JPS63299035A - 非晶質セレンを主体とする光導電膜 - Google Patents
非晶質セレンを主体とする光導電膜Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非晶質セレンを主体とする光導電膜に関する。
本発明は非晶質セレンな主体とする光導電膜において、
増感層に隣接した電子銃側の層を構成するＡｓの濃度分
布を所定形状とすると共に酸化物又は弗化物を添加する
ことにより、少ないＡｓ量で安定な耐熱性や飽和特性が
得られ、しかも添加物により電界不足が補われてＡｓ量
をさらに減少できて低焼付化を図ることができ焼付特性
が著しく改善され、再現性も良好となるようにしたもの
である。
増感層に隣接した電子銃側の層を構成するＡｓの濃度分
布を所定形状とすると共に酸化物又は弗化物を添加する
ことにより、少ないＡｓ量で安定な耐熱性や飽和特性が
得られ、しかも添加物により電界不足が補われてＡｓ量
をさらに減少できて低焼付化を図ることができ焼付特性
が著しく改善され、再現性も良好となるようにしたもの
である。
非晶質のセレｙ（Ｓｅ）、ヒ素（Ａｓ）、テ、ｙル（Ｔ
ｅ）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導電膜との間に
整流性接触を形成した光導電性撮像管ターゲットが提案
されている。第４図はその構造を示している。
ｅ）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導電膜との間に
整流性接触を形成した光導電性撮像管ターゲットが提案
されている。第４図はその構造を示している。
同図において、（１）は透光性を有する円板状のガラス
基板であり、このガラス基板（１）の上面には、スズ、
インジウムまたはチタンなどの中から選定された一元素
の酸化物を主成分とする透明電極（２ａ）が被着され、
さらにその背面にはＺｎ５ｅ 、 ＧｅＯ。
基板であり、このガラス基板（１）の上面には、スズ、
インジウムまたはチタンなどの中から選定された一元素
の酸化物を主成分とする透明電極（２ａ）が被着され、
さらにその背面にはＺｎ５ｅ 、 ＧｅＯ。
ＧｅＯ２の中から選定された材料からなる極めて薄いＮ
型導電膜（２ｂ）が被着される。透明電極（２ａ）とＮ
型導電膜（２ｂ）とで透明導電膜（２）が形成される。
型導電膜（２ｂ）が被着される。透明電極（２ａ）とＮ
型導電膜（２ｂ）とで透明導電膜（２）が形成される。
また、透明導電膜（２）と整流接触がなされるようにこ
の透明導電膜（２）の背面には、第５図のＡ領域で示す
第１層目の２Ｍ光導電膜（３ａ）が膜厚方向に向って約
３００Ｘの厚さで被着される。この第１層目の前半層は
、例えばＳｅが９５ｗｔ％、Ａｓが５ｗｔ％の濃度分布
を有するようになされ、後手層は、例えば８ｅが８Ｃｗ
ｔ％、Ａｓが２０ｗｔ％の濃度分布を有するようになさ
れる。このよ５に、ＡＳの高い濃度の後半層を形成する
のは、耐熱性の向上を図るためである。
の透明導電膜（２）の背面には、第５図のＡ領域で示す
第１層目の２Ｍ光導電膜（３ａ）が膜厚方向に向って約
３００Ｘの厚さで被着される。この第１層目の前半層は
、例えばＳｅが９５ｗｔ％、Ａｓが５ｗｔ％の濃度分布
を有するようになされ、後手層は、例えば８ｅが８Ｃｗ
ｔ％、Ａｓが２０ｗｔ％の濃度分布を有するようになさ
れる。このよ５に、ＡＳの高い濃度の後半層を形成する
のは、耐熱性の向上を図るためである。
また、この光導電膜（３ａ）の背面には、同図のＢ領域
で示す第２層目のＰ型光導電膜（３ｂ）が膜厚方向く向
って約６００Ｘの厚さで被着される。この光導電膜（３
ｂ）は、例えば８ｅが５５ｗｔ％、ＡＳが５ｗｔ％、Ｔ
ｅが３Ｃｗｔ％の濃度分布を有するようになされる。こ
の光導電膜（３ｂ）は感度増感層を形成している。この
