JPH0648616B2 - 光導電膜 - Google Patents
光導電膜Info
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- JPH0648616B2 JPH0648616B2 JP10053584A JP10053584A JPH0648616B2 JP H0648616 B2 JPH0648616 B2 JP H0648616B2 JP 10053584 A JP10053584 A JP 10053584A JP 10053584 A JP10053584 A JP 10053584A JP H0648616 B2 JPH0648616 B2 JP H0648616B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、光導電形撮像管のターゲットに用いる光導電
膜の構造に関するもので、特に整流性接触形光導電膜の
光応答特性のうち、撮像管起動直後の感度の変動を低減
しうる光導電膜に関する。
膜の構造に関するもので、特に整流性接触形光導電膜の
光応答特性のうち、撮像管起動直後の感度の変動を低減
しうる光導電膜に関する。
すでに知られているように、非晶質Ｓｅは光導電性を示
し、ｎ型導電性の信号電極と組み合わせることにより、
整流性接触形の光導電膜を作ることができる。この場
合、Ｓｅは長波長光に対する感度を持たないので、これ
を改善するためＳｅ膜の一部にＴｅを添加する方法がと
られている。
し、ｎ型導電性の信号電極と組み合わせることにより、
整流性接触形の光導電膜を作ることができる。この場
合、Ｓｅは長波長光に対する感度を持たないので、これ
を改善するためＳｅ膜の一部にＴｅを添加する方法がと
られている。
（特許第９０２１８９号）（特許第１０８３５５１号）
（特許第１１０００５３号） また、強い光に対する焼付を低減するため、Ｓｅ膜の一
部にＧａＦ３，ＭｏＯ３，Ｉｎ２Ｏ３等を添加する方法
がとられている。（特開昭５７−１９７８７６号）。第
１図に従来術によるターゲットの原理的構造図を示す。
図において１は透光性基板、２は透明導電膜、３はＰ型
光導電膜増感部分、４はｐ型光導電膜でターゲットの蓄
積容量を減少させる層、５は電子ビームのランデイング
を補助するための層である。ｐ型光導電膜増感部分３は
Ｓｅ，Ａｓ，ＧａＦ３，ｐ型光導電膜４はＳｅ，Ａｓ、
ビームランデイング補助層５はＳｂ２Ｓ３で構成されて
いる。第２図は、第１図におけるｐ型光導電膜増感部分
３の膜厚方向の成分分布の一例を示したものである。こ
の例では感度を増すためのＴｅは透明導電膜２との界面
にあたる膜厚ゼロの位置には全く存在せず（ａの部
分）、膜厚５００Åの部分から急速に濃度を増し、膜厚
１０００Åにわたつて添加されている（ｂの部分）。ａ
およびｂの部分に添加されているＡｓは、Ｓｅの熱的安
定性を高めるためのものである。Ｃの部分には、Ｓｅ中
で電子を補獲する深い準位を形成すると考えられるＡｓ
と、Ｓｅ中で電子を捕獲して負の空間電荷を形成するた
めのＧａＦ３が添加されている。このｃの部分によつて
強い光に対する焼付を低減するとともに、増感効果を高
めている。Ａｓの濃度は膜厚１０００Åにわたつて一様
な勾配で減少している。ＧａＦ３の濃度は膜厚１０００
Åにわたつて一様に分布している。このような構造を持
つターゲットは長波長光に対する感度を増加させ、強い
光に対する焼付を低減させるという目的は達しており、
残像、解像度等撮像管として通常要求される特性は良好
である。しかし、このターゲットには、負の空間電荷を
形成する領域の膜厚が厚いと撮像管起動直後の感度の変
動が大きいという欠点があつた。
（特許第１１０００５３号） また、強い光に対する焼付を低減するため、Ｓｅ膜の一
部にＧａＦ３，ＭｏＯ３，Ｉｎ２Ｏ３等を添加する方法
がとられている。（特開昭５７−１９７８７６号）。第
１図に従来術によるターゲットの原理的構造図を示す。
図において１は透光性基板、２は透明導電膜、３はＰ型
光導電膜増感部分、４はｐ型光導電膜でターゲットの蓄
積容量を減少させる層、５は電子ビームのランデイング
を補助するための層である。ｐ型光導電膜増感部分３は
Ｓｅ，Ａｓ，ＧａＦ３，ｐ型光導電膜４はＳｅ，Ａｓ、
ビームランデイング補助層５はＳｂ２Ｓ３で構成されて
いる。第２図は、第１図におけるｐ型光導電膜増感部分
３の膜厚方向の成分分布の一例を示したものである。こ
の例では感度を増すためのＴｅは透明導電膜２との界面
にあたる膜厚ゼロの位置には全く存在せず（ａの部
分）、膜厚５００Åの部分から急速に濃度を増し、膜厚
１０００Åにわたつて添加されている（ｂの部分）。ａ
およびｂの部分に添加されているＡｓは、Ｓｅの熱的安
定性を高めるためのものである。Ｃの部分には、Ｓｅ中
で電子を補獲する深い準位を形成すると考えられるＡｓ
と、Ｓｅ中で電子を捕獲して負の空間電荷を形成するた
めのＧａＦ３が添加されている。このｃの部分によつて
強い光に対する焼付を低減するとともに、増感効果を高
めている。Ａｓの濃度は膜厚１０００Åにわたつて一様
な勾配で減少している。ＧａＦ３の濃度は膜厚１０００
Åにわたつて一様に分布している。このような構造を持
つターゲットは長波長光に対する感度を増加させ、強い
光に対する焼付を低減させるという目的は達しており、
残像、解像度等撮像管として通常要求される特性は良好
である。しかし、このターゲットには、負の空間電荷を
形成する領域の膜厚が厚いと撮像管起動直後の感度の変
動が大きいという欠点があつた。
本発明の目的は、撮像管起動直後に生じる感度の変動を
低減したターゲットを提供することにある。
低減したターゲットを提供することにある。
増感効果を損なうことなく撮像管起動直後の感度の変動
を減少するという前記の目的を達成するため、本発明に
おいては、従来考えられているＳｅ中で電子を捕獲する
準位を形成して増感効果を高めるための層を薄くするこ
とを骨子とする。
を減少するという前記の目的を達成するため、本発明に
おいては、従来考えられているＳｅ中で電子を捕獲する
準位を形成して増感効果を高めるための層を薄くするこ
とを骨子とする。
本発明によれば、第２図ａ，ｂの部分（感光層）で入射
光により生成されたキャリアは、ｃの部分（以下、増感
補助層と呼ぶ）を組み合わせることによって、信号電流
として有効に取り出されるが、この部分の膜厚をたとえ
ば５０〜９０Åにすることにより、従来提案されている
膜厚に比べ、増感効果を損なうことなく撮像管起動直後
の感度の変動を低減できることが明らかになつた。
光により生成されたキャリアは、ｃの部分（以下、増感
補助層と呼ぶ）を組み合わせることによって、信号電流
として有効に取り出されるが、この部分の膜厚をたとえ
ば５０〜９０Åにすることにより、従来提案されている
膜厚に比べ、増感効果を損なうことなく撮像管起動直後
の感度の変動を低減できることが明らかになつた。
第３図は、本発明を説明するための成分分布の一例であ
る。以下、本発明の説明中の成分比は重量比で表示す
