JPS5976482A - 光電変換半導体装置の作製方法 - Google Patents
光電変換半導体装置の作製方法Info
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- JPS5976482A JPS5976482A JP57188056A JP18805682A JPS5976482A JP S5976482 A JPS5976482 A JP S5976482A JP 57188056 A JP57188056 A JP 57188056A JP 18805682 A JP18805682 A JP 18805682A JP S5976482 A JPS5976482 A JP S5976482A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は透光性絶縁基板上に第１の透光性導電膜よシ
なる第１の電極と、該電極上の少なくとも１つめＰ工Ｎ
またはＰＮ接合を有する光起電力発生用の非単結晶半導
体と、該半導体のＮ型半導体層上に５０ＣＰＳ−９００
Ａ好ましくは６０ト８００λの厚さを有する第２の透光
性導電膜（以下単Ｋ ＯＴＰという）と、該股上に金属
層よりなる第２の電極を設け、この絶縁基板クリより入
射した光の特Ｋ ５０ド００讐ｍの波長の光を裏面のＯ
ＴＦおよびその上の金属によシ反射揖゛シて、入射光代
表的には太陽光の長波を成分に対して有効に利用せんと
するものである。
なる第１の電極と、該電極上の少なくとも１つめＰ工Ｎ
またはＰＮ接合を有する光起電力発生用の非単結晶半導
体と、該半導体のＮ型半導体層上に５０ＣＰＳ−９００
Ａ好ましくは６０ト８００λの厚さを有する第２の透光
性導電膜（以下単Ｋ ＯＴＰという）と、該股上に金属
層よりなる第２の電極を設け、この絶縁基板クリより入
射した光の特Ｋ ５０ド００讐ｍの波長の光を裏面のＯ
ＴＦおよびその上の金属によシ反射揖゛シて、入射光代
表的には太陽光の長波を成分に対して有効に利用せんと
するものである。
この発明はかくの如き裏面の反射を５ｏドｏ ＯＹｍの
波長の光をさらＫも（極的に用いるに加えて、Ｎ型半導
体層に相性のよい酸化スズを１０重量％（以下学に％と
いう）以下添加した酸化インジューム（以下単に工Ｔｏ
という）を形成した状態で透光性導電性を有する被膜を
構成せしめ、かつその際下地の非単結晶半導体層を損傷
することのないようＫ ３００’Ｏ以下の温度の電子ビ
ーム法により、５０ ト９００大好ましくは６０ ト８
００大の厚さに形成し、さらにその上面に低価格のアル
ミニュームを蒸着することによシ、裏面での反射を積極
的に用い、ひいては光電変換装置としての変換効率をさ
らに従来の方法に比べて２０−３０％高めることを目的
としている。
波長の光をさらＫも（極的に用いるに加えて、Ｎ型半導
体層に相性のよい酸化スズを１０重量％（以下学に％と
いう）以下添加した酸化インジューム（以下単に工Ｔｏ
という）を形成した状態で透光性導電性を有する被膜を
構成せしめ、かつその際下地の非単結晶半導体層を損傷
することのないようＫ ３００’Ｏ以下の温度の電子ビ
ーム法により、５０ ト９００大好ましくは６０ ト８
００大の厚さに形成し、さらにその上面に低価格のアル
ミニュームを蒸着することによシ、裏面での反射を積極
的に用い、ひいては光電変換装置としての変換効率をさ
らに従来の方法に比べて２０−３０％高めることを目的
としている。
本発明は光電変換装置において、裏面電極特にアルミニ
