DE2644208B2 - Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer UnterlageInfo
- Publication number
- DE2644208B2 DE2644208B2 DE2644208A DE2644208A DE2644208B2 DE 2644208 B2 DE2644208 B2 DE 2644208B2 DE 2644208 A DE2644208 A DE 2644208A DE 2644208 A DE2644208 A DE 2644208A DE 2644208 B2 DE2644208 B2 DE 2644208B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- ions
- layer
- base
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/08—Epitaxial-layer growth by condensing ionised vapours
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage, wie es
im Oberbegriff des Patentanspruches 1 näher beschrieben ist.
Zur Herstellung von z. B. MOS-Bauelementen und Bauelementen und integrierten Schaltungen in einer
SOS- (Silicon on Sapphire)-Technik, allgemein Dünnschichtbauelementen, werden in der Halbleitertechnologie
Verfahren benötigt, mit denen auf einkristallinen oder auch amorphen Unterlagen einkristalline Schichten
und Schichtfolgen aus Halbleitermaterial abgeschieden werden können. Bekannte Verfahren zur Herstellung
von solchen Schichten oder auch von Bändern aus Halbleitermaterial sehen Hochtemperaturprozesse vor,
bei denen aus der Gasphase Halbleitermaterial epitaxial abgeschieden wird, oder bei denen das epitaxiale
Abscheiden aus einer flüssigen Phase an Keimen erfolgt und bei denen große band- oder p.ylinderförmige
Einkristalline gezogen und anschließend in einzelne Scheiben zerteilt werden. Für das Abscheiden dünner
Schichten aus der Gasphase wird in jüngster Zeit auch ein als »ion plating« bezeichnetes Verfahren angewendet,
bei dem in einem evakuierbaren Gefäß das Substrat, 3ΐίί dem die üc
liprfipn erw
Zwecke der Oberflächenreinigung einem Ionenbeschuß ausgesetzt wird. Zum Abscheiden solcher Schichten
wird Material aus einem Tiegel verdampft und auf die Oberfläche des Substrates niedergeschlagen. Während
dieses Vorganges wird der Ionenbeschuß aufrechterhalten, da sich herausgestellt hat, daß unter diesen
Umständen eine gute Haftung zwischen dem abgeschiedenen Film und der Substratoberfläche und ggf. auch ein
orientiertes Wachsen der Schicht erreicht wird. (Vgl. journal of Vaccum Science Technology, Bd. 10, No. 1
[1973], S. 47 bis 52.) Da das Epitaxialwachstum in solchen Schichten über eine Keimbildung und anschließendem
orientierten Wachstum an solchen Keimen abläuft, ist es bei diesem Verfahren notwendig, für eine
ausreichende Oberflächendiffusion der aufgedampften Teilchen auf der Substratoberfläche zu sorgen. Dies
geschieht bei dem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren dadurch, daß die Substrattemperatur
ausreichend hoch gewählt wird. Darüber hinaus ist es in den meisten Fällen notwendig, ais Substrat einen
Einkristall zu verwenden, dessen Gitterstruktur der Gitterstruktur der aufzuwachsenden Schicht ähnlich ist,
damit sich bereits bei der Keimbildung eine Orientierung herausbildet. Hohe Substrattemperaturen sind
aber dann von Nachteil, wenn das Substrat selbst beispielsweise aus einer mit dotierten Zonen versehenen
Halblei'erschicht besteht, da bei solchen hohen Temperaturen aufgrund von Diffusion sich die Dotierungsstärken
und Dotierungsgrenzen ändern.
Ein Abscheideverfahren bei niedrigen Substrattemperaturen ist aus der Zeitschrift für angewandte Physik,
22 (1966), Seiten 1 und 2, bekannt. Bei diesem Verfahren
wird zur Herstellung einer aus Silber, Kupfer, Eisen, Silizium, Gold oder Wolfram bestehenden Schicht auf
einer Unterlage, z. B. aus Glas, aus einer Verdampfungsquelle das Schichtmaterial verdampft und auf der
Unterlage niedergeschlagen, wobei während des Abscheidens die Oberfläche der Unterlage einem Ionenbeschuß
mit Ionen ausgesetzt wird, deren kinetische Energie beim Auftreffen auf die Oberfläche der
Unterlage wenigstens 10 keV beträgt. Die so hergestellten Schichten weisen einen hohen Grad an Homogenität
auf.
