DE2527527B2

DE2527527B2 - Target für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE2527527B2
Application number: DE2527527A
Authority: DE
Inventors: Naohiro Machida Goto; Tadaaki Koganei Hirai; Yasuhiko Mobara Nonaka; Keiichi Tama Shidara
Original assignee: Hitachi Ltd; Nippon Hoso Kyokai NHK
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1974-06-21
Filing date: 1975-06-20
Publication date: 1979-08-30
Also published as: US4007473A; GB1513165A; JPS51829A; DE2527527A1; JPS5419127B2

Description

Die Erfindung betrifft ein Target für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre der im Oberbegriff des vorstehenden Anspruchs 1 genannten Art, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.

Aus der DE-OS 2 316 669 ist ein solches Target be

kanntgeworden, bei dem der Anfangspunkt des Tellur enthaltenden Bereiches etwa 1400 nm von dem Heteroübergang entfernt ist. Ein solcher Abstand, d. h. eine solche Dicke für den lediglich Selen und Arsen

> enthaltenden Teil der Schicht führt aber zu einem Verlauf der relativen spektralen Empfindlichkeit, der im mittleren Wellenlängenbereich eine starke Einsattelung aufweist. Bezüglich der unteren Gren7en des Abstandes findet sich kein Hinweis.

in Bei einem anderen Target für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre (DE-OS 2333283) wird auf der Rückseite des Films vom N-Typ unter Ausbildung des HeteroÜbergangs ein amorpher photoleitender Film vom P-Typ aufgebracht, über einen Teil dessen Dicke dus in den Film eingebrachte Tellur verteilt ist; dabei wächst die Konzentration des Tellurs im wesentlichen stetig von dem HeteroÜbergang aus an, während die Konzentration des Arsens ausgehend vom Heteroübergang im wesentlichen über die gesamte Dicke des Films gleichmäßig verteilt ist. Dem Anwachsen und Abfällen der Tellur-Konzentration entspricht ein Abfallen und Anwachsen der Selen-Konzentration. Die Tellur-Konzentration soll bei und in der Nähe des Heteroübergangs zwischen 0 und 10 Atom-% liegen. Bei

:5 diesem Targetaufbau liegt der Bereich, in dem die Konzentration des Tellurs groß ist und der daher einen extrem niedrigen spezifischen Widerstand aufweist, in nächster Nähe zum HeteroÜbergang, so daß der Heteroübergang zumindest teilweise zerstört wird und die

so Charakteristik für den anfänglichen Dunkelstrom in großem Maße verschlechtert wird. Bei Lagerung des Targets oder bei Betrieb desselben bei einer Temperatur von mehr als 60" C wird der Hetero- übergang unter Anwachsen des Dunkelstroms infolge einer

j5 Tellur-Diffusion verschlechtert. Diese Veränderungen in der Dunkelstromcharakteristik führen zu einer schlechten Farbbalance des aufgenommenen Bildes. Da darüber hinaus Tellur unter Wärme stärker zur Kristallisation neigt als Selen, beschleunigt es die Kri stallisation des P-photoleitenden Films, wodurch es zu lokaler Erniedrigung des Filmwiderstands kommt. Als Folge davon treten Fehler in Form weißer Fleckchen in den Bildern auf, wodurch die Bildqualität ebenfalls in großem Maße verschlechtert wird.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, bei einem Target gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, die relative spektrale Empfindlichkeit im mittleren Wellenlängenbereich des sichtbaren Spektrums zu verbessern.

-,ο Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der vorgegebene Abstand des Tellur enthaltenden Bereichs des photoleitenden P-Films vom HeteroÜbergang im Bereich von 8 nm bis 150 nm liegt.

Die angegebene Schichtdicke des tellurfreien Be-

reichs und damit des Abstandes des Tellur enthaltenden Films vom HeteroÜbergang ist somit für die spektrale Empfindlichkeit von entscheidender Bedeutung. Das Target zeigt darüber hinaus eine stabile und niedrige Dunkelstromcharakteristik, kann mit kleiner

hu Betriebsspannung betrieben werden und ist leicht zu handhaben. Die thermische Charakteristik des Targets ist verbessert.

Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Ausgestaltungen des Targets.

„■-, Ein Verfahren zur Herstellung eines Targets gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist aus der DE-OS 2333283 bekannt.

Bei diesem bekannten Verfahren wird auf eine

Seiteeines transparenten Substrates ein transparenter Film vom N-Typ und auf diesen eine Selen und Arsen enthaltende photoleitende Substanz sowie während des Aufbringens dieser Substanz eine weitere, Selen und Tellur enthaltende photoleitende Substanz mit einer sich stetig ändernden Aufwachsgeschwindigkeit aufgebracht.

Das Verfahren nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, Jaß die Selen und Tellur enthaltende photoleitende Substanz mit einer Zeitverzögerung gegenüber dem Beginn des Aufbringens der Selen und Arsen enthaltenden photoleitenden Substanz, das mit im wesentlichen konstanter Aufwachsgeschwindigkeit geschieht, aufgebracht wird.

Zum Aufbau des leitenden Films vom N-Typ kann Indiumoxyd, Zinnoxyd, eine Mischung aus Indiumoxyd mit Zinnoxyd oder eine Mischung von Zinnoxyd mit Antimon verwendet werden.

Der Gehalt des aufgebrachten P-Füms an Tellur ist vorzugsweise kleiner als 30 Atorn-% und der Gehaltan Arsen ist vorzugsweise kleiner als 30 Atom-%. Die Konzentrationsverteilung von Arsen at im wesentlichen über die Dicke des photoleitenden Films von dem P-Typ gleichförmig, während die Konzentration des Tellurs nahe des HeteroÜbergangs lokalisiert ist.

Die Erfindungsoll nun anhand der Figuren genauer beschrieben werden. Es zeigt

Fig. IA und Fig. IA'schematische Darstellungen des Auf baus bekannter Targets zum Einsatz in photoleitenden Bildaufnahmeröhren (vgl. Fig. 1 der DT-OS 2333283),

Fig. IB eine graphische Darstellung der Verteilung der Komponenten des photoleitenden Films vom P-Typ über die Schichtdicke bei den Targets gemäß Fig. IA und IA' (vgl. Fig. 3 der DT-OS 2333283),

Fig. 2 A und 2 A'schematische Längsschnitte durch die erfindungsgemäßen Targets,

Fig. 2B eine graphische Darstellung der Verteilung der Kompo<ienten des photoleitenden Films vom P-Typ über die Schichtdicke bei den Targets gemäß Fig. 2A und 2A',

Fig. 3 bis 6 verschiedene Charakteristika einer photoleitenden Bildaufnahmeröhre, die mit dem erfindungsgemäßen Target ausgerüstet ist.

Wie in der Fig. i A schematisch dargestellt worden ist, weist das Target für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre 1 ein transparentes Substrat 2 auf, das mit der Vorderseite des nicht näher dargestellten Röhrenkörpers abgedichtet verbunden ist. Auf der Rückseite des Substrates ist ein transparenter leitender Film % vom N-Typ autgebracht und auf die Rückseite des Films ist ein photoleitender Film 5 vom P-Typ aufgebracht. Zwischen dem transparenten leitenden Film 3 vom N-Typ und dem photoleitenden Film S vom P-Typ bildet sich ein Heieroübergang 4 aus. Der transparente leitende Film 3 vom N-Typ kann aus Indiumoxid, Zinnoxid, einer Mischung aus Indiumoxid mit Zinnoxid oder einer Mischung von Zinnoxid mit Antimon bestehen. Der photoleitende Film 5 vom P-Typ besteht aus Selen, weniger als 30 Atom-% Tellur und weniger als 30 Atom-% Arsen. Ein anderes zum Stand der Technik gehöriges Target ist in der Fig. IA' dargestellt und besteht aus einem Substrat 2, einem auf der Rückseite des Substrates 2 ausgebildeten transparenten leitenden Film 3 vom N-Typ, einem auf der Rückseite des transparenten leitenden Films 3 vom N-Typ ausgebildeten transparenten Halbleiterfilm 6 vom N-Typ und einem photoleitenden Film 5 vom P-Typ, der auf die Rückseite des transparenten halbleitende m Filmes 6 vom N-Typ aufgebracht ist. Der Film 6 besteht aus einem Element

