JPS59132541A - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS59132541A JPS59132541A JP591583A JP591583A JPS59132541A JP S59132541 A JPS59132541 A JP S59132541A JP 591583 A JP591583 A JP 591583A JP 591583 A JP591583 A JP 591583A JP S59132541 A JPS59132541 A JP S59132541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- concentration
- photoconductive film
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は撮像管ターゲット、竹にＳｅ、Ａｓ、Ｔｅから
なるカルコゲン光導電膜（サチコンＶ）の焼付特性を改
善したサチコン脱の膜構造に関するものである。
なるカルコゲン光導電膜（サチコンＶ）の焼付特性を改
善したサチコン脱の膜構造に関するものである。
第１図は従来より用いられている撮像管ターゲットの一
例を説明するための要部断面構成図および光導電膜を構
成するＳｅ、Ａｓ＋Ｔｅａ度分布を示すｌ凶である。同
図において、透光性ガラス材料からなる円板状のガラス
基板１の背面には、例えばＳｎＯ，もしくはＩｎρ、を
主成分とする透明導電膜２が被着形成され、さらにこの
透明導電膜２の背面には例えば０ｅ０２からなるブロッ
キング層としての極めて薄いＮ形透明導電Ｍ３が被着形
成されている。また、このＮ形透明導電膜３の背面には
、５ｅ−Ａｓ−Ｔｅ系のＰ形弁晶質半導体族からなるＰ
ランディングミルとしてのＰ形光導電ｐＡ５が破着形成
されている。−力、上記ＳｅＡｇ−Ｔｅ系のＰ形弁晶質
半導体膜からなるＰ形光導電膜４は、Ｎ形透明導電膜３
の背面側からＳｅ濃度が９４〜９０ｗｔ％、ＡｓＭ度が
残シの６〜１０ｗｔ％の碇度分布を有するＳｅＡ、ｓ糸
のＰ形非晶質牛導体からなる第１層目のＰ形光導電Ｍ４
ａが３０〜６０ｎｒｎの厚さに破着形成され、またこの
第１層目のＰ形光導電膜４ａの背面にはＳｅ濃度が約６
７ｗｔ％。
例を説明するための要部断面構成図および光導電膜を構
成するＳｅ、Ａｓ＋Ｔｅａ度分布を示すｌ凶である。同
図において、透光性ガラス材料からなる円板状のガラス
基板１の背面には、例えばＳｎＯ，もしくはＩｎρ、を
主成分とする透明導電膜２が被着形成され、さらにこの
透明導電膜２の背面には例えば０ｅ０２からなるブロッ
キング層としての極めて薄いＮ形透明導電Ｍ３が被着形
成されている。また、このＮ形透明導電膜３の背面には
、５ｅ−Ａｓ−Ｔｅ系のＰ形弁晶質半導体族からなるＰ
ランディングミルとしてのＰ形光導電ｐＡ５が破着形成
されている。−力、上記ＳｅＡｇ−Ｔｅ系のＰ形弁晶質
半導体膜からなるＰ形光導電膜４は、Ｎ形透明導電膜３
の背面側からＳｅ濃度が９４〜９０ｗｔ％、ＡｓＭ度が
残シの６〜１０ｗｔ％の碇度分布を有するＳｅＡ、ｓ糸
のＰ形非晶質牛導体からなる第１層目のＰ形光導電Ｍ４
ａが３０〜６０ｎｒｎの厚さに破着形成され、またこの
第１層目のＰ形光導電膜４ａの背面にはＳｅ濃度が約６
７ｗｔ％。
λ８浪度が３ｗｔ％、 Ｔ ｅ ＃ｅ７５’約３０ｗｔ
％の濃度分布を有するＳｅ−人５−Ｔｅ系のＰ形非晶質
牛導体膜からなる第２層目のＰ形光導電膜４ｂが約６０
ｎｍの厚さに被着形成され、さらにこの第２Ｎ目のＰ形
光導電膜４ｂの背面にはＡｓ＃Ｍｔが２０〜３０ｗｔ％
、残力が８＠からなる製置分布からＡｓ濃度が３±２ｗ
ｔダまて膜厚４５±２０ ｎｍにわたって連続的に変化
し、引き続きＡＩ濃度が３± ２ｗｔ部、８ｅが９７±
２ｖｔチのｍ度分布を有するＳ＠−Ａｓ系のＰ形弁晶質
半導体膜からなる第３層目のＰ形光導電膜４ｃが、全体
のトータル層の厚さが約３９００ｎｍＯ膜厚となるよう
に被着形成されて構成されている。そして、入射光６は
ガラス基板１の前面側から供給され、走査電子ビームγ
はＰ形光導電膜５に供給される。
％の濃度分布を有するＳｅ−人５−Ｔｅ系のＰ形非晶質
牛導体膜からなる第２層目のＰ形光導電膜４ｂが約６０
ｎｍの厚さに被着形成され、さらにこの第２Ｎ目のＰ形
光導電膜４ｂの背面にはＡｓ＃Ｍｔが２０〜３０ｗｔ％
、残力が８＠からなる製置分布からＡｓ濃度が３±２ｗ
ｔダまて膜厚４５±２０ ｎｍにわたって連続的に変化
し、引き続きＡＩ濃度が３± ２ｗｔ部、８ｅが９７±
２ｖｔチのｍ度分布を有するＳ＠−Ａｓ系のＰ形弁晶質
半導体膜からなる第３層目のＰ形光導電膜４ｃが、全体
のトータル層の厚さが約３９００ｎｍＯ膜厚となるよう
に被着形成されて構成されている。そして、入射光６は
ガラス基板１の前面側から供給され、走査電子ビームγ
はＰ形光導電膜５に供給される。
