JPS63299035A - 非晶質セレンを主体とする光導電膜 - Google Patents
非晶質セレンを主体とする光導電膜Info
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- JPS63299035A JPS63299035A JP62135526A JP13552687A JPS63299035A JP S63299035 A JPS63299035 A JP S63299035A JP 62135526 A JP62135526 A JP 62135526A JP 13552687 A JP13552687 A JP 13552687A JP S63299035 A JPS63299035 A JP S63299035A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非晶質セレンを主体とする光導電膜に関する。
本発明は非晶質セレンな主体とする光導電膜において、
増感層に隣接した電子銃側の層を構成するAsの濃度分
布を所定形状とすると共に酸化物又は弗化物を添加する
ことにより、少ないAs量で安定な耐熱性や飽和特性が
得られ、しかも添加物により電界不足が補われてAs量
をさらに減少できて低焼付化を図ることができ焼付特性
が著しく改善され、再現性も良好となるようにしたもの
である。
増感層に隣接した電子銃側の層を構成するAsの濃度分
布を所定形状とすると共に酸化物又は弗化物を添加する
ことにより、少ないAs量で安定な耐熱性や飽和特性が
得られ、しかも添加物により電界不足が補われてAs量
をさらに減少できて低焼付化を図ることができ焼付特性
が著しく改善され、再現性も良好となるようにしたもの
である。
非晶質のセレy(Se)、ヒ素(As)、テ、yル(T
e)などを含有するP型光導電膜とN型導電膜との間に
整流性接触を形成した光導電性撮像管ターゲットが提案
されている。第4図はその構造を示している。
e)などを含有するP型光導電膜とN型導電膜との間に
整流性接触を形成した光導電性撮像管ターゲットが提案
されている。第4図はその構造を示している。
同図において、(1)は透光性を有する円板状のガラス
基板であり、このガラス基板(1)の上面には、スズ、
インジウムまたはチタンなどの中から選定された一元素
の酸化物を主成分とする透明電極(2a)が被着され、
さらにその背面にはZn5e 、 GeO。
基板であり、このガラス基板(1)の上面には、スズ、
インジウムまたはチタンなどの中から選定された一元素
の酸化物を主成分とする透明電極(2a)が被着され、
さらにその背面にはZn5e 、 GeO。
GeO2の中から選定された材料からなる極めて薄いN
型導電膜(2b)が被着される。透明電極(2a)とN
型導電膜(2b)とで透明導電膜(2)が形成される。
型導電膜(2b)が被着される。透明電極(2a)とN
型導電膜(2b)とで透明導電膜(2)が形成される。
また、透明導電膜(2)と整流接触がなされるようにこ
の透明導電膜(2)の背面には、第5図のA領域で示す
第1層目の2M光導電膜(3a)が膜厚方向に向って約
300Xの厚さで被着される。この第1層目の前半層は
、例えばSeが95wt%、Asが5wt%の濃度分布
を有するようになされ、後手層は、例えば8eが8Cw
t%、Asが20wt%の濃度分布を有するようになさ
れる。このよ5に、ASの高い濃度の後半層を形成する
のは、耐熱性の向上を図るためである。
の透明導電膜(2)の背面には、第5図のA領域で示す
第1層目の2M光導電膜(3a)が膜厚方向に向って約
300Xの厚さで被着される。この第1層目の前半層は
、例えばSeが95wt%、Asが5wt%の濃度分布
を有するようになされ、後手層は、例えば8eが8Cw
t%、Asが20wt%の濃度分布を有するようになさ
れる。このよ5に、ASの高い濃度の後半層を形成する
のは、耐熱性の向上を図るためである。
また、この光導電膜(3a)の背面には、同図のB領域
で示す第2層目のP型光導電膜(3b)が膜厚方向く向
って約600Xの厚さで被着される。この光導電膜(3
b)は、例えば8eが55wt%、ASが5wt%、T
eが3Cwt%の濃度分布を有するようになされる。こ
の光導電膜(3b)は感度増感層を形成している。この
場合、第1層目のP型光導電膜(3a)から第2層目の
Pfi光導電膜(3b)の約半分の領域にはLiFを0
.4wt%でドープしたLiFドープ層が約600Aの
厚さにわたって連続的に均一に形成されている。
で示す第2層目のP型光導電膜(3b)が膜厚方向く向
って約600Xの厚さで被着される。この光導電膜(3