• der Gruppe Cadmiumselenid, Cadmiumsulfid, Zinksulfid, Galliumarsenid, Germanium und Silizium. Auf die Rückseite des P-photoleitiinden Films 5 ist ein semi-poröser Film 7 von Antiruonsulfid (Sb₂S₃) aufgebracht. Der transparente HaJbleiterfilm 6 vom N-

^I(J Typ trägt zur Verringerung des Dunkelstroms während des Betriebs der Aufnahmeröhre und zur Reduktion der Weißflecken-Bildung bei. Wie bereits vorstehend erwähnt, trägt der :>i:imi-poröse Film 7 zur Verbesserung der Auftreff charakteristik von Elektro- > nenstrahlen bei. Es sind einfache, allerdings nicht dargestellte Abänderungen möglich, bei denen der semiporöse Film 7 auch in die Tsxgetaufbauten gemäß Fig. IA und 2A in derselben Weise wie in den Fig. 1A' und 2 A' eingebaut werden kann. Ein Hete roübergang 4 wird an der ZwiscJ- infläche zwischen dem transparenten halbleitend en Film 6 vom N-Typ und dem photoleitenden Film S vom P-Typ ausgebildet. Der photoleitende Film 5 vom P-Typ besteht z. B. aus einer Mischung einer ersten photoleitenden Sub stanz bestehend aus Selen und 40 Atom-% Tellur und einer zweiten photoleitenden Substanz bestehend aus Selen und 10 Atom-% Arsen. Das Tellur ist aber nicht über die Dicke gleichmäßig verteilt, sondern konzentriert sich in einer Schicht der Dicke ^₁. Wie insbeson- dere aus der Fig. IB ersichtlich ist, verteilt sich das Tellur über die Gesamtdicke, jedoch ist die Tellurkonzentration im Bereich /, de« Fig. IA am größten. Bemerkenswert ist auch die Tatsache, daß das Gebiet f, an die heterogene Übergangsstoß 4 angrenzt. Aus

J5 diesem Grunde wiesen die zum Stand der Technik gehörigen Targetaufbauten eine Anzahl von Schwierigkeiten auf, wie dies bereits in der Beschreibungseinleitung dargelegt worden ist.

Gemäß dem bekannten Verfahren zur Herstellung

des Targets für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre mit einem Heteroübergarig der vorstehend bt -schriebenen Bauart (Fig. 3 der DT-OS 2333283) wird zunächst der im wesentllkher. aus Indiumoxid oder Zinnoxid bestehende transparente leitende Film mit N-Leitung auf dem transparenten Substrat 2 aufgebracht. Danach werden die ersten und zweiten photoleitenden Substanzen getrennt voneinander bereitgestellt und pulverisiert. Diese Pulver werden danach in getrennte Tantalverdamplinungsschiffchen einge bracht und zur Ausbildung des photoleitenden Films vom P-Typ gleichzeitig verdampft. Während des Aufdampfens werden die durch die Schiffchen fließenden Ströme derart gesteuert, daß die Aufdampfgeschwindigkeit für die erste photoleitcride Substanz variiert wird, während die Aufdampff^uchwindigkeit für die zweite photoleiiende Substanz; auf einem konstanten Wert gehalten wird, und zwar derart, daß der Tellur-Gehalt an beiden Zwischenfällen des photoleitender. Films vom P-Typ .veniger als K) Atom-% beträgt und eine Maximalkonzentration von 10 bis 40 Atom-% an einer Stelle nahe dem N-Ieilitenden Film und nicht in der Mitte des Films erreicht. Dies ist in Fig. IB dargestellt.

