JPS62198034A - 非晶質セレンを主体とする光導電膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は非晶質セレンを主体とする光導電膜に関する。

〔発明の概要〕

本発明は非晶質セレンを主体とする光導電膜において、
増感層に隣接した前段の層を構成するＡｓの濃度分布に
勾配部分を持たせることにより耐熱特性を悪化させるこ
となく、焼付き量の低減を図るものである。

〔従来の技術〕

非晶質のセレン（Ｂｅ　）　、ヒ素（Ａｌｌ）、テルル
（Ｔｅ　）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導電膜と
の間に整流性接触を形成した光導電性撮傷管ターゲット
が提案されている（特開昭５７−８０６３９号公報）。

第３図はその構造例を示している。

同図において、（１）は透光性を有する円板状のガラス
基板であり、このガラス基板（１）の上面には。

スズ、インジウムまたはチタンなどの中から遇足された
一元素の酸化物を主成分とする透明電極（２ａ）が被着
され、さらにその背面にｉｊ：　Ｚｎ　Ｓ　ｅ　＋　Ｇ
ｅＯ＊Ｇ＠０２の中から選定された材料からなる極めて
薄いＮ型導電膜（２ｂ）が被着される。透明電極（２＆
）とＮ型導電膜（２ｂ）とで透明導電膜（２）が形成さ
れる。

また、透明導電膜（２）と壷流接触が攻されるようにこ
の透明導電膜（２）の背面には、第４図のＡ領域で示す
第１層目のＰ型光導電膜（３＆）が膜厚方向に向って約
３００久の厚さで被着される。この第１層目の前半層は
１例えばＳｅが９４ｗｔ％　、　Ａｓが５ｖｔ％の濃度
分布を有するよう釦なされ、後半層は、例えばＳ＠が８
６ｗｔ　ｆｙ　、　Ａｓが１４ｗｔ５の濃度分布を有す
るようになされる。

高温になるとＴｅの熱拡散が顕著となり、感度の低下が
起こるため、このように、Ａｓの濃度の高い後半層を形
成するのである。即ち、耐熱性の向上を図るのである。

１だ、この光導電膜（３ａ）の背面には、第４図のＢ領
域で示す第２層目のＰ型光導電膜（３ｂ）が膜厚方向に
向って約６ｏｏ　Ｘの厚きで被着される。この光導電膜
（３ｂ）は１例えばＳｅが６５ｗｔ９１１．　Ａｓが５
ｗｔ％　。

Ｔｅが３０　ｗｔチの濃度分布を有するようになされる
。

この光導電膜（３ｂ）は感度増感層を形成している。

また、光導電膜（３ｂ）の背面には、８４図のＣ領域で
示す第３Ｎ目のＰ型光導電膜（３ｃ）が膜厚方向に向っ
て約６００Ｘの厚さで被着される。この光導電、膜（３
ｃ）は、例えばＳｓがｓｏ　ｗｔ％から９５ｖｔ％まで
。

Ａ＠が２０　ｗｔ％から５　ｗｔチまで濃度分布が変化
するようになされる。

また、この光導電、膜（３ｃ）の背面には、第４図のＤ
領域で示すＰ型光導電膜（３ｄ）が、全体の膜厚が、例
えば４μｍの厚さとなるまで一様に被着形成される。光
導電膜（３ｄ）は、例えばＳｅが９５　ｗｔ％、　Ａｓ
が５ｗｔ　％の濃度分布を有するようにされる。

また、光導電膜（３）　［（３ａ）　〜（３ｄ）　］の
背面には、走査電子ビームのランディングを補助する導
ｖＬ膜（４）が、９ｊ１えばＳｂ２Ｓ３を約１０００１
の厚さに蒸着して形成される。そして、入射光（５）は
ガラス基板（１）側から供給され、走査型、子ビーム（
６）は導電膜（４）に供給される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、この第４図に示す光導電、膜（３）において
は、第１層目の光導電膜（３ａ）にＡｓの濃度の高い後
半層が形成されるが、これは上述したように耐熱性を向
上させる目的だけで形成されたものであり、却って焼付
き量が増加する欠点があった。これは、　Ａｓの不純物
卑位が高くなり、焼付き閂が増加するものと考えられる
。