このように構成された撮像管ターゲットにおいて、第３
層目のＰ形光導電膜４ｃを構成するＡｍ濃度勾配を有す
る＾―層は、第２層目のＰ形光導電膜４ｂの’ｒｅ層で
発生したキャリアを有効かっ安定に引き出すキャリア引
き出し層の役割を果すとともに、このＴ・層の拡散防止
機能をも有し、信頼性評価における電圧−光電流喝性（
Ｖ−１特性）の劣化を防止させている。また、このＡ、
濃度勾配層の背面に連続して３±２ｗｔ％の均一な入謬
濃度分布で厚膜状に形成されるＡｍ層は、引き出された
キャリアを蓄積する容量層の機能を有している。そして
、これらの２２！！類の濃度分布からなるＰ形光導電膜
れはターゲットを使用する際の知、気菌特性の良否を決
定ずける極めてＸ要な因子となっている。
層目のＰ形光導電膜４ｃを構成するＡｍ濃度勾配を有す
る＾―層は、第２層目のＰ形光導電膜４ｂの’ｒｅ層で
発生したキャリアを有効かっ安定に引き出すキャリア引
き出し層の役割を果すとともに、このＴ・層の拡散防止
機能をも有し、信頼性評価における電圧−光電流喝性（
Ｖ−１特性）の劣化を防止させている。また、このＡ、
濃度勾配層の背面に連続して３±２ｗｔ％の均一な入謬
濃度分布で厚膜状に形成されるＡｍ層は、引き出された
キャリアを蓄積する容量層の機能を有している。そして
、これらの２２！！類の濃度分布からなるＰ形光導電膜
れはターゲットを使用する際の知、気菌特性の良否を決
定ずける極めてＸ要な因子となっている。
しかしながら、上記構成による撮像管ターゲットにおい
て、このターゲットを用いて構成した撮像管で、明るい
被写体や長時間静止した被写体を撮像×すると、前の画
像が焼付いて残るいわゆる焼付現象の発生か主に土紀Ｐ
形光導′ｒＭ、膜４に依存し１特にサチコン膜の場合、
キャリア引き出し層である第３層目のＰ形光導電膜４ｃ
の高濃度ム８量に依存する傾向があった。そして、ム８
量を減らすと、焼付現象を減少させることができるが、
丑すことかできず、したがって、実用上十分て高濃度に
Ａ８が分布している層のＡｍ址を減少させキャリア引き
出し効果の不足警補ないつつ、焼付現象に影響の少ない
酸化インジウムを微おにドープしたインジウムドープ層
を設けることによって、撮像管の焼付現象を減少させた
撮像管ターゲットを提供することを目的としている。
て、このターゲットを用いて構成した撮像管で、明るい
被写体や長時間静止した被写体を撮像×すると、前の画
像が焼付いて残るいわゆる焼付現象の発生か主に土紀Ｐ
形光導′ｒＭ、膜４に依存し１特にサチコン膜の場合、
キャリア引き出し層である第３層目のＰ形光導電膜４ｃ
の高濃度ム８量に依存する傾向があった。そして、ム８
量を減らすと、焼付現象を減少させることができるが、
丑すことかできず、したがって、実用上十分て高濃度に
Ａ８が分布している層のＡｍ址を減少させキャリア引き
出し効果の不足警補ないつつ、焼付現象に影響の少ない
酸化インジウムを微おにドープしたインジウムドープ層
を設けることによって、撮像管の焼付現象を減少させた
撮像管ターゲットを提供することを目的としている。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明を説明す
るための第１図に相当する要部断面構成図および光導電
膜を構成するＳｅ 、 Ａｓ Ｔ Ｔｅ １４％度分布
を示す図であシ、第１図と同記号は同一要素となるので
その説明は省略する。同図において、キャリア引き出し
層としての第２層目のＰ形光導電膜４ｂの背面圧はＢｅ
濃度が７５±５ｖｒｔ％、Ａｍ濃勧屹５±５ ｗ ｔ％
の濃度分布を有する５ｅ−Ａｓ系のＰ形弁晶質半導体膜
からなる第３鳩のＰ形光導電膜４ｄが１２±６ｎｍの膜
厚で被着形成され、さらに引き続きこの第３層のＰ形光
導電ｊ１！ ４ ｄの背面にはＳ、濃度が９７±２ｗｔ
チ、ム８＃度が３±２ｗｔ％の濃度分布を有するｓｅ−
Ａｓ系のＰ形弁晶質半導体膜からなる容量層としての第
４層目のＰ形光導′ｆ！Ｌ膜４・が全体のトータル層の
厚さが約３９００ｎｍの膜厚となるように被着形成され
るとともに、上記第３層のＰ形光導電膜４ｄと第４層の
Ｐ形光導電膜４ｅとの境界、つまシ人ＩＡ濃度の高Ｇ度
部分から低濃度部分への濃度変化のうち濃要差の約１０
チ程度まで濃度が減少したＸ点ＫＦｉ、第２層のＰ形光
導電膜４ｂのＴｅ層に接触することなく、Ｉｎ２Ｏ３を
濃度１００〜３０００ｗｔ ＰＰｍの範囲で膜厚３〜３
０ ｎｍの領域にドーピングして形成したＩｎ２Ｏ３ド
ープ層４ｆが形成されてＰ′形光導電説４′が構成され
ている。
るための第１図に相当する要部断面構成図および光導電
膜を構成するＳｅ 、 Ａｓ Ｔ Ｔｅ １４％度分布
を示す図であシ、第１図と同記号は同一要素となるので
その説明は省略する。同図において、キャリア引き出し
層としての第２層目のＰ形光導電膜４ｂの背面圧はＢｅ
濃度が７５±５ｖｒｔ％、Ａｍ濃勧屹５±５ ｗ ｔ％
の濃度分布を有する５ｅ−Ａｓ系のＰ形弁晶質半導体膜