b)は、例えば8eが55wt%、ASが5wt%、T
eが3Cwt%の濃度分布を有するようになされる。こ
の光導電膜(3b)は感度増感層を形成している。この
場合、第1層目のP型光導電膜(3a)から第2層目の
Pfi光導電膜(3b)の約半分の領域にはLiFを0
.4wt%でドープしたLiFドープ層が約600Aの
厚さにわたって連続的に均一に形成されている。
また、光導電膜(3b)の背面には、同図のC領域で示
す第3層目のP型光導電膜(3c)が膜厚方向に向って
約600Xの厚さで被着される。この光導電膜(3C)
は、例えばSeが75wt%から95wt%まで、As
が25wt%から5wt%まで濃度分布が変化するよう
になされる。
す第3層目のP型光導電膜(3c)が膜厚方向に向って
約600Xの厚さで被着される。この光導電膜(3C)
は、例えばSeが75wt%から95wt%まで、As
が25wt%から5wt%まで濃度分布が変化するよう
になされる。
また、この光導電膜(3C)の背面には、同図のD領域
で示すP型光導電膜(3d)が、全体の膜厚が、例えば
4μmの厚さとなるまで一様に被着形成される。光導電
膜(3d)は、例えばSeが95wt%、A3が5wt
%の濃度分布を有するようにされる。
で示すP型光導電膜(3d)が、全体の膜厚が、例えば
4μmの厚さとなるまで一様に被着形成される。光導電
膜(3d)は、例えばSeが95wt%、A3が5wt
%の濃度分布を有するようにされる。
また、光導電膜(3) ((3a)〜(3d) )の背
面には、走査電子ビームのランディングを補助する導電
膜(4)が、例えば5b2s3を約1000Xの厚さに
蒸着して形成される。そして、入射光(5;はガラス基
板(1)側から供給され、走査電子ビーム(6)は導電
膜(4)に供給される。
面には、走査電子ビームのランディングを補助する導電
膜(4)が、例えば5b2s3を約1000Xの厚さに
蒸着して形成される。そして、入射光(5;はガラス基
板(1)側から供給され、走査電子ビーム(6)は導電
膜(4)に供給される。
ところで、この第5図の光導電膜(3)におい【、第3
層目の光導電膜(3C)の役割は、主に増感層としての
第2層目の光導電膜(3b)に充分な電界をかけること
と、この光導電膜(3b)に含有されるTeの後方への
拡散を防止することである。この第3層目の光導電膜(
3C)において、Asの濃度は、高い順位から低い順位
まで一様に変化する濃度勾配を有して形成され、Asの
濃度分布は三角形状とされる。
層目の光導電膜(3C)の役割は、主に増感層としての
第2層目の光導電膜(3b)に充分な電界をかけること
と、この光導電膜(3b)に含有されるTeの後方への
拡散を防止することである。この第3層目の光導電膜(
3C)において、Asの濃度は、高い順位から低い順位
まで一様に変化する濃度勾配を有して形成され、Asの
濃度分布は三角形状とされる。
このAm濃度のピーク値及び第3層目の光導電膜(3C
)の膜厚によって特性が決定されている。また第1層と
第2層にわたつ【形成されるLIFドープ層は暗電流等
の特性を改善しようとするものである。
)の膜厚によって特性が決定されている。また第1層と
第2層にわたつ【形成されるLIFドープ層は暗電流等
の特性を改善しようとするものである。
このように第3層目の光導電膜(3C)のAsの濃度の
ピーク値等によって特性が決定されるが、このピーク値
は非常に不安定で、耐熱性、飽和特性(V−I特性)等
が大きく変化し、製造工程によるバッフ中の影響を受け
やすい。また、 As量が多く焼付特性等がよくなかっ
た。特に青色系光のハイライト焼付がポジに強く焼付き
消失に長時間を要し【いた。
ピーク値等によって特性が決定されるが、このピーク値
は非常に不安定で、耐熱性、飽和特性(V−I特性)等
が大きく変化し、製造工程によるバッフ中の影響を受け
やすい。また、 As量が多く焼付特性等がよくなかっ
た。特に青色系光のハイライト焼付がポジに強く焼付き
消失に長時間を要し【いた。
本発明は斯る点に鑑み、上述欠点を除去するようにした
ものである。
ものである。
本発明は上述問題点を解決するため、増感層に隣接した
電子銃側の層を構成するAsの濃度分布に高濃度の平坦
な部分とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを
持たせると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加する
ようにしたものである。
電子銃側の層を構成するAsの濃度分布に高濃度の平坦
な部分とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを
