JPS58194231A - 撮像管 - Google Patents
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- JPS58194231A JPS58194231A JP57076736A JP7673682A JPS58194231A JP S58194231 A JPS58194231 A JP S58194231A JP 57076736 A JP57076736 A JP 57076736A JP 7673682 A JP7673682 A JP 7673682A JP S58194231 A JPS58194231 A JP S58194231A
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- image pickup
- light
- pickup tube
- conductive film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、尚速度電子ビームで走査することによ）光電
変換信号を読み取るようにした光導電形の高速匿電子ビ
ーム足査型負帝篭方式撮像管に関するものである。
変換信号を読み取るようにした光導電形の高速匿電子ビ
ーム足査型負帝篭方式撮像管に関するものである。
水素を含呵した非晶質シリコン（以下、ａ −８ｉ：Ｈ
と略称する）は尚い元電変換効＊’ｔ；ａすることが知
られており、すでに、ａ−ｆ３ｉＨＨ光導ｔＳを用いた
光導電形熾遂管が提案されている（例えば、特公開昭５
４−１５０９９５）。
と略称する）は尚い元電変換効＊’ｔ；ａすることが知
られており、すでに、ａ−ｆ３ｉＨＨ光導ｔＳを用いた
光導電形熾遂管が提案されている（例えば、特公開昭５
４−１５０９９５）。
第１図はａ−８ｉ：Ｈ膜を用いた光導電形熾歇管の代表
的−例を示した図である。図において、１は透光性基板
、２は透明導電膜、３は透光性ｎ型半導体層、４はａ−
ｓｔ：Ｈ光導電膜、５は走査電子ピームラ／ディグ層で
、走査電子ビーム６による２次電子放出比を１以下に抑
える役割をなす。練撮像管では、透明導電膜２を、図に
示すごとく、通常カソード７に対して十数Ｖから数十Ｖ
に正バイアスして動作させる。したがって、電子ビーム
で順次走査される撮像管ターゲット表面は走査後カソー
ド電位に平衡し、光導電膜は常に光入射側が正電位にな
るごとくバイアスされる。光が入射すると、膜内に生成
される電子は透明導電膜に、正孔は電子ビーム走査側に
流扛て、表面電位が上昇することになる。これを再度電
子ビームで走査すれは、光像に応じた表面電位上昇分が
負荷抵抗８を通して外部出力猪号として時系列的に＊ｂ
出せることになる。このような撮像管ではターゲット表
面が常に低速度電子ビームで走査されるので、以降これ
’ｋＬＰ動作方式のｍ像官と呼ぶことにする。ａ−８ｉ
ｓＨ膜は可視光に対する吸収係数が大きいために、光に
よる電子−正孔対の大半は透明導電膜近傍で生成される
ことになり、したがって正孔の走行性が特性全支配する
重要な因子となる。
的−例を示した図である。図において、１は透光性基板
、２は透明導電膜、３は透光性ｎ型半導体層、４はａ−
ｓｔ：Ｈ光導電膜、５は走査電子ピームラ／ディグ層で
、走査電子ビーム６による２次電子放出比を１以下に抑
える役割をなす。練撮像管では、透明導電膜２を、図に
示すごとく、通常カソード７に対して十数Ｖから数十Ｖ
に正バイアスして動作させる。したがって、電子ビーム
で順次走査される撮像管ターゲット表面は走査後カソー
ド電位に平衡し、光導電膜は常に光入射側が正電位にな
るごとくバイアスされる。光が入射すると、膜内に生成
される電子は透明導電膜に、正孔は電子ビーム走査側に
流扛て、表面電位が上昇することになる。これを再度電
子ビームで走査すれは、光像に応じた表面電位上昇分が
負荷抵抗８を通して外部出力猪号として時系列的に＊ｂ
出せることになる。このような撮像管ではターゲット表
面が常に低速度電子ビームで走査されるので、以降これ
’ｋＬＰ動作方式のｍ像官と呼ぶことにする。ａ−８ｉ
ｓＨ膜は可視光に対する吸収係数が大きいために、光に
よる電子−正孔対の大半は透明導電膜近傍で生成される
ことになり、したがって正孔の走行性が特性全支配する
重要な因子となる。
以上が、現在提案されているａ−８ｉ：Ｈ撮像管の動作
原理の概略であるが、上記撮像管では以下のような欠点
がめった。
原理の概略であるが、上記撮像管では以下のような欠点
がめった。
１）残像が長い。
２）一般に短波長光に対する感度が出しにくい。
３）走査電子ビームのベンディングによる画像の歪みが
出やすい。
出やすい。
ｌ）には低速度走査電子ビームの抵抗と光導電ターゲッ
トの静電容量から決まる容量性残像と、光導電膜に起因
する光導電性残像がある。前者につ′ いては（イ）光
導電膜の厚みを増す方法や、（ロ）足常的にバイアスラ
イトを照射する方法が、後者については（ハ）微量、の
ボロン等の不純物をドーピングする方法や、に）第１図
に示す透光性ｎ型半導体薄層を導入して阻止形構造にす
る方法等が提案されている。対策（ロ）、に）はたしか
に効果的であるが、これだけでは実用上不充分であり、
また対策（イ）は短波衆光感度が減少し、対策ビＪは逆
に長波長光の感度ならびに残像を悪くするなどの副作用
がめった。
トの静電容量から決まる容量性残像と、光導電膜に起因
する光導電性残像がある。前者につ′ いては（イ）光
導電膜の厚みを増す方法や、（ロ）足常的にバイアスラ
イトを照射する方法が、後者については（ハ）微量、の
ボロン等の不純物をドーピングする方法や、に）第１図
に示す透光性ｎ型半導体薄層を導入して阻止形構造にす
る方法等が提案されている。対策（ロ）、に）はたしか
に効果的であるが、これだけでは実用上不充分であり、
また対策（イ）は短波衆光感度が減少し、対策ビＪは逆
に長波長光の感度ならびに残像を悪くするなどの副作用
がめった。
従って、現状以上の特性の向上は望めなかった。
本発明は、以上に述べた数々の欠点を大巾に改良した撮
像管を提供することを目的とする。上記目的を達成する
ために、本発明では、撮像管ターゲットを従来と全く異