る。第３図の例では、Ｔｅは透明導電膜との界面にあた
る膜厚ゼロの位置には全く存在せず（ａ′の部分）、膜
厚５００Åの部分から急速に濃度を増し、３０％の濃度
で膜厚１０００Åにわたつて添加されている（ｂ′の部
分）。ＡＳはａ′の部分には６％、ｂ′の部分には３％
の濃度で膜厚方向に一様に分布している。このＴｅ，Ａ
ｓの構成は原理的には第２図の場合と同じである。第２
図と異なるのは、増感補助層ｃ′の部分である。ｃ′の
部分の膜厚は５０Å、その部分のＡｓ濃度は２０％で膜
厚方向に一様に分布している。又、ｃ′の部分には、Ｇ
ａＦ３が１５００ppmの濃度で膜厚方向に一様に分布し
ている。
る。以下、本発明の説明中の成分比は重量比で表示す
る。第３図の例では、Ｔｅは透明導電膜との界面にあた
る膜厚ゼロの位置には全く存在せず（ａ′の部分）、膜
厚５００Åの部分から急速に濃度を増し、３０％の濃度
で膜厚１０００Åにわたつて添加されている（ｂ′の部
分）。ＡＳはａ′の部分には６％、ｂ′の部分には３％
の濃度で膜厚方向に一様に分布している。このＴｅ，Ａ
ｓの構成は原理的には第２図の場合と同じである。第２
図と異なるのは、増感補助層ｃ′の部分である。ｃ′の
部分の膜厚は５０Å、その部分のＡｓ濃度は２０％で膜
厚方向に一様に分布している。又、ｃ′の部分には、Ｇ
ａＦ３が１５００ppmの濃度で膜厚方向に一様に分布し
ている。
第３図の例では、Ａｓ及びＧａＦ３は膜厚方向に一様な
濃度でｃ′の部分全体に分布しているが、必ずしも一様
である必要はなく、濃度変化をもつていてもかまわな
い。たとえばｃ′の部分全体にわたつてＡｓとＧａＦ３
の両者が同時に添加されていなくてもかまわない。ま
た、第３図の例では、ｃ′の部分をＳｅ，Ａｓ，ＧａＦ
３で構成しているが、本発明によればこの部分の少くと
も一部にＴｅを含んでいてもかまわないし、その濃度は
膜厚方向に一様に分布してもよく、濃度変化を持つてい
ても良い。また、Ａｓの代りに、Ｓｅ中で深い電子捕獲
準位を形成すると考えられる物質、すなわちＢｉ，Ｓ
ｂ，Ｇｅ，Ｓのいずれか、またはＡｓと上記元素から成
る群の中から選ばれた複数の元素であつても良い。必要
なことは、ｃ′の部分の膜厚を２０Å以上５００Å以
下、さらに好ましくは５０Å以上５００Å以下とし、こ
のｃ′の部分の少くとも一部に、Ｓｅ中で負の空間電荷
を形成するような物質、すなわちＣｕＯ，Ｉｎ２Ｏ３，
ＳｅＯ２，Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＧａＦ３，Ｉ
ｎＦ３，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃｌ，Ｉ，Ｂｒから成る群
から選ばれた少くとも１者を膜厚２０Å以上９０Å以下
の領域にわたつて含有せしめることである。ｃ′の部分
に添加するＳｅ中で深い電子捕獲準位を形成する物質の
濃度は１％以上３０％以下、負の空間電荷を形成するよ
うな上記物質の濃度は１０ppm以上１％以下が好まし
く、濃度が上記以下の場合は増感補助層としての効果が
そこなわれて撮像管起動直後の感度が低下する方向に変
動し、逆に上記以上の場合は増加方向の感度変動が大き
くなつてしまう。
濃度でｃ′の部分全体に分布しているが、必ずしも一様
である必要はなく、濃度変化をもつていてもかまわな
い。たとえばｃ′の部分全体にわたつてＡｓとＧａＦ３
の両者が同時に添加されていなくてもかまわない。ま
た、第３図の例では、ｃ′の部分をＳｅ，Ａｓ，ＧａＦ
３で構成しているが、本発明によればこの部分の少くと
も一部にＴｅを含んでいてもかまわないし、その濃度は
膜厚方向に一様に分布してもよく、濃度変化を持つてい
ても良い。また、Ａｓの代りに、Ｓｅ中で深い電子捕獲
準位を形成すると考えられる物質、すなわちＢｉ，Ｓ
ｂ，Ｇｅ，Ｓのいずれか、またはＡｓと上記元素から成
る群の中から選ばれた複数の元素であつても良い。必要
なことは、ｃ′の部分の膜厚を２０Å以上５００Å以
下、さらに好ましくは５０Å以上５００Å以下とし、こ
のｃ′の部分の少くとも一部に、Ｓｅ中で負の空間電荷
を形成するような物質、すなわちＣｕＯ，Ｉｎ２Ｏ３，
ＳｅＯ２，Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＧａＦ３，Ｉ
ｎＦ３，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃｌ，Ｉ，Ｂｒから成る群
から選ばれた少くとも１者を膜厚２０Å以上９０Å以下
の領域にわたつて含有せしめることである。ｃ′の部分
に添加するＳｅ中で深い電子捕獲準位を形成する物質の
濃度は１％以上３０％以下、負の空間電荷を形成するよ
うな上記物質の濃度は１０ppm以上１％以下が好まし
く、濃度が上記以下の場合は増感補助層としての効果が
そこなわれて撮像管起動直後の感度が低下する方向に変
動し、逆に上記以上の場合は増加方向の感度変動が大き
くなつてしまう。
すでにまた、信号電流の大部分を生成する領域ａ′，
ｂ′の部分に、浅い準位を形成するような弗化物Ｌｉ
Ｆ，ＣａＦ２等を添加することにより、強い光に対する
残像を改良する方法（特願昭５４−７１７６７号）が提
案されているが、この方法と本発明を組み合わせても、
上記強い光に対する残像改善効果を損なうことなく、本
発明の目的である撮像管起動直後の感度の変動を低減す
ることができる。
ｂ′の部分に、浅い準位を形成するような弗化物Ｌｉ
Ｆ，ＣａＦ２等を添加することにより、強い光に対する
残像を改良する方法（特願昭５４−７１７６７号）が提
案されているが、この方法と本発明を組み合わせても、
上記強い光に対する残像改善効果を損なうことなく、本
発明の目的である撮像管起動直後の感度の変動を低減す
ることができる。
以下、本発明による光導電膜の構造を実施例に従つて説
明する。
明する。
実施例１ ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を２００
Å，ＣｅＯ２を２００Åの厚さに３×１０−６Ｔｏｒｒ
の真空中で蒸着する。その上に第１層としてＳｅ，Ａｓ
２Ｓｅ３を別々の蒸着ポートから１００〜５００Åの厚
さに蒸着する。このＡｓ濃度は６％とし、膜厚方向に一
様に分布させる。続いてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを別
々の蒸着ポートから蒸発させ、５００〜１０００Åの厚
さの第２層を形成する。このときＴｅ濃度は３５〜２５
％，Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に分布させる。第
２層の上に増感補助層として、Ｓｅ，Ａｓ，Ｉｎ２Ｏ３
からなる第３層を５０〜９０Åの厚さに蒸着する。第３
層を蒸着する場合、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｏ３は
別々の蒸着ボートから同時に蒸発させる。このときＡｓ