からなる第３鳩のＰ形光導電膜４ｄが１２±６ｎｍの膜
厚で被着形成され、さらに引き続きこの第３層のＰ形光
導電ｊ１！ ４ ｄの背面にはＳ、濃度が９７±２ｗｔ
チ、ム８＃度が３±２ｗｔ％の濃度分布を有するｓｅ−
Ａｓ系のＰ形弁晶質半導体膜からなる容量層としての第
４層目のＰ形光導′ｆ！Ｌ膜４・が全体のトータル層の
厚さが約３９００ｎｍの膜厚となるように被着形成され
るとともに、上記第３層のＰ形光導電膜４ｄと第４層の
Ｐ形光導電膜４ｅとの境界、つまシ人ＩＡ濃度の高Ｇ度
部分から低濃度部分への濃度変化のうち濃要差の約１０
チ程度まで濃度が減少したＸ点ＫＦｉ、第２層のＰ形光
導電膜４ｂのＴｅ層に接触することなく、Ｉｎ２Ｏ３を
濃度１００〜３０００ｗｔ ＰＰｍの範囲で膜厚３〜３
０ ｎｍの領域にドーピングして形成したＩｎ２Ｏ３ド
ープ層４ｆが形成されてＰ′形光導電説４′が構成され
ている。
このように構成されたＰ形九尋脱ｌにおいて、キャリア
引き出し層としての第３Ｎ目のＰ形光導電膜４ｄのＡｓ
量（濃度×膜厚量）を従来のｌ／３〜〜の範囲に低減さ
せるとともに１容量層としての第４層目のＰ形光導電膜
４ｅとの境界面に８６中で負の空間電荷を有しかつキャ
リアを引き出すＩｎ２Ｏ３ドープ層４ｆを設けたことに
よって、キャリア引き比し効果を大＠傾向上させること
ができるとともに、焼付現象も大幅に低減させることが
できた。この場合、キャリア引き出し層としテ＋７）
Ａ ｓ Ｊｉミラ１４以上に減らすと、第２層目のＰ形
光導電膜４ｂの’ｒｅの拡散防止効果が失なわれて信頼
性が低下する問題が発生するので、このＡ、量は濃度分
布図でボすように矩形形状濃度分また、他の実施例とし
て、第１層のＰ形光導電膜４ｅから第２層月のＰ形光導
電膜４ｂの中央部にまたがってＬｉ−Ｆをドープした構
造のへイライトスティッキング対策用のサテコン膜（特
願昭５５−１５７０８４）に上記Ｉｎ、０３をドープし
たインジウムドープ層４ｆを設けると、本願目的の焼付
現象は：もちろん太陽光のような高輝度被写体を撮像し
たときに生じる焼付現象も著しく改善することができた
。
引き出し層としての第３Ｎ目のＰ形光導電膜４ｄのＡｓ
量（濃度×膜厚量）を従来のｌ／３〜〜の範囲に低減さ
せるとともに１容量層としての第４層目のＰ形光導電膜
４ｅとの境界面に８６中で負の空間電荷を有しかつキャ
リアを引き出すＩｎ２Ｏ３ドープ層４ｆを設けたことに
よって、キャリア引き比し効果を大＠傾向上させること
ができるとともに、焼付現象も大幅に低減させることが
できた。この場合、キャリア引き出し層としテ＋７）
Ａ ｓ Ｊｉミラ１４以上に減らすと、第２層目のＰ形
光導電膜４ｂの’ｒｅの拡散防止効果が失なわれて信頼
性が低下する問題が発生するので、このＡ、量は濃度分
布図でボすように矩形形状濃度分また、他の実施例とし
て、第１層のＰ形光導電膜４ｅから第２層月のＰ形光導
電膜４ｂの中央部にまたがってＬｉ−Ｆをドープした構
造のへイライトスティッキング対策用のサテコン膜（特
願昭５５−１５７０８４）に上記Ｉｎ、０３をドープし
たインジウムドープ層４ｆを設けると、本願目的の焼付
現象は：もちろん太陽光のような高輝度被写体を撮像し
たときに生じる焼付現象も著しく改善することができた
。
また、上記実施例において、第３層目のＰ形光導電ｆｆ
４ｄのＡｓ濃度が２５±５ ｗ ｔ％から第４層目のＰ
形光導電膜４ｅの３±２ｗｔ％ｔで急激に下降するＸ点
を境界として説明したが、このＡｓ濃度が第３層目のＰ
形光導電膜４ｄから第４層目のＰ形光導電膜４・にわた
って曲線状に変チヒする地合には高濃度部分から低濃度
部分への濃度変化のうち濃度差の約１０チまで濃度が減
少したところを境界として上記１ｎｚｏａ ドープ層を
形成すればットによれば、焼付現象、ハイライトスティ
ッキングを太幅に低減させ、高品位の撮像画像が得られ
るという極めて優れた効果を有する。
４ｄのＡｓ濃度が２５±５ ｗ ｔ％から第４層目のＰ
形光導電膜４ｅの３±２ｗｔ％ｔで急激に下降するＸ点
を境界として説明したが、このＡｓ濃度が第３層目のＰ
形光導電膜４ｄから第４層目のＰ形光導電膜４・にわた
って曲線状に変チヒする地合には高濃度部分から低濃度
部分への濃度変化のうち濃度差の約１０チまで濃度が減
少したところを境界として上記１ｎｚｏａ ドープ層を
形成すればットによれば、焼付現象、ハイライトスティ
ッキングを太幅に低減させ、高品位の撮像画像が得られ
るという極めて優れた効果を有する。
Ｍ１図は従来の撮像管ターゲットの一例を示す図、第２
図は本発明による撮像管ターゲットの一例を示す図であ
る。 １１１・・・ガラス基板、２・・令−透明等電属、３・
・・・Ｎ形透明導電属、４ａ＃・・＃第１層目のＰ形光
導’に、ＨＭｓ ４ｂ ・・・・第２層目のＰ形光導
電膜、４ｄ＊−・・第３層目のＰ形光導電膜、４ｅ＠・
・・第４層目のＰ形光導電膜、４ｆ・・・・ｒｎ２ｏ、
ドープ層、４′・・・・Ｐ形光導電膜、５・・・・Ｐ形
