JPS6135569A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPS6135569A JPS6135569A JP59155240A JP15524084A JPS6135569A JP S6135569 A JPS6135569 A JP S6135569A JP 59155240 A JP59155240 A JP 59155240A JP 15524084 A JP15524084 A JP 15524084A JP S6135569 A JPS6135569 A JP S6135569A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光起電力装置に係り、特に高効率の太陽光発電
に好適な光起電力装置に関する。
に好適な光起電力装置に関する。
従来の太陽光発電用の光起電力装置の例としては結晶シ
リコンやＧａＡｓ等の■族、ｍ−ｖ族材料を用いたもの
がある（Ｕｄａ ｅｔ、ｎｌ、”Ａｌｌ ５ｃｒｅｅｎ
Ｐｒｉｎｔｅｄ ＣｄＳ／ＣｄＴｏ ５ｏｌａｒ Ｃｅ
１ｌ”（Ｐｒｏｃ、ｏｆ １６ｔｈＩＥＥＥ！ Ｐｈｏ
’ｔｏ−Ｖｏｌｔａｉｃ ５ｐｅｃｉａｌｉｓｔ Ｃｏ
ｎｆ、、 １９８２゜Ｐ８０１〜８０４）参照）、これ
らは光電変換効率も１０〜２０％と高く、優れた特性を
持っているが、単結晶や多結晶のインゴットからウェハ
ー状に切断、加工して用いるための製造コストが高く、
低価格化に限界があると考えられている。これらの欠点
を改良するため例えは溶融シリコンから直接シリコン結
晶板を引・上げる方法も研究されているが、不純物の混
入等で上述の様な高効率の光起電力装置は出来ていない
。
リコンやＧａＡｓ等の■族、ｍ−ｖ族材料を用いたもの
がある（Ｕｄａ ｅｔ、ｎｌ、”Ａｌｌ ５ｃｒｅｅｎ
Ｐｒｉｎｔｅｄ ＣｄＳ／ＣｄＴｏ ５ｏｌａｒ Ｃｅ
１ｌ”（Ｐｒｏｃ、ｏｆ １６ｔｈＩＥＥＥ！ Ｐｈｏ
’ｔｏ−Ｖｏｌｔａｉｃ ５ｐｅｃｉａｌｉｓｔ Ｃｏ
ｎｆ、、 １９８２゜Ｐ８０１〜８０４）参照）、これ
らは光電変換効率も１０〜２０％と高く、優れた特性を
持っているが、単結晶や多結晶のインゴットからウェハ
ー状に切断、加工して用いるための製造コストが高く、
低価格化に限界があると考えられている。これらの欠点
を改良するため例えは溶融シリコンから直接シリコン結
晶板を引・上げる方法も研究されているが、不純物の混
入等で上述の様な高効率の光起電力装置は出来ていない
。
他の従来の例としてアモルファスシリコンを用い光起電
力装置がある（Ｕｄａ ｅｔ、ａｌ、”Ｉ（ｉｇｈＰｅ
ｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｔａｎｄｅｍ ｔｙｐｅ
Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｏｌａｒＣｅｌｌｓ″（Ｐｒ
ｏｃ、ｏｆ １６ｔｈ ＩＵＩＥＥ Ｐｈｏｔｏｖ
ｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔ Ｃｏｎｆ、、 １
９８２．ＰＬ３３１〜１３３７） ＄照）。
力装置がある（Ｕｄａ ｅｔ、ａｌ、”Ｉ（ｉｇｈＰｅ
ｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｔａｎｄｅｍ ｔｙｐｅ
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９８２．ＰＬ３３１〜１３３７） ＄照）。
通常ガラス基板の上に透明電極としてＳｎｏｗ（酸化ス
ズ）を被着し、その上にモノシランのグロー放電分解に
より、アモルファスシリコンを堆積させる。この場合ｐ
−１−ｎ構造とするため−に、ｐ層形成時にはモノシラ