Die Fig. 2 A und 2 A'zeigen schematisch den Auf-

bau der erfindungs^emäßen Targets, in denen für die gleichen Bestandteile die bereites in den Fig. IA und

IA' eingeführten Bezugszeichtin verwendet werden. Die Fig. 2A und 2A' untenidieiden sich von den

Fig. IA und 1A'darin, daß in den Fig. 2 A und 2 A' der Bereich t_v der dem Bereich /, mit hoher Tellur-Konzentration entspricht, nicht an den HeteroÜbergang 4 angrenzt. Insbesondere weist der Anfangspunkt des Bereiches I₁ einen Abstand L vom Heteroübergang 4 auf. Wenn der Abstand L im Bereich von 8 nm bis 150 nm ausgewählt wird, werden verschiedene Vorteile erreicht, die weiter unten im einzelnen beschrieben werden sollen. Die Konzentra-Vionsverteilung in Dickenrichtung der Bestandteile für den P-photoleitenden Film 5 des Targets gemäß den Fig. 2A und 2A' ist in der Fig. 2B dargestellt. Es sollte bei der Fig. 2B insbesondere beachtet werden, daß der Anfangspunkt der Verteilungskurve für Tellur nicht am Nullpunkt der Dicke liegt.

Die Fig. 3 zeigt die Änderung des Dunkelstroms des Targets für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre, bei dem die Schichtdicke der Schicht, die in einer frühen Stufe der Herstellung des P-photoIeitenden Filmes ausgebildet wird und noch kein Tellur enthält, geändert wird. Wie aus der Fig. 3 ablesbar ist, ist der Dunkelstrom sehr klein und stabil, wenn die Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht = 20 nm ist (mit anderen Worten: Wenn der Anfangspunkt einer Tellur enthaltenden Schicht einen Abstand von mindestens 20 nm von der heterogenen Übergangszone aufweist). Damit kann ein Target mit einer Dunkelstromcharakteristik eines stetigen und kleinen Wertes auf einfache Weise erzielt werden. Ein Abstand, der 8 nm übersteigt, führt bereits auch schon zu einem ziemlich zufriedenstellenden Ergebnis.

Die Fig. 4 ist eine graphische Darstellung des Zusammenhanges zwischen der Targetspannung und der Änderung des Photostroms, wenn das Target mit blauem Licht beleuchtet wird. Die Kurve A entspricht dem Fall, in dem die Dicke der kein Tellur enthaltenden Schicht 0 beträgt (d. h. die Tellur enthaltende Schicht sich an den He te ro übergang anschließt). Die Kurve B entspricht dem Fall, in dem die Dicke der kein Tellur enthaltenden Schicht 8 nm beträgt. In beiden Fällen A und B geht der Photostrom in die Sättigung, wenn die Targetspannung (die Spannung, die dem photoleitenden Film vom P-Typ über eine nicht gezeigte Klemme aufgeprägt wird) anwächst. Jedoch nimmt die Sättigungsspannung des Targets ab, wenn die Dicke der kein Tellur enthaltenden Schicht gemäß der Kurve B anwächst. Je größer diese Sättigungsspannung ist, desto größer ist die Betriebsspannung der Bildaufnahmeröhre, wodurch deren Handhabung erschwert wird. Dadurch wird die Ausheizcharakteristik, eine der Charakteristiken des Targets, verschlechtert, wodurch die Qualität des aufgenommenen Bildes verschlechtert wird. Daher werden die Charakteristika der Bildaufnahmeröhre verbessert und ihre Handhabung wird leichter, wenn die Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht anwächst.