場合、第１層目のＰ型光導電膜（３ａ）から第２層目の
Ｐｆｉ光導電膜（３ｂ）の約半分の領域にはＬｉＦを０
．４ｗｔ％でドープしたＬｉＦドープ層が約６００Ａの
厚さにわたって連続的に均一に形成されている。
で示す第２層目のＰ型光導電膜（３ｂ）が膜厚方向く向
って約６００Ｘの厚さで被着される。この光導電膜（３
ｂ）は、例えば８ｅが５５ｗｔ％、ＡＳが５ｗｔ％、Ｔ
ｅが３Ｃｗｔ％の濃度分布を有するようになされる。こ
の光導電膜（３ｂ）は感度増感層を形成している。この
場合、第１層目のＰ型光導電膜（３ａ）から第２層目の
Ｐｆｉ光導電膜（３ｂ）の約半分の領域にはＬｉＦを０
．４ｗｔ％でドープしたＬｉＦドープ層が約６００Ａの
厚さにわたって連続的に均一に形成されている。
また、光導電膜（３ｂ）の背面には、同図のＣ領域で示
す第３層目のＰ型光導電膜（３ｃ）が膜厚方向に向って
約６００Ｘの厚さで被着される。この光導電膜（３Ｃ）
は、例えばＳｅが７５ｗｔ％から９５ｗｔ％まで、Ａｓ
が２５ｗｔ％から５ｗｔ％まで濃度分布が変化するよう
になされる。
す第３層目のＰ型光導電膜（３ｃ）が膜厚方向に向って
約６００Ｘの厚さで被着される。この光導電膜（３Ｃ）
は、例えばＳｅが７５ｗｔ％から９５ｗｔ％まで、Ａｓ
が２５ｗｔ％から５ｗｔ％まで濃度分布が変化するよう
になされる。
また、この光導電膜（３Ｃ）の背面には、同図のＤ領域
で示すＰ型光導電膜（３ｄ）が、全体の膜厚が、例えば
４μｍの厚さとなるまで一様に被着形成される。光導電
膜（３ｄ）は、例えばＳｅが９５ｗｔ％、Ａ３が５ｗｔ
％の濃度分布を有するようにされる。
で示すＰ型光導電膜（３ｄ）が、全体の膜厚が、例えば
４μｍの厚さとなるまで一様に被着形成される。光導電
膜（３ｄ）は、例えばＳｅが９５ｗｔ％、Ａ３が５ｗｔ
％の濃度分布を有するようにされる。
また、光導電膜（３） （（３ａ）〜（３ｄ） ）の背
面には、走査電子ビームのランディングを補助する導電
膜（４）が、例えば５ｂ２ｓ３を約１０００Ｘの厚さに
蒸着して形成される。そして、入射光（５；はガラス基
板（１）側から供給され、走査電子ビーム（６）は導電
膜（４）に供給される。
面には、走査電子ビームのランディングを補助する導電
膜（４）が、例えば５ｂ２ｓ３を約１０００Ｘの厚さに
蒸着して形成される。そして、入射光（５；はガラス基
板（１）側から供給され、走査電子ビーム（６）は導電
膜（４）に供給される。
ところで、この第５図の光導電膜（３）におい【、第３
層目の光導電膜（３Ｃ）の役割は、主に増感層としての
第２層目の光導電膜（３ｂ）に充分な電界をかけること
と、この光導電膜（３ｂ）に含有されるＴｅの後方への
拡散を防止することである。この第３層目の光導電膜（
３Ｃ）において、Ａｓの濃度は、高い順位から低い順位
まで一様に変化する濃度勾配を有して形成され、Ａｓの
濃度分布は三角形状とされる。
層目の光導電膜（３Ｃ）の役割は、主に増感層としての
第２層目の光導電膜（３ｂ）に充分な電界をかけること
と、この光導電膜（３ｂ）に含有されるＴｅの後方への
拡散を防止することである。この第３層目の光導電膜（
３Ｃ）において、Ａｓの濃度は、高い順位から低い順位
まで一様に変化する濃度勾配を有して形成され、Ａｓの
濃度分布は三角形状とされる。
このＡｍ濃度のピーク値及び第３層目の光導電膜（３Ｃ
）の膜厚によって特性が決定されている。また第１層と
第２層にわたつ【形成されるＬＩＦドープ層は暗電流等
の特性を改善しようとするものである。
）の膜厚によって特性が決定されている。また第１層と
第２層にわたつ【形成されるＬＩＦドープ層は暗電流等
の特性を改善しようとするものである。
このように第３層目の光導電膜（３Ｃ）のＡｓの濃度の
ピーク値等によって特性が決定されるが、このピーク値
は非常に不安定で、耐熱性、飽和特性（Ｖ−Ｉ特性）等
が大きく変化し、製造工程によるバッフ中の影響を受け