ュームと半導体層とが反応をしてしまうことにより反射
率の低下をもたらし、変換効率の低下（劣化）をまねく
のを防ぎ、高効率を有しかつ高信頼性を有せしめるため
、この反射防止用にこの間に工ＴＯをはさむことを特徴
とする。
ュームと半導体層とが反応をしてしまうことにより反射
率の低下をもたらし、変換効率の低下（劣化）をまねく
のを防ぎ、高効率を有しかつ高信頼性を有せしめるため
、この反射防止用にこの間に工ＴＯをはさむことを特徴
とする。
従来非単結晶半導体％にアモルファス半導体を用いた光
電変換装置においては、第１図にそのたて断面図を示し
である構造が用いられていた。
電変換装置においては、第１図にそのたて断面図を示し
である構造が用いられていた。
即ち第１図（Ａ）においては、ガラス基板（１）、その
上面に酸化スズ膜０ＣＴＦ 、さらＫＰ工Ｎ接合捷たは
Ｐ工ＮＰＩＮＩＩＩＩＩＩＩＩＰＩＮを有するＳ ｉ＋
８ ｉ ｘＣ＋−ｘ−Ｓ’ ＋ または８１ｘＯ，−
−Ｅｌｉ−ｆｉｉｘＧｅ、−４構造を有する非単結晶半
導体さらにその上面に裏面電極（８）が真空蒸着法で作
られている。
上面に酸化スズ膜０ＣＴＦ 、さらＫＰ工Ｎ接合捷たは
Ｐ工ＮＰＩＮＩＩＩＩＩＩＩＩＰＩＮを有するＳ ｉ＋
８ ｉ ｘＣ＋−ｘ−Ｓ’ ＋ または８１ｘＯ，−
−Ｅｌｉ−ｆｉｉｘＧｅ、−４構造を有する非単結晶半
導体さらにその上面に裏面電極（８）が真空蒸着法で作
られている。
しかしこの裏面電極は一般ＫＶルミニュームよすなって
おり、それは低価格であシ、半導体層と真空蒸着をする
のみでオーム接触を形成させることができるという理由
による。
おり、それは低価格であシ、半導体層と真空蒸着をする
のみでオーム接触を形成させることができるという理由
による。
かかる構造において、裏面での反射を調べるため、定エ
ネルギ分光器を用い、入射ブ’Ｃ（１０）の波長を変え
、反射光（１ｄ）を調べた。その結果が第３図に示され
ている。
ネルギ分光器を用い、入射ブ’Ｃ（１０）の波長を変え
、反射光（１ｄ）を調べた。その結果が第３図に示され
ている。
第３図においてα′４は裏面にアルミニュームを真空蒸
着をした直後の特性であυ、’７００−８００ｍｍの波
長に対しては十分な反射をするが、太陽光の最も有効な
波長領域即ち５００−６００ｆ２ｍ Ｋ対しては、修ず
しも十分ではな（、ｈ２０％と反射がほとんどされず、
大部分は裏面電極に到達した時、熱に変わってしまい、
光電変換装置の昇温に寄与するのみであった。
着をした直後の特性であυ、’７００−８００ｍｍの波
長に対しては十分な反射をするが、太陽光の最も有効な
波長領域即ち５００−６００ｆ２ｍ Ｋ対しては、修ず
しも十分ではな（、ｈ２０％と反射がほとんどされず、
大部分は裏面電極に到達した時、熱に変わってしまい、
光電変換装置の昇温に寄与するのみであった。
さらに重要なことは、これを１５０’０２４時間放置し
た場合、この特性θ埠は０）となシ、６００−８００９
ｍにおいても反射がほとんどなくなってしまうことがわ
かった。これは信頼性低下を誘発する大きな要因であシ
、この劣化を除去することは太陽光に照射される長期偵
用の保証としてきわめて重要である。
た場合、この特性θ埠は０）となシ、６００−８００９
ｍにおいても反射がほとんどなくなってしまうことがわ
かった。これは信頼性低下を誘発する大きな要因であシ
、この劣化を除去することは太陽光に照射される長期偵
用の保証としてきわめて重要である。
かかる点を解決するため、第２図（４）において裏面電
極として銀を用いた。するととの銀電極（４）の反射（