光導電膜、６−・・・入射光、７・・・・・走査電子ビ
ーム。
図は本発明による撮像管ターゲットの一例を示す図であ
る。 １１１・・・ガラス基板、２・・令−透明等電属、３・
・・・Ｎ形透明導電属、４ａ＃・・＃第１層目のＰ形光
導’に、ＨＭｓ ４ｂ ・・・・第２層目のＰ形光導
電膜、４ｄ＊−・・第３層目のＰ形光導電膜、４ｅ＠・
・・第４層目のＰ形光導電膜、４ｆ・・・・ｒｎ２ｏ、
ドープ層、４′・・・・Ｐ形光導電膜、５・・・・Ｐ形
光導電膜、６−・・・入射光、７・・・・・走査電子ビ
ーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 Ｓ ｅ ＊ Ａ ｓ ＋ Ｔ ｅを主成分とし
、膜厚方向にＡ８の濃度分布を変化させる光導電膜を備
えた撮像管ターゲットにおいて、前記Ｓ ｅ ｐ Ａ
ｓ ｒ Ｔ ｓを含む層に接触するＡ、濃度差の大きい
キャリア引き出し層と、このキャリア引き帛し層に接触
するＡｓ＋９度の小さい容量層との境界ＩＣＩ ｎ□０
３ドープ層を設けたことを特徴とする撮像管ターゲット
。 ２、前記Ｉ ｎ２０１ド一プ層はＩｎ２Ｏ３を濃度１０
０〜３０００ｗｔＰＰｍ、ｉＪ＊３〜３０ ｎｍの領域
でドーピングして形成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の撮像管ターゲット。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP591583A JPS59132541A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 撮像管タ−ゲツト |
| EP19840100470 EP0114652B1 (en) | 1983-01-19 | 1984-01-18 | Image pickup tube target |
| DE8484100470T DE3466130D1 (en) | 1983-01-19 | 1984-01-18 | Image pickup tube target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP591583A JPS59132541A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132541A true JPS59132541A (ja) | 1984-07-30 |
| JPH0522328B2 JPH0522328B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=11624188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP591583A Granted JPS59132541A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0114652B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59132541A (ja) |
| DE (1) | DE3466130D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245283A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Hitachi Ltd | 光導電膜 |
| JPS61193335A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-27 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
| JPS63299035A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sony Corp | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193337A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-27 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832454B2 (ja) * | 1979-06-07 | 1983-07-13 | 日本放送協会 | 光導電性タ−ゲツト |
| JPS57197876A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photoconductive film |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP591583A patent/JPS59132541A/ja active Granted