ンにジボラン衣少量混合し、形成する。またｎ５形成時
にはフォスフインを少量混合し、形成する。その後電極
としてアルミを真空蒸着法で堆積し、光起電力装置が完
成する。
ズ）を被着し、その上にモノシランのグロー放電分解に
より、アモルファスシリコンを堆積させる。この場合ｐ
−１−ｎ構造とするため−に、ｐ層形成時にはモノシラ
ンにジボラン衣少量混合し、形成する。またｎ５形成時
にはフォスフインを少量混合し、形成する。その後電極
としてアルミを真空蒸着法で堆積し、光起電力装置が完
成する。
光電変換の主体となるｉ形層のアモルファスシリコンは
その光学ギャップが１，７５ｅＶ程度で、これを用いた
上記光起電力装置の分光感度は第１図の（１）の例の様
になる。この様な構成の光起電力装置で光電変換効率９
％が得られている。第１図の（４）に示されている太陽
光のスペクトル強度分布を見て明らかな通り、アモルフ
ァスシリコン光起電力装置では６５０ｍより長波長の太
陽光成分はほとんど利用されていない、この利用されて
いない部分を活用するために、第２図のごとき構造の光
起電力装置が利用されている。すなわち、１のガラス基
板上にＳｎＯ，の透明電極２を被着し、その上に２段の
ｐ−１−ｎ形溝造を積層する（２３，２４．２５および
２６，２７．２８が各々ｐ −ｉ −ｎ構造に対応）、
この、場合２３，２４゜２５のアモルファス系から成る
第１の光起電力素子は先述のアモルファスシリコンを用
いたものと同様である。２６．２７．２８のアモルファ
ス系から成る第２の光起電力素子は７のｉ形層としてア
モルファスシリコン、ゲルマニウムを用いており、その
光学ギャップが１．４８ｅＶと狭い、そのため第１図の
（２）に示すごとく長波長側にも感度を持つ、この面光
起電力素子を第２図のごとく構成すると光が有効に利用
され、光電変換効率は１０．５％に向上すること、が判
明している。しかし、第２図の２７のアモルファスシリ
コンよりゲルマニウムの光電特性がアモルファスシリコ
ンより劣るため、第２図の構成としてもせいぜい１〜２
％の効率向上としか得られていない、そのため長波長感
度のある良値の光起電力素子開発が重要となる。最近こ
の長波□長に感度のある光起電力素子に結晶シリコンの
ｐ−ｎ接合光起電力素子を用いる方式が提案され、その
上にアモルファスシリコンｐ −ｉ −ｎ形光起電力素
子を構成することにより光電変換効率１２．５％が得ら
れている。しかしこの場合結晶シリコンのｐ−ｎ接合光
起電力素子のコスト低減が先述して特に限界があるとい
う問題があった。この部分を低価格化が可能で、かつ特
性良好な長波長に感度のある素子とするとこが必要不可
欠であった。
その光学ギャップが１，７５ｅＶ程度で、これを用いた
上記光起電力装置の分光感度は第１図の（１）の例の様
になる。この様な構成の光起電力装置で光電変換効率９
％が得られている。第１図の（４）に示されている太陽
光のスペクトル強度分布を見て明らかな通り、アモルフ
ァスシリコン光起電力装置では６５０ｍより長波長の太
陽光成分はほとんど利用されていない、この利用されて
いない部分を活用するために、第２図のごとき構造の光
起電力装置が利用されている。すなわち、１のガラス基
板上にＳｎＯ，の透明電極２を被着し、その上に２段の
ｐ−１−ｎ形溝造を積層する（２３，２４．２５および
２６，２７．２８が各々ｐ −ｉ −ｎ構造に対応）、
この、場合２３，２４゜２５のアモルファス系から成る
第１の光起電力素子は先述のアモルファスシリコンを用
いたものと同様である。２６．２７．２８のアモルファ
ス系から成る第２の光起電力素子は７のｉ形層としてア
モルファスシリコン、ゲルマニウムを用いており、その
光学ギャップが１．４８ｅＶと狭い、そのため第１図の
（２）に示すごとく長波長側にも感度を持つ、この面光
