ別
々の蒸着ボートにより蒸着する。この部分のＡｓ濃度は
２５％、ＩｎｚＯ３濃度は５００ｐｐｍで膜厚方向に一
様に分布させる。さらにその上に第３層の後半部として
３００人の厚さにＳ ｅ 、 Ａ ｓ、Ｈ３ｅ３をそれ
ぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着する。このとき各々の
蒸着ボート電流を制御することによって、始めのＡｓ濃
度を２５％とし、蒸着が進むにつれて次第に減少し第３
層の終わりで３％になるようにする。この第３層の前半
部と後半部を合わせて増感補助層とする１次にＳｅ、Ａ
ｓよりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚を４μｍとする
。第４層のＡｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分布
させる。第１層から第４層までの蒸着は２ Ｘ １０−
’ Ｔｅｒｒの真空中で行う。
第４層の上に５ Ｘ １０−’Ｔｅｒｒのアルゴン雰囲
気中でＳｂ２Ｓ３を１０００人の厚さに蒸着する。
気中でＳｂ２Ｓ３を１０００人の厚さに蒸着する。
実施例５
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を１５０人
、Ｃｅ Ｏ２を２００人の厚さに２ Ｘ １０ ’−６
Ｔｅｒｒの真空中で蒸着する。その上に第１層前半部と
してＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．ＬｉＦをそれぞれ別々のボー
トから２００人の厚さに蒸着する。Ａｓ濃度は５％、Ｌ
ｉＦ濃度は２０００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布させ
る。この時、基板温度を３０℃に保持する。次に第１層
の後半部として１００人の厚さにＳ Ｃｇ Ａ ｓ２Ｓ
ｅ３゜ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着
する。Ａｓ濃度は１８％、ＬｉＦ濃度は８０００ｐｐｍ
で膜厚方向に一様に分布させるにの時、基板温度を３５
℃に保持する。この前半部と後半部を合わせて第１層と
する。第１層の上に第２層の前半部としてＳｅ、Ａｓ２
Ｓｅ３．Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートから
蒸発させ１５０人厚さに蒸着する。このときＡｓ濃度は
２％、Ｔｅ濃度は４５％で、ＬｉＦ濃度は６０００ｐｐ
ｍとし、膜厚方向に一様に分布させる。続いてＳｅ。
し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を１５０人
、Ｃｅ Ｏ２を２００人の厚さに２ Ｘ １０ ’−６
Ｔｅｒｒの真空中で蒸着する。その上に第１層前半部と
してＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．ＬｉＦをそれぞれ別々のボー
トから２００人の厚さに蒸着する。Ａｓ濃度は５％、Ｌ
ｉＦ濃度は２０００ｐｐｍで膜厚方向に一様に分布させ
る。この時、基板温度を３０℃に保持する。次に第１層
の後半部として１００人の厚さにＳ Ｃｇ Ａ ｓ２Ｓ
ｅ３゜ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸着
する。Ａｓ濃度は１８％、ＬｉＦ濃度は８０００ｐｐｍ
で膜厚方向に一様に分布させるにの時、基板温度を３５
℃に保持する。この前半部と後半部を合わせて第１層と
する。第１層の上に第２層の前半部としてＳｅ、Ａｓ２
Ｓｅ３．Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートから
蒸発させ１５０人厚さに蒸着する。このときＡｓ濃度は
２％、Ｔｅ濃度は４５％で、ＬｉＦ濃度は６０００ｐｐ
ｍとし、膜厚方向に一様に分布させる。続いてＳｅ。
Ａｓ２Ｓｅ３．Ｔｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボー
トから１５０Å以上２００Å以下の厚さに蒸着し第２層
の後半部を形成する。第２層後半部のＡｓ濃度は２％、
Ｔｅ濃度は５０％、ＬｉＦ濃度は６０００ｐｐｍとする
。第２層を蒸着する際の基板温度は４０℃とする。第２
層の上に増感補助層として、Ｓｅ、Ａｓからなる第３層
を３５０人の厚さに蒸着する。第３層を蒸着する場合、
Ｓｅ。
トから１５０Å以上２００Å以下の厚さに蒸着し第２層
の後半部を形成する。第２層後半部のＡｓ濃度は２％、
Ｔｅ濃度は５０％、ＬｉＦ濃度は６０００ｐｐｍとする
。第２層を蒸着する際の基板温度は４０℃とする。第２
層の上に増感補助層として、Ｓｅ、Ａｓからなる第３層
を３５０人の厚さに蒸着する。第３層を蒸着する場合、
Ｓｅ。
Ａ ｓ ２ Ｓ ｅ ３を別々の蒸着ボートから同時に
蒸発させる。このとき各々の蒸着ボート電流を制御する
ことによって、始めのＡｓ濃度を３０％とし、蒸着が進
むにつれて次第に減少し第３層の終わりで２％になるよ
うにする。第３層の上に第４層としてＳｓ、Ａｓ２Ｓｅ
３を別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、全体の膜厚が
６μｍとなるようにする。
蒸発させる。このとき各々の蒸着ボート電流を制御する
ことによって、始めのＡｓ濃度を３０％とし、蒸着が進
むにつれて次第に減少し第３層の終わりで２％になるよ
うにする。第３層の上に第４層としてＳｓ、Ａｓ２Ｓｅ
３を別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、全体の膜厚が
６μｍとなるようにする。
このとき、第４層のＡｓ濃度は２％とし、膜厚方向に一
様に分布させる。第３層、第４層を蒸着する際の基板温
度は４３℃とする。第１層から第４層までの蒸着は２
Ｘ １０−ＧＴｅｒｒの真空中で行う。
様に分布させる。第３層、第４層を蒸着する際の基板温
度は４３℃とする。第１層から第４層までの蒸着は２
Ｘ １０−ＧＴｅｒｒの真空中で行う。
第４層の上にビームランディング補助層として、３ Ｘ
１０−’ Ｔｅｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３
を７００人の厚さに蒸着する。
１０−’ Ｔｅｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３
を７００人の厚さに蒸着する。
本発明によれば、従来えられていた特性を損なうことな
く、使用温度が高くなった場合でも良好な焼付特性を示
す光導電膜をうろことが出来る。
く、使用温度が高くなった場合でも良好な焼付特性を示
す光導電膜をうろことが出来る。
第１図は従来技術による撮像管ターゲットの断面図、第
２図は本発明による撮像管ターゲットの主要部分の成分
分布の一例を示す図、第３図は撮像管ターゲットにおけ
る高温動作時の焼付とＴｅ濃度の関係を示す図である。 １・・・透光性基板、２・・・透光性導電膜、３・・・
５ｅ−Ａｓ−Ｔｅからなるｐ形光導電層、４・・・５ｅ
−Ａｓからなるｐ形光導電層、５・・・多孔質５ｂ２ｓ
３層。 某２日 鱒４（Ａ） 手 続 補 正 書 昭和０１年７月３０日
２図は本発明による撮像管ターゲットの主要部分の成分
分布の一例を示す図、第３図は撮像管ターゲットにおけ
る高温動作時の焼付とＴｅ濃度の関係を示す図である。 １・・・透光性基板、２・・・透光性導電膜、３・・・
５ｅ−Ａｓ−Ｔｅからなるｐ形光導電層、４・・・５ｅ
−Ａｓからなるｐ形光導電層、５・・・多孔質５ｂ２ｓ
３層。 某２日 鱒４（Ａ） 手 続 補 正 書 昭和０１年７月３０日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非晶質Ｓｅを主体とするｐ形光導電膜と、該ｐ形光
