DE2522921C3 - Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter III-V-Verbindungshalbleiter-Schichten - Google Patents

Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter III-V-Verbindungshalbleiter-Schichten

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Description

20
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter III—V-Verbindungshalbleiter-Schichten auf Kristallsubstraten der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Gattung.
Es ist ein Verfahren zur epit^ktischen Abscheidung von Materialien bekannt, bei dem ein erster Molekularstrahl aus den Grundsubstanzen der Schicht auf ein Substrat gerichtet wird, das auf eine bestimmte Temperatur vorgewärmt und auf einem Druck gehalten ist. der unter dem Atmosphärendruck liegt. Dieses Verfahren wird zur Herstellung dünner, epitaktischer Verbindungshalbleiter-Schichten der Gruppe III—V und ihrer Mischkristalle -eingesetzt. Im einzelnen handelt es sich bei der Gruppe Hi um die Elemente Al, Ga und In und bei der Gruppe V um die Elemente P, As und Sb.
Es ist bekannt, daß III—V Kristalle durch Lichtstrahlen vom η-Typ in den p-Typ umgewandelt werden können (Journal of Applied Physics 35 (1964) Seite 1563).
Außerdem ist aus der FR-PS 15 32 425 ein Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen bekannt, bei dem keine photographischen Maskierungs- und Ätzverfahren eingesetzt werden müssen und das Halbleiterplättchen nicht von einer Stelle zu einer anderen Stelle- gebracht werden soll. Dabei wird der Effekt ausgenutzt, daß in dem Bereich kein Kristall wachsen kann, der durch einen Elektronenstrahl »präpariert« worden ist. Wenn nämlich in einem Substrat aus Elementen der Gruppe III—V, z. B. GaAs, durch einen Elektronenstrahl ein ausgewählter Bereich stark erwärmt wird, so wird Arsen selektiv verdampft und ein Bezirk entsteht, in dem Ga im Überschuß vorliegt. Dieser ausgewählte Bereich hat also nicht mehr den Charakter eines Halbleiterkristalls. Die epitaktische Abscheidung des Kristalls erfolgt dann nur noch auf den Bereichen, die nicht bestrahlt worden sind.
Die Oberflächenstruktur einer durch epitaktischc Abscheidung hergestellten Schicht ist eine Funktion von zwei Paramef .·,·>, nämlich des Verhältnisses (C = l\lh) der Intensität 1\ des ersten Molekularstrahls, beispielsweise des AsrMolekularstrahls, zu der Intensität h des zweiten Molekularstrahls, beispielsweise des Ga-MoIekularstrahls, und der Substrattemperatur (TS). Wird bei b5 konstant gehaltenem Intensitätsverhältnis (C) die Substrattemperatur (Ts) gesenkt, so stabilisiert sich die Substratstruktur, insbesondere an der Oberfläche in bezug auf As. Wenn andererseits die Substrattemperatur (Ts) erhöht wird, stabilisiert sich die Substratoberfläche in bezug auf Ga. Wird das Intensitätsverhältnis (C) bei konstant gehaltener Substrattemperatur (Ts) erhöht, so stabilisiert sich die Substratoberfläche in bezug auf As. Nähert sich das Intensitätsverhältnis (C) dem Wert Eins, dann ist die Substratoberfläche in bezug auf Ga stabilisiert. ,
Die in bezug auf As stabilisierte Oberfläche ist im wesentlichen mit As-Atomen bedeckt, d. h, es sind nur wenige freie Ga-Atome an dieser Oberfläche vorhanden. Die in bezug auf Ga stabilisierte Oberfläche ist entsprechend im wesentlichen mit Ga-Atomen bedeckt. Da die Oberflächenstruktur in Abhängigkeit von der Substrattemperatur geändert werden kann, ist die thermische Verbindung von As- und Ga-Atomen auf der äußeren Oberfläche des Substrates nicht ausreichend stabilisiert, so daß As-Atome immer von der in bezug auf As stabilisierten Oberfläche abgegeben und mit dem As-Molekularstrahi, der auf die Substratoberfläche auf trifft, ausgetauscht werden können.