１０）は第３図曲線０υに示される。５００−６００Ｖ
ｍの反射が〜１０％とアルミニュームと同程度Ｙカ）￥
）い。しかし７００−８００Ｑｍ付近ではアルミニュー
ムよシ反射を有している。しかし７ｏｏｈ （１，７７
ｅＶ）〜ｓｏｏｉｍ ０．５５ｅＶ）はエネルギバンド
巾（１，ｓｅ巧においては光電変換をすることがなく、
波長領域での反射が好ましい事が例の特徴にもならない
。゛しかし２５０’Ｃ２４時間放置試験においては、曲
線０１はｄと劣化しない傾向を有し、この面では高価な
材料であるが、信頼性上は特に問題はなさそうである。
極として銀を用いた。するととの銀電極（４）の反射（
１０）は第３図曲線０υに示される。５００−６００Ｖ
ｍの反射が〜１０％とアルミニュームと同程度Ｙカ）￥
）い。しかし７００−８００Ｑｍ付近ではアルミニュー
ムよシ反射を有している。しかし７ｏｏｈ （１，７７
ｅＶ）〜ｓｏｏｉｍ ０．５５ｅＶ）はエネルギバンド
巾（１，ｓｅ巧においては光電変換をすることがなく、
波長領域での反射が好ましい事が例の特徴にもならない
。゛しかし２５０’Ｃ２４時間放置試験においては、曲
線０１はｄと劣化しない傾向を有し、この面では高価な
材料であるが、信頼性上は特に問題はなさそうである。
また第１図（Ｂ）の構造は半導体（３）の裏面に全く何
も形成しない場合である。この場合の反射光（１０）は
第３図曲線０υおよび１５０°Ｃ２４時間経過テストに
て０υを有しておｆｉ、５０８００￥ｍの光を十分透過
してしまうことが判明した。
も形成しない場合である。この場合の反射光（１０）は
第３図曲線０υおよび１５０°Ｃ２４時間経過テストに
て０υを有しておｆｉ、５０８００￥ｍの光を十分透過
してしまうことが判明した。
さらに第１図（Ｃ）は半導体（３）の裏面ＶＣ５００−
９０ｏ’Ｆｉ議好ましくは６ｏ トｓｏｏＷｍ Ｃ厚さ
のＯＴ？特に工ＴＯをＮ型半導体層上に形成したもので
ある。この場合の特性は第４図αＱＫ示す。太陽光の電
気変換に重要な５ｏｏ−（ｏｏｉｍ においては、反射
は１５チになる。
９０ｏ’Ｆｉ議好ましくは６ｏ トｓｏｏＷｍ Ｃ厚さ
のＯＴ？特に工ＴＯをＮ型半導体層上に形成したもので
ある。この場合の特性は第４図αＱＫ示す。太陽光の電
気変換に重要な５ｏｏ−（ｏｏｉｍ においては、反射
は１５チになる。
十分でないことがわかる。信頼性上はぐ→が０４となる
のみで十分安定であった。
のみで十分安定であった。
以上の従来の技術の前提によっては、光電変換装置とじ
１はこれら第１図（４）〜（０）のいずれもが長波長光
を有効に利用して光−電気変換を行なうには十分でない
ことが判明した。
１はこれら第１図（４）〜（０）のいずれもが長波長光
を有効に利用して光−電気変換を行なうには十分でない
ことが判明した。
これらを前提に低価格であり、高信頼性を保証し、さら
に半導体のＥｇ （１，８ｅηよシも大きいエネルギの
光行ｖｃ ５００−Ｊ７００”；１ｍにおいては十分な
反射を行せるために本発明はなされたものである。
に半導体のＥｇ （１，８ｅηよシも大きいエネルギの
光行ｖｃ ５００−Ｊ７００”；１ｍにおいては十分な
反射を行せるために本発明はなされたものである。
第２図（Ａ）はそのｆｃ又明断面図示す。
図面において、透光性基板（１）を例えばガラスによシ
設け、その上面に酸化スズを主成分とする第１のＣＴＦ
を１〔空蒸着法またはプラズマ気相法によ単結晶半導体
と接する面に酸化スズ＜ｃｙ化ア／チモンが１０−以下
添加される）を用いた。この厚さは、この表面での反射
を少なくするため、５００−９００大の厚さにした。さ