濃度は２０％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は５００ppmで膜厚方向
に一様に分布させる。第３層の上に第４層としてＳｅと
Ａｓ２Ｓｅ３を同時に蒸着し、全体の膜厚が６μｍとな
るようにする。このとき、第４層のＡｓ濃度は２％と
し、膜厚方向に一様に分布させる。第１層から第４層ま
では２×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着する。第４層
の上にビームランデイング補助層として、２×１０−１
Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を１０００Å
の厚さに蒸着する。
し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を２００
Å，ＣｅＯ２を２００Åの厚さに３×１０−６Ｔｏｒｒ
の真空中で蒸着する。その上に第１層としてＳｅ，Ａｓ
２Ｓｅ３を別々の蒸着ポートから１００〜５００Åの厚
さに蒸着する。このＡｓ濃度は６％とし、膜厚方向に一
様に分布させる。続いてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを別
々の蒸着ポートから蒸発させ、５００〜１０００Åの厚
さの第２層を形成する。このときＴｅ濃度は３５〜２５
％，Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に分布させる。第
２層の上に増感補助層として、Ｓｅ，Ａｓ，Ｉｎ２Ｏ３
からなる第３層を５０〜９０Åの厚さに蒸着する。第３
層を蒸着する場合、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｏ３は
別々の蒸着ボートから同時に蒸発させる。このときＡｓ
濃度は２０％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は５００ppmで膜厚方向
に一様に分布させる。第３層の上に第４層としてＳｅと
Ａｓ２Ｓｅ３を同時に蒸着し、全体の膜厚が６μｍとな
るようにする。このとき、第４層のＡｓ濃度は２％と
し、膜厚方向に一様に分布させる。第１層から第４層ま
では２×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着する。第４層
の上にビームランデイング補助層として、２×１０−１
Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を１０００Å
の厚さに蒸着する。
実施例２ ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、その上に第１層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３をそれぞ
れ別々の蒸着ボートから３００Åの厚さに蒸着する。Ａ
ｓ濃度は６％で膜厚方向に一様に分布させる。第１層の
上に第２層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅをそれぞれ
別々の蒸着ポートから蒸発させ５００Åの厚さに蒸着す
る。Ｔｅ濃度は３５％、Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一
様に分布させる。第２層の上に第３層を蒸着する。第３
層は、まず前半部として５０Åの厚さにＳｅ，Ａｓ２Ｓ
ｅ３，Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸
着する。この部分のＡｓ濃度は２５％，Ｉｎ２Ｏ３濃度
は３００ppmで膜厚方向に一様に分布させる。さらにそ
の上に第３層の後半部として３０Åの厚さにＳｅ，Ａｓ
２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ別々の蒸着ボートによ
り蒸着する。Ａｓ濃度は３％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は３００
ppmで膜厚方向に一様に分布させる。この第３層の前半
部と後半部を合わせて増感補助層とする。次にＳｅ，Ａ
ｓよりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚を４μｍとす
る。第４層のＡｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分
布させる。第１層から第４層までの蒸着は２×１０−６
Ｔｏｒｒの真空中で行なう。第４層の上に３×１０−１
Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を７５０Åの
厚さに蒸着する。
し、その上に第１層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３をそれぞ
れ別々の蒸着ボートから３００Åの厚さに蒸着する。Ａ
ｓ濃度は６％で膜厚方向に一様に分布させる。第１層の
上に第２層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅをそれぞれ
別々の蒸着ポートから蒸発させ５００Åの厚さに蒸着す
る。Ｔｅ濃度は３５％、Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一
様に分布させる。第２層の上に第３層を蒸着する。第３
層は、まず前半部として５０Åの厚さにＳｅ，Ａｓ２Ｓ
ｅ３，Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ別々の蒸着ボートにより蒸
着する。この部分のＡｓ濃度は２５％，Ｉｎ２Ｏ３濃度
は３００ppmで膜厚方向に一様に分布させる。さらにそ
の上に第３層の後半部として３０Åの厚さにＳｅ，Ａｓ
２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ別々の蒸着ボートによ
り蒸着する。Ａｓ濃度は３％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は３００
ppmで膜厚方向に一様に分布させる。この第３層の前半
部と後半部を合わせて増感補助層とする。次にＳｅ，Ａ
ｓよりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚を４μｍとす
る。第４層のＡｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分
布させる。第１層から第４層までの蒸着は２×１０−６
Ｔｏｒｒの真空中で行なう。第４層の上に３×１０−１
Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を７５０Åの
厚さに蒸着する。
実施例３ ガラス基板上に酸化インジウムを主体とする透明導電膜
を形成し、さらに整流性接触補助層としてＣｅＯ２を３