Bei der Herstellung von Verbindungshalbleiter-Scnichtcn ist es wesentlich, durch Dotierungskonzentration den Leitfähigkeitstyp oder bei Mischkristallen ihre Zusammensetzung zu steuern. So werden in der US-PS 37 51 310 mit Germanium dotierte, durch epitaktische Abscheidung mit Molekularstrahlverfahren erzeugte Schichten beschrieben, wobei durch Steuerung der beiden obenerwähnten Parameter, nämlich des Intensitätsverhältnisses (C) der Molekularstrahlen und der Substrattemperatur (Ts) möglich ist, mittels einer einzigen Dotierquelle sowohl n- als p-Leitfähigkeit in einander abwechselnden, benachbarten Schichten zu erreichen, ohne daß die gesamte Epitaxie-Apparatur abgeschaltet werden muß. jedoch kann entweder eine n- oder eine p-leitende Schicht nur in Richtung der Stärke der dünnen, epitaktisch abgeschiedenen Schicht aufgebracht werden, d. h, eine Kristaltebene hat immer den gleichen Leitfähigkeitstyp. NCt diesem Verfahren können deshalb nur zweidimensionale Halbleiter hergestellt werden.
Es gibt jedoch viele Anwendungsfälle, bei denen es zweckmäßig wäre, innerhalb einer Kristallebene bestimmte, ausgewählte Bezirke mit wechselnder Leitfähigkeit vorzusehen.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter Ill-V-Verbindungshalbleiter-Schichten auf Kristallsubstraten der angegebenen Gattung zu schaffen, bei dem wahlweise bestimmte, ausgewählte Bezirke der bestrahlten Substratoberfläche unterschiedliche Leitfähigkeit haben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs angegebenen Merkmale gelöst.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile beruhen insbesondere auf folgender Funktionsweise: Eine Verbindungshalbleiter-Schicht wird mit dem Molekularstrahlverfahren, wie es aus der US-PS 37 51 310 bekannt ist, mit einer bestimmten »Wachstumsgeschwindigkeit« erzeugt; gleichzeitig werden ausgewählte Bezirke der dabei entstehenden Verbindungshalbleiter-Schicht durch einen konzentrierten Energiestrahl, nämlich einen Laser- oder Elektronenstrahl, erwärmt, so daß diese Bereiche eine andere Leitfähigkeit erhalten als die Verbindungshalbleiter-Schicht. Diese Erwärmung kann gezielt punktförmig oder durch Abtasten der Fläche erfolgen, so daß auch die Bereiche mit der gewünschten
Leitfähigkeit in der entsprechenden Weise ausgestaltet y\ erden können. Darüber hinaus lassen !rsjch .auch mehrschichtige Halbleiterelement^ mit ebgner..Oberfläche herstellen, indem Kristallschichten sowohl in den ausgewählten Bezirken als aach in der Restzone mit gleicher Geschwindigkeit auf dem Kriställsubstrat abgeschieden werden. Und schließlich ist es möglich, durch die Einwirkung des Energiestrahls auch die Zusammensetzung der Verbindungshalbleiter-Schicht in einem ausgewählten Bezirk der bestrahlten Substratoberfläche zu verändern.
