JPH01184868A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH01184868A JPH01184868A JP63003894A JP389488A JPH01184868A JP H01184868 A JPH01184868 A JP H01184868A JP 63003894 A JP63003894 A JP 63003894A JP 389488 A JP389488 A JP 389488A JP H01184868 A JPH01184868 A JP H01184868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ito
- amorphous silicon
- image sensor
- silicon layer
- in2o3
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取部に用い
られる密着型イメージセンサに関し、逆方向暗電流の低
減を目的とし、 基板上に共通電極が形成され、その上に光導電物質とし
てアモルファスシリコン層が形成され、さらにその上に
ＩＴＯを用いた個別電極が形成されてなる表面導光型イ
メージセンサにおいて、上記アモルファスシリコン層と
ＩＴＯ個別電極の界面にＩｎｚＯｓ層を設けるように構
成する。
られる密着型イメージセンサに関し、逆方向暗電流の低
減を目的とし、 基板上に共通電極が形成され、その上に光導電物質とし
てアモルファスシリコン層が形成され、さらにその上に
ＩＴＯを用いた個別電極が形成されてなる表面導光型イ
メージセンサにおいて、上記アモルファスシリコン層と
ＩＴＯ個別電極の界面にＩｎｚＯｓ層を設けるように構
成する。
本発明はファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取
部に用いられる密着型イメージセンサに関する。
部に用いられる密着型イメージセンサに関する。
密着型イメージセンサは、ファクシミリの普及に伴い、
その特性の向上が要望されている。
その特性の向上が要望されている。
従来の密着型イメージセンサは第２図の断面図に示すよ
うに基板１の上にＣｒの共通電極２が形成され、その上
にアモルファスシリコンＮ３が形成され、さらにその上
にＩＴＯを用いた透明な個別電極４が形成されており、
ショットキィ障壁がＩＴＯの透明電極４とアモルファス
シリコン層３の界面で形成され、光５の照射により両電
極間に電流が流れ光電変換が行なわれるようになってい
る。
うに基板１の上にＣｒの共通電極２が形成され、その上
にアモルファスシリコンＮ３が形成され、さらにその上
にＩＴＯを用いた透明な個別電極４が形成されており、
ショットキィ障壁がＩＴＯの透明電極４とアモルファス
シリコン層３の界面で形成され、光５の照射により両電
極間に電流が流れ光電変換が行なわれるようになってい
る。
上記従来のアモルファスシリコンとＩＴＯを用いたイメ
ージセンサでは、アモルファスシリコン層３の上にＩＴ
Ｏ膜を形成するときＩＴＯとアモルファスシリコンの界
面近傍でシリコン中にインジュウムが入り込み、シリコ
ン表面に欠陥が形成され易（なる、このためショットキ
ィ障壁が形成されても逆方向暗電流値が大きくなり、イ
メージセンサの特性を劣化させるという欠点があった。
ージセンサでは、アモルファスシリコン層３の上にＩＴ
Ｏ膜を形成するときＩＴＯとアモルファスシリコンの界
面近傍でシリコン中にインジュウムが入り込み、シリコ
ン表面に欠陥が形成され易（なる、このためショットキ
ィ障壁が形成されても逆方向暗電流値が大きくなり、イ
メージセンサの特性を劣化させるという欠点があった。
本発明は上記問題□点に鑑み、逆方向暗電流値を低減し
て特性を向上させた密着型イメージセンサを提供するこ
とを目的とするものである。
て特性を向上させた密着型イメージセンサを提供するこ
とを目的とするものである。
上記目的は、基板１上に共通電極２と、その上に光導電
物質としてアモルファスシリコン層３が形成され、さら
にその上にＩＴＯを用いた個別電極４が形成されてなる
表面導光型イメージセンサにおいて、上記アモルファス
シリコン層とＩＴＯ個別電極４の界面にＩｎ２Ｏ３層６
を設けたことを特徴とする密着型イメージセンサを提供
することによって達成される。
物質としてアモルファスシリコン層３が形成され、さら
にその上にＩＴＯを用いた個別電極４が形成されてなる
表面導光型イメージセンサにおいて、上記アモルファス
シリコン層とＩＴＯ個別電極４の界面にＩｎ２Ｏ３層６
を設けたことを特徴とする密着型イメージセンサを提供
することによって達成される。
〔作 用］
アモルファスシリコン層３とＩＴＯの個別電極４との間
にＩｎ１０１層６を挿入したことにより、ＭＩＳ型に近
い構造となるので、その障壁はＩｎ！０、膜のないＩＴ
Ｏ／アモルファスシリコンの場合に比べて大きくなると
考えられ、又１ｎｔＯ３は正規組成なのでシリコン中に
インジュウムが入りにくくなりシリコン層表面の欠陥を
減少することができ、それによって逆方向暗電流値を低
下させることが可能となる。
にＩｎ１０１層６を挿入したことにより、ＭＩＳ型に近
い構造となるので、その障壁はＩｎ！０、膜のないＩＴ
Ｏ／アモルファスシリコンの場合に比べて大きくなると
考えられ、又１ｎｔＯ３は正規組成なのでシリコン中に
インジュウムが入りにくくなりシリコン層表面の欠陥を
減少することができ、それによって逆方向暗電流値を低
下させることが可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。
本実施例は同図に示すようにガラス又はセラミック等を
用いた基板１の上に下部共通電極２としてＣｒを電子ビ
ーム蒸着法を用いて約１０００人の厚さに形成し、続い
て基板温度２６０℃、真空度３ｔｏｒｒにおいて５ｉＨ
ａガスを用いたプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシ
リコン層３を厚さ約１μｍに形成し、さらにＩＴＯをタ
ーゲットに用い且つＡｒ＋２０％Ｏｔガスを１０−”ｔ
ｏｒｒまで導入したＤＣスパッタリングにより正規組成
をもつＩｎｔＯ３６を厚さ５０人程度形成後Ａｒ＋２０
％Ｏｔガスを１０弓ｔｏｒｒ導入し透明なＩＴＯの上部
個別電極４を厚さ１０００人に形成したものである。
用いた基板１の上に下部共通電極２としてＣｒを電子ビ
ーム蒸着法を用いて約１０００人の厚さに形成し、続い
て基板温度２６０℃、真空度３ｔｏｒｒにおいて５ｉＨ