らにこのＯＴＦを工Ｔ （）−６ｎ ０Ｚ−Ｐ−Ｆｌ
ｉ ｘＯ識いう多重構造としてもよい。
設け、その上面に酸化スズを主成分とする第１のＣＴＦ
を１〔空蒸着法またはプラズマ気相法によ単結晶半導体
と接する面に酸化スズ＜ｃｙ化ア／チモンが１０−以下
添加される）を用いた。この厚さは、この表面での反射
を少なくするため、５００−９００大の厚さにした。さ
らにこのＯＴＦを工Ｔ （）−６ｎ ０Ｚ−Ｐ−Ｆｌ
ｉ ｘＯ識いう多重構造としてもよい。
さらにこの上面の非単結晶中ψ体層（３）はＰ＾Ｖ半導
体、工型半導体およびＮ型半導体をＰ工Ｎ接合を構成す
る尤うに設け、上面をＮ型の非単結晶半導体とした。こ
の非単結晶半導体としてＰＩＮ’ＰＩＩＪ−φ・Ｐ工Ｎ
とタンデム構造としてもよいＯ かかる非単結晶中バＩ体は３５０°Ｃ以下の温度でＣシ
ラン、Ｓｉ％ＳｉＦ、を用いてプラズマ気相法（圧力０
．０ｌ−Ｊｏ、 ２ｔｏｒｒ、高周波出力１〜５Ｗ （
１３，５６ＭＨ２））により、または３００−５００’
Ｏでのｓ ｉ、ＪＱ用いた減圧気相法（圧力０．１〜５
ｔｏｒｒ）Ｋよシ形成したＯするとこの非単結晶半２ｉ
す体中には水素をゼ）結合中心中和用に１〜１０原子チ
含有し、それは３５０″Ｏ以上の温度で放出され、劣化
現象かおき１しまうため、さらにこの半導体部のＮ型半
導体層上には３００’Ｏ以下の温度シζて酸化スズが１
０重量係以下添加された酸化インジュームαＴｏ）を主
成分とするＣＴＦを５０ト伺０λの厚さ好１しくはｅ
ｏ トｓ ｏ ｏＡのノワさに電子ビーム蒸着法１（よ
シ形成した。
体、工型半導体およびＮ型半導体をＰ工Ｎ接合を構成す
る尤うに設け、上面をＮ型の非単結晶半導体とした。こ
の非単結晶半導体としてＰＩＮ’ＰＩＩＪ−φ・Ｐ工Ｎ
とタンデム構造としてもよいＯ かかる非単結晶中バＩ体は３５０°Ｃ以下の温度でＣシ
ラン、Ｓｉ％ＳｉＦ、を用いてプラズマ気相法（圧力０
．０ｌ−Ｊｏ、 ２ｔｏｒｒ、高周波出力１〜５Ｗ （
１３，５６ＭＨ２））により、または３００−５００’
Ｏでのｓ ｉ、ＪＱ用いた減圧気相法（圧力０．１〜５
ｔｏｒｒ）Ｋよシ形成したＯするとこの非単結晶半２ｉ
す体中には水素をゼ）結合中心中和用に１〜１０原子チ
含有し、それは３５０″Ｏ以上の温度で放出され、劣化
現象かおき１しまうため、さらにこの半導体部のＮ型半
導体層上には３００’Ｏ以下の温度シζて酸化スズが１
０重量係以下添加された酸化インジュームαＴｏ）を主
成分とするＣＴＦを５０ト伺０λの厚さ好１しくはｅ
ｏ トｓ ｏ ｏＡのノワさに電子ビーム蒸着法１（よ
シ形成した。
このＯＴＦは工Ｔｏであシ、かつ電子ビーム蒸着法を用
いているため、この工程の後１００’Ｏ以上の温度にて
加熱形成する必要がなく、３００’Ｃ以上のペーク工程
を必要とするため、ＣＶＤ法、スパッタ法スプレー法等
の本発明方法において用いることが不可能であった。
いているため、この工程の後１００’Ｏ以上の温度にて
加熱形成する必要がなく、３００’Ｃ以上のペーク工程
を必要とするため、ＣＶＤ法、スパッタ法スプレー法等
の本発明方法において用いることが不可能であった。
さらに電子ビーム蒸着法においても、Ｎ型半導体層と相
性のよい、即ち再結合■流を丈敷六（月工Ｔｏを用いる
ことにより、このＮ型半導体層の厚さを従来よシ知られ
た２ ００−５００＾では々＜、１５０同時に行なうと
、このリンが工ＴＯとＮ型半導体層との間のオーム接触
性を高め、さらに工ＴＯのシート抵抗を透光性を損なう
ことなく１ｍシ％にまで下けることができた。
性のよい、即ち再結合■流を丈敷六（月工Ｔｏを用いる