持たせると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加する
ようにしたものである。
以上の構成において、Asの濃度分布に高濃度の平坦な
部分と順次低濃度となる勾配部分とを持たせ、Asの濃
度分布は台形状とされ、Asの濃度分布が三角形状のも
のにおけるピーク部分の不安定はなく、少ないAs量で
も耐熱性、飽和特性等は安定となる。また、As量を少
なくできるので、焼付特性が改善される。また、特性が
安定するので、再現性が曳好となる。特に酸化物又は弗
化物の添加により電界不足が補われて低焼付化が可能と
なって青色系光によるハイライト焼付が少なく短時間に
消失されることになる。
部分と順次低濃度となる勾配部分とを持たせ、Asの濃
度分布は台形状とされ、Asの濃度分布が三角形状のも
のにおけるピーク部分の不安定はなく、少ないAs量で
も耐熱性、飽和特性等は安定となる。また、As量を少
なくできるので、焼付特性が改善される。また、特性が
安定するので、再現性が曳好となる。特に酸化物又は弗
化物の添加により電界不足が補われて低焼付化が可能と
なって青色系光によるハイライト焼付が少なく短時間に
消失されることになる。
以下、本発明の一実施例を第1図を参照しながら説明す
る。
る。
本例においては第1図のA領域及びB領域で示す第1層
目及び第2層目のPJ光導電膜(3at)及び(3bl
)は第5図例と同様に膜厚方向に向って約300K及び
約600’Aの厚さで被着されるが、第1層目は、例え
ばSeが94wt%、Asが6wt%の濃度分布を有す
るようになされ、第2層目は、例えば8eが78wt%
、Asが2wt%、Teが2Qwt%の濃度分布を有す
るようになされている。モし【本例にお−1てはこの第
1層目及び第2層目にはLiFドープ層は形成されない
。
目及び第2層目のPJ光導電膜(3at)及び(3bl
)は第5図例と同様に膜厚方向に向って約300K及び
約600’Aの厚さで被着されるが、第1層目は、例え
ばSeが94wt%、Asが6wt%の濃度分布を有す
るようになされ、第2層目は、例えば8eが78wt%
、Asが2wt%、Teが2Qwt%の濃度分布を有す
るようになされている。モし【本例にお−1てはこの第
1層目及び第2層目にはLiFドープ層は形成されない
。
第2層目の光導電膜(3b1)の背面には同図のC領域
で示す第3層目のp31光導電膜<3C1)が膜厚方向
に向って約250Xの厚さで被着される。この第3層目
の光導電膜(3c1)の前部の約50xの膜厚部分は、
例えばSeが$Qwt%、Asが20wt%の濃度分布
を有するようになされ、後部の約2ooXの膜厚部分は
1例えばSeが39w1%から95wt%まで、Asが
20wt%から5wt%まで濃度分布が変化するように
なされる。
で示す第3層目のp31光導電膜<3C1)が膜厚方向
に向って約250Xの厚さで被着される。この第3層目
の光導電膜(3c1)の前部の約50xの膜厚部分は、
例えばSeが$Qwt%、Asが20wt%の濃度分布
を有するようになされ、後部の約2ooXの膜厚部分は
1例えばSeが39w1%から95wt%まで、Asが
20wt%から5wt%まで濃度分布が変化するように
なされる。
また、光導電膜(3c1)の背面には、第1図のD領域
で示す第4層目のPfi光導電膜(3dl)が全体の膜
厚が、例えば4μmの厚さとなるまで一様に被着される
。光導電膜(3dx)は、例えば8eが95wt%。
で示す第4層目のPfi光導電膜(3dl)が全体の膜
厚が、例えば4μmの厚さとなるまで一様に被着される
。光導電膜(3dx)は、例えば8eが95wt%。
Asが5wt%の濃度分布を有するようにされている。
本例は以上のように構成され、第3層目の光導電膜(3
C1)のA$の濃度分布は高濃度の平坦な部分とこれに
連続する順次低濃度となる勾配部分を持たせた形状分布
、即ち三角形状のピーク部を切除した略台形状分布とし
ている。そして、D領域で示す第4層目のPfi光導電
膜(3dt)の少なくとも一部に、Se中で負の空間電
荷を形成するような酸化物又は弗化物、例えばCuO、
In2O3、5e02 、 V2O5。
C1)のA$の濃度分布は高濃度の平坦な部分とこれに
連続する順次低濃度となる勾配部分を持たせた形状分布
、即ち三角形状のピーク部を切除した略台形状分布とし
ている。そして、D領域で示す第4層目のPfi光導電
膜(3dt)の少なくとも一部に、Se中で負の空間電
荷を形成するような酸化物又は弗化物、例えばCuO、
In2O3、5e02 、 V2O5。
MoO3tWo2. GaF3 、 InF’3 、
Zn 、 Ga 、 In 、 C7j 、 I 、