なる構造にし、これを高速度の電子ビームで走査するこ
とにょ多信号出力を取シ出すごとくする。以下、本発明
の詳細を図面に従って具体的に説明する。
像管を提供することを目的とする。上記目的を達成する
ために、本発明では、撮像管ターゲットを従来と全く異
なる構造にし、これを高速度の電子ビームで走査するこ
とにょ多信号出力を取シ出すごとくする。以下、本発明
の詳細を図面に従って具体的に説明する。
第２図に本発明の原理的動作を説明するための概略図を
示す。１は透光性基板、２は透明電極、４はａ−ｓｉ：
Ｈｔ−主体とする光導電体層、９は平衡メツシュ電極、
７はカソードである。動作にあたっては、透明導電膜２
にカソード７に対して通常１００■以上の高い正の電圧
を印加する。又一般にターゲットの２次電子放出比（以
下δと略すンが１以上になる様にして使用する。この時
、ターゲットに近接した平衡メツシュ篭極９の電位は透
明電極２よプもさらに高くなるように設定する。このよ
うな状態で電子ビーム走査を行うと、光導電ターゲット
表面は、２次電子１０ｔ−放出して平衡メツシュ９の電
位に平衡し透明電極２に対して正の電位を取るようにな
る。したがって光導電膜にかかる電界は第１図のＬＰ方
式に比べて逆向きになシ、光によって生じた電子−正孔
対が逆方向に流れるために、走査面電位はＬＰ方式とは
逆に負の方向に下降することになる。次にこれを電子ビ
ーム６で走査することによシ、光儂の強度に応じ九表面
電位下降分を負荷抵抗８全通して信号として取）出す仕
組みになっている。このような走査方式を以下高速度ビ
ーム走置負帯電（ＨＮ ）動作方式と呼ぶ。ＨＮ方式そ
のものは、一般に、ビーム抵抗が小さくて容量性残像が
無視できること、ビームベンディングが全く無いことな
どの特許を有するものとして、古くから知られておシ、
従来にない撮像管特性を期待することができる（例えば
特許公開昭５４−４４４８７号公報）。しかしながら、
これまで上記特長全満足せしむる光導電材料が発見され
得す、実用化されるまでには発明者は、他に先がけて、
ａ−８ｉ：Ｈ膜を撮像管ターゲットに用いてこれをＨＮ
方式で動作させる実験を何回となく文明に行うことによ
り、本方式で期待される容量性残像やビームベンディン
グの低減効果の他に、当初予想されなかった光導電性残
像の大巾低減効果や、青色光に対する感度向上効果等を
、！−８ｉ：Ｈ膜が本来有している高効率の光電変換特
性や、熱的安定性、耐強光性や機械的な強さ等を全くそ
こなうことなしに得ることができることを発見した。
示す。１は透光性基板、２は透明電極、４はａ−ｓｉ：
Ｈｔ−主体とする光導電体層、９は平衡メツシュ電極、
７はカソードである。動作にあたっては、透明導電膜２
にカソード７に対して通常１００■以上の高い正の電圧
を印加する。又一般にターゲットの２次電子放出比（以
下δと略すンが１以上になる様にして使用する。この時
、ターゲットに近接した平衡メツシュ篭極９の電位は透
明電極２よプもさらに高くなるように設定する。このよ
うな状態で電子ビーム走査を行うと、光導電ターゲット
表面は、２次電子１０ｔ−放出して平衡メツシュ９の電
位に平衡し透明電極２に対して正の電位を取るようにな
る。したがって光導電膜にかかる電界は第１図のＬＰ方
式に比べて逆向きになシ、光によって生じた電子−正孔
対が逆方向に流れるために、走査面電位はＬＰ方式とは
逆に負の方向に下降することになる。次にこれを電子ビ
ーム６で走査することによシ、光儂の強度に応じ九表面
電位下降分を負荷抵抗８全通して信号として取）出す仕
組みになっている。このような走査方式を以下高速度ビ
ーム走置負帯電（ＨＮ ）動作方式と呼ぶ。ＨＮ方式そ
のものは、一般に、ビーム抵抗が小さくて容量性残像が
無視できること、ビームベンディングが全く無いことな
どの特許を有するものとして、古くから知られておシ、
従来にない撮像管特性を期待することができる（例えば
特許公開昭５４−４４４８７号公報）。しかしながら、
これまで上記特長全満足せしむる光導電材料が発見され
得す、実用化されるまでには発明者は、他に先がけて、
ａ−８ｉ：Ｈ膜を撮像管ターゲットに用いてこれをＨＮ
方式で動作させる実験を何回となく文明に行うことによ
り、本方式で期待される容量性残像やビームベンディン
グの低減効果の他に、当初予想されなかった光導電性残
像の大巾低減効果や、青色光に対する感度向上効果等を
、！−８ｉ：Ｈ膜が本来有している高効率の光電変換特
性や、熱的安定性、耐強光性や機械的な強さ等を全くそ
こなうことなしに得ることができることを発見した。
次に、第３図に本発明における撮像管ターゲット構造の
代表的−例を示す。１は透光性基板、２は透明導電膜、
１１は透明導電膜からの電子の注入を阻止するための透
光性ｐ型半導体層、４はａ−８ｉ：Ｈ光導電膜、１２は
電子ビーム走置側からの正孔の注入を阻止するためのｎ
型半導体層、１３は高速電子ビーム走置による２次電子
放出をよシ効釆的にするための２次電子放出層でめる。
代表的−例を示す。１は透光性基板、２は透明導電膜、
１１は透明導電膜からの電子の注入を阻止するための透
光性ｐ型半導体層、４はａ−８ｉ：Ｈ光導電膜、１２は
電子ビーム走置側からの正孔の注入を阻止するためのｎ
型半導体層、１３は高速電子ビーム走置による２次電子
放出をよシ効釆的にするための２次電子放出層でめる。
４のａ−８ｉ：Ｈ光導電膜は、８１板をターゲットにし
てアルゴンと水素の混合ガス雰囲気中での反応性スパッ
タリング法や、少なくともＳｉＨ，を含有する雰囲気ガ
ス中でのグロー放電ＣＶＤ法等によシ得ることが出来る
。ａ−８ｉ：Ｈ膜の光学的禁制帯巾は、作成時の基板温
度、水素ガス含有量、ならびにＳ ｉＦ４． ＧｅＨ，
等の不純豐ガス童によって大巾に変えることが出来るが
、本発明に用いられるａ−８ｉ；）ｌ膜の禁制帝巾は１
．４ｅＶから２．２ｅＶの範囲にあることが望ましい。
てアルゴンと水素の混合ガス雰囲気中での反応性スパッ
タリング法や、少なくともＳｉＨ，を含有する雰囲気ガ
ス中でのグロー放電ＣＶＤ法等によシ得ることが出来る
。ａ−８ｉ：Ｈ膜の光学的禁制帯巾は、作成時の基板温
度、水素ガス含有量、ならびにＳ ｉＦ４． ＧｅＨ，
等の不純豐ガス童によって大巾に変えることが出来るが