In der Fig. 5 ist die Beziehung zwischen der Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht und dem Durchmesser der an lokalen Stellen des photoleitenden Films ausgebildeten Kristalle graphisch aufgetragen, welche Beziehung ein Maß für die Verbesserung der thermischen Charakteristik des Targets ist. Die Kurve C wurde erhalten, indem das Target bei 100° C 120 Minuten lang ausgeheizt wurde, während die Kurve D erhalten wurde, indem das Target 240 Minuten lang auf einer Temperatur von 100° C gehalten wurde. Aus der Fig. 5 ist ablesbar, daß je größer die Schichtdicke L der kein Tellur enthaltenden

Schicht ist (mit anderen Worten: Je größer der Abstand zwischen dem Anfangspunkt der Tellur enthaltenden Schicht und der heterogenen Übergangszone ist), desto kleiner ist die Wachegeschwindigkeit der lokal in der photoleitenden Schicht vom P-Typ ausgebildeten Kristalle. Mit anderen Worten: Mit dem Anwachsen der Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht wird die Kristallisation schwieriger, wodurch die thermische Charakteristik des Targets verbessert wird. Solche Kristallbildung führt zu lokaler Variation des Filmwiderstandes beim Betrieb der Bildaufnahmeröhre, wodurch es zu Bildfehlern in Form weißer Punkte kommt, die die Arbeitscharakteristik des Targets schädlich beeinflussen. Aus diesem Grunde sollte zur Verbesserung der thermischen Charakteristik die Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht vergrößert werden. Nach den vorstehenden Ausführungen wurde der Graph gemäß Fig. 5 bei einer Temperatur von 100° C aufgenommen; die tatsächliche Betriebstemperatur liegt aber in den meisten Fällen unter 40° C. Jedesmal, wenn die Temperatur sich um 10° C ändert, wächst die Kristallisationsgeschwindigkeit um einen Faktor 2 bis 10 an. In jedem Falle reicht es zur Verbesserung der thermischen Charakteristik aus, wenn die Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht größer als 20 nm gewählt wird. In der Praxis führt eine kein Tellur enthaltende Schicht mit einer Schichtdicke von mehr als 8 nm ebenfalls zu zufriedenstellenden Ergebnissen.

In der Fig. 6 ist die spektrale Empfindlichkeit des Targets für verschiedene Dicken L der kein Tellur enthaltenden Schicht dargestellt. Im Falle E beträgt die Schichtdicke L 8 nm. Im Falle F beträgt die Schichtdicke L 22 nm und die Fälle G, H und / beziehen sich auf Schichtdicken L von 150 nm, 300 nm, bzw. 700 nm. Aus der Fig. 6 kann deutlich abgelesen werden: Bei zu großer Dicke L der kein Tellur enthaltenden Schicht (Fälle H und I) zeigt das Target irreguläre Spektralempfindlichkeitsverläufe, bei denen die Empfindlichkeit bei kurzen Wellenlängen und bei langen Wellenlängen ausreichend erscheint. Eine Bildaufnahmeröhre soll jedoch eine hohe Spektral empfindlichkeit über einen weiten Bereich im sichtbaren Gebiet aufweisen, unabhängig davon, ob sie für monochromatisches Licht oder für mehrfarbiges Licht eingesetzt wird. Für praktische Zwecke ist eine Spektralempfindlichkeit erforderlich, wie sie von einer Schicht mit einer Dicke L bis zu 150 nm gegeben ist.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 3 bis 6 wurde vorstehend beschrieben, daß eine Stabilisierung der Dunkelstromcharakteristik des Targets einer Bildaufnah meröhre, die Verhinderung der Erzeugung von Bildfehlern und eine Verbesserung der Spektralempfindlichkeitscharakteristik möglich ist, da der Anfangspunkt des Tellur enthaltenden Bereichs in einem Bereich liegt, der einen Abstand von 8 bis 150 nm von dem HeteroÜbergang zwischen dem photoleitenden Film vom P-Typ und dem anderen Film in Dikkenrichtung des Films aufweist

Ein Vefahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Targets soll nun beschrieben werden. Da das aus der DT-OS 2333283 bekannte Target keine kein Tellur enthaltende Schicht aufweist, werden zu dessen Herstellung die ersten und zweiten photoleitenden Substanzen zur gleichen Zeit von dem Augenblick an aufgedampft, an dem die Bedampfung beginnt. Im Gegensatz dazu wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ausbildung einer kein Tellur enthal-

tenden Schicht einer Schichtdicke L das Aufdampfen der ersten photoleitenden Substanz bezüglich des Beginns des Aufdampfens der zweiten photoleitenden Substanz verzögert.