導電膜との界面で整流性接触を形成するｎ形導電膜とを
少なくとも有し、整流性接触を逆バイアスして用いる撮
像管ターゲットにおいて、前記ｐ形光導電膜がその一部
に少なくとも３５重量％をこえて６０重量％以下のＴｅ
を含む層と、浅い準位を形成すると考えられる物質のう
ち少なくとも一者を０．００５重量％以上５重量％以下
含有する層とを有することを特徴とする光導電膜。 ２、前記浅い準位を形成すると考えられる物質をＬｉＦ
、ＮａＦ、ＭｇＦ＿２、ＣａＦ＿２、ＡｌＦ＿３、Ｃｒ
Ｆ＿３、ＭｎＦ＿２、ＣｏＦ＿２、ＰｂＦ＿２、ＢａＦ
＿２、ＣｅＦ＿３、ＴｌＦから成る弗化物、Ｌｉ、Ｎａ
、Ｋ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒから成るアルカリ
、またはアルカリ土金属およびＴｌの群の中から選ばれ
た少なくとも一者であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光導電膜。 ３、前記ｐ形光導電膜が６０℃以下の温度に加熱保持し
た状態で形成されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の光導電膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065760A JPS62223951A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 光導電膜 |
| DE8787102348T DE3778574D1 (de) | 1986-03-26 | 1987-02-19 | Target fuer bildaufnahmeroehre. |
| EP87102348A EP0238849B1 (en) | 1986-03-26 | 1987-02-19 | Target of image pickup tube |
| US07/016,403 US4866332A (en) | 1986-03-26 | 1987-02-19 | Target of image pickup tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065760A JPS62223951A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 光導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62223951A true JPS62223951A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13296305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065760A Pending JPS62223951A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 光導電膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4866332A (ja) |
| EP (1) | EP0238849B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62223951A (ja) |
| DE (1) | DE3778574D1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4907418B2 (ja) | 2007-05-01 | 2012-03-28 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163749A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-20 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photo conductive target |
| JPS59205135A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Sony Corp | 撮像管タ−ゲツト |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3890525A (en) * | 1972-07-03 | 1975-06-17 | Hitachi Ltd | Photoconductive target of an image pickup tube comprising graded selenium-tellurium layer |
| JPS51120611A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Photoconducting film |
| JPS5244194A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Photoelectric conversion device |
| JPS5780637A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Target for image pickup tube |
| JPS57197876A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photoconductive film |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP61065760A patent/JPS62223951A/ja active Pending
-
1987
- 1987-02-19 US US07/016,403 patent/US4866332A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-19 EP EP87102348A patent/EP0238849B1/en not_active Expired
- 1987-02-19 DE DE8787102348T patent/DE3778574D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163749A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-20 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photo conductive target |
| JPS59205135A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Sony Corp | 撮像管タ−ゲツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3778574D1 (de) | 1992-06-04 |
| EP0238849A2 (en) | 1987-09-30 |
| US4866332A (en) | 1989-09-12 |
| EP0238849B1 (en) | 1992-04-29 |
| EP0238849A3 (en) | 1989-09-20 |
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