焼付き量を低減するために、　Ａｌｌの濃度の高い後半
層の膜厚を薄くすることが考えられるが、今度は耐熱性
を劣化させることになる。

本発明は斯る点に鑑み、耐熱特性を悪化させることなく
、焼付１！菫の低減を図るものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上述問題点を解決するため、増感層に隣接した
前段の層を構成するＡｓの濃度分布に、高濃度から順次
低濃度となる勾配部分を持たせるようにしたものである
。

〔作　用〕

以上の構成において、　Ａｓのき変分布に高濃度から順
次低濃度となる勾配部分を持たせたので、単にＡｓの濃
度の高い後半層の膜厚を薄くするものに比べ、耐熱性を
劣化させることがなく、シかも。

Ａ８の濃度分布を高濃度から順次低濃度となるようにし
たので、Ａｓ量が少なくなり焼付き量は低減することに
なる。

〔笑流側〕

以下、第１図を参照しながら本発明の一莢流側について
説明しよう。この第１図において、第４図と対応する部
分圧は同一符号を付し、その詳細説明は省略する。

同図において、第２層目〜第４層目の光導電膜（３ｂ）
〜（３ｄ）は、第４図例と同様に構成される。

そして、第１層目の光導電膜（３５ｋ）は次のように形
成される。即ち、光導電膜（３ａ）の前半の約１５０Ｘ
の膜厚部分は、第４図例と同様に例えばＳｓが９４ｗｔ
％　、　Ａｓが６ｗｔ％の濃度分布を有するようになさ
れる。そして、後半の約１５０久の膜厚部分のうち、始
めから約１００１の膜厚部分は１例えばＳｓが９４ｖｔ
チから８６　ｖｔチまで、Ａｓが６ｗｔチから１４　ｗ
ｔチまで濃度分布が順次変化するようになされ、続く約
５０Ｘの膜厚部分は、例えばＳｓが８６　ｖｔ％　、　
Ａｓが１４ｖｔチの濃度分布を有するようになされる。

本例は以上のように構成され、増感層を構成する第２層
目の光導電膜（３ｂ）に隣接する第１層目の光導−：膜
（３＆）の後半層のＡｓの濃度分布は、光導電膜（３ｂ
）側から高濃度の平坦な部分とこれに連続する順次低濃
度となる勾配部分とを持つようになる〇したがって、本
例によれば、高濃度の平坦な部分により従来と同様の耐
熱特性を得ることができ、しかも、勾配部分のため従来
よりＡ１１ｉが少なくなり、焼付き量は減少する。第２
図は、第１層目の光導電膜（３ａ）のＡｓの濃度分布を
第４図例のようにした場合（×印で図示）と、第１図例
のようにした場合（○印で図示）との焼付特性を比較し
たものであり、第１図例のものは第４図例のものに比べ
て焼付き菫が少なくなり、焼付特性が大幅に改善される
。

尚、上述実施例においては、第１層目の光導電膜（３＆
）の後半層のＡｓの濃度分布の平坦部分の濃度は１４　
ｖｔチ、平坦部分の膜厚は５０久とされたものであるが
、夫々１３〜１５　ｗｔチ、５０〜８０Ｘであれば同様
の作用効果を得ることができる。また、平坦部分を設け
ないで、第１図破線で示すように勾配部分を延長するよ
うにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上述べた本発明によれば、増感層にｌ１ｉＩ接した前
段の層を構成するＡｓの酸度分布に勾配部分を持たせる
ものであシ、耐熱特性を悪化させることなく焼付特性を
大幅に改善することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図はその
説明のための図、第３図は撮像管ターゲットの要部断面
図、第４図は従来例の構成図である。 （３）は光導電、膜である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 増感層に隣接した前段の層を構成するＡｓの濃度分布に
   高濃度から順次低濃度となる勾配部分を持たせることを
   特徴とする非晶質セレンを主体とする光導電膜。