JPS61141185A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPS61141185A JPS61141185A JP59263449A JP26344984A JPS61141185A JP S61141185 A JPS61141185 A JP S61141185A JP 59263449 A JP59263449 A JP 59263449A JP 26344984 A JP26344984 A JP 26344984A JP S61141185 A JPS61141185 A JP S61141185A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ガラス基板上に光入射側電極としての透明導
電膜、光起電力発生領域としての半導体ｉＭ！Ｉを順次
積層する光起電力素子の製造方法に関する。
電膜、光起電力発生領域としての半導体ｉＭ！Ｉを順次
積層する光起電力素子の製造方法に関する。
例えば非晶質シリコン（以下ａ−３Ｌと記す）膜を光電
変換領域とする光起電力素子の光の入射側の電極には透
明Ｒ電膜が用いられ、その透明導電膜の材料としては酸
化インジウム（Ｉｎｎ’ｓ）に酸化すず（Ｓｎｕｇ）を
含有させて電気抵抗を低減させたいわゆるＩＴＯ（菫ｎ
ｄｌｕｍ Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）が使われていた。しか
しこのような材料からなる透明導電膜は電極機能として
は満足であるが、光の反射防止膜としては不充分であっ
た。
変換領域とする光起電力素子の光の入射側の電極には透
明Ｒ電膜が用いられ、その透明導電膜の材料としては酸
化インジウム（Ｉｎｎ’ｓ）に酸化すず（Ｓｎｕｇ）を
含有させて電気抵抗を低減させたいわゆるＩＴＯ（菫ｎ
ｄｌｕｍ Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）が使われていた。しか
しこのような材料からなる透明導電膜は電極機能として
は満足であるが、光の反射防止膜としては不充分であっ
た。
、本発明は、光入射側のガラス板上に被着される透明導
電膜における反射の低い光起電力素子の製造方法を提供
することを目的とする。
電膜における反射の低い光起電力素子の製造方法を提供
することを目的とする。
本発明は、低い屈折率の層から高い屈折率の層へ一人射
する場合その中間に屈折率が徐々に上がってい（層を介
在させることが反射防止に有効であるとの認識に基づき
、ガラス基板上にＳｎＯ２含有量が段階的に低くされた
複数のＩＴＯ３発源を順次用いて多層の透明導電膜を蒸
着したのちその上に半導体薄膜を積層することによって
上記の目的を達成する。 【発明の実施例］ 第１図は本発明の一実施例により製造されたａ−Ｓｔ光
起電力素子を示し、ガラス基板１の上にまず５ｎＯｚ
５重量％含有のＩｎ１０３を収容した蒸発源を用いて真
空蒸着して第一の透明導電膜２を形成したのち、Ｓｎｕ
ｇ含有量２〜３重量％のＩｎｘ０３タブレフトを蒸発源
に収容して第二の透明導電膜３を形成する。そら上に従
来と同様、例えば基板、側からｐ−１−ｎを事するａで
５ＩＦＪ ４を成長させる。ガラス゛の屈折率は１．５
、Ｓｌの屈折率は３．４〜３．９であり、第２図に郵す
′ように３１１０！ ５重量％のＩＴＯは屈折率１．７
、Ｓｎｕｇ ２〜３重量％のＩＴＯは屈折率１．９で
あるから、ガラス基板１と半導体Ｎ４の間に屈折率が次
第に高くなる透明導電膜が形成され、ガラス基板側から
の入射光５に対する反射防止がよ（なる、。 さらに本発明は別の効果を生ずる。 Ｉｎｋｓ中のＳｎ
Ｏ□含有量を低減させていくと、５重量％では蒸着結晶
の平均粒径が１０００〜１２００人であったものが、２
重層％では６００〜８００人と小さくなり、第３図に示
すようにガラス基板１側で粗く、ａ−５ｉ層４側で密な
膜となる。粗い透明導電膜２の上に直接、例えば厚さ
１ｏｏ 〜ｔｏｏｏ人の薄いｐ型ａ −５ｔａｔｔを堆
積すると、第４図に示すように島状に形成されるが、密
な透明導電膜３の上にｐ型ａ −５！膜４１を堆積する
場合には第３図に示すように透明導電膜の全面を被覆し
、その上のａ−５ｉ膜１層４２あるいは図示しないその
上の２ｎ層と共に形成されるｐ−１’ −ｎ構造と透明
導電膜の間に健全な接合が生ずる。−ガラス基板１の上
に５ｎＯＨ含有量の低い密な透明導電膜の単層のみを形
成することは、膜の抵抗を高めるため不可能であるから
本発明により形成される多層透明導電膜は極めて有効で
ある。 【発明の効果］ 本発明は光起電力素子のガラス基板上に光入射側電極と
して形成されるＩＴＯからなる透明導電膜を、従来の単
−組成薫発源を用いた連続蒸着でなく 、ＳｎＯ２含有
量が減少していく複数の蒸発源を用いて段階的に５ｆｉ
Ｏ１含存置の異なる多層膜として形成するもので、入射
光の反射防止が向上するほかに透明導電膜表面が緻密に
なり、その上に形成される半ぶ体Ｆ４膜との間に健全な
接合が得られて光起電力素子の光電流値の向上とともに
電圧値も向上するので得られる効果は極めて大きい。
する場合その中間に屈折率が徐々に上がってい（層を介
在させることが反射防止に有効であるとの認識に基づき