ことにより、このＮ型半導体層の厚さを従来よシ知られ
た２ ００−５００＾では々＜、１５０同時に行なうと
、このリンが工ＴＯとＮ型半導体層との間のオーム接触
性を高め、さらに工ＴＯのシート抵抗を透光性を損なう
ことなく１ｍシ％にまで下けることができた。
かくの如くにしてＯＴＦを形成した後、この上面に真望
蒸着法またはＣＶＤ法によシ低価格祠料であるアルミニ
ューム（６）を０．１〜２ｐＣ厚さに形成させた。真空
蒸着は抵抗加熱または電子ビーム蒸着を用いた。ＣＶＤ
法はＡｌ （（ｌＪ９．ｉ ２０トー３００′ＯＫ加熱
して０、１〜１０ｔＯｒｒの減圧ＣＶＤ法まりは室温〜
１００°Ｃでのプラズマ気相法を用いて形成させた０ かくの如くして第２図（Ａ）の入射光（１ｏ）Ｋ対し、
反射光００）の特性を第４図０４１０→に示す０曲線α
→は８００λのＣＴＦを形成し７上場合であシ、曲線０
→は７００人のＯＴＦを形成した場合である。波長４５
ｏ−ｅ ｏ Ｏ＆ｍ Ｋおい１．２ト４０９１Ｓ （７
，：反射な有し、ＣＴＦを形成しない場合の？￥！、３
図曲憩（図面ときわめて大きな差を有している。さらＫ
６００−７００”；ｍにおいても、４６−８０チの反
射を有し、室温の反射の波長保存性を考慮した時、そｄ
輛効果は光重変換効率の向上に十分期待できる。
蒸着法またはＣＶＤ法によシ低価格祠料であるアルミニ
ューム（６）を０．１〜２ｐＣ厚さに形成させた。真空
蒸着は抵抗加熱または電子ビーム蒸着を用いた。ＣＶＤ
法はＡｌ （（ｌＪ９．ｉ ２０トー３００′ＯＫ加熱
して０、１〜１０ｔＯｒｒの減圧ＣＶＤ法まりは室温〜
１００°Ｃでのプラズマ気相法を用いて形成させた０ かくの如くして第２図（Ａ）の入射光（１ｏ）Ｋ対し、
反射光００）の特性を第４図０４１０→に示す０曲線α
→は８００λのＣＴＦを形成し７上場合であシ、曲線０
→は７００人のＯＴＦを形成した場合である。波長４５
ｏ−ｅ ｏ Ｏ＆ｍ Ｋおい１．２ト４０９１Ｓ （７
，：反射な有し、ＣＴＦを形成しない場合の？￥！、３
図曲憩（図面ときわめて大きな差を有している。さらＫ
６００−７００”；ｍにおいても、４６−８０チの反
射を有し、室温の反射の波長保存性を考慮した時、そｄ
輛効果は光重変換効率の向上に十分期待できる。
さらにこれらを１５０°０２４時間放簡しても、それ偵
１ ぞれ０．ヤけ（１４、（１９は０？Ｉと￥の範囲での変
化しか観察されず、ＣＴＰがアルミニュームとシリコン
との反応の防止に役立っていることがわかる。
１ ぞれ０．ヤけ（１４、（１９は０？Ｉと￥の範囲での変
化しか観察されず、ＣＴＰがアルミニュームとシリコン
との反応の防止に役立っていることがわかる。
さらに本発明構造（第２図（４））を用いて光電変換装
置を作製した場合の特性を以下に示す。
置を作製した場合の特性を以下に示す。
構造は前記した如くガラス基板（１）上Ｋ ｓｎｏ、（
２５ｒｙｏ）を７００４ Ｆ３１ＸＯｔ−４（Ｘ ＝０
．８）のＰ型半導体１００人プラズマ気相法によるシリ
コン■型半導体４０００Ａ（ａＴｔのある場合）〜５０
００＾（ａＴＦｃない場合）、Ｎ型シリコン半導体１０
０ｉよシなる１つのＰ工Ｎ接合を有する半導体（３）、
工ＴｏよυなるＣＴＦ （５）、７００極により設けた
。
２５ｒｙｏ）を７００４ Ｆ３１ＸＯｔ−４（Ｘ ＝０
．８）のＰ型半導体１００人プラズマ気相法によるシリ
コン■型半導体４０００Ａ（ａＴｔのある場合）〜５０
００＾（ａＴＦｃない場合）、Ｎ型シリコン半導体１０
０ｉよシなる１つのＰ工Ｎ接合を有する半導体（３）、