×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で３００Åの厚さに蒸着す
る。その上に第１層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから２００Åの厚さに蒸着する。このときＡ
ｓ濃度は３％で膜厚方向に一様に添加する。続いて第２
層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを別々の蒸着ボート
から６００Åの厚さに蒸着する。このときＴｅ濃度は３
０％、Ａｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分布させ
る。第１層、第２層で感光層を形成する。第２層の上に
増感補助層として、Ｓｅ，Ａｓ，ＧａＦ３よりなる第３
層を蒸着する。第３層を蒸着する場合、まずＳｅとＡｓ
２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから２０Åの厚さに蒸着す
る。このときＡｓ濃度は２５％で膜厚方向に一様に分布
させる。さらにその上に、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＧａＦ
３を別々の蒸着ボートから５０Åの厚さに蒸着する。こ
のときＡｓ濃度は２％、ＧａＦ３濃度は１０００ppmで
膜厚方向に一様に分布させる。以上で第３層の蒸着を終
る。続いて第４層を蒸着する。第４層はＳｅとＡｓ２Ｓ
ｅ３を別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、第１層から
第４層までの膜厚が５μｍとなるようにする。第４層の
Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に分布させる。第４層
までの蒸着は３×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で行なう。
第４層の上に、２×１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気
中でＳｂ２Ｓ３を１０００Åの厚さに蒸着する。
を形成し、さらに整流性接触補助層としてＣｅＯ２を３
×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で３００Åの厚さに蒸着す
る。その上に第１層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから２００Åの厚さに蒸着する。このときＡ
ｓ濃度は３％で膜厚方向に一様に添加する。続いて第２
層としてＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを別々の蒸着ボート
から６００Åの厚さに蒸着する。このときＴｅ濃度は３
０％、Ａｓ濃度は３％とし、膜厚方向に一様に分布させ
る。第１層、第２層で感光層を形成する。第２層の上に
増感補助層として、Ｓｅ，Ａｓ，ＧａＦ３よりなる第３
層を蒸着する。第３層を蒸着する場合、まずＳｅとＡｓ
２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから２０Åの厚さに蒸着す
る。このときＡｓ濃度は２５％で膜厚方向に一様に分布
させる。さらにその上に、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＧａＦ
３を別々の蒸着ボートから５０Åの厚さに蒸着する。こ
のときＡｓ濃度は２％、ＧａＦ３濃度は１０００ppmで
膜厚方向に一様に分布させる。以上で第３層の蒸着を終
る。続いて第４層を蒸着する。第４層はＳｅとＡｓ２Ｓ
ｅ３を別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、第１層から
第４層までの膜厚が５μｍとなるようにする。第４層の
Ａｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に分布させる。第４層
までの蒸着は３×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で行なう。
第４層の上に、２×１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気
中でＳｂ２Ｓ３を１０００Åの厚さに蒸着する。
実施例４ ガラス基板上に酸化インジウムを主体とする透明導電膜
を形成し、さらに整流性接触補助層として、ＣｅＯ２を
２００Åの厚さに蒸着する。この蒸着は２×１０−６Ｔ
ｏｒｒの真空中で行なう。続いて第１層の蒸着を次の手
順で行なう。まず、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＬｉＦを別々
の蒸着ボートから８０〜３００Åの厚さに蒸着する。こ
のときＡｓ濃度は６％、ＬｉＦ濃度は１０００ppmと
し、膜厚方向に一様に分布させる。さらにこの上に、Ｓ
ｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＬｉＦを別々の蒸着ボートから、６
０Åの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は１０％、
ＬｉＦ濃度は６０００ppmで膜厚方向に一様に分布させ
る。以上で第１層の蒸着を終る。第１層の上に第２層を
蒸着する。第２層はまず、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅ，
ＬｉＦを別々の蒸着ボートから２５０Åの厚さに蒸着す
る。このときのＡｓ濃度は２％、Ｔｅ濃度は３３％、Ｌ
ｉＦ濃度は３０００ppmで膜厚方向に一様に分布させ
る。さらにその上に、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを別々
の蒸着ボートから２５０Åの厚さに蒸着する。この場合
のＡｓ濃度は２％、Ｔｅ濃度は３３％で膜厚方向に一様
に分布させる。以上で第２層の蒸着を終る。次に第３層
を蒸着する。第３層はまず、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｇａ
Ｆ３を別々の蒸着ボートから５０Åの厚さに蒸着する。
このときのＡｓ濃度は２０％、ＧａＦ３濃度は１５００
ppmで膜厚方向に一様に分布させる。さらにその上に、
Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから３００〜４
５０Åの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は１０％
で膜厚方向に一様に分布させる。以上で増感補助層とな
る第３層の蒸着を終り、続いてＳｅ，Ａｓよりなる第４
層を蒸着する。第４層は、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから蒸着し、第１層から第４層までの膜厚が