-
1984
- 1984-01-18 DE DE8484100470T patent/DE3466130D1/de not_active Expired
- 1984-01-18 EP EP19840100470 patent/EP0114652B1/en not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245283A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Hitachi Ltd | 光導電膜 |
| JPS61193335A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-27 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
| JPS63299035A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sony Corp | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0114652B1 (en) | 1987-09-09 |
| JPH0522328B2 (ja) | 1993-03-29 |
| EP0114652A3 (en) | 1984-08-08 |
| EP0114652A2 (en) | 1984-08-01 |
| DE3466130D1 (en) | 1987-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59132541A (ja) | 撮像管タ−ゲツト | |
| US4508609A (en) | Method for sputtering a PIN microcrystalline/amorphous silicon semiconductor device with the P and N-layers sputtered from boron and phosphorous heavily doped targets | |
| US3990095A (en) | Selenium rectifier having hexagonal polycrystalline selenium layer | |
| JPS61141185A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS60227341A (ja) | 撮像管の光導電タ−ゲツト | |
| JPH0575153A (ja) | 光電変換素子用透明導電膜及びその製造方法 | |
| JPH0370327B2 (ja) | ||
| JPH05290635A (ja) | 透明導電電極及びその製造方法 | |
| JP2011100584A (ja) | 光導電素子及びこれを用いた撮像デバイス、並びに導電膜付き基板の製造方法 | |
| JPS59143379A (ja) | 光導電体およびその製造方法 | |
| KR850000084B1 (ko) | 광전변환장치 | |
| US20150357492A1 (en) | Cigs film production method, and cigs solar cell production method using the cigs film production method | |
| JPS58194231A (ja) | 撮像管 | |
| JPH0648616B2 (ja) | 光導電膜 | |
| JPS59132538A (ja) | 撮像管タ−ゲツトの形成方法 | |
| JPS58197607A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH01192177A (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS59112663A (ja) | 受光装置 | |
| JPS62264677A (ja) | 光導電素子 | |
| KR890003210B1 (ko) | 광도전막의 제조방법 | |
| JPH0950771A (ja) | 撮像デバイスおよびその製造方法 | |
| JPS62198034A (ja) | 非晶質セレンを主体とする光導電膜 | |
| JPH01184868A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS63170974A (ja) | イメ−ジセンサ及びその製造方法 | |
| JPS6489131A (en) | Input surface of x-ray multiplying tube and its manufacture |