Brから成る群から選ばれた少なくとも1者を膜厚10
0〜300Xの領域にわたり【含有させる。例えばこの
P型光導電膜(3dl)に添加する物質としてMoO3
を用い、コノMoO3の濃度は500〜11000pp
でC領域で示す第3層目の光導電膜(3cl)との境界
部、即ちAsの勾配部分の下低部から膜厚方向に200
01の範囲内において100〜300Xの領域に一様に
分布するようにされている。
Zn 、 Ga 、 In 、 C7j 、 I 、
Brから成る群から選ばれた少なくとも1者を膜厚10
0〜300Xの領域にわたり【含有させる。例えばこの
P型光導電膜(3dl)に添加する物質としてMoO3
を用い、コノMoO3の濃度は500〜11000pp
でC領域で示す第3層目の光導電膜(3cl)との境界
部、即ちAsの勾配部分の下低部から膜厚方向に200
01の範囲内において100〜300Xの領域に一様に
分布するようにされている。
本例は以上のように第3層目の光導電膜(3Cs)のA
sの濃度分布が三角形状のピーク部を切除した略台形状
分布としているのでAs量が削減されると共に三角形状
濃度分布のものにおけるピーク部分の不安定はなく、ま
た、少ないAs量であってもMoO3により負の空間電
荷が形成されることにより、増感層、即ち光導電膜(3
bx)に充分な電界をかけることができ、安定した耐熱
特性、飽和特性等を得ることができる。
sの濃度分布が三角形状のピーク部を切除した略台形状
分布としているのでAs量が削減されると共に三角形状
濃度分布のものにおけるピーク部分の不安定はなく、ま
た、少ないAs量であってもMoO3により負の空間電
荷が形成されることにより、増感層、即ち光導電膜(3
bx)に充分な電界をかけることができ、安定した耐熱
特性、飽和特性等を得ることができる。
このように本例によればAs量を少なくできるので焼付
特性、特に青色系光によるノーイライト焼付が改善され
る。第2図は光導電膜の成分分布を第5図に示す従来例
のようにした場合(X印で図示)と、第1図の本例のよ
うにした場合(O印で図示)との焼付特性を比較したも
のであり、同図から明らかなよロニハイライト焼付は従
来の光導電膜の場合はポジに焼付けられるが、本例の光
導電膜の場合は弱いネガに焼付けられ、レベルもi以下
となっている。また、1000倍光程度の被写体をパン
ニングした時でも従来例のものは+4%程度焼付き、消
失時間も長いが、本例のものは焼付きは一2%程度と少
なく、消失時間も20秒以内と極め℃短縮される。
特性、特に青色系光によるノーイライト焼付が改善され
る。第2図は光導電膜の成分分布を第5図に示す従来例
のようにした場合(X印で図示)と、第1図の本例のよ
うにした場合(O印で図示)との焼付特性を比較したも
のであり、同図から明らかなよロニハイライト焼付は従
来の光導電膜の場合はポジに焼付けられるが、本例の光
導電膜の場合は弱いネガに焼付けられ、レベルもi以下
となっている。また、1000倍光程度の被写体をパン
ニングした時でも従来例のものは+4%程度焼付き、消
失時間も長いが、本例のものは焼付きは一2%程度と少
なく、消失時間も20秒以内と極め℃短縮される。
このように本例のものは従来例のものに比して焼付量、
4!に青色系光によるハイライト焼付量が少なくなり、
焼付特性が大幅に改善される。
4!に青色系光によるハイライト焼付量が少なくなり、
焼付特性が大幅に改善される。
また、光導電膜をLiF無添加により形成すると焼付は
一般に増加してしまうが、本例の膜構造に形成すれば青
色系光の焼付は従来例のものと変らず、しかも動作によ
る感度変化が少ない(i以下)利点が生じる。さらに、
ハイライト残像の動作変化は第3図に示すようにLIF
無添加光導電膜の場合はx印の如くハイライト残像が動
作によって劣化し【しまうが、本例の光導電膜の場合は
O印の如く、ハイライト残像の劣化は・印で示す従来例
のLiF添加光導電膜と同一レベルまで改善される。
一般に増加してしまうが、本例の膜構造に形成すれば青
色系光の焼付は従来例のものと変らず、しかも動作によ
る感度変化が少ない(i以下)利点が生じる。さらに、
ハイライト残像の動作変化は第3図に示すようにLIF
無添加光導電膜の場合はx印の如くハイライト残像が動
作によって劣化し【しまうが、本例の光導電膜の場合は
O印の如く、ハイライト残像の劣化は・印で示す従来例
のLiF添加光導電膜と同一レベルまで改善される。
また、本例によれば、各特性が安定するので、再現性を
良好とすることができる。
良好とすることができる。
なお、本例におい【は第3層目の光導電膜(3c1)の
Asの濃度分布の平坦部分の濃度は2Qwt%。
Asの濃度分布の平坦部分の濃度は2Qwt%。