、本発明に用いられるａ−８ｉ；）ｌ膜の禁制帝巾は１
．４ｅＶから２．２ｅＶの範囲にあることが望ましい。
何故ならば、１．４ｅＶよシ小さくなると、暗抵抗が下
シすぎて解儂度が悪くなったシ、不必要な近赤外感度に
感度を有する恐れ１があシ、また逆にｚｚｅｖ以上では
赤色光感度が低下するためである。蛾も望ましいのは１
．６ｅＶからｚｏｅｖの範囲である。
シすぎて解儂度が悪くなったシ、不必要な近赤外感度に
感度を有する恐れ１があシ、また逆にｚｚｅｖ以上では
赤色光感度が低下するためである。蛾も望ましいのは１
．６ｅＶからｚｏｅｖの範囲である。
ａ−８ｉｓＨ光導電膜の膜厚は、光の吸収係数と要求す
る撮像管の分光感度から逆算して決めれば良い訳である
が、通常、０．２μｍから１０μｍｔでの範囲が適当で
、動作電圧、作成時間、面欠陥の発生確率等を考慮する
と、０．５μｍから４μｍの範囲が望ましい。
る撮像管の分光感度から逆算して決めれば良い訳である
が、通常、０．２μｍから１０μｍｔでの範囲が適当で
、動作電圧、作成時間、面欠陥の発生確率等を考慮する
と、０．５μｍから４μｍの範囲が望ましい。
１１の透光性ｐ型半導体層や、１２のｎ型半導体層、な
らびに１３の２次電子放出層は必ずしも必要ではなく、
それぞれの役割ｆａ−ｆ３ｉ：Ｈ膜自身にも友せること
も出来るが、本発明の効果を最も顕著にするためにはめ
った方が望ましい。
らびに１３の２次電子放出層は必ずしも必要ではなく、
それぞれの役割ｆａ−ｆ３ｉ：Ｈ膜自身にも友せること
も出来るが、本発明の効果を最も顕著にするためにはめ
った方が望ましい。
透光性ｐ型半導体層１１としては、水素と、ボロン、ア
ルミニクム等のｍｈ族元素を含有する非晶質シリコンや
シリコン、炭素及び水素から成る非晶質固溶体が効果的
でめる。その他、透光性ｐ型半導体層１１の代シにＡｕ
、Ｐ ｔ、Ｐｄ等の透光性金楓薄膜（通常半透明状＋１
！１１ｃ呈する）を用いて、これらとａ−８ｉ：Ｈ膜の
へテロ整流性接合を利用しても良い。
ルミニクム等のｍｈ族元素を含有する非晶質シリコンや
シリコン、炭素及び水素から成る非晶質固溶体が効果的
でめる。その他、透光性ｐ型半導体層１１の代シにＡｕ
、Ｐ ｔ、Ｐｄ等の透光性金楓薄膜（通常半透明状＋１
！１１ｃ呈する）を用いて、これらとａ−８ｉ：Ｈ膜の
へテロ整流性接合を利用しても良い。
ｎ型半導体層１２としては、非晶質窒化シリコン？、水
素と燐や砒素等■１族元本を官有する非晶質シリコンな
どが望ましい。
素と燐や砒素等■１族元本を官有する非晶質シリコンな
どが望ましい。
上記ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２の膜厚はそれ
ぞれ１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、ｍｂ族またはＶｂ
族元素の含有量０．５ｐＩ）ｍから２００ｐｐｍの範囲
にあることが望ましい。この範囲以下では効果が少なく
、また多すぎると抵抗が下シすぎて感度や解像度低下を
きたす。また、上記ｍｈ族ならびにＷｂ族不純物元素は
、上記ｐｍ半導体層ならびにｎ［半導体層内のみにとど
めることが必要ではなく、むしろ、１−ｓｔ：Ｈ光導電
膜４の両界面から、それぞれ膜内に向って濃度が減少す
るごとく添加されることが望ましい。この場合光導電体
膜内の不純物領域も前記ｐｍ−半導体層、又はｎ型半導
体層とみなしても良い。
ぞれ１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、ｍｂ族またはＶｂ
族元素の含有量０．５ｐＩ）ｍから２００ｐｐｍの範囲
にあることが望ましい。この範囲以下では効果が少なく
、また多すぎると抵抗が下シすぎて感度や解像度低下を
きたす。また、上記ｍｈ族ならびにＷｂ族不純物元素は
、上記ｐｍ半導体層ならびにｎ［半導体層内のみにとど
めることが必要ではなく、むしろ、１−ｓｔ：Ｈ光導電
膜４の両界面から、それぞれ膜内に向って濃度が減少す
るごとく添加されることが望ましい。この場合光導電体
膜内の不純物領域も前記ｐｍ−半導体層、又はｎ型半導
体層とみなしても良い。
第４図（帽（ｂ）はこうした不純物分布を例示し友もの
である。図中ｐ、ｎは各々ｐ型不純物、ｎ型不純物であ
る。第４図（ｂ）の如くステップ状に不純物を導入して
も臭い。
である。図中ｐ、ｎは各々ｐ型不純物、ｎ型不純物であ
る。第４図（ｂ）の如くステップ状に不純物を導入して
も臭い。
２次電子放出層１３は、動作時のメツシュ電圧、すなわ
ち０．１〜ｌ ＯｋＶで加速された走査電子に対して、
２次電子放出比が１以上であり、かつ、電気抵抗がｘ
ｏ、１６Ω−１以上で、耐電子衝撃性にすぐれているこ
とが必要である。これらの条件を満たす材料としては、
酸化物、又は弗化智が６４）、特に、ＭｇＯｌＢａＯ，
Ｃｅｎｔ ｌ Ｎｂ、ｏ、、 Ａｚ、ｏ、。
ち０．１〜ｌ ＯｋＶで加速された走査電子に対して、
２次電子放出比が１以上であり、かつ、電気抵抗がｘ
ｏ、１６Ω−１以上で、耐電子衝撃性にすぐれているこ
とが必要である。これらの条件を満たす材料としては、
酸化物、又は弗化智が６４）、特に、ＭｇＯｌＢａＯ，
Ｃｅｎｔ ｌ Ｎｂ、ｏ、、 Ａｚ、ｏ、。
８１０１ 、 ＭｇＦ２ 、 Ｃ６Ｆ６ ＡＬＦＢ等が
良い。膜厚は３ｉｍから３Ｑｎｍの範囲が望ましい。
良い。膜厚は３ｉｍから３Ｑｎｍの範囲が望ましい。
前述ｎ＠ｊ半導体層１２と上記２次電子放出層１３は、
いずれかの層のみでも良く、両者の役割をいずれかの層
で兼用させることも出来る。
いずれかの層のみでも良く、両者の役割をいずれかの層
で兼用させることも出来る。
以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
第５図を用いて本夾施例を説明する。
ガラス基板１上に、酸化スズを主体とする透明導電膜２
を形成する。次に高周波スパッタ装置において、ターゲ
ットに高純度Ｓｉを使用し、これと相対して前記基板を
設置する。装置内ｔｌＸ１０”ｌ’ｏｒｒ以下の高真空
に排気した後、アルゴンおよび水素の混合ガスを導入し
て装置内を５×１０−４〜５ ｘ １０−”ｌ’ｏｒ
ｒ （７）圧カニスル。混合カス中の水素の濃度は３０
〜６５％とする。基板温度を１５０Ｃ〜ａｏｏｃに設定