ａガスを用いたプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシ
リコン層３を厚さ約１μｍに形成し、さらにＩＴＯをタ
ーゲットに用い且つＡｒ＋２０％Ｏｔガスを１０−”ｔ
ｏｒｒまで導入したＤＣスパッタリングにより正規組成
をもつＩｎｔＯ３６を厚さ５０人程度形成後Ａｒ＋２０
％Ｏｔガスを１０弓ｔｏｒｒ導入し透明なＩＴＯの上部
個別電極４を厚さ１０００人に形成したものである。
このように構成された本実施例は、アモルファスシリコ
ン層３の上部にはＩｎ２Ｏ３層６があり、Ｉｎ２Ｏ３は
正規組成であるのでシリコン中にはＩｎが入りにくくな
り、シリコン表面には欠陥が生じない、またＩｎ５Ｏｓ
は絶縁性であるのでＩＴＯ／Ｉｎ□０り／アモルファス
シリコンはＩＴＯ／アモルファスシリコンに比べて障壁
の高さが増加するので逆方向暗電流値が小さくなり、特
性の劣化は防止される。
ン層３の上部にはＩｎ２Ｏ３層６があり、Ｉｎ２Ｏ３は
正規組成であるのでシリコン中にはＩｎが入りにくくな
り、シリコン表面には欠陥が生じない、またＩｎ５Ｏｓ
は絶縁性であるのでＩＴＯ／Ｉｎ□０り／アモルファス
シリコンはＩＴＯ／アモルファスシリコンに比べて障壁
の高さが増加するので逆方向暗電流値が小さくなり、特
性の劣化は防止される。
以上説明した様に本発明によれば、表面導光型のイメー
ジセンサにおいて、アモルファスシリコン層とＩＴＯと
の界面にＩｎｔＯ３をはさむことにより、逆方向暗電流
値を減少することができ、特性の向上及び歩留りの向上
が可能となる。
ジセンサにおいて、アモルファスシリコン層とＩＴＯと
の界面にＩｎｔＯ３をはさむことにより、逆方向暗電流
値を減少することができ、特性の向上及び歩留りの向上
が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来の密着型イメージセンサを示す図である。
図において、
１は基板、
２は共通電極、
３はアモルファスシリコン層、
４は個別電極、
６はＩｎｚＯｉＪｉｉ
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板（１）上に共通電極（２）と、その上に光導電
物質としてアモルファスシリコン層（３）が形成され、
さらにその上にＩＴＯを用いた個別電極（４）が形成さ
れてなる表面導光型イメージセンサにおいて、 上記アモルファスシリコン層（３）とＩＴＯ個別電極（
４）の界面にＩｎ＿２Ｏ＿３層（６）を設けたことを特
徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003894A JPH01184868A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003894A JPH01184868A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184868A true JPH01184868A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11569893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63003894A Pending JPH01184868A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184868A (ja) |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP63003894A patent/JPH01184868A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01184868A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS61159771A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS60142566A (ja) | 絶縁ゲ−ト薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH1093062A (ja) | 光検出器 | |
| JPS5879756A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ− | |
| JPH0715144Y2 (ja) | コプラナ−型光センサ− | |
| KR840002185B1 (ko) | 광전변환소자 | |
| JPS62269358A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS61268077A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2692144B2 (ja) | ラインセンサ | |
| JP2750140B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS6233452A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0810582B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPS62172755A (ja) | フオトセンサの作製方法 | |
| JPH05291607A (ja) | ｐｉｎダイオード及びこれを用いた密着型イメージセンサ | |
| JPS60247965A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH022168A (ja) | ラインセンサ | |
| JPS63172462A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS5955080A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| JPS62252968A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ | |
| JPH05347427A (ja) | 光センサ | |
| JPH0436579B2 (ja) | ||
| JPH0548825A (ja) | カラ−画像読取用イメ−ジセンサ | |
| JPS63119259A (ja) | アモルフアスシリコンホトダイオ−ドアレイ | |
| JPS62221147A (ja) | 固体撮像装置 |