やすい。また、 Ａｓ量が多く焼付特性等がよくなかっ
た。特に青色系光のハイライト焼付がポジに強く焼付き
消失に長時間を要し【いた。
ピーク値等によって特性が決定されるが、このピーク値
は非常に不安定で、耐熱性、飽和特性（Ｖ−Ｉ特性）等
が大きく変化し、製造工程によるバッフ中の影響を受け
やすい。また、 Ａｓ量が多く焼付特性等がよくなかっ
た。特に青色系光のハイライト焼付がポジに強く焼付き
消失に長時間を要し【いた。
本発明は斯る点に鑑み、上述欠点を除去するようにした
ものである。
ものである。
本発明は上述問題点を解決するため、増感層に隣接した
電子銃側の層を構成するＡｓの濃度分布に高濃度の平坦
な部分とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを
持たせると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加する
ようにしたものである。
電子銃側の層を構成するＡｓの濃度分布に高濃度の平坦
な部分とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを
持たせると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加する
ようにしたものである。
以上の構成において、Ａｓの濃度分布に高濃度の平坦な
部分と順次低濃度となる勾配部分とを持たせ、Ａｓの濃
度分布は台形状とされ、Ａｓの濃度分布が三角形状のも
のにおけるピーク部分の不安定はなく、少ないＡｓ量で
も耐熱性、飽和特性等は安定となる。また、Ａｓ量を少
なくできるので、焼付特性が改善される。また、特性が
安定するので、再現性が曳好となる。特に酸化物又は弗
化物の添加により電界不足が補われて低焼付化が可能と
なって青色系光によるハイライト焼付が少なく短時間に
消失されることになる。
部分と順次低濃度となる勾配部分とを持たせ、Ａｓの濃
度分布は台形状とされ、Ａｓの濃度分布が三角形状のも
のにおけるピーク部分の不安定はなく、少ないＡｓ量で
も耐熱性、飽和特性等は安定となる。また、Ａｓ量を少
なくできるので、焼付特性が改善される。また、特性が
安定するので、再現性が曳好となる。特に酸化物又は弗
化物の添加により電界不足が補われて低焼付化が可能と
なって青色系光によるハイライト焼付が少なく短時間に
消失されることになる。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
本例においては第１図のＡ領域及びＢ領域で示す第１層
目及び第２層目のＰＪ光導電膜（３ａｔ）及び（３ｂｌ
）は第５図例と同様に膜厚方向に向って約３００Ｋ及び
約６００’Ａの厚さで被着されるが、第１層目は、例え
ばＳｅが９４ｗｔ％、Ａｓが６ｗｔ％の濃度分布を有す
るようになされ、第２層目は、例えば８ｅが７８ｗｔ％
、Ａｓが２ｗｔ％、Ｔｅが２Ｑｗｔ％の濃度分布を有す
るようになされている。モし【本例にお−１てはこの第
１層目及び第２層目にはＬｉＦドープ層は形成されない
。
目及び第２層目のＰＪ光導電膜（３ａｔ）及び（３ｂｌ
）は第５図例と同様に膜厚方向に向って約３００Ｋ及び
約６００’Ａの厚さで被着されるが、第１層目は、例え
ばＳｅが９４ｗｔ％、Ａｓが６ｗｔ％の濃度分布を有す
るようになされ、第２層目は、例えば８ｅが７８ｗｔ％
、Ａｓが２ｗｔ％、Ｔｅが２Ｑｗｔ％の濃度分布を有す
るようになされている。モし【本例にお−１てはこの第
１層目及び第２層目にはＬｉＦドープ層は形成されない
。
第２層目の光導電膜（３ｂ１）の背面には同図のＣ領域
で示す第３層目のｐ３１光導電膜＜３Ｃ１）が膜厚方向
に向って約２５０Ｘの厚さで被着される。この第３層目
の光導電膜（３ｃ１）の前部の約５０ｘの膜厚部分は、