起電力素子を第２図のごとく構成すると光が有効に利用
され、光電変換効率は１０．５％に向上すること、が判
明している。しかし、第２図の２７のアモルファスシリ
コンよりゲルマニウムの光電特性がアモルファスシリコ
ンより劣るため、第２図の構成としてもせいぜい１〜２
％の効率向上としか得られていない、そのため長波長感
度のある良値の光起電力素子開発が重要となる。最近こ
の長波□長に感度のある光起電力素子に結晶シリコンの
ｐ−ｎ接合光起電力素子を用いる方式が提案され、その
上にアモルファスシリコンｐ −ｉ −ｎ形光起電力素
子を構成することにより光電変換効率１２．５％が得ら
れている。しかしこの場合結晶シリコンのｐ−ｎ接合光
起電力素子のコスト低減が先述して特に限界があるとい
う問題があった。この部分を低価格化が可能で、かつ特
性良好な長波長に感度のある素子とするとこが必要不可
欠であった。
本発明の目的は、現在まで実現されてぃなかった低価格
化が可能で、特性良好な長波長に感度のある素子を提供
し、従来のアモルファス光起電力素子と組合すことによ
り高効率で低価格化が可能な光起電力装置を実現するこ
とにある。
化が可能で、特性良好な長波長に感度のある素子を提供
し、従来のアモルファス光起電力素子と組合すことによ
り高効率で低価格化が可能な光起電力装置を実現するこ
とにある。
上記目的を達成するためには以下の要件を備えているこ
とが必要となる。低価格化が可能であるためには薄膜化
（１００μｍ程度以下）が可能であることが不可欠とな
る。またＪル板材料として安価なガラスや金属が用い得
るためには形成温度は７００℃以下であることが必要で
ある。また積層するアモルファス光起電力素子の形成温
度が２５０ｍ程度である。この装置が室温近、傍で使用
されることが多いことを考慮すると形成温度が２５０℃
以下では信頼性に問題が出る。結局、２５０℃以上、７
００℃以下で形成出来る必要がある。この様な温度範囲
で形成出来、かつ良好な特性の得られる材料としてＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体やこれらの混合材料が適している
ことを見出した。
とが必要となる。低価格化が可能であるためには薄膜化
（１００μｍ程度以下）が可能であることが不可欠とな
る。またＪル板材料として安価なガラスや金属が用い得
るためには形成温度は７００℃以下であることが必要で
ある。また積層するアモルファス光起電力素子の形成温
度が２５０ｍ程度である。この装置が室温近、傍で使用
されることが多いことを考慮すると形成温度が２５０℃
以下では信頼性に問題が出る。結局、２５０℃以上、７
００℃以下で形成出来る必要がある。この様な温度範囲
で形成出来、かつ良好な特性の得られる材料としてＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体やこれらの混合材料が適している
ことを見出した。
特にアモルファスシリコンの光学ギャップと比較すると
これより長波長で感度を有効に得るためにはＣＩＩＩ
Ｔ Ｃ、Ｃａ Ｓ ｅ 、 Ｈｇ Ｓ ａ ＋ Ｈｇ
Ｔ ｅを少なくとも含む材料で、あることが好適である
。特にＣｄ、Ｔｅはそれぞれ金属の形で適当なペースト
剤中に混合し、印刷焼成する方法や、同時真空蒸着等に
より薄膜多結晶Ｃｄ Ｔ ａ ｔ３６形成することが出
来、そのバンドギャップ４１．４４ ｅ Ｖと長波長光
起電力素子用として適している。
これより長波長で感度を有効に得るためにはＣＩＩＩ
Ｔ Ｃ、Ｃａ Ｓ ｅ 、 Ｈｇ Ｓ ａ ＋ Ｈｇ
Ｔ ｅを少なくとも含む材料で、あることが好適である
。特にＣｄ、Ｔｅはそれぞれ金属の形で適当なペースト
剤中に混合し、印刷焼成する方法や、同時真空蒸着等に
より薄膜多結晶Ｃｄ Ｔ ａ ｔ３６形成することが出