工ＴｏよυなるＣＴＦ （５）、７００極により設けた
。
条件 従来例 裏面工Ｔ。
マＯＯＡ ８００Ａ
注 第１図ＣＡ）の構造 第２図（Ａ）の構造Ｔｏ
ｅ ０．８７Ｔｒ ０．９０
７ ０．９０ｖＩｓｃ １５゜ＩＶｎ４１０ｎ
１’ｉ’、５ＴｎＶＣｍ’″１８゜２ｍＡ７’ｃｍ
’ＦＦ Ｏ，６２０，６５０，６４効率
８．１４ ！／、 １０．３°
八 １０．５０／ｈなお上記は真性面積１ｃｍ” （
３，５ｃｍＸ３ｍ坤とした。
ｅ ０．８７Ｔｒ ０．９０
７ ０．９０ｖＩｓｃ １５゜ＩＶｎ４１０ｎ
１’ｉ’、５ＴｎＶＣｍ’″１８゜２ｍＡ７’ｃｍ
’ＦＦ Ｏ，６２０，６５０，６４効率
８．１４ ！／、 １０．３°
八 １０．５０／ｈなお上記は真性面積１ｃｍ” （
３，５ｃｍＸ３ｍ坤とした。
Ｖｏｃ開放電圧、工８０短結電流、ＦＦ曲線因子、効率
ＡＭ１ （１’ＯＯｍＷ／ｃ ｍつの太陽光に対する電
気笈換効率である。
ＡＭ１ （１’ＯＯｍＷ／ｃ ｍつの太陽光に対する電
気笈換効率である。
以上の点から、本発明においては裏面のｒｌ型半導体層
上に６０ ＮＯＯλの工Ｔｏよりなる（３ＴＦを形成し
、５０ドｏｏＬの光の反射光特性をさらに有効に利用す
ることによシ変換効率を約４向上させることが明らかに
なった。さらに裏面電極として単Ｋ ＡＮ、 Ａ’！’
を形成させてもこれらの向上がみられる。加えて一般に
用いられているＡＩＫ対しては本発明構造とすることに
よシ初めて高信頼性特性を保証できることが判明し、工
業的な価値大なるものである。
上に６０ ＮＯＯλの工Ｔｏよりなる（３ＴＦを形成し
、５０ドｏｏＬの光の反射光特性をさらに有効に利用す
ることによシ変換効率を約４向上させることが明らかに
なった。さらに裏面電極として単Ｋ ＡＮ、 Ａ’！’
を形成させてもこれらの向上がみられる。加えて一般に
用いられているＡＩＫ対しては本発明構造とすることに
よシ初めて高信頼性特性を保証できることが判明し、工
業的な価値大なるものである。
第２図（Ｂ）は本発明を用いた他の構造を示す。
即ち透光性絶縁基板（ガラス） （１）、この上の第１
のＯＴＦ （２）、非単結晶半導体、第２のＯＴＦ （
５）、裏面電極（６）、さらにこれらのすべてをおおっ
た５００〜２０００＾の厚さの窒化珪素膜０１）、さら
に１１防止機械損傷防止のためのＹドラ−、エポキシ等
の透明樹脂（８）よシなっている。この上面にガラスを
合わせたザンドウィッチ構造としてもよい。
のＯＴＦ （２）、非単結晶半導体、第２のＯＴＦ （
５）、裏面電極（６）、さらにこれらのすべてをおおっ
た５００〜２０００＾の厚さの窒化珪素膜０１）、さら
に１１防止機械損傷防止のためのＹドラ−、エポキシ等
の透明樹脂（８）よシなっている。この上面にガラスを
合わせたザンドウィッチ構造としてもよい。
以上の構造において、複数のヤη−＜；４（１のを直列
に連結し、高い電圧を出させたものである。
に連結し、高い電圧を出させたものである。
かかる集積化構造においても、第２図（４）と同様の特
性を有せしめることができた。さらに窒化珪素（７）で
おおうことによシ、耐湿性での高信頼性を保証できるた
め、本発明構造によシ裏面電極での耐熱性の保証に加え
て高信頼性への寄与大であった０
性を有せしめることができた。さらに窒化珪素（７）で
おおうことによシ、耐湿性での高信頼性を保証できるた
め、本発明構造によシ裏面電極での耐熱性の保証に加え
て高信頼性への寄与大であった０
第１図は従来の光電変換装置のたて断面図である。
第２図は本発明構造の光電変換装流のたて断面図を示す
。 第３図は第１図の構造によって得られた波長−反射率特