平坦部分の膜厚はsoX 、勾配部分の膜厚は200X
とされたものであるが、夫々10〜2Qwt%、20〜
100X、Zoo〜600Xであれば、同様の作用効果
を得ることができる。
とされたものであるが、夫々10〜2Qwt%、20〜
100X、Zoo〜600Xであれば、同様の作用効果
を得ることができる。
以上のように本発明によれば、増感層に隣接した電子銃
側の層を構成するAsの濃度分布に高濃度の平坦な部分
とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを持たせ
ると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加するように
したので、少ないAs量でも耐熱特性、飽和特性等を安
定とすることができ、また添加物により電界不足が補わ
れるのでAs量をさらに減少させることができて低焼付
化を図ることができ、特に青色系光によるハイライト焼
付を著しく改善することができてブルーチャンネル専用
の光導電膜に適用してその効果が犬である。
側の層を構成するAsの濃度分布に高濃度の平坦な部分
とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを持たせ
ると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加するように
したので、少ないAs量でも耐熱特性、飽和特性等を安
定とすることができ、また添加物により電界不足が補わ
れるのでAs量をさらに減少させることができて低焼付
化を図ることができ、特に青色系光によるハイライト焼
付を著しく改善することができてブルーチャンネル専用
の光導電膜に適用してその効果が犬である。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図及び第
3図はその説明のための図、第4図は撮儂管ターゲット
の要部断面図、第5図は従来例の構成図である。 図中(3)は光導電膜、(3a1) 〜(3dt)はA
−D領域に対応する第1〜第4の層である。
3図はその説明のための図、第4図は撮儂管ターゲット
の要部断面図、第5図は従来例の構成図である。 図中(3)は光導電膜、(3a1) 〜(3dt)はA
−D領域に対応する第1〜第4の層である。
Claims (1)
- 増感層に隣接した電子銃側の層を構成するAsの濃度分
布に高濃度の平坦な部分とこれに連続する順次低濃度と
なる勾配部分とを持たせると共に下低部側に酸化物又は
弗化物を添加することを特徴とする非晶質セレンを主体
とする光導電膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62135526A JPS63299035A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62135526A JPS63299035A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63299035A true JPS63299035A (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=15153835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62135526A Pending JPS63299035A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63299035A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5780638A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Target of pickup tube |
JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135526A patent/JPS63299035A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5780638A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Target of pickup tube |
JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
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