来、そのバンドギャップ４１．４４ ｅ Ｖと長波長光
起電力素子用として適している。
以下１本発明を実施例により詳細に説明する。
［実施例１コ
アモルファスシリコンの光学ギャップ１．７５θＶ程度
と比較すると、これ半り長波長で感度を有効に得るため
にはＣｄ Ｔ ｅ 、 Ｃ−ｄ、ｓ ｅ ｔ−Ｈｇ５ａ
。
と比較すると、これ半り長波長で感度を有効に得るため
にはＣｄ Ｔ ｅ 、 Ｃ−ｄ、ｓ ｅ ｔ−Ｈｇ５ａ
。
Ｈｇ ｒ ａを少なくとも一種含む材斗であることが好
適である。特にＣｄＴａはそれぞれの元素を金属の形に
適当なペースト中に混合し、基板に塗布、焼成する方法
や、両全展の同時真空蒸着法等により薄膜多−結晶Ｃｄ
Ｔｅを形成することが出来る。
適である。特にＣｄＴａはそれぞれの元素を金属の形に
適当なペースト中に混合し、基板に塗布、焼成する方法
や、両全展の同時真空蒸着法等により薄膜多−結晶Ｃｄ
Ｔｅを形成することが出来る。
またＣｄ↑ｅのバンドギャップは１．４４θＶと好適で
ある。第３図は本実施例の光起電力装置の一例の断面図
を示す、［Ａ］は二種の光起電力素子を積層して形成し
たもの、［Ｂ］は基板１のガラスの各面に各々の光起電
力素子を形成したものである。
ある。第３図は本実施例の光起電力装置の一例の断面図
を示す、［Ａ］は二種の光起電力素子を積層して形成し
たもの、［Ｂ］は基板１のガラスの各面に各々の光起電
力素子を形成したものである。
Ｃｄ５４．ＣｄＴａ３．およびカーボン２で構成される
長波長に感度のある光起電力素子にその主要部であるＣ
ｄＳ、Ｃ，ｄＴｅの形成に各々ペーストを用いたスクリ
ーン印刷法を用いた。印刷後。
長波長に感度のある光起電力素子にその主要部であるＣ
ｄＳ、Ｃ，ｄＴｅの形成に各々ペーストを用いたスクリ
ーン印刷法を用いた。印刷後。
５５０〜７００℃でＮ２雰囲気中で焼成し、ｎ−ｐ接合
を得て光起電力素子とした。
を得て光起電力素子とした。
５の透明電極、６，７．８の各々ｐ、ｉ、ｎ形のアモル
ファスシリコン、９の透明電極が構成される。このｐ−
１−ｎ形のアモルファスシリコン光起電力素子はいずれ
も４００℃以下の温度で形成されるので、前もって形成
しであるＣｄＳ。
ファスシリコン、９の透明電極が構成される。このｐ−
１−ｎ形のアモルファスシリコン光起電力素子はいずれ
も４００℃以下の温度で形成されるので、前もって形成
しであるＣｄＳ。
ＣｄＴｅによる長波長光起電力素子特性に何ら悪影響を
与えなかった。この様にして形成したアモルファス光起
電力素子の分光感度は第１図（１）と同じであり、Ｃｄ
５−ＣｄＴｅ光起電力素子のそれは第１図（３）のごと
くであった。入射する太陽光１３の内７００μｍより短
波長の光はアモルファス光起電力素子によって吸２収さ
れ、電気に変換される。吸収されずに透過した７００ｎ
ｍより長波長の光はＣｄ５−ＣｄＴｅ光起電力素子で吸
収され、電気に変換される。その結果本構成の光起電力
装置全体の光電変換効率は１２．８％ と極めて高いこ
とが判明した。
与えなかった。この様にして形成したアモルファス光起
電力素子の分光感度は第１図（１）と同じであり、Ｃｄ
５−ＣｄＴｅ光起電力素子のそれは第１図（３）のごと
くであった。入射する太陽光１３の内７００μｍより短
波長の光はアモルファス光起電力素子によって吸２収さ
れ、電気に変換される。吸収されずに透過した７００ｎ
ｍより長波長の光はＣｄ５−ＣｄＴｅ光起電力素子で吸
収され、電気に変換される。その結果本構成の光起電力
装置全体の光電変換効率は１２．８％ と極めて高いこ
とが判明した。
もちろんいずれも薄膜を用い、安価な工程により形成出
来るので、低価格化の可能性の高いことは明らかである
。
来るので、低価格化の可能性の高いことは明らかである
。
第３図の［Ａ］の構成では、この様な横進を−の基板上