性を示す。 第４図は第１図第２図の構造によって得られた他の波長
−反射率特性を示す。 ′１゛」・・１出１・１１人
。 第３図は第１図の構造によって得られた波長−反射率特
性を示す。 第４図は第１図第２図の構造によって得られた他の波長
−反射率特性を示す。 ′１゛」・・１出１・１１人
Claims (1)
- １、透光性基板と該基板上の透光性導電膜よシなる第１
の電極と、該電極上の少なくとも１つのＰ工Ｎまたはｐ
ｉ接合を有する光起電力発生用の非単結晶半導体と、該
半導体上に第２の温度での減圧気相法によシ、前記非単
結晶半導体層であってかつ該半導体層の上ＫＮ型の非単
結晶半導体層を形成させる工程と、該Ｎ型半導体層上に
電子ビーム゛蒸着法によシ３００’Ｏ以下の温度にて酸
化スズが１０重量％以下添加された酸化インジュームを
主成分とする透光性導電膜を５００−９００入の厚さに
形成させる工程と、該工程の後、前記透光性導電膜上Ｋ
ｔ。。ｂ以下の温度にて金属膜を形成する工程とを有す
ることを特徴とする光電変換半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188056A JPS5976482A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光電変換半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188056A JPS5976482A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光電変換半導体装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976482A true JPS5976482A (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=16216912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188056A Pending JPS5976482A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 光電変換半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976482A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010068004A (ja) * | 2009-12-21 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2010118703A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57188056A patent/JPS5976482A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010068004A (ja) * | 2009-12-21 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2010118703A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
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