、ガラス基板上にＳｎＯ２含有量が段階的に低くされた
複数のＩＴＯ３発源を順次用いて多層の透明導電膜を蒸
着したのちその上に半導体薄膜を積層することによって
上記の目的を達成する。 【発明の実施例］ 第１図は本発明の一実施例により製造されたａ−Ｓｔ光
起電力素子を示し、ガラス基板１の上にまず５ｎＯｚ
５重量％含有のＩｎ１０３を収容した蒸発源を用いて真
空蒸着して第一の透明導電膜２を形成したのち、Ｓｎｕ
ｇ含有量２〜３重量％のＩｎｘ０３タブレフトを蒸発源
に収容して第二の透明導電膜３を形成する。そら上に従
来と同様、例えば基板、側からｐ−１−ｎを事するａで
５ＩＦＪ ４を成長させる。ガラス゛の屈折率は１．５
、Ｓｌの屈折率は３．４〜３．９であり、第２図に郵す
′ように３１１０！ ５重量％のＩＴＯは屈折率１．７
、Ｓｎｕｇ ２〜３重量％のＩＴＯは屈折率１．９で
あるから、ガラス基板１と半導体Ｎ４の間に屈折率が次
第に高くなる透明導電膜が形成され、ガラス基板側から
の入射光５に対する反射防止がよ（なる、。 さらに本発明は別の効果を生ずる。 Ｉｎｋｓ中のＳｎ
Ｏ□含有量を低減させていくと、５重量％では蒸着結晶
の平均粒径が１０００〜１２００人であったものが、２
重層％では６００〜８００人と小さくなり、第３図に示
すようにガラス基板１側で粗く、ａ−５ｉ層４側で密な
膜となる。粗い透明導電膜２の上に直接、例えば厚さ
１ｏｏ 〜ｔｏｏｏ人の薄いｐ型ａ −５ｔａｔｔを堆
積すると、第４図に示すように島状に形成されるが、密
な透明導電膜３の上にｐ型ａ −５！膜４１を堆積する
場合には第３図に示すように透明導電膜の全面を被覆し
、その上のａ−５ｉ膜１層４２あるいは図示しないその
上の２ｎ層と共に形成されるｐ−１’ −ｎ構造と透明
導電膜の間に健全な接合が生ずる。−ガラス基板１の上
に５ｎＯＨ含有量の低い密な透明導電膜の単層のみを形
成することは、膜の抵抗を高めるため不可能であるから
本発明により形成される多層透明導電膜は極めて有効で
ある。 【発明の効果］ 本発明は光起電力素子のガラス基板上に光入射側電極と
して形成されるＩＴＯからなる透明導電膜を、従来の単
−組成薫発源を用いた連続蒸着でなく 、ＳｎＯ２含有
量が減少していく複数の蒸発源を用いて段階的に５ｆｉ
Ｏ１含存置の異なる多層膜として形成するもので、入射
光の反射防止が向上するほかに透明導電膜表面が緻密に
なり、その上に形成される半ぶ体Ｆ４膜との間に健全な
接合が得られて光起電力素子の光電流値の向上とともに
電圧値も向上するので得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例により得られる光起電力素子
の概念的断面図、第２図はＩＴＯ中のＳｎＯヨ含有量と
屈折率との関係線図、第３図は本発明によって生ずる積
層の概念的拡大断面図、第４図は従来法によって生ずる
積層の概念的拡大断面図である。 １ニガラス基板、 ２：高ＳｎＯ□濃度ＩＴＯＩ！Ｉ。 ３：低５ｎＯｔｔ１１度Ｉ ＴＯＷＡ１４ ： ａ−ｓ
ｔ！、５：入射光。 第１図 第２図 第３ｆｆｉ 第４図
の概念的断面図、第２図はＩＴＯ中のＳｎＯヨ含有量と
屈折率との関係線図、第３図は本発明によって生ずる積
層の概念的拡大断面図、第４図は従来法によって生ずる
積層の概念的拡大断面図である。 １ニガラス基板、 ２：高ＳｎＯ□濃度ＩＴＯＩ！Ｉ。 ３：低５ｎＯｔｔ１１度Ｉ ＴＯＷＡ１４ ： ａ−ｓ
ｔ！、５：入射光。 第１図 第２図 第３ｆｆｉ 第４図
Claims (1)
- １）ガラス基板上に光入射側電極としての透明導電膜、
光起電力発生領域としての半導体薄膜を順次積層するに
際し、ガラス基板上にＳｎＯ＿２含有量が段階的に低く
された複数のＩＴＯ蒸発源を順次用いて多層の透明導電
膜を蒸着したのちその上に半導体薄膜を積層することを
特徴とする光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263449A JPS61141185A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263449A JPS61141185A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141185A true JPS61141185A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17389663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263449A Pending JPS61141185A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141185A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102721A (en) * | 1987-08-31 | 1992-04-07 | Solarex Corporation | Textured tin oxide |