全体で６μｍになるようにする。第４層のＡｓ濃度は
２．５％とし、膜厚方向に一様に分布させる。第１層か
ら第４層までの蒸着は２×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で
行なう。続いてビームランデイング補助層として、２×
１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を７
５０Åの厚さに蒸着する。
を形成し、さらに整流性接触補助層として、ＣｅＯ２を
２００Åの厚さに蒸着する。この蒸着は２×１０−６Ｔ
ｏｒｒの真空中で行なう。続いて第１層の蒸着を次の手
順で行なう。まず、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＬｉＦを別々
の蒸着ボートから８０〜３００Åの厚さに蒸着する。こ
のときＡｓ濃度は６％、ＬｉＦ濃度は１０００ppmと
し、膜厚方向に一様に分布させる。さらにこの上に、Ｓ
ｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＬｉＦを別々の蒸着ボートから、６
０Åの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は１０％、
ＬｉＦ濃度は６０００ppmで膜厚方向に一様に分布させ
る。以上で第１層の蒸着を終る。第１層の上に第２層を
蒸着する。第２層はまず、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅ，
ＬｉＦを別々の蒸着ボートから２５０Åの厚さに蒸着す
る。このときのＡｓ濃度は２％、Ｔｅ濃度は３３％、Ｌ
ｉＦ濃度は３０００ppmで膜厚方向に一様に分布させ
る。さらにその上に、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを別々
の蒸着ボートから２５０Åの厚さに蒸着する。この場合
のＡｓ濃度は２％、Ｔｅ濃度は３３％で膜厚方向に一様
に分布させる。以上で第２層の蒸着を終る。次に第３層
を蒸着する。第３層はまず、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｇａ
Ｆ３を別々の蒸着ボートから５０Åの厚さに蒸着する。
このときのＡｓ濃度は２０％、ＧａＦ３濃度は１５００
ppmで膜厚方向に一様に分布させる。さらにその上に、
Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから３００〜４
５０Åの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は１０％
で膜厚方向に一様に分布させる。以上で増感補助層とな
る第３層の蒸着を終り、続いてＳｅ，Ａｓよりなる第４
層を蒸着する。第４層は、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから蒸着し、第１層から第４層までの膜厚が
全体で６μｍになるようにする。第４層のＡｓ濃度は
２．５％とし、膜厚方向に一様に分布させる。第１層か
ら第４層までの蒸着は２×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で
行なう。続いてビームランデイング補助層として、２×
１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を７
５０Åの厚さに蒸着する。
実施例５ ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成
し、その上に第１層として、Ｓｅを８０〜３００Åの厚
さに蒸着する。続いてＳｅとＴｅをそれぞれ別々の蒸着
ボートから蒸着し、膜厚６００Åの第２層を形成する。
この場合、Ｔｅ濃度は３０％で膜厚方向に一様に分布さ
せる。次に第３層として、ＳｅとＩｎ２Ｏ３を別々の蒸
着ボートから９０Åの膜厚に蒸着する。この場合、Ｉｎ
２Ｏ３濃度は１０００ppmで膜厚方向に一様に分布させ
る。第３層の上にＳｅを膜厚４μｍ蒸着する。第１層か
ら第４層までは２×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着す
る。第４層の上に２×１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲
気中でＳｂ２Ｓ３を１０００Å蒸着し、電子ビームラン
デイング補助層を形成する。なお、上記の第１層から第
４層にわたつてＡｓまたはＧｅを１０％以下添加すれ
ば、Ｓｅの結晶化が防止されて熱的安定性を向上するこ
とができる。
し、その上に第１層として、Ｓｅを８０〜３００Åの厚
さに蒸着する。続いてＳｅとＴｅをそれぞれ別々の蒸着
ボートから蒸着し、膜厚６００Åの第２層を形成する。
この場合、Ｔｅ濃度は３０％で膜厚方向に一様に分布さ
せる。次に第３層として、ＳｅとＩｎ２Ｏ３を別々の蒸
着ボートから９０Åの膜厚に蒸着する。この場合、Ｉｎ
２Ｏ３濃度は１０００ppmで膜厚方向に一様に分布させ
る。第３層の上にＳｅを膜厚４μｍ蒸着する。第１層か
ら第４層までは２×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着す
る。第４層の上に２×１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲
気中でＳｂ２Ｓ３を１０００Å蒸着し、電子ビームラン
デイング補助層を形成する。なお、上記の第１層から第
４層にわたつてＡｓまたはＧｅを１０％以下添加すれ
ば、Ｓｅの結晶化が防止されて熱的安定性を向上するこ
とができる。
実施例６ ガラス基板上に酸化インジウムを主体とするる透明導電
膜を形成し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を
２００Å，ＣｅＯ２を２００Åの厚さに３×１０−６Ｔ
ｏｒｒの真空中で蒸着する。その上に第１層として、Ｓ
ｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから８０〜３００
Åの厚さに蒸着させる。このときのＡｓ濃度は５％で膜
厚方向に一様に分布させる。次にＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，
Ｔｅを別々の蒸着ボートから蒸発させ、５００〜１００
０Åの膜厚の第２層を形成する。このときＴｅ濃度は３
５〜２５％、Ａｓ濃度は３％で膜厚方向に一様に分布さ
せる。第２層の上に増感補助層として第３層を蒸着す
る。第３層は、まず前半部として、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓ
ｅ３，Ｔｅをそれぞれ別々の蒸着ボートにより５０〜２
０Åの膜厚に蒸着する。この場合、Ａｓ濃度は３〜１０
％、Ｔｅ濃度は４０〜２０％で、いずれも膜厚方向に一
様に分布させる。続いて第３層後半部として、Ｓｅ，Ａ