した後、反応性スパッタリングを行なし、透明導電膜の
形成された基板１上に膜厚的０．５〜４ｔｔｍａ −８
ｉ ：Ｈ膜４を堆積する。次に別の高周波スパッタ装置
において、ターゲットに高純度ｃ ｅＱ、を使用し、そ
れと相対してａ−８ｉ：ＨＪＩＩを堆積した前記基板を
設置する。装置内をＩ Ｘ １ ｏ−”１０ｒｒ以下の
高真空にした後、アルゴンを導入して５ Ｘ １０’〜
５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒの圧力にし、基板温度を１００Ｃ
〜２００Ｃに設定してスパッタリングを行う。このよう
にして酸化セリウムから成る層１３を約５ｎｍ〜３０ｆ
１ｍの厚さまで、ａ−８ｉ：Ｈ膜の上に堆積し、これを
２次電子放出層とする。
を形成する。次に高周波スパッタ装置において、ターゲ
ットに高純度Ｓｉを使用し、これと相対して前記基板を
設置する。装置内ｔｌＸ１０”ｌ’ｏｒｒ以下の高真空
に排気した後、アルゴンおよび水素の混合ガスを導入し
て装置内を５×１０−４〜５ ｘ １０−”ｌ’ｏｒ
ｒ （７）圧カニスル。混合カス中の水素の濃度は３０
〜６５％とする。基板温度を１５０Ｃ〜ａｏｏｃに設定
した後、反応性スパッタリングを行なし、透明導電膜の
形成された基板１上に膜厚的０．５〜４ｔｔｍａ −８
ｉ ：Ｈ膜４を堆積する。次に別の高周波スパッタ装置
において、ターゲットに高純度ｃ ｅＱ、を使用し、そ
れと相対してａ−８ｉ：ＨＪＩＩを堆積した前記基板を
設置する。装置内をＩ Ｘ １ ｏ−”１０ｒｒ以下の
高真空にした後、アルゴンを導入して５ Ｘ １０’〜
５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒの圧力にし、基板温度を１００Ｃ
〜２００Ｃに設定してスパッタリングを行う。このよう
にして酸化セリウムから成る層１３を約５ｎｍ〜３０ｆ
１ｍの厚さまで、ａ−８ｉ：Ｈ膜の上に堆積し、これを
２次電子放出層とする。
以上によシ作られた光導電ターゲラ）ｔ−ＨＮ方式の電
子銃と結合させ、管内を真空排気、封止し、ＨＮ動作方
式の光導電形撮像管を得た。
子銃と結合させ、管内を真空排気、封止し、ＨＮ動作方
式の光導電形撮像管を得た。
実施例２″
第６図を用いて説明する。
ガラス基板上に酸化スズ、酸化インジウムを主体とする
透明導電膜２を形成する。次に高周波スパッタ装置内に
おいて、ポロンを含むＳｉ板をターゲットとしと使用し
、それと相対して前記基板を設置する。さらに、上記３
ｔターゲツト上に板状Ｃを稿状に並べ、基板側から見た
８１とＣとの表面積比が１＝１となるように設置する。
透明導電膜２を形成する。次に高周波スパッタ装置内に
おいて、ポロンを含むＳｉ板をターゲットとしと使用し
、それと相対して前記基板を設置する。さらに、上記３
ｔターゲツト上に板状Ｃを稿状に並べ、基板側から見た
８１とＣとの表面積比が１＝１となるように設置する。
装置内ｔ’ｌ Ｘ Ｉ Ｑ−＠ｌ１１６ｒｒ以下の筒真
空に排気した後、アルゴンおよび水素の混合ガスを導入
して装置内を５ Ｘ Ｌ Ｏ−’ 〜５ Ｘ Ｉ Ｑ−
”Ｔｏｒｒ Ｏ圧カニスル。
空に排気した後、アルゴンおよび水素の混合ガスを導入
して装置内を５ Ｘ Ｌ Ｏ−’ 〜５ Ｘ Ｉ Ｑ−
”Ｔｏｒｒ Ｏ圧カニスル。
混合ガス中の水素の濃度は３０〜６０％とする。
さらに基板温度を１５０Ｃ〜２５０Ｃに設定した後スパ
ッタリングを行ない、透明導電膜上に水素とボロンを含
有したｐｍ、の非晶’１［５ｉ−Ｃ半導体層（以下ａ−
８ｉＣ：Ｈ層と略す）１１を堆積する。このｐ聾ａ−８
ｔｃ：Ｈ層１１は、透明導電膜から、次に堆積するａ−
８ｉ：Ｈ層への電子の注入を阻止するためのもので、膜
厚は５〜２０ｎｍとする。次に、これを別の高周波スパ
ッタ装置内において基板側に、ターゲットに高純度Ｓｉ
１ を設置する。そして実施例１で述べたａ−ｆ９ｉ：
Ｈ光導電膜４を堆積する。さらに別の尚周波スパッタ装
置内において、ターゲットに高純度Ａｔ、０゜を使用し
、それと相対して前記基板を設置する。
ッタリングを行ない、透明導電膜上に水素とボロンを含
有したｐｍ、の非晶’１［５ｉ−Ｃ半導体層（以下ａ−
８ｉＣ：Ｈ層と略す）１１を堆積する。このｐ聾ａ−８
ｔｃ：Ｈ層１１は、透明導電膜から、次に堆積するａ−
８ｉ：Ｈ層への電子の注入を阻止するためのもので、膜
厚は５〜２０ｎｍとする。次に、これを別の高周波スパ
ッタ装置内において基板側に、ターゲットに高純度Ｓｉ
１ を設置する。そして実施例１で述べたａ−ｆ９ｉ：
Ｈ光導電膜４を堆積する。さらに別の尚周波スパッタ装
置内において、ターゲットに高純度Ａｔ、０゜を使用し
、それと相対して前記基板を設置する。
装置内ｔ” Ｉ Ｘ １０−”ｌ’ｏｒｒ以下の高真空
に排気した後、アルゴンを導入して５ Ｘ １０−’〜
５Ｘ１０−”’ｐｏｒｔの圧力に設定し、スパッタリン
グを行ない、ａ−８ｉ：Ｈ層上Ｋｇ１２化アルミニウム
の層１３ｔ−形成する。この層の厚みは５〜２Ｑｎｍと
する。
に排気した後、アルゴンを導入して５ Ｘ １０−’〜
５Ｘ１０−”’ｐｏｒｔの圧力に設定し、スパッタリン
グを行ない、ａ−８ｉ：Ｈ層上Ｋｇ１２化アルミニウム
の層１３ｔ−形成する。この層の厚みは５〜２Ｑｎｍと
する。
上記光導電ターゲットを用いて、実施例１と同じ手順で
ＨＮ方式の撮像管を製作し友。
ＨＮ方式の撮像管を製作し友。
実施例３
第５図金層いて本実施例を説明する。本例は光導電体層
内にｐｍ、ａｍの不純ψを膜厚方向に導入した例を示す
ものである。第４図中）の不純物の濃度分布を有する。
内にｐｍ、ａｍの不純ψを膜厚方向に導入した例を示す
ものである。第４図中）の不純物の濃度分布を有する。
ガラス基板１上に、酸化スズを主体とする透明導電膜２
を形成する。次に複数のガス導入路を待つ高周波スパッ
タ装置において、ターゲットに高純度Ｓｉを使用し、そ
れと相対して前記基板を設置し、実施例１と同様な方法
でａ−Ｂｉ：Ｈ層を堆積する。友だし、最初の部分では
アルゴンと水素の混合ガスの他にさらにジボランガス（
Ｂ！ ＨＩ ）を導入しながら、ａ−８ｉ：Ｈ中のボロ
ンの量がｔｏｏｐｐｍ以下になるように設定して、３ｏ
ｍ〜５Ｑｎｍの膜厚まで堆積する。次にジボランガスを