に配置し、直列に接続することにより。
に配置し、直列に接続することにより。
高電圧にすることが出来、配線が容易となる特徴をもつ
、また［Ｂ］の構成では、各々の基板面に形成された光
起電力素子の接続を直列、並列等自由に出来るので、′
＠流整合や電圧整合が容易である特徴をもつ。
、また［Ｂ］の構成では、各々の基板面に形成された光
起電力素子の接続を直列、並列等自由に出来るので、′
＠流整合や電圧整合が容易である特徴をもつ。
この様にアモルファスシリコン系光起電力素子と■−■
族またはｉ−ｍ−ＶＩ、族系の光起電力素子光電変換材
料のバンドギャップをその人討光分布を考慮して選定す
ることにより総合的に光電変換効率を格段に向上させる
ことが出来ることが明らかとなった。またアモルファス
シリコン系材料の形成温度は２５０’Ｃ程度であり、Ｉ
Ｉ −ＶＩ族またはＩ −ＩＩＩ−■、族系材料の形成
温度は通常４００〜７００℃程度であるので、まずＩＩ
−ＶＩ族または１−ｍ−Ｗ、族系光起電力素子を形成し
、しかる後アモルファスシリコン系光起電力素子を形成
する方法を取れば、一方の素子の形成過程で他方の素子
の劣化等が起ることも無く、極めて容易に光起電力装置
を製造することが出来る特徴を持つ。
族またはｉ−ｍ−ＶＩ、族系の光起電力素子光電変換材
料のバンドギャップをその人討光分布を考慮して選定す
ることにより総合的に光電変換効率を格段に向上させる
ことが出来ることが明らかとなった。またアモルファス
シリコン系材料の形成温度は２５０’Ｃ程度であり、Ｉ
Ｉ −ＶＩ族またはＩ −ＩＩＩ−■、族系材料の形成
温度は通常４００〜７００℃程度であるので、まずＩＩ
−ＶＩ族または１−ｍ−Ｗ、族系光起電力素子を形成し
、しかる後アモルファスシリコン系光起電力素子を形成
する方法を取れば、一方の素子の形成過程で他方の素子
の劣化等が起ることも無く、極めて容易に光起電力装置
を製造することが出来る特徴を持つ。
本例では自然太陽光を例としたのでアモルファスシリコ
ン光起電力素子とＣｄ Ｔ Ｑ光起電力素子の組合せに
より良好な結果が得られたが他の光源。
ン光起電力素子とＣｄ Ｔ Ｑ光起電力素子の組合せに
より良好な結果が得られたが他の光源。
例えば通常のタングステン電幻光等ではより長波長の光
成分が多いので■−■族またはＩ −ＩＩＩ −ＶＩ。
成分が多いので■−■族またはＩ −ＩＩＩ −ＶＩ。
族系光起電力素子としては長波長で感度の高い材料で構
成する必要がある。そのためにはＣｄ Ｈｇ Ｔ ｅや
ＣｄＨｇＳｅ等の混晶系材料が適している。この様に光
源の光強度分布の波長依存性によさて適当な材料を選定
出来る点でＨ−■族系光起電力素子は優れている。・当
然この様な光感度の波長依存性の異なるＩＩ−ＶＩ族ま
たはｌ−ｍ−■２族系光起電力素子を組合せて高効率化
を図ることが考えられる。しかしこの場合の難点は面光
起電力素子の形成温度が近く、一方の素子の形成時に他
方の素子を劣化させる欠点や、積層して形成する場合画
素子間の良好なオーミック接触を得る事が困難という問
題があった。これらの点で本発明のアモルファスシリコ
ン系とＩＩ−ＶＩ族またはＩ −ＩＩＩ−ＶＩ、族系光
起電力素子の組合せは極めて優れたものと言える。
成する必要がある。そのためにはＣｄ Ｈｇ Ｔ ｅや
ＣｄＨｇＳｅ等の混晶系材料が適している。この様に光
源の光強度分布の波長依存性によさて適当な材料を選定
出来る点でＨ−■族系光起電力素子は優れている。・当
然この様な光感度の波長依存性の異なるＩＩ−ＶＩ族ま
たはｌ−ｍ−■２族系光起電力素子を組合せて高効率化
を図ることが考えられる。しかしこの場合の難点は面光
起電力素子の形成温度が近く、一方の素子の形成時に他
方の素子を劣化させる欠点や、積層して形成する場合画
素子間の良好なオーミック接触を得る事が困難という問