Die Aufgabe, die der Erfindung zugrunde liegt, besteht neben der Erzielung einer hohen Homogenität
der Schichten auch in der Erzielung eLier hohen Haftfestigkeit zum Substrat und gleichzeitig einer guten
Korrosionsbeständigkeit. Außerdem soll auch ein epitaxiales Aufwachsen aus der Gasphase auf amorphen
Substraten erreicht werden.
Diese Aufgabe wird bei einem wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenen Verfahren erfindungsgemäß
nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst.
Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Das Verfahren nach der Erfindung hat gegenüber dem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren
insbesondere die Vorteile, daß die Substrattemperaturen abgesenkt werden und damit unerwünschte
Diffusionsprozesse oder Kristallgittereffekte im Substrat und in der herzustellenden Schicht vermieden
werden können. Weiterhin wird durch damit ermöglichte Senkung der Substrattemperatur vermieden, daß Jas
aufgedampfte Material wieder abgedampft oder sich an der Substratoberfläche zersetzt. Weiterhin lassen sich
mit dem Verfahren nach der Erfindung auch mechanicphp
ζηαηηιιηαρη Ηϊί» narh rtpm FnHp Af*^ A ilf u/arh^pns
beim Abkühlen des Substrates und der aufgewachsenen Schicht auftreten können und die möglicherweise
Kristallschäden zur Folge haben, vermeiden.
Die Erfindung beruht auf folgenden Überlegungen: Das eptiaxiale Aufwachsen einer Schicht erfolgt über
eine Anlagerung der aufgedampften Teilchen an Keimen. Eine kristalline, mit einer Orientierung
versehene Schicht erhält man dann, wenn die Keime, ;.n denen die Anlagerung stattfindet, selber eine Orientierung
aufweism. Eine solche Orientierung der Keime läßt sich durch eine Asymmetrie des als Substrat
verwendeten Kristalles erreichen, wenn dieser entweder durch eine mechanische Verspannung mit einer die
Keimbildung begünstigenden Vorzugsrichtung versehen wird oder, wenn in der Oberfläche der Unterlage
ein starkes elektrisches Feld vorherrscht, durch das die Vorzugsrichtung festgelegt wird. Ein solches zur
Oberfläche pralleles elektrisches Feld entsteht dann, wenn ein Keim an dem eine Anlagerung stattfinden
kann, sehr stark elektrisch aufgeladen ist. in diesem Fall entsteht ein Polarisationsfeld mit sehr hohen Feldstärken,
und aufgrund dieses hohen elektrischen Feldes erfolgt die Oberflächendiffusion zu den Keimen hin
nicht isotrop, sondern mit einer Vorzugsrichtung. Eine Aufladung der Keime läßt sich dadurch erreichen, daß
zugleich mit dem Aufdampfen des Materials geladene Teilchen, z. B. Ionen, mit auf die Oberflächt des
Substrates aufgeschossen werden. Da bei dem Aufschießen von Ionen in der Oberfläche der Unterlage
Fehlstellen und Verspannungen hervorgerufen werden, die das chemische Potential der Unterlagen- oder
Substratoberfläche verändern, erhält man für das dabei aufgewachsene Material eine hohe Haftfestigkeit und
gleichzeitiig auch eine erhöhte Korrosionsfestigkeit.
Dieser letztgenannte Umstand wird bereits bei dem als »ion plating« bekannten Verfahren ausgenutzt, bei dem
beim Aufdampfen gleichzeitig die Substratoberfläche mit Edelgasionen beschossen wird. Eine Aufladung der
sich auf der Substratoberfläche ausbildenden Keime wird mit »ion plating«-Verfahren jedoch nicht erreicht.
Dies ergibt sich daraus, daß bei dem »ion plating«-Verfahren die kinetische Energie der aufgeschossenen
Ionen eine bestimmte Größe nicht überschreiten darf, da sonst die von ihnen hervorgerufene Zerstäubung
größer wird als die Anlagerung des aufgedampften Materials. Die Verwendung niederenergetischer Ionen
führt jedoch zu kleinen Stromdichten, was weiter zur Folge hat, daß eine ausreichend hohe Aufladung der
Oberfiächenkeim; nicht erreicht wird.