Im einzelnen wird zunächst ein die Form des Einfatlsfensters der Bildaufnahmeröhre aufweisendes Glassubstrat hergestellt und in einer geeigneten Reinigungsflüssigkeit gereinigt, um an dem Glassubstrat anhaftende Staub- oder andere Fremdteilchen zu entfernen. Das gereinigte Glassubstrat wird in der Glocke eines bekannten Aufdampfstandes mit der einen Seite nach oben gelagert. Zunächst wird unter geeignetem Vakuum ein aus Indiumoxid oder Zinnoxid bestehender transparenter leitender Film 3 vom N-Typ auf das Glassubstrat aufgedampft. Es ist möglich, dem transparenten leitenden Film vom N-Typ mit vorgegebener Schichtdicke auf das Glassiibstrat aufzudampfen, indem der das Verdampfungsschiffchen für das Material aufheizende Sirum entsprechend gesteuert wird. Vorzugsweise liegt die Dicke des transparenten leitenden Films vom N-Typ im Bereich von 120 nm bis 350 nm. Danach wird der photoleitende Film 5 vom P-Typ auf den transparenten leitenden Film vom N-Typ bis zu einer Dicke von 2 bis 10 nm aufgedampft, um zwischen den beiden Filmen einen HeteroÜbergang auszubilden. Wie die Fig. 2B deutlich zeigt, weist die zweite photoleitende Substanz bestehend aus Selen und 10 Atom-% Arsen eine im wesentlichen gleichförmige Verteilung über die gesamte Dicke des P-photoleitenden Films auf; daher wird sie mit einer im weseiiilichen konstanten Geschwindigkeit aufgedampft. Dies kann dadurch erreicht werden, daß der Heizstrom für das die zweite photoleitende Substanz in Pulverform enthaltende Schiffchen in an sich bekannter Weise konstant gehalten wird. (Das Schiffchen besteht z. B. aus Tantal.) Andererseits lokalisiert sich das erste photoleitende Material z. B. bestehend aus Selen und 40 Atom-% Tellur an Bereichen des photoleitenden Films vom P-Typ, die eine vorgegebene Dicke aufweisen, so daß die erste photoleitende Substanz mit einer sich stetig ändernden Aufdampfgeschwindigkeit aufgedampft werden sollte. Dies kann durch geeignete Steuerung des Heizstroms für das die erste photoleitende Substanz in Pulverform enthaltende Schiffchen erreicht werden. Die erste und zweite photoleitende Substanz werden jeweils in ein Schiffchen eingebracht. Wie bereits vorstehend erläutert worden ist, wird zur Erreichung der in Fig. 2B

"> gezeigten Tellur-Verteilung der Beginn des Aufdampfens der ersten photoleitenden Substanz bezüglich des Beginns des Aufdampfens der zweiten photoleitenden Substanz verzögert. Es wird daher zunächst das zweite photoleitende Material in der vorstehend

in beschriebenen Weise auf den transparenten leitenden Film vom N-Typ aufgedampft. Das Aufdampfen findet so lange statt, bis sich der photoleitende Film vom P-Typ bis zu einer vorgegebenen Dicke aufgebaut hat. Nach dieser vorgegebenen Verdampfungszeit wird

ι > dem anderen mit der ersten photoleitenden Substanz geladenen Schiffchen Heizstrom zugeführt, damit das Aufdampfen der ersten Substanz beginnen kann. Obwohl dieses Aufdampfen so lange fortgeführt wird, bis der phuioieiiende Film vuiii F-Typ uis iu ciiici