ｓ２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｏ３を別々の蒸着ボートによ２０〜
７０Åの膜厚に蒸着する。このときのＡｓ濃度は２０
％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は５００ppmで膜厚方向に一様に分
布させる。以上の前半部と後半部で、その合計膜厚が５
０〜１００Åの第３層を構成する。続いて、Ｓｅ，Ａｓ
よりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚が６μｍとなるよ
うにする。第４層のＡｓ濃度は２％とし、膜厚方向に一
様に分布させる。第１層から第４層までの蒸着は２×１
０−６Ｔｏｒｒの真空中で行なう。第４層の上に３×１
０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を１０
００Åの厚さに蒸着する。
膜を形成し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を
２００Å，ＣｅＯ２を２００Åの厚さに３×１０−６Ｔ
ｏｒｒの真空中で蒸着する。その上に第１層として、Ｓ
ｅ，Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから８０〜３００
Åの厚さに蒸着させる。このときのＡｓ濃度は５％で膜
厚方向に一様に分布させる。次にＳｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，
Ｔｅを別々の蒸着ボートから蒸発させ、５００〜１００
０Åの膜厚の第２層を形成する。このときＴｅ濃度は３
５〜２５％、Ａｓ濃度は３％で膜厚方向に一様に分布さ
せる。第２層の上に増感補助層として第３層を蒸着す
る。第３層は、まず前半部として、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓ
ｅ３，Ｔｅをそれぞれ別々の蒸着ボートにより５０〜２
０Åの膜厚に蒸着する。この場合、Ａｓ濃度は３〜１０
％、Ｔｅ濃度は４０〜２０％で、いずれも膜厚方向に一
様に分布させる。続いて第３層後半部として、Ｓｅ，Ａ
ｓ２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｏ３を別々の蒸着ボートによ２０〜
７０Åの膜厚に蒸着する。このときのＡｓ濃度は２０
％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は５００ppmで膜厚方向に一様に分
布させる。以上の前半部と後半部で、その合計膜厚が５
０〜１００Åの第３層を構成する。続いて、Ｓｅ，Ａｓ
よりなる第４層を蒸着し、全体の膜厚が６μｍとなるよ
うにする。第４層のＡｓ濃度は２％とし、膜厚方向に一
様に分布させる。第１層から第４層までの蒸着は２×１
０−６Ｔｏｒｒの真空中で行なう。第４層の上に３×１
０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を１０
００Åの厚さに蒸着する。
実施例７ ガラス基板上に酸化インジウムを主体とする透明導電膜
を形成し、さらに整流性接触補助層として、ＣｅＯ２を
３×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で３００Åの厚さに蒸着
する。その上に第１層として、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３をそ
れぞれ別々の蒸着ボートで２００Åの厚さに蒸着させ
る。このときのＡｓ濃度は３％で膜厚方向に一様に分布
させる。次に第２層として、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅ
を別々の蒸着ボートから同時に蒸着させ６００Åの厚さ
に蒸着する。この場合、Ｔｅ濃度は３３％、Ａｓ濃度は
３％で膜厚方向に一様に分布させる。第２層の上に第３
層を蒸着する。第３層は、まず前半部として、Ｓｅ，Ａ
ｓ２Ｓｅ３，Ｔｅ，ＧａＦ３をそれぞれ別々のボートで
３０Åの厚さに蒸着する。このときのＴｅ濃度は１０〜
２５％、Ａｓ濃度は３％、ＧａＦ３濃度は１５００ppm
で膜厚方向に一様に分布させる。続いて第３層後半部と
して、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＧａＦ３を別々の蒸着ボー
トから３０Åの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は
１０〜２０％、ＧａＦ３濃度は１０００ppmで膜厚方向
に一様に分布させる。以上で合計膜厚が６０Åの第３層
の蒸着を終る。次に第４層を蒸着する。第４層は、Ｓｅ
とＡｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、
第１層から第４層までの膜厚が５μｍとなるようにす
る。第４層のＡｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に分布さ
せる。第４層までの蒸着は３×１０−６Ｔｏｒｒの真空
中で行なう。第４層の上に４×１０−１Ｔｏｒｒのアル
ゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を５００Åの厚さに蒸着す
る。
を形成し、さらに整流性接触補助層として、ＣｅＯ２を
３×１０−６Ｔｏｒｒの真空中で３００Åの厚さに蒸着
する。その上に第１層として、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３をそ
れぞれ別々の蒸着ボートで２００Åの厚さに蒸着させ
る。このときのＡｓ濃度は３％で膜厚方向に一様に分布
させる。次に第２層として、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅ
を別々の蒸着ボートから同時に蒸着させ６００Åの厚さ
に蒸着する。この場合、Ｔｅ濃度は３３％、Ａｓ濃度は
３％で膜厚方向に一様に分布させる。第２層の上に第３
層を蒸着する。第３層は、まず前半部として、Ｓｅ，Ａ
ｓ２Ｓｅ３，Ｔｅ，ＧａＦ３をそれぞれ別々のボートで
３０Åの厚さに蒸着する。このときのＴｅ濃度は１０〜
２５％、Ａｓ濃度は３％、ＧａＦ３濃度は１５００ppm
で膜厚方向に一様に分布させる。続いて第３層後半部と
して、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，ＧａＦ３を別々の蒸着ボー
トから３０Åの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は
１０〜２０％、ＧａＦ３濃度は１０００ppmで膜厚方向
に一様に分布させる。以上で合計膜厚が６０Åの第３層
の蒸着を終る。次に第４層を蒸着する。第４層は、Ｓｅ
とＡｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、
第１層から第４層までの膜厚が５μｍとなるようにす
る。第４層のＡｓ濃度は２％で膜厚方向に一様に分布さ
せる。第４層までの蒸着は３×１０−６Ｔｏｒｒの真空
中で行なう。第４層の上に４×１０−１Ｔｏｒｒのアル
ゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を５００Åの厚さに蒸着す
る。
本発明を実施することにより、撮像管起動直後に生じる
感度の変動を改善することができる。この効果の物理的
解釈はまだ十分解明されてはいないが、増感補助層（第
３層）の膜厚を２０〜５００Åと薄くすることによつ
て、その部分で光により励起された電子が準位に捕獲さ
れにくくなり、撮像管起動直後の感度変動の原因となる
増感補助層内の空間電荷の変化を抑制できたためと考え
られる。
感度の変動を改善することができる。この効果の物理的
解釈はまだ十分解明されてはいないが、増感補助層（第
３層）の膜厚を２０〜５００Åと薄くすることによつ
て、その部分で光により励起された電子が準位に捕獲さ
れにくくなり、撮像管起動直後の感度変動の原因となる
増感補助層内の空間電荷の変化を抑制できたためと考え
られる。
第４図は、Ｓｅ中で負の空間電荷を形成するための物質
を添加する領域の膜厚と感度の変動の関係を示したもの
である。物質を添加する領域の膜厚が１００Å以上では
感度の変動が大きくなり始める。また、この膜厚が薄い
場合には、安定にその効果を得ることが困難である。望
ましい膜厚は２０Å以上９０Å以下である。
を添加する領域の膜厚と感度の変動の関係を示したもの
である。物質を添加する領域の膜厚が１００Å以上では
感度の変動が大きくなり始める。また、この膜厚が薄い
場合には、安定にその効果を得ることが困難である。望
ましい膜厚は２０Å以上９０Å以下である。
第５図は撮像管起動直後の感度の変動を示したものであ
る。横軸は増感補助層の膜厚、縦軸は感度の変動を示し
ている。第５図では、増感補助層の膜厚が厚すぎる場
合、感度変動が正方向に激増し、逆に膜厚が薄すぎる場
合は負方向に増加している。望ましい膜厚は２０Å以上
５００Å以下である。
る。横軸は増感補助層の膜厚、縦軸は感度の変動を示し
ている。第５図では、増感補助層の膜厚が厚すぎる場
合、感度変動が正方向に激増し、逆に膜厚が薄すぎる場
合は負方向に増加している。望ましい膜厚は２０Å以上
５００Å以下である。
なお、本発明は撮像管ターゲツトに対してなされたもの
であるが、同様の材料を用いた受光素子にも応用できる
ことはいうまでもない。
であるが、同様の材料を用いた受光素子にも応用できる
ことはいうまでもない。
第１図は従来技術による撮像管ターゲツトの原理的構造
図、第２図は第１図に示した撮像管ターゲツトの増感領
域の成分分布の一例を示す図、第３図は本発明による撮
像管ターゲツトの一部分の成分分布の一例を示す図、第
４図ならびに第５図は撮像管起動直後の感度の変動を示
す図である。 １……透光性基板、２……透明導電膜、３……ｐ型光導
電膜増感部分、４……ｐ型光導電膜、５……ビィームラ
ンディング補助層。
図、第２図は第１図に示した撮像管ターゲツトの増感領
域の成分分布の一例を示す図、第３図は本発明による撮
像管ターゲツトの一部分の成分分布の一例を示す図、第
４図ならびに第５図は撮像管起動直後の感度の変動を示
す図である。 １……透光性基板、２……透明導電膜、３……ｐ型光導
電膜増感部分、４……ｐ型光導電膜、５……ビィームラ
ンディング補助層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗山 孝夫 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本放 送協会総合技術研究所内 (72)発明者 高崎 幸男 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 平井 忠明 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 野中 育光 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 井上 栄典 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭59−132541（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−80637（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】光の入射側から、互いに接して設けられた
第１セレン層と、テルルを含有する第２セレン層と、第
３セレン層との積層膜からなる増感部を備えた光導電膜
において、 上記第３セレン層の少なくとも一部に設けられ、２０Å
〜９０Åの範囲の厚さを有し、セレンの中で負の空間電
荷を形成する酸化物であって、Ｉｎ２Ｏ３以外の酸化物
と、セレンの中で負の空間電荷を形成する弗化物と、II
族、III族又はVII族に属し且つセレンの中で負の空間電
荷を形成する元素とから成る群から選ばれた少なくとも
一者を、重量比の平均で１０ppm以上１％以下の濃度で
含有する空間電荷層を有することを特徴とする光導電
膜。 - 【請求項２】光の入射側から、互いに接して設けられた
第１セレン層と、テルルを含有する第２セレン層と、第
３セレン層との積層膜からなる増感部を備えた光導電膜
において、 上記第３セレン層の少なくとも第２セレン層と接する領
域に設けられ、２０Å〜９０Åの範囲の厚さを有し、セ
レンの中で負の空間電荷を形成するＩｎ２Ｏ３を重量比
の平均で１０ppm以上１％以下の濃度で含有する空間電
荷層を有することを特徴とする光導電膜。 - 【請求項３】上記酸化物は、ＣｕＯ、ＳｅＯ２、Ｖ２Ｏ
５、ＭｏＯ３及びＷＯ３から成る群より選ばれた少なく
とも一者であり、上記弗化物は、ＧａＦ３又はＩｎＦ３
の少なくとも一者であり、上記元素は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｃｌ、Ｉ及びＢｒからなる群より選ばれた少なくと
も一者であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光導電膜。 - 【請求項４】上記第３セレン層の厚さは、２０Å以上５
００Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項の何れかに記載の光導電膜。 - 【請求項５】上記第３セレン層は、セレンの中で深い電
子捕獲準位を形成する物質を含有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載の光導
電膜。 - 【請求項６】上記物質は、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｇｅ及び