題があった。これらの点で本発明のアモルファスシリコ
ン系とＩＩ−ＶＩ族またはＩ −ＩＩＩ−ＶＩ、族系光
起電力素子の組合せは極めて優れたものと言える。
実施例では両系素子を１ケずつ組合せた場合について−
述べたが、それぞれまたはい−ずれかを２素子以上で構
成しても同様な効果が得られることは明らかである。し
かしこの場合は形成順序について他の素子を劣化させな
い様にすることが必要であることは言うまでもない。
述べたが、それぞれまたはい−ずれかを２素子以上で構
成しても同様な効果が得られることは明らかである。し
かしこの場合は形成順序について他の素子を劣化させな
い様にすることが必要であることは言うまでもない。
［実施例２コ
本発明の他の一つの例を第４図に示す、［Ａ］は最も簡
単化された植成で、３のｐ形Ｃｄ Ｔ ｅと７のｉ形ア
モルフアンシリコン、８のｎ形アモルフアンシリコンで
ｐ −ｉ −ｎ形の光起電力素子を構成し、太陽光に対
し、短波長成分は主として７のアモルファスシリコンで
、長波長成分は主として３のＣｄ Ｔ ｅで光電変換を
行う構成となっており、光電変換効率１１％が得られた
。
単化された植成で、３のｐ形Ｃｄ Ｔ ｅと７のｉ形ア
モルフアンシリコン、８のｎ形アモルフアンシリコンで
ｐ −ｉ −ｎ形の光起電力素子を構成し、太陽光に対
し、短波長成分は主として７のアモルファスシリコンで
、長波長成分は主として３のＣｄ Ｔ ｅで光電変換を
行う構成となっており、光電変換効率１１％が得られた
。
また［Ｂ］の構成では３のｐ形ＣｄＴｏと８のｎ形アモ
ルフアンシリコンでｐ−ｎ形、６のｐ形、７のｉ形、８
のｎ形アモルフアンシリコンでＰ−ｉ−ｎ形の光起電力
素子を構成し、両者が直列に接続された形になっており
、光電変換効率１１．５％が得られた。
ルフアンシリコンでｐ−ｎ形、６のｐ形、７のｉ形、８
のｎ形アモルフアンシリコンでＰ−ｉ−ｎ形の光起電力
素子を構成し、両者が直列に接続された形になっており
、光電変換効率１１．５％が得られた。
本発明によれば極めて安価に製造できる薄膜材料を組合
せることにより極めて光電変換効率の高い光起電力装置
を構成出来る効果がある。
せることにより極めて光電変換効率の高い光起電力装置
を構成出来る効果がある。
第１図は種々の光起電力素子の分光感度および太陽光の
スペクトル強度分布を示す図、第２図は従来のアモルフ
ァスシリコン系光起電力素子を用いた多層形光起電力装
置の断面図、第３図は本発明による光起電力装置の例を
示す断面図、第４図は本発明による光起電力装置の他の
例を示す断面図である。 １・・・基板、２２，９．５・・・透明電極、２３・・
・ｐ形アモルフアンシリコンカーバイド、２４．７・・
・ｉ形アモルフアンシリコン、２５，８．２８・・・ｎ
形アモルフアンシリコン、２７・・・ｉ形アモルフアン
シリコンゲルマニウム、６．２６・・・Ｐ形アモルフア
ンシリコン、２９・・・アルミニウム電ｆ１．２１０゜
２１１．１０，１１．１２・・・リード線、２・・・カ
ーボン電極、３ ・＝ ｐ Ｋｔ Ｃｄ Ｔ ｅ、４−
ｎ形ＣｄＳ。
スペクトル強度分布を示す図、第２図は従来のアモルフ
ァスシリコン系光起電力素子を用いた多層形光起電力装
置の断面図、第３図は本発明による光起電力装置の例を
示す断面図、第４図は本発明による光起電力装置の他の
例を示す断面図である。 １・・・基板、２２，９．５・・・透明電極、２３・・
・ｐ形アモルフアンシリコンカーバイド、２４．７・・
・ｉ形アモルフアンシリコン、２５，８．２８・・・ｎ
形アモルフアンシリコン、２７・・・ｉ形アモルフアン
シリコンゲルマニウム、６．２６・・・Ｐ形アモルフア
ンシリコン、２９・・・アルミニウム電ｆ１．２１０゜
２１１．１０，１１．１２・・・リード線、２・・・カ
ーボン電極、３ ・＝ ｐ Ｋｔ Ｃｄ Ｔ ｅ、４−