-¹D vorgegebenen Dicke aufgebracht worden ist, wird im wesentlichen das gesamte Material in dieser frühen Stufe des Aufdampfganges aufgebracht, wie es in der Fig. 2B dargestellt worden ist. Auf diese Weise wird ein photoleitender Film vom P-Typ aufgebracht, der

-'"> eine Mischung aus der ersten und der zweiten photoleitenden Substanz darstellt. Zum Beispiel wird bei anfänglichem Aufheizen des die zweite photoleitende Substanz enthaltenden Schiffchens mit 42 A unter einem Vakuum von 2,66 X 10~⁶ mbar eine kein Tellur

in enthaltende Schicht mit einer Schichtdicke von 8 bis 150 nm erzielt, wenn die Verzögerungszeit 10 bis 60 Sekunden beträgt.

Das fertige Target wird auf das eine Ende des zylindrischen Kolbens der Bildaufnahmeröhre mit Hilfe

j> eines Dichtungsmittels befestigt, das z. B. metallisches Indium sein kann, welches als Zwischenleiter für den Anschluß einer äußeren Klemme dient.

In der vorstehenden Beschreibung wurde zur Festlegung der kein Tellur enthaltenden Schicht die

4Ii Steuerung des Heizstroms für das Schiffchen herangezogen, das die erste photoleitende Substanz enthilt. Es kann natürlich für die Erreichung desselben Ziels ein dem Schiffchen zugeordneter Verschluß gewählt werden.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Target für eine photoleitende Bildaufnahmeröhre mit einem transparenten Substrat, einem auf der Rückseite des Substrates aufgebrachten transparenten leitenden Film vom N-Typ und einem auf der Rückseite des Films vom N-Typ unter Ausbildung eines HeteroÜbergangs aufgebrachten photoleitenden Film vom P-Typ, der Selen und Arsen und in einem definierten Bereich Tellur als Sensibilisator enthält, wobei der Anfangspunkt des Tellur enthaltenden Bereiches des photoleitenden Films einen vorgegebenen Abstand vom HeteroÜbergang zwischen dem photoleitenden Film und dem transparenten leitenden Film aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgegebene Abstand (L) des Tellur enthaltenden Bereiches des photoleitenden P-Films (5) vom HeteroÜbergang (4) im Bereich von 8 nm bis 150 nm liegt.

2. Target nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentrationsverteilung von Arsen im wesentlichen gleichförmig über die gesamte Dicke des photoleitenden Films (5) vom P-Typ ist.

3. Target nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des photoleitenden Films (S) vom P-Typ im Bereich von 2 bis 10 μηι liegt.

4. Target ii^ch einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem transparenten leitenden Film (3) vom N-Typ und dem photoleitenden Film (5) vom P-Typ ein weiterer transparenter halbleitender Film (6) vom N-Typ angeordnet ist.

5. Target nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente halbleitende Film (6) vom N-Typ aus einem Element der folgenden Gruppe besteht: Cadmiumselenid, Cadmiumsulfid, Zinksulfid, Galliumarsenid, Germanium und Silizium.

6. Verfahren zur Herstellung eines Targets nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem auf eine Seite eines transparenten Substrats ein transparenter leitender Film vom N-Typ und auf diesen eine Selen und Arsen enthaltende photoleitende Substanz sowie während des Aufbringens dieser Substanz eine weitere, Selen und Tellur enthaltende photoleitende Substanz mit einer sich stetig ändernden Aufwachsgeschwindigkeit aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Selen und Tellur enthaltende photoleitende Substanz mit einer Zeitverzögerung gegenüber, dem Beginn des Aufbringens der Selen und Arsen enthaltenden photoleitenden Substanz, das mit im wesentlichen konstanter Aufwachsgeschwindigkeit geschieht, aufgebracht wird.