Die Erfindung wird im folgenden anhand; von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf- die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur epitaktischen Abscheidung dotierter Verbindungshalbleiter-Schichten,
F.i g. 2 eine zur Erläuterung der Funktionsweise des erfindungsgemäßen Verfahrens dienende perspektivische Darstellung eines Substrates, auf dessen Oberfläche durch epitaktische Abscheidung Schichten aufgebracht worden sind,
F i g. 3 im vergrößerten Maßstab einen Schnitt durch Fig.2,
F i g. 4 eine weitere Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, und
F i g. 5 eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
In den Figuren sind die gleichen bzw. einander entsprechende Teile mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
In Fig. 1 ist eine schaubildliche Darstellung einer Vorrichtung zur Durchführung des Molekularstrahl-Epitaxieverfahrens gemäß der Erfindung dargestellt. Hierbei weist die Vorrichtung folgende Einrichtungen auf: eine Vakuumkammer 1, welche auf eine Temperatur in der Größenordnung von etwa 350°C erhitzt wird, um die Gase aus ihrer Innenwand zu entfernen, und welche dann auf ein sehr hohes Vakuum in der Größenordnung von 10-'° Torr gebracht wird; ein Substrat 2, auf dessen Hauptebene eine epitaktische Schicht aufwächst, und weiche an einem Halter 3 angebracht ist, der innen eine Heizeinrichtung zum Vorerwärmen des Substrats 2 auf eine vorbestimmte Temperatur aufweist; eine Art von außerhalb der Kammer 1 betätigbarer Revolverkopf 4, um das Substrat 2 in die Stellung für das epitaktische Aufwachsen und in die Stellung zu bringen, in welcher das Substrat eingebracht bzw. herausgenommen werden kann; eine Ionenzerstäubungseinrichtung 5 zur Schaffung der atomar reinen Aufwachsoberfläche des Substrats 2; ein Vierpol-Massenspektrometer 6 zum Überwachen der von den Molekularstrahlkanonen od(?r Quellen Ta oder Tb abgegebenen Molekularstrahlen und zum Analysieren der Restgase; Molekularstrahlkanonen Ta und Tb in Form von Knudsen-Elementen, welche die geforderten Kristallkomponenten enthalten und unabhängig voneinander erwärmt werden, um die Molekularstrahlen mit der geforderten Intensität zu erzeugen; ein Gefäß bzw. eine Abschirmung 8, welche flüssigen Stickstoff enthält, welches nicht nur zum Niederschlagen von unerwünschten Molekülen, sondern auch dazu verwendet wird, die Abnahme des Vakuums in der Vakuumkammer 1 zu verhindern, wenn die Molekularstrahlquellen /a und Tb erwärmt sind; eine Elektronenkanone 9, um den Elektronenstrahl auf eine vorher ausgewählte Stel'e oder Zone auf der Substrat-, oberfläche .zu konzentrieren,, um diese dana. a.uf eine höhere Temperatur,: als den .übrigen Bereich zu erwärmen. Dervqn ider Qektronehkanphe.9 abgegebene Elektronenstrahl ist^ unter einem rechten yfihkel auf die ausgewählte Stelle oder Zqn£ gerichtet, wodurch die hinsichtlich des Elementes der Gruppe. V stabilisierte Oberflächenstruktur während des epitaxialen Schichtaufwachsens in eine hinsichtlich des Elementes Gruppe III stabilisierte Oberflächenstruktur geändert werden ίο kann. Ferner ist noch ein Sekündärelektronen-Vervfelfacher zum Fühlen der Stelle oder Zone vorgesehen, weiche 4em Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzt ist, wobei dier durch den Elektronenstrahlbeschuß abgegebenen Sekundärelektronen vervielfacht werden. Eine energiereiche Elektronenkanone 11 ist vorgesehen, um den Elektronenstrahl unter einem kleinen Einfallswinkel auf die Oberfläche des Substrats 2 zu richten, so daß die Oberflächenstruktur anhand des Bildes beobachtet werden kann, das durch die gebeugfn Elektroden auf einem Leuchtschirm 12 erzeugt wird. Schließlich ist noch ein zylindrischer Spiegel-Elektronenanalysator 13 zum Oberwachen der Verschmutzung der Substratoberfläche und ein Verschluß 14 für den Molekularstrahl vorgesehen.
Zusätzlich zu den vorbeschriebenen Einrichtungen weist die in F i g. 1 dargestellte Vorrichtung noch eine nicht dargestellte Elektronenstrahl-Steuereinrichtung, um nicht nur die Elektronenstrahlablenkung, sondern auch dessen Intensität zu steuern, und eine (ebenfalls nicht dargestllte) Anzeigeeinrichtung auf, um nicht nur die dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzte Stelle oder Zone, sondern auch deren Intensität anzuzeigen. Die letzerwähnte Steuerschaltung weist eine Kathodenstrahlröhre auf und lenkt deren Strahl synchron mit dem Elektronenstraht-Ablenksignal ab, welches in der ersterwähnten Steuerschaltung erzeugt wird, und moduliert die Elektronenstrahlintensität in der Kathodenstrahlröhre entsprechend dem Ausgang von dem Sekundärelektronen-Vervielfacher 10, wodurch ein eins-eins-Verhältnis zwischen der dem Elektronenbeschuß ausgesetzten Steile des Substrats 2 und dem Lichtfleck auf dem Schirmträger der Kathodenstrahlröhre und zwischen der Intensität des Elektronenstrahlbeschusses und der des Lichtflecks auf dem Schirmträgerder Kathodenstrahlröhre gebildet werden kann.