止め、アルゴンと水素の混合ガス中で引き続きスパッタ
リングを行ない、実施例１に述べたａ−８ｉ：ＨＩ［ｔ
−形成する。次に反応槽内にアルゴンと要素混合ガスの
他にさらにホスフィンガス（ｐＨｎ ）を導入しながら
、堆積されるａ−８４：Ｈ中のリンの量がｘｏｏｐｐｍ
以下になるように設定してスパッタリングし、リンを含
有する層が３〜５０ｏｗｎになるまで堆積する。次いで
別のスパッタ装置において、ターゲットに尚純度ＭｇＯ
を使用し、それと相対して前記基板を設置する。Ｉ Ｘ
１０−＠’Ｉ’ｏｒｒ以下の高真空に排気した後、ア
ルゴンを導入し、５ Ｘ １０−’ 〜５ Ｘ １０”
’ＴＯｒｒの圧力にして、スパッタリングを行う。こう
してａ−８ｉ層の上に酸化マグネシワムから成る層１３
ｔ−５〜３Ｑｎｍ堆積する。上記光導電ターゲットを用
いて、実施例１と同じ手順によシＨＮ方式の撮像管を得
な。
を形成する。次に複数のガス導入路を待つ高周波スパッ
タ装置において、ターゲットに高純度Ｓｉを使用し、そ
れと相対して前記基板を設置し、実施例１と同様な方法
でａ−Ｂｉ：Ｈ層を堆積する。友だし、最初の部分では
アルゴンと水素の混合ガスの他にさらにジボランガス（
Ｂ！ ＨＩ ）を導入しながら、ａ−８ｉ：Ｈ中のボロ
ンの量がｔｏｏｐｐｍ以下になるように設定して、３ｏ
ｍ〜５Ｑｎｍの膜厚まで堆積する。次にジボランガスを
止め、アルゴンと水素の混合ガス中で引き続きスパッタ
リングを行ない、実施例１に述べたａ−８ｉ：ＨＩ［ｔ
−形成する。次に反応槽内にアルゴンと要素混合ガスの
他にさらにホスフィンガス（ｐＨｎ ）を導入しながら
、堆積されるａ−８４：Ｈ中のリンの量がｘｏｏｐｐｍ
以下になるように設定してスパッタリングし、リンを含
有する層が３〜５０ｏｗｎになるまで堆積する。次いで
別のスパッタ装置において、ターゲットに尚純度ＭｇＯ
を使用し、それと相対して前記基板を設置する。Ｉ Ｘ
１０−＠’Ｉ’ｏｒｒ以下の高真空に排気した後、ア
ルゴンを導入し、５ Ｘ １０−’ 〜５ Ｘ １０”
’ＴＯｒｒの圧力にして、スパッタリングを行う。こう
してａ−８ｉ層の上に酸化マグネシワムから成る層１３
ｔ−５〜３Ｑｎｍ堆積する。上記光導電ターゲットを用
いて、実施例１と同じ手順によシＨＮ方式の撮像管を得
な。
上記実施例１，２．３では、ａ−ｓｔ：Ｈ，ａ−８ｉＣ
：Ｈは全て反応性スパッタリング法によって作製する場
合についてのみ述べたが、グロー放電ＣＶＤ法によって
も同様の膜構造を形成することができる。
：Ｈは全て反応性スパッタリング法によって作製する場
合についてのみ述べたが、グロー放電ＣＶＤ法によって
も同様の膜構造を形成することができる。
実施例４
本例は光導電体層内にｐｍ、１１の不純物を膜厚方向に
濃度勾配を持たせて導入した例を示すもので、第４図（
ＩＩ）の不純物の濃度分布を有する。
濃度勾配を持たせて導入した例を示すもので、第４図（
ＩＩ）の不純物の濃度分布を有する。
ガラス基板上にＩ”＊０ｉｔ−主体とする透明導電膜を
形成する。次に複数のガス導入路を有する為周波スパッ
タリングｉｒ、ｒｔに配置し、アルゴン、水素、ジボラ
ンガス、ホスフィンを導入し、ａ−８ｉ：Ｈ膜を膜厚１
〜４μｍの範囲で作成する。その際、ａ−５ｉ：Ｈ中の
ボロン含有量は透明導電膜の界面近傍のｓｏｎｍ〜ｌ
Ｑ Ｑ ｎｍ部分のみに添加され、かつ界面で１１００
ｐｐ以下とし、のちノくルプ操作により濃度がしだいに
減少するごとく分布させる。さらにまた、ａ−８ｉ：Ｈ
中の燐含有量は反対側の表面近傍５０ｎｍ〜ｔｏｏｎｍ
ｓ分にのみ添加され同じくパルプの操作によ、り表面が
１１００ｐｐ以下で蛾も多く、内部に行くにつれて次第
に減少するごとく分布させる。上記に於いて、雰囲気ガ
ス中の水素濃度はａｏ−６，ｏ％の範囲で一定とする。
形成する。次に複数のガス導入路を有する為周波スパッ
タリングｉｒ、ｒｔに配置し、アルゴン、水素、ジボラ
ンガス、ホスフィンを導入し、ａ−８ｉ：Ｈ膜を膜厚１
〜４μｍの範囲で作成する。その際、ａ−５ｉ：Ｈ中の
ボロン含有量は透明導電膜の界面近傍のｓｏｎｍ〜ｌ
Ｑ Ｑ ｎｍ部分のみに添加され、かつ界面で１１００
ｐｐ以下とし、のちノくルプ操作により濃度がしだいに
減少するごとく分布させる。さらにまた、ａ−８ｉ：Ｈ
中の燐含有量は反対側の表面近傍５０ｎｍ〜ｔｏｏｎｍ
ｓ分にのみ添加され同じくパルプの操作によ、り表面が
１１００ｐｐ以下で蛾も多く、内部に行くにつれて次第
に減少するごとく分布させる。上記に於いて、雰囲気ガ
ス中の水素濃度はａｏ−６，ｏ％の範囲で一定とする。
以上によ１得られた光導電膜の上に、前記実施例と同じ
方法で２次電子放出のための膜としてＮ ｂ 、０．を
５ｎｍ〜１５Ｑｎｍの厚みにスパッタリングによシ堆積
する。上記光導電ターゲットを用いて実施例１と同じ手
順によシＨＮ方式の撮像管を作成した。
方法で２次電子放出のための膜としてＮ ｂ 、０．を
５ｎｍ〜１５Ｑｎｍの厚みにスパッタリングによシ堆積
する。上記光導電ターゲットを用いて実施例１と同じ手
順によシＨＮ方式の撮像管を作成した。
以上の実施例１〜４で得られた撮像管を図２に述べ友方
法によ、ＤＨＮ動作をさせた。従来のＬＰ動作の撮像管
に較べて、いずれの場合も残像、育色光′感度に顕著な
効果がみとめられ友。
法によ、ＤＨＮ動作をさせた。従来のＬＰ動作の撮像管
に較べて、いずれの場合も残像、育色光′感度に顕著な
効果がみとめられ友。
第７図は実施例３で得られたａ−ｓｔ：Ｈを用ｉた本発
明による撮像管の残像特性１４と従来のＬＰ方式の撮像
管１５とを比較したものである。
明による撮像管の残像特性１４と従来のＬＰ方式の撮像
管１５とを比較したものである。
この図では光遮断後の信号の応答を示してお）、縦軸は
標準信号レベルに対する浅信号の比を相対値で弐わして
お）、横軸はフィールドを示している。
標準信号レベルに対する浅信号の比を相対値で弐わして
お）、横軸はフィールドを示している。
第７図において曲線１５はＬＰ方式を用いた従米の撮像
管における残像、曲線１７はＬＰ方式を用い九撮像管に
おける容量性残像成分の耐算値を示している。曲線１５
と１７との閾の斜＋ｍｉ部は光導電性残像成分Ｂｔ−示
している。この関係よシ光運断後３〜５フィールドまで
