KR850008039A - 광도전막(光導電膜) - Google Patents

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KR850008039A
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겐끼찌 다니오까 (외 6)
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미다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼 (외 1)
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    • H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
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Abstract

내용 없음

Description

광도전막(光導電膜)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 의한 촬상관 타게트의 원리적 구조도.
제2도는 제1도에 나타낸 촬상관 타게트의 증감영역의 성분분포의 일례를 나타낸 도면.
제3도는 본원 발명이 적용되는 촬상관 타게트의 증감영역의 성분분포의 일례를 나타낸 도면.
제4도는 마이너스의 공간전하를 형성하는 물질을 첨가하는 영역의 막두께의 변화에 대한 촬상관 기동직후의 감도의 변동을 나타낸 도면.

Claims (4)

  1. 셀렌을 주체로 하는 광도전체층의 막두께방향의 일부에 텔루르를 첨가하여 감도를 증가시킨 광도전막이며, 또한 상기 텔루르를 첨가한 영역의 최소한 일부와 이 텔루르를 첨가한 영역에 인접한 영역중의 최소한 일부분의 어느 하나나 또는 쌍방에 셀렌중에서 마이너스의 공간전하를 형성하는 산화물, 불화물 및 Ⅱ족, Ⅲ족 또는 VII족에 속하며 또한 셀렌중에서 마이너스의 공간전하를 형성하는 원소로 이루어진 군에서 선정된 최소한 하나를 중량비의 평균으로 10ppm이상 1%이하의 농도로 함유시킨 광도전막에 있어서, 상기 셀렌중에서 마이너스의 공간전하를 형성하는 물진을 함유시키는 막두께를 20Å이상 90Å이하로 한 것을 특징으로하는 광도전막·
  2. 상기 셀렌중에서 마이너스의 공간전하를 형성하는 산화물이 CuO, In2O3, SeO2, V2O5, M0O3, 및 WO3로 이루어진 군에서 선정된 최소한 하나이며, 셀렌중에서 마이너스의 공간전하를 형성하는 불화물이 GaF3, 또는 InF3의 최소한 하나이며, Ⅱ족, Ⅲ족 또는 Ⅶ족에 속하고 또한 셀렌중에서 마이너스의 공간전하를 형성하는 원소가 Zn, Ga, In, Cl, I 및 Br로 이루어진 군에서 선정된 최소한 하나임을 특징으로하는 특허청구의 범위 1 기재의 광도전막.
  3. 최소한 텔루르를 첨가한 영역에 인접하는 막두께 20Å 이상 500Å 이하의 영역이 As, Bi, Sb, Ge, S로 이루어진 군중에서 선정된 단수 또는 복수의 원소를 평균 1중량% 이상 30중량% 이하의 농도로 함유하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 2 기재의 광도전막.
  4. 입사광을 흡수하여 여신호전류의 대부분을 생성하는 영역의 최소한 일부에 LiF, MgF2, CaF2, AlF3, CrF3, MnF2, CoF2, PbF2, BaF2, CeF2, CeF3및 TlF로 이루어진 군에서 선정된 최소한 하나를, 중량평균으로 50ppm 이상 50% 이하의 농도로 함유시키는 것을 특징으로하는 특허청구의 범위 3기재의 광도전막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8503364A 1984-05-21 1985-05-16 Photo conductive film KR890003183B1 (en)

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JP10053584A JPH0648616B2 (ja) 1984-05-21 1984-05-21 光導電膜
JP84-100535 1984-05-21
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