Nachstehend wird nunmehr ein Beispiel für das Aufwachsen mit Ge dotierten epitaxialen Ga-As-Schicht auf einer (001)-Ebene des Ga-As-Substrats beschrieben.
Als erstes wurde nierzu, wie in F i g. 2 dargestellt, ein rechteckiges Ga-As-Substrat vorbereitet, welches emlangjJer (001)-Ebene geschnitten ist, welche in den 110- und 110-Richtungen ausgerichtet ist. Die Oberfläche dts Substrats 2 wurde mit Diamantpaste poliert und dann mit einer Brom-Methanol-Lösung geätzt, bevor das Substratplättchen 2 an dem Revolverkopf 4 angebracht wurde. Hierauf wurde Ge in die Molekularstrahlkanone Ta und GaAs in die Kanone Tb gefüllt. Nachdem die Vakuumkammer zur Desorption etwa zehn Stunden lang erhitzt worden war, wurde die Kammer 1 auf esr. sehr hohes Vakuum in der Größenordnung von 10-'° Torr gebracht. Die Oberfläche des Substrats wurde dann für einen Ätzvorgang auf 630eC erhitzt und wurde dann mit der lonenztrstäubungseinrichtung 5 besprüht.
Ob die Substratoberfläche atomar rein war oder nicht, wurde dann mittels des Auger-Analysators 13 festgestellt.
Danach wurde das Substratplättchen 2 auf 530" C
erhitzt, und es wurde dann flüssiger Stickstoff in das Gefäß bzw. die Abschirmung 8 eingebracht. Nachdem die GaAs-Molekularstrahlquelle oder -kanone Ta auf 8300C und die Ge-Molekularstrahlquelle oder -kanone Tb auf 780° C erhitzt war, wurde der Verschluß 14 geöffnet, um die Molekularstrahlen auf das Substrat 2 zum Aufwachsen einer ersten epitaktischen Schicht 20 zu richten. Zum Aufwachsen einer zweiten epitaktischen Schicht 21 unter denselben Bedingungen wurde mittels des Elektronenstrahls 30 mit einer Geschwindigkeit von 3keV und mit einem Durchmesser von etwa 200 μΐη in der (HO)-Richtung eine vorher ausgewählte Stelle oder Zone 22 abgetastet. Die dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzte, vorher ausgewählte Stelle oder Zone wurde p-leitend, während der übrige Bereich 21. der nicht dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzt war. η-leitend wurde. In diesem Beispiel wurde nur eine Elektronenkanone für eine foriisufende Abstrahlung des Elektronenstrahls verwendet; selbstverständlich können jedoch auch eine Anzahl Elektronenkanonen verwendet werden, um eine Anzahl Stellen oder Zonen gleichzeitig zu bombardieren und dies kann auch mit impulsförmigen Elektronenstrahlbeschüssen erreicht werden.
Bei dem Beispiel ist somit, wie in F i g. 3 dargestellt, die erste η-leitende epitaktische Schicht 20 auf dem Substrat 2 unter den vorbeschriebenen Bedingungen aufgewachsen, und danach ist dann die zweite n-leitende Schicht 21 unter den gleichen Bedingungen aufgewachsen worden, wobei mittels des Elektronenstrahls gleichzeitig die geforderte Zone 22 beschossen worden ist. Nur die vorher ausgewählte Zone 22 wird auf eine höhere Temperatur erhitzt und wird dadurch p-leitend. In ähnlicher Weise können aufeinander eine Anzahl epitaktischer Schichten aufwachsen.
Gemäß der Erfindung kann eine epitaktische Schicht einer bestimmten Leitfähigkeit und mit einer gleichmäßigen Stärke zusammen mit vorher ausgewählten Stellen oder Zonen der entgegengesetzten Leitfähigkeit aufwachsen und es können ferner nacheinander eine Anzahl epitaktischer Schichten übereinander auf der Substratoberfläche aufwachsen. Das heißt, durch ein einziges Verfahren kann eine epitaktische Schicht der einen Leitfähigkeit zusammen mit einer oder einer Anzahl vorher ausgewählter Stellen oder Zonen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps aufwachsen. Die Stellen oder Zonen der entgegengesetzten Leitfähigkeit können frei gewählt werden, so daß die dreidimensionalen Halbleiter frei bemessen und hergestellt werden können.