は容量性の残像成分が残像の大部分を占めておプ、一方
これ以降の領域では光導電性の残像成分Ｂが大部分を占
めている。
管における残像、曲線１７はＬＰ方式を用い九撮像管に
おける容量性残像成分の耐算値を示している。曲線１５
と１７との閾の斜＋ｍｉ部は光導電性残像成分Ｂｔ−示
している。この関係よシ光運断後３〜５フィールドまで
は容量性の残像成分が残像の大部分を占めておプ、一方
これ以降の領域では光導電性の残像成分Ｂが大部分を占
めている。
一方、曲線１４は本発明のＨＮ方式を用いた撮像管にお
ける残像、曲［１６はＨＮ方式を用いた撮像管における
容量性残像成分のｉｔ真値を示している。曲線１４と１
６との間の斜一部は光導電性の残像成分Ａを示している
。
ける残像、曲［１６はＨＮ方式を用いた撮像管における
容量性残像成分のｉｔ真値を示している。曲線１４と１
６との間の斜一部は光導電性の残像成分Ａを示している
。
この関係よシＨＮ方式を用いることで容量性残像１６が
大巾に低減されることが明瞭であるが、更に本発明の適
用、即ち含水素アモルファス・シリコンを光導電体層に
用いることで、特に光導電性残像Ａも大巾に改善されて
いる。この光導電型撮像管が大巾に改善されるのは当該
光導電体層を用いたが由″！：ある。
大巾に低減されることが明瞭であるが、更に本発明の適
用、即ち含水素アモルファス・シリコンを光導電体層に
用いることで、特に光導電性残像Ａも大巾に改善されて
いる。この光導電型撮像管が大巾に改善されるのは当該
光導電体層を用いたが由″！：ある。
度の変化を、従来のＬＰ方式にａ−８ｉ：）（を適用し
た場合１９と、本発明１８とで比較したものである。又
、曲線２０および２１は各々従来のＬＰ方式における残
像および本発明の残ｇｌを示すものである。ａ−５ｉ：
１（ｌ（用いた従来のＬＰ方式では、視覚的に満足でき
るような残像２０を得る丸めには、膜厚を少なくとも２
μｍ以上にする必要がある。しかしながらこの時の青色
光感度は、膜厚が薄い場合に比べてかなり低下しており
、残像２０を改善しようとして膜厚をさらに増すと青色
光感度はますます減少するため好ましくない。
た場合１９と、本発明１８とで比較したものである。又
、曲線２０および２１は各々従来のＬＰ方式における残
像および本発明の残ｇｌを示すものである。ａ−５ｉ：
１（ｌ（用いた従来のＬＰ方式では、視覚的に満足でき
るような残像２０を得る丸めには、膜厚を少なくとも２
μｍ以上にする必要がある。しかしながらこの時の青色
光感度は、膜厚が薄い場合に比べてかなり低下しており
、残像２０を改善しようとして膜厚をさらに増すと青色
光感度はますます減少するため好ましくない。
これに対して先に定性的には説明したように本発明の撮
像管では、低残像、且つ残像の膜厚依存性２１が無く、
さらに主たるキャリアとして使用される電子の走行性が
優れていることから、青色光感度の膜厚依存性１８もほ
とんど無いことがわかる。
像管では、低残像、且つ残像の膜厚依存性２１が無く、
さらに主たるキャリアとして使用される電子の走行性が
優れていることから、青色光感度の膜厚依存性１８もほ
とんど無いことがわかる。
なお、第７図、第８図の特性は実施例２の構成のものに
ついての特性でるる。他の実施例においても同等の効果
を得ることができる。
ついての特性でるる。他の実施例においても同等の効果
を得ることができる。
現在実用化されているＬＰ方式の撮像管では一般に正孔
を主たるキャリアとして使用しておシ、これにａ−８ｉ
：）（ｔ−用いると走行性の悪い正孔を主たるキャリア
として使用しなければならない。
を主たるキャリアとして使用しておシ、これにａ−８ｉ
：）（ｔ−用いると走行性の悪い正孔を主たるキャリア
として使用しなければならない。
このため特に光導電性残像の増加、青色光感度の低下な
どが問題になっている。さらにＬＰ方式に伴う容量性残
像を低減するために膜厚を増加することは、前記問題点
をいっそう強調する方向である。これに対し、実施例で
述べたようにａ−３ｉ：Ｈ層に２次電子放出層を形成し
た光導電体層を用いたＨＮ方式の撮像管では、走行性の
優れた電子を主友るキャリアとして使用できるため上述
したように、従来法の問題点を大幅に改善できる。
どが問題になっている。さらにＬＰ方式に伴う容量性残
像を低減するために膜厚を増加することは、前記問題点
をいっそう強調する方向である。これに対し、実施例で
述べたようにａ−３ｉ：Ｈ層に２次電子放出層を形成し
た光導電体層を用いたＨＮ方式の撮像管では、走行性の
優れた電子を主友るキャリアとして使用できるため上述
したように、従来法の問題点を大幅に改善できる。
さらに、ａ−５ｉ：Ｈは機械的、熱的に極めて丈夫でメ
）、高速度電子ビーム走査による長時間の電子衝撃に対
して何ら特性の変化を生じないこともわかっておシ、こ
れまでにない優れた撮像管特性を得ることが期待できる
。
）、高速度電子ビーム走査による長時間の電子衝撃に対
して何ら特性の変化を生じないこともわかっておシ、こ
れまでにない優れた撮像管特性を得ることが期待できる
。
＠１図は従来方式の光導電製撮像管の断面図、第２図は
本発明による光導電型撮像管の断面図、第３図、第５図
および第６図は本発明によるＩＩ＆像″ｇターゲットの
断面図、第４図（→、（ｂ）は各々光導電体内の不純物
の分布の例を示す図、第７図は残像の改善効果を説明し
た図、第８薗は青色光感度と残像の改善効果を説明した
図である。 １・・・透光性絶縁基板、２・・・透明導電極、３・・
・透光′性ｎ聾半導体層、４・・・ａ−８ｉ：Ｈ光導電
膜、５・・・走査電子ビームランデインク層、６・・・
走査電子ビーム、７・・・カソード、８・・・負荷抵抗
、９・・・平衡メツシュ電極、１０・・・２次寛子、１
１・・・透光性ｐ型半導体層、１２・・・ｎｆｉ半導体
層、１３・・・２次電第 １ 図 Ｙｌ ２ 口 ′ｆＪ３ 口 ｆＪ ４ 口 （１１） チし構噛ｒ２ イオζノｉりｎｕｌｌ ￥Ｊ ８ 凹 非晶質シリコン／）ＮｖＬ４（μ笥） 第１葦の続き ０発 明 者 小川博文 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 牧島達男 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 平井忠明 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