例えばＳｅが＄Ｑｗｔ％、Ａｓが２０ｗｔ％の濃度分布
を有するようになされ、後部の約２ｏｏＸの膜厚部分は
１例えばＳｅが３９ｗ１％から９５ｗｔ％まで、Ａｓが
２０ｗｔ％から５ｗｔ％まで濃度分布が変化するように
なされる。
で示す第３層目のｐ３１光導電膜＜３Ｃ１）が膜厚方向
に向って約２５０Ｘの厚さで被着される。この第３層目
の光導電膜（３ｃ１）の前部の約５０ｘの膜厚部分は、
例えばＳｅが＄Ｑｗｔ％、Ａｓが２０ｗｔ％の濃度分布
を有するようになされ、後部の約２ｏｏＸの膜厚部分は
１例えばＳｅが３９ｗ１％から９５ｗｔ％まで、Ａｓが
２０ｗｔ％から５ｗｔ％まで濃度分布が変化するように
なされる。
また、光導電膜（３ｃ１）の背面には、第１図のＤ領域
で示す第４層目のＰｆｉ光導電膜（３ｄｌ）が全体の膜
厚が、例えば４μｍの厚さとなるまで一様に被着される
。光導電膜（３ｄｘ）は、例えば８ｅが９５ｗｔ％。
で示す第４層目のＰｆｉ光導電膜（３ｄｌ）が全体の膜
厚が、例えば４μｍの厚さとなるまで一様に被着される
。光導電膜（３ｄｘ）は、例えば８ｅが９５ｗｔ％。
Ａｓが５ｗｔ％の濃度分布を有するようにされている。
本例は以上のように構成され、第３層目の光導電膜（３
Ｃ１）のＡ＄の濃度分布は高濃度の平坦な部分とこれに
連続する順次低濃度となる勾配部分を持たせた形状分布
、即ち三角形状のピーク部を切除した略台形状分布とし
ている。そして、Ｄ領域で示す第４層目のＰｆｉ光導電
膜（３ｄｔ）の少なくとも一部に、Ｓｅ中で負の空間電
荷を形成するような酸化物又は弗化物、例えばＣｕＯ、
Ｉｎ２Ｏ３、５ｅ０２ 、 Ｖ２Ｏ５。
Ｃ１）のＡ＄の濃度分布は高濃度の平坦な部分とこれに
連続する順次低濃度となる勾配部分を持たせた形状分布
、即ち三角形状のピーク部を切除した略台形状分布とし
ている。そして、Ｄ領域で示す第４層目のＰｆｉ光導電
膜（３ｄｔ）の少なくとも一部に、Ｓｅ中で負の空間電
荷を形成するような酸化物又は弗化物、例えばＣｕＯ、
Ｉｎ２Ｏ３、５ｅ０２ 、 Ｖ２Ｏ５。
ＭｏＯ３ｔＷｏ２． ＧａＦ３ 、 ＩｎＦ’３ 、
Ｚｎ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 Ｃ７ｊ 、 Ｉ 、
Ｂｒから成る群から選ばれた少なくとも１者を膜厚１０
０〜３００Ｘの領域にわたり【含有させる。例えばこの
Ｐ型光導電膜（３ｄｌ）に添加する物質としてＭｏＯ３
を用い、コノＭｏＯ３の濃度は５００〜１１０００ｐｐ
でＣ領域で示す第３層目の光導電膜（３ｃｌ）との境界
部、即ちＡｓの勾配部分の下低部から膜厚方向に２００
０１の範囲内において１００〜３００Ｘの領域に一様に
分布するようにされている。
Ｚｎ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 Ｃ７ｊ 、 Ｉ 、
Ｂｒから成る群から選ばれた少なくとも１者を膜厚１０
０〜３００Ｘの領域にわたり【含有させる。例えばこの
Ｐ型光導電膜（３ｄｌ）に添加する物質としてＭｏＯ３
を用い、コノＭｏＯ３の濃度は５００〜１１０００ｐｐ
でＣ領域で示す第３層目の光導電膜（３ｃｌ）との境界
部、即ちＡｓの勾配部分の下低部から膜厚方向に２００
０１の範囲内において１００〜３００Ｘの領域に一様に
分布するようにされている。
本例は以上のように第３層目の光導電膜（３Ｃｓ）のＡ
ｓの濃度分布が三角形状のピーク部を切除した略台形状
分布としているのでＡｓ量が削減されると共に三角形状
濃度分布のものにおけるピーク部分の不安定はなく、ま
た、少ないＡｓ量であってもＭｏＯ３により負の空間電
荷が形成されることにより、増感層、即ち光導電膜（３
ｂｘ）に充分な電界をかけることができ、安定した耐熱
特性、飽和特性等を得ることができる。
ｓの濃度分布が三角形状のピーク部を切除した略台形状
分布としているのでＡｓ量が削減されると共に三角形状