Die zweite, in Fig.4 dargestellte Ausführungsform weist im wesentlichen den in Fig. 1 dargestellten Aufbau auf, außer daß statt des Elektronenstrahls ein Laserstrahl auf die Substratoberfläche gerichtet wird. In dieser Ausführungsform wird der von einem Argonlaser 15 abgegebene Laserstrahl 16 mittels eines Spiegels 17 durch einen Laserstrahldurchgang 19 auf die Substratoberfläche gerichtet, um eine bestimmte Stelle örtlich zu erwärmen. In dieser Einrichtung wächst die erste η-leitende Schicht 20 auf dem Substrat 2 unter denselben Bedingungen *'ie die bei dem in Verbindung mit der in F i g. 1 dargestellten Einrichtung beschriebenen Beispiel; danach wächst die zweite n-leitende epitaktische Schicht 21 unter_ denselben Bedingungen bei einem Beschüß in der (110)-Richtung durch den Laserstrahl 16 auf. Die dem Laserstrahlbeschuß ausgesetzte Stelle oder Zone wird dann p-leitend.
Anhand von F i g. 5 wird ein Beispiel zum Ändern des
Verhältnisses zwischen den Ill-V-Verbindungen bei Verwendung der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung beschrieben. Bei dem epitaktischen Aufwachsen des Mischkristalls GaAs1Pi _, mittels der GaP- und GaAs-Molekularstrahlen ist es bekannt, daß die folgende Beziehung einzuhalten ist:
1 - χ
= K
wobei k/\-x gleich dem Verhältnis Asi zu Pj in der epitaktischen Schicht. PaI2ZPp2 das Verhältnis der Intensität des Asj-Molekularstrahls zu der Intensität des P2-Molekularstrahls ist und K — 42 ist.
is Versuche haben gezeigt, daß die Substratoberfläche bezüglich des Elements der Gruppe V stabilisiert ist, wenn die epitaktischen Schichten unter den vorbeschriebenen Bedingungen aufgewachsen sind. Wenn jedoch der Ga-Molekularstrahl zusätzlich verwendet wurde, wurde die Proportionalitätskonstante AC verkleinert. Insbesondere wurden die Temperatur des Substrats und die Intensität der Ill-V-Molekularstrahlen so festgelegt, daß das Substrat bezüglich des Elements der gruppe V stabilisiert war. Danach wurde die geforderte Stelle oder Zone auf der Substratcberfläche dem Elektronenbeschuß ausgesetzt, so daß sie bezüglich des Elements der Gruppe III stabilisiert wurde. Das Verhältnis (x)der hinsichtlich des Elements der Gruppe V stabilisierten, epitaktischen Schicht unterscheidet sich von dem Verhältnis der bezüglich des Elements der Gruppe III stabilisierten, epitaktischen Schicht. Dies ist im einzelnen in Verbindung mit dem Aufwachsen der epitaktischen Schicht aus GaAs1Pi-, auf der (001)-Oberfläche des GaAs-Substrats beschrieben.