本発明による光導電型撮像管の断面図、第３図、第５図
および第６図は本発明によるＩＩ＆像″ｇターゲットの
断面図、第４図（→、（ｂ）は各々光導電体内の不純物
の分布の例を示す図、第７図は残像の改善効果を説明し
た図、第８薗は青色光感度と残像の改善効果を説明した
図である。 １・・・透光性絶縁基板、２・・・透明導電極、３・・
・透光′性ｎ聾半導体層、４・・・ａ−８ｉ：Ｈ光導電
膜、５・・・走査電子ビームランデインク層、６・・・
走査電子ビーム、７・・・カソード、８・・・負荷抵抗
、９・・・平衡メツシュ電極、１０・・・２次寛子、１
１・・・透光性ｐ型半導体層、１２・・・ｎｆｉ半導体
層、１３・・・２次電第 １ 図 Ｙｌ ２ 口 ′ｆＪ３ 口 ｆＪ ４ 口 （１１） チし構噛ｒ２ イオζノｉりｎｕｌｌ ￥Ｊ ８ 凹 非晶質シリコン／）ＮｖＬ４（μ笥） 第１葦の続き ０発 明 者 小川博文 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 牧島達男 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 平井忠明 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定の透光性絶縁基板上部に透光性導′ｗＬ展、光
導電体層および２次電子放出のための層とを少なくとも
具備し、前記透光性導電膜を光入射側に配置したターゲ
ットを有する高速度電子ビーム走査製負帯電方式撮像管
であって、前記光導電体層が水素を含有する非晶貞シリ
コンよ９実質的に成ることを特徴とする撮像管。 ２ 前記光導電体層がｍｈ族又はＶｂ族の元本の少なく
とも一考を含有し、且ｍｂ族元素は前記透光性導電膜界
面で含有蓋が最大値を取Ｃ１Ｖｂ族元素は前記光導電膜
のビーム走査側で官有蓋が最大値を取る如く膜厚方向に
含Ｍ量の分布を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の撮像管。 ３、前記ｍｂ族又はＶｂ族元索の宮Ｍ量は元本の各族に
対しその最大値が原子数パーセントで２００Ｇ）Ｉ）ｍ
なることを特徴とする特Ｗｆ請求の範囲第２項記載の撮
像管。 ４、 前記透光性導電膜と前記光導電体層との間に一透
光性ｐ型半導体層、および前記光導電体層のビーム走査
側にｎ［半導体層のうちの少なくともいずれか一考を有
することを特徴とする特許請求の範囲１１ｇ１項又は第
２項記載の撮像管。 ５、前記透光性ｐ型半導体層が前記水素を含有する非晶
質シリコンに■ｂ族元素をＴＶせしめてなる材料で形成
されたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の撮
像管。 ６、前記透光性ｐ型半導体層が水素を含有し、且シリコ
ンと炭素からなる非晶質固溶体なる材料で形成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の撮像管。 ７、前記透光性導電膜と前記元４砥体層との間に前記水
素を含有する非晶質シリコンとへテロ整流性接合を構成
する透光性金属薄膜を有することを特徴とする特ｆｆ祠
求の範囲第１項又は第２項記載の撮像管。 ８、前記ｎｉｉ半導体層が水素を含有する非晶實シリコ
ンにＶｂ族元素を含Ｍせしめた材料、又は非晶質窒化シ
リコンで形成されたことｔａ徴とする特許請求の範囲第
４項記載の撮ｇＲ管。 ９、前記２次電子放出のための層が０．１ ｋＶから２
ｋＶの加速電子衝撃に対して、１以上の２次電子放出比
を有する層なることを特徴とする特許請求の範囲第１項
、第２項又は第４項記載の撮像管。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076736A JPS58194231A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 撮像管 |
| US06/491,921 US4636682A (en) | 1982-05-10 | 1983-05-05 | Image pickup tube |
| KR1019830001971A KR870000150B1 (ko) | 1982-05-10 | 1983-05-09 | 촬상관 |
| DE8383104549T DE3369028D1 (en) | 1982-05-10 | 1983-05-09 | Image pickup tube |
| EP83104549A EP0094076B1 (en) | 1982-05-10 | 1983-05-09 | Image pickup tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076736A JPS58194231A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194231A true JPS58194231A (ja) | 1983-11-12 |
| JPH0480497B2 JPH0480497B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=13613871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57076736A Granted JPS58194231A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 撮像管 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4636682A (ja) |
| EP (1) | EP0094076B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58194231A (ja) |
| KR (1) | KR870000150B1 (ja) |