| WO2005050266A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-06-02 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Substrate with refractive index matching |
| EP0969518A3 (en) * | 1998-06-30 | 2005-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
| WO2008024206A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
| JP2009505941A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | ピルキングトン・グループ・リミテッド | 太陽電池に用いられる光線透過率を最適化する被覆されたガラス物品及びその製造方法 |
| WO2008112056A3 (en) * | 2007-03-14 | 2009-04-16 | Guardian Industries | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| JP2010525574A (ja) * | 2007-04-20 | 2010-07-22 | クリー， インコーポレイティッド | 担体基板を有する発光ダイオード上の透過性オーム接点 |
| WO2011143404A3 (en) * | 2010-05-13 | 2012-10-18 | First Solar, Inc | Photovotaic device conducting layer |
| JP2012530378A (ja) * | 2009-06-16 | 2012-11-29 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN107039542A (zh) * | 2016-01-14 | 2017-08-11 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池 |
| WO2019119788A1 (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 薄膜组件及其制备方法、包括薄膜组件的异质结电池 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263449A patent/JPS61141185A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102721A (en) * | 1987-08-31 | 1992-04-07 | Solarex Corporation | Textured tin oxide |
| EP0969518A3 (en) * | 1998-06-30 | 2005-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
| WO2005050266A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-06-02 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Substrate with refractive index matching |
| JP2009505941A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | ピルキングトン・グループ・リミテッド | 太陽電池に用いられる光線透過率を最適化する被覆されたガラス物品及びその製造方法 |
| WO2008024206A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
| WO2008112056A3 (en) * | 2007-03-14 | 2009-04-16 | Guardian Industries | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| JP2010525574A (ja) * | 2007-04-20 | 2010-07-22 | クリー， インコーポレイティッド | 担体基板を有する発光ダイオード上の透過性オーム接点 |
| JP2012530378A (ja) * | 2009-06-16 | 2012-11-29 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法 |
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| WO2019119788A1 (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 薄膜组件及其制备方法、包括薄膜组件的异质结电池 |
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