Wie in Fig.5 dargestellt, wurde ein rechteckiges GaAs-Substratplättchen vorbereitet, welches entlang der (OOl)-Ebene geschnitten worden ist. wobei die Schnittflächen in den (llO)-und den (T 10)-Richtungen verlaufen. Die Substratoberfläche wurde mit Diamant paste poliert, mit einer Brom-Methanol-Lösung geätzt und dann an dem Revolverkopf 4 angebracht Hierauf wurde GaP in die Molekularstrahlkanone Ta und GaAs in die Kanone Tb gefüllt. Die in F i g. 1 dargestellte Vakuumkammer 1 wurde auf entsprechendes Vakuum gebracht und dann zehn Stunden lang erhitzt, um Gase zu beseitigen. Danach wurde die Substratoberfläche einer Argonbesprühung ausgesetzt, und die Vakuumkammer 1 wurde auf ein hohes Vakuum gebracht. Das Substrat 2 wurde dann zum Ätzen seiner Oberfläche auf
so 6300C gebracht. Danach wurde die Substratobf-fläche mittels der Ionenzerstäubungseinrichtung 5 einer Ionenätzung ausgesetzt. Die atomar reine Substratoberfläche wurde dann mittels des Analysators 13 bestätigt Das Substrat 2 wurde dann auf 6300C gehalten und es wurde flüssiger Stickstoff eingebracht Die GaAs-MoIekularstrahlkanone wurde auf 8300C und die GaP-MoIekularstrahlkanone auf 8000C erhitzt Der Verschluß 14 wurde dann geöffnet um die GaAs- und die GaP-Molekularstrahlen auf die Substratoberfläche zu richten, damit eine epitaktische Schicht 40 aufwächst Danach wurden die GaAs- und Ga-P^MoIekuIarstrahlen gleichzeitig auf die Substratoberfläche gerichtet wenn mittels des Elektronenstrahls mit einer Geschwindigkeit von 3 keV und einem Durchmesser von etwa 200 μπι eine ausgewählte Stelle 42 in der (110)-Richtung beschossen wurde. Die dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzte Stelle oder Zone enthielt mehr P als die Zone, weiche dem Elektronenstrahlbeschuß nicht
ausgesetzt war. In diesem Beispiel wurde das Substrat durch den Elektronenstrahl 30 abgetastet; selbstverständlich kann aber auch die Elektronenstrahlkanone so angeordnet sein, daß nur eine ausgewählte feste Stelle beschossen wird, und es können auch impulsförmige Elektronenstrahlbeschüsse vorgesehen sein. Zusätzlich zu den Γ-a-As- und Ga-P-Molekularstrahlen wurde ein Al-Molekalarstrahl zum Aufwachsen der epitaktischen Schicht von vier Elementen verwendet. Die Ga-As- und Ga-P-Molekularstrahlkanonen wurden auf die vorbeschriebenen Temperaturen erwärmt, und eine Al-Molekularstrahlkanone wurde auf 960°C erwärmt. Die hinsichtlich des Elements der Gruppe V stabilisierte Subsiratuberfläche wurde dann dadurch erhalten. Wenn die Elektronenstrahlintensität so gesteuert wurde, daß die hinsichtlich des Elements der Gruppe 111 stabilisierte Oberfläche erhalten wurde, dann wurde festgestellt, daß der Geh?.!·. ?n P in der dem Elektronenstrahlbeschuß ausgesetzten Zone größer ist als der Gehalt der Zone, welche dem Elektronenstrahlbeschuß nicht ausgesetzt Wie vorbeschrieben, können gemäß der Erfindung epitaktische Schichten mit einer Zone oder einer Anzahl Zonen mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen aufwachsen, und die Zone oder die Zonen mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen können frei in dem dreidimensionalen Raum gewählt werden. Bei den herkömmlichen lithographischen Verfahren, bei welchen eine Schicht nur in einer vorher ausgewählten zweidimensionalen Zone aufwächst, wird die Schichtoberfläche unvermeidlich abgestuft. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann jedoch eine epitaktische Schicht mit ebener Oberfläche aufwachsen, und es kann eine mehrlagige epitaktische Schicht erhalten werden, in welcher eine oder eine Anzahl epitaktischer Schichten mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen an irgendwelchen geforderten Stellen und in einer geforderten Stärke frei aufwachsen können. Infolgedessen können dreidimensionale Halbleiter geplant und hergestellt werden, so daß hierdurch neue und verbesserte elektronische Einrichtungen geschaffen werden können.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter Ill-V-Verbindungshalbleiter-Schichten auf Kri-Stallsubstraten, wobei im Vakuuni auf eine Hauptebene des erhitzten Substratkristalls aus III- und V-Elementen oder aus solchen uf.d einem IV-EIemeht bestehende Molekularstrahlen gerichtet werden, dadurch gekennzeichnet, daß wäh- to rend der epitaktischen Abscheidung ausgewählte Bereiche der Substratoberfläche durch einen Elektronen- oder einen Laserstrahl zur Erzielung unterschiedlicher Leitfähigkeit erwärmt werden.
    15
DE2522921A 1974-05-23 1975-05-23 Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter III-V-Verbindungshalbleiter-Schichten Expired DE2522921C3 (de)

Applications Claiming Priority (3)

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