| DE (1) | DE3369028D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934675A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPH07101598B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | 撮像管 |
| US5233265A (en) * | 1986-07-04 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Photoconductive imaging apparatus |
| DE69122168T2 (de) * | 1990-05-23 | 1997-04-03 | Hitachi Ltd | Bildaufnahmeröhre und Verfahren zum Betrieb derselben |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56132750A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-17 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter and manufacture |
| JPS5730246A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image pick-up device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246772B2 (ja) * | 1973-05-21 | 1977-11-28 | ||
| NL7314804A (nl) * | 1973-10-27 | 1975-04-29 | Philips Nv | Opneembuis. |
| US3987327A (en) * | 1973-12-10 | 1976-10-19 | Rca Corporation | Low dark current photoconductive device |
| JPS54122029A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Pickup tube |
| JPS54150995A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Hitachi Ltd | Photo detector |
| NL7902838A (nl) * | 1979-04-11 | 1980-10-14 | Philips Nv | Opneembuis. |
| JPS56152280A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Light receiving surface |
| JPS56153782A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive thin-film for television camera tube using photosensitizer layer containing amorphous silicon |
| JPS5774945A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive film for image pick-up tube |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP57076736A patent/JPS58194231A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-05 US US06/491,921 patent/US4636682A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-05-09 EP EP83104549A patent/EP0094076B1/en not_active Expired
- 1983-05-09 KR KR1019830001971A patent/KR870000150B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1983-05-09 DE DE8383104549T patent/DE3369028D1/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56132750A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-17 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter and manufacture |
| JPS5730246A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image pick-up device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0094076A3 (en) | 1984-05-02 |
| KR870000150B1 (ko) | 1987-02-12 |
| DE3369028D1 (en) | 1987-02-12 |
| US4636682A (en) | 1987-01-13 |
| KR840004983A (ko) | 1984-10-31 |
| EP0094076A2 (en) | 1983-11-16 |
| EP0094076B1 (en) | 1987-01-07 |
| JPH0480497B2 (ja) | 1992-12-18 |
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