Eine orientierte Keimbildung und ein damit orientiertes Wachstum der Schicht wird z. B. dadurch erreicht,
daß in der Nähe der Oberfläche der Unterlage eine geerdete Elektrode angebracht wird. Diese geerde<e
Elektrode verursacht ein elektrisches Feld zwischen den stark aufgeladenen Keimen und dieser Elektrode. Damit
wird für das Wachstum eine Vonugsrichtung vorgegeben. Wird die Vorzugsrichtung mit Hilfe einer
mechanischen Spannung, z. B. mittels einer Dehnung, vorgegeben, so erfolgt das Wachstum an den auf der
Oberfläche der Unterlage befindlichen Keimen bzw. die Ausbildung solcher Keime mit einer räumlichen
Orientierung. Dies läßt sich sowohl bei Unterlagen aus krisiallinen Substraten wie auch bei Unterlagen aus
amorphen Substraten, z. B. auch bei Unterlagen aus Folien von anorganischem oder organischem Material
anwenden. Bei der Verwendung von Folien wäre es überdies möglich, diese Folie von einer Vorratsrolle
abzuwickeln durch den AKcr-hpirlpranrn ΓιΚί»Γ MrIIr1IiCtH-
fen hindurchzuführen und auf einer weiteren Rolle wieder aufzuwickeln. Dabei kann gleichzeitig durch
Regelung der Drehgeschwindigkeit dieser Rollen ein Zug auf die Folie ausgeübt werden, so daß dabei die
gewünschte Vorzugsrichtung der Oberfläche der Unterlage erreicht wird. Es ist weiterhin auch eine
Kombination dieser beiden Ausgestaltungen denkbar, bei der das als Unterlage dienende Substrat sowohl
einer mechanischen Verspannung wie auch durch Anbringen einer Elektrode bzw. Oberlagerung eines
elektrischen Feldes mit einer Vorzugsrichtung versehen wird. Als Verdampfungsquelle wird für das erfindungsgemäße
Verfahren zweckmäßigerweise ein Elektrodenstrahlverdampfer
verwendet, da bei einer solchen Verdampfungsquelle gleichzeitig auch Ionen des verdampften
Materials erzeugt werden. Dies läßt sich aus der Eindringtiefe eines Elektronenstrahls in dem zu
verdampfenden Material ableiten, da die große Eindringtiefe der Elektronen nur damit erklärt werden
kann, daß in dem Festkörper, auf dem der Elektronenstrahl gerichtet ist, ein Plamakanal entsteht. In einem
solchen Plasmakanal sind aber eine große Zahl von Ionen vorhanden. Diese Ionen können durch Anlegen
einer Ziehspannung zwischen dem Tiegel, in dem sich das zu verdampfende Material befindet, und der
Unterlage bzw. einer Elektrode, die sich in der Nähe der zu bedampfenden Unterlage befindet, auf die Unterlage
hin beschleunigt werden. Gleichzeitig kann mit einer solchen Verdampfungsquelle durch eine Temperaturregelung des Tiegels das Verhältnis zwischen dem
lonenstrom und der Zahl der verdampften Teilchen
geregelt werden. Bei sehr kleinen Temperaturen des im Tiegel befindlichen Materials erhält man bei einer
Zierupannung von etwa 20 kV fast ausschließlich einen
lonenstrom. Der erforderliche Elektronenstrom in dem Elektronenstrahlverdampfer beträgt etwa IO mA pro
mm2 der erhitzten Fläche. Es können aber auch andere Verdampfungsquellen benützt werden, bei denen
gleichzeitig Ionen erzeugt werden. Hierfür ist beispielsweise auch eine durch Hochfrequenz beheizte Verdampfungsquelle
geeignet, da in dem Hochfrequenzfeld aufgrund von Stoßeffekten ebenfalls Ionen gebildet
werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispieles beschrieben
und näher erläutert.
In den Fig. 1 und 2 ist jeweils eine Vorrichtung dargestellt, mit der das erfindungsgemäße Verfahren
durchgeführt wird.
Die Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung, mit der das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden
kann. In einem Repizienten 1, der über eine Vakuumleitung 2 evakuiert werden kann, befindet sich ein Tiegel 3,
in dem das zu verdampfende Material 4, z. B. Silizium enthalten ist. Über dem Tiegel 3 ist ein Halter 5
angebracht, an dem das Substrat 6, das z. B. aus einem Siliziumkörper besteht, befestigt ist. Dieser Halter 5
sitzt selbst in einer Hochspannungsdurchführung 7 und ist mit einer Hochspannungsquelle 8 verbunden. Das in
dem Tiegel 3 enthaltene Material 4 wird mit Hilfe einer Elektronenkanone 9 mit Elektronen beschossen und
dadurch erhitzt. Es entsteht in dem Material 4 eint schmelzflüssige Zone 10, aus der heraus das Material
verdampft. Die Intensität des Elektronenstrahls beträgt beispielsweise 10 mA bei einer kinetischen Energie der
Elektronen von beispielsweise 5 kV. Das aus der Zone 10 