濃度分布のものにおけるピーク部分の不安定はなく、ま
た、少ないＡｓ量であってもＭｏＯ３により負の空間電
荷が形成されることにより、増感層、即ち光導電膜（３
ｂｘ）に充分な電界をかけることができ、安定した耐熱
特性、飽和特性等を得ることができる。
このように本例によればＡｓ量を少なくできるので焼付
特性、特に青色系光によるノーイライト焼付が改善され
る。第２図は光導電膜の成分分布を第５図に示す従来例
のようにした場合（Ｘ印で図示）と、第１図の本例のよ
うにした場合（Ｏ印で図示）との焼付特性を比較したも
のであり、同図から明らかなよロニハイライト焼付は従
来の光導電膜の場合はポジに焼付けられるが、本例の光
導電膜の場合は弱いネガに焼付けられ、レベルもｉ以下
となっている。また、１０００倍光程度の被写体をパン
ニングした時でも従来例のものは＋４％程度焼付き、消
失時間も長いが、本例のものは焼付きは一２％程度と少
なく、消失時間も２０秒以内と極め℃短縮される。
特性、特に青色系光によるノーイライト焼付が改善され
る。第２図は光導電膜の成分分布を第５図に示す従来例
のようにした場合（Ｘ印で図示）と、第１図の本例のよ
うにした場合（Ｏ印で図示）との焼付特性を比較したも
のであり、同図から明らかなよロニハイライト焼付は従
来の光導電膜の場合はポジに焼付けられるが、本例の光
導電膜の場合は弱いネガに焼付けられ、レベルもｉ以下
となっている。また、１０００倍光程度の被写体をパン
ニングした時でも従来例のものは＋４％程度焼付き、消
失時間も長いが、本例のものは焼付きは一２％程度と少
なく、消失時間も２０秒以内と極め℃短縮される。
このように本例のものは従来例のものに比して焼付量、
４！に青色系光によるハイライト焼付量が少なくなり、
焼付特性が大幅に改善される。
４！に青色系光によるハイライト焼付量が少なくなり、
焼付特性が大幅に改善される。
また、光導電膜をＬｉＦ無添加により形成すると焼付は
一般に増加してしまうが、本例の膜構造に形成すれば青
色系光の焼付は従来例のものと変らず、しかも動作によ
る感度変化が少ない（ｉ以下）利点が生じる。さらに、
ハイライト残像の動作変化は第３図に示すようにＬＩＦ
無添加光導電膜の場合はｘ印の如くハイライト残像が動
作によって劣化し【しまうが、本例の光導電膜の場合は
Ｏ印の如く、ハイライト残像の劣化は・印で示す従来例
のＬｉＦ添加光導電膜と同一レベルまで改善される。
一般に増加してしまうが、本例の膜構造に形成すれば青
色系光の焼付は従来例のものと変らず、しかも動作によ
る感度変化が少ない（ｉ以下）利点が生じる。さらに、
ハイライト残像の動作変化は第３図に示すようにＬＩＦ
無添加光導電膜の場合はｘ印の如くハイライト残像が動
作によって劣化し【しまうが、本例の光導電膜の場合は
Ｏ印の如く、ハイライト残像の劣化は・印で示す従来例
のＬｉＦ添加光導電膜と同一レベルまで改善される。
また、本例によれば、各特性が安定するので、再現性を
良好とすることができる。
良好とすることができる。
なお、本例におい【は第３層目の光導電膜（３ｃ１）の
Ａｓの濃度分布の平坦部分の濃度は２Ｑｗｔ％。
Ａｓの濃度分布の平坦部分の濃度は２Ｑｗｔ％。
平坦部分の膜厚はｓｏＸ 、勾配部分の膜厚は２００Ｘ
とされたものであるが、夫々１０〜２Ｑｗｔ％、２０〜
１００Ｘ、Ｚｏｏ〜６００Ｘであれば、同様の作用効果
を得ることができる。
とされたものであるが、夫々１０〜２Ｑｗｔ％、２０〜
１００Ｘ、Ｚｏｏ〜６００Ｘであれば、同様の作用効果
を得ることができる。
以上のように本発明によれば、増感層に隣接した電子銃
側の層を構成するＡｓの濃度分布に高濃度の平坦な部分
とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを持たせ
ると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加するように