ｎ形ＣｄＳ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水素、フッ素、窒素、炭素、酸素、ゲルマニウム、
スズ、鉛の内の少なくとも一つの元素を成分として含む
アモルファスシリコン、微結晶シリコン材料を主たる構
成要素とする光起電力素子とII−VI族または I −III−
VI＿２族のアモルファス、微結晶、多結晶材料を主たる
構成要素とする光起電力素子を入射光が直列的に通過ま
たは吸収される様に配置することを特徴とする光起電力
装置。 ２、水素、フッ素、窒素、炭素、酸素、ゲルマニウム、
スズ、鉛の内の少なくとも一つの元素を成分として含む
アモルファスシリコン、微結晶シリコン材料と、II−V
I族または I −III−VI＿２族のアモルファス、微結晶
、多結晶材料を主たる構成要素とする光起電力素子を少
なくとも１つ含む光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155240A JPS6135569A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155240A JPS6135569A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135569A true JPS6135569A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15601598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59155240A Pending JPS6135569A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009259926A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
| DE102009022342A1 (de) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Dünnschichtsolarzellen-Schichtaufbau und Herstellung |
| WO2012099816A3 (en) * | 2011-01-19 | 2012-12-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices and methods of forming the same |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP59155240A patent/JPS6135569A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009259926A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
| DE102009022342A1 (de) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Dünnschichtsolarzellen-Schichtaufbau und Herstellung |
| WO2012099816A3 (en) * | 2011-01-19 | 2012-12-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices and methods of forming the same |
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