Ｓからなる群の中から選ばれた単数または複数の元素か
らなり、上記第３セレン層は該物質を平均で１重量％以
上３０重量％以下の濃度で含有することを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の光導電膜。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10053584A JPH0648616B2 (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 光導電膜 |
| KR8503364A KR890003183B1 (en) | 1984-05-21 | 1985-05-16 | Photo conductive film |
| US06/736,149 US4617248A (en) | 1984-05-21 | 1985-05-20 | Doped photoconductive film including selenium and tellurium |
| EP85303520A EP0163468B1 (en) | 1984-05-21 | 1985-05-20 | A photoconductive film |
| DE8585303520T DE3575044D1 (de) | 1984-05-21 | 1985-05-20 | Fotoleitende schicht. |
| CN85104072A CN85104072B (zh) | 1984-05-21 | 1985-05-28 | 光电导膜 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10053584A JPH0648616B2 (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 光導電膜 |
| CN85104072A CN85104072B (zh) | 1984-05-21 | 1985-05-28 | 光电导膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245283A JPS60245283A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0648616B2 true JPH0648616B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=25741695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP0163468B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0648616B2 (ja) |
| KR (1) | KR890003183B1 (ja) |
| CN (1) | CN85104072B (ja) |
| DE (1) | DE3575044D1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US4888521A (en) * | 1986-07-04 | 1989-12-19 | Hitachi Ltd. | Photoconductive device and method of operating the same |
| JP4054168B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2008-02-27 | 日本放送協会 | 撮像デバイス及びその動作方法 |
| WO2015198388A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | パイオニア株式会社 | 光電変換膜およびこれを備えた撮像装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS51120611A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Photoconducting film |
| JPS5832454B2 (ja) * | 1979-06-07 | 1983-07-13 | 日本放送協会 | 光導電性タ−ゲツト |
| JPS5780637A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Target for image pickup tube |
| JPS57197876A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photoconductive film |
| JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10053584A patent/JPH0648616B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-05-16 KR KR8503364A patent/KR890003183B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-05-20 EP EP85303520A patent/EP0163468B1/en not_active Expired
- 1985-05-20 DE DE8585303520T patent/DE3575044D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-20 US US06/736,149 patent/US4617248A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-28 CN CN85104072A patent/CN85104072B/zh not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN85104072B (zh) | 1988-02-24 |
| CN85104072A (zh) | 1986-11-26 |
| US4617248A (en) | 1986-10-14 |
| DE3575044D1 (de) | 1990-02-01 |
| KR890003183B1 (en) | 1989-08-25 |
| JPS60245283A (ja) | 1985-12-05 |
| EP0163468A3 (en) | 1986-07-09 |
| KR850008039A (ko) | 1985-12-11 |
| EP0163468A2 (en) | 1985-12-04 |
| EP0163468B1 (en) | 1989-12-27 |
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