したので、少ないＡｓ量でも耐熱特性、飽和特性等を安
定とすることができ、また添加物により電界不足が補わ
れるのでＡｓ量をさらに減少させることができて低焼付
化を図ることができ、特に青色系光によるハイライト焼
付を著しく改善することができてブルーチャンネル専用
の光導電膜に適用してその効果が犬である。
側の層を構成するＡｓの濃度分布に高濃度の平坦な部分
とこれに連続する順次低濃度となる勾配部分とを持たせ
ると共に下低部側に酸化物又は弗化物を添加するように
したので、少ないＡｓ量でも耐熱特性、飽和特性等を安
定とすることができ、また添加物により電界不足が補わ
れるのでＡｓ量をさらに減少させることができて低焼付
化を図ることができ、特に青色系光によるハイライト焼
付を著しく改善することができてブルーチャンネル専用
の光導電膜に適用してその効果が犬である。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図及び第
３図はその説明のための図、第４図は撮儂管ターゲット
の要部断面図、第５図は従来例の構成図である。 図中（３）は光導電膜、（３ａ１） 〜（３ｄｔ）はＡ
−Ｄ領域に対応する第１〜第４の層である。
３図はその説明のための図、第４図は撮儂管ターゲット
の要部断面図、第５図は従来例の構成図である。 図中（３）は光導電膜、（３ａ１） 〜（３ｄｔ）はＡ
−Ｄ領域に対応する第１〜第４の層である。
Claims (1)
- 増感層に隣接した電子銃側の層を構成するＡｓの濃度分
布に高濃度の平坦な部分とこれに連続する順次低濃度と
なる勾配部分とを持たせると共に下低部側に酸化物又は
弗化物を添加することを特徴とする非晶質セレンを主体
とする光導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135526A JPS63299035A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135526A JPS63299035A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299035A true JPS63299035A (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=15153835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135526A Pending JPS63299035A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63299035A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780638A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Target of pickup tube |
| JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135526A patent/JPS63299035A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780638A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Target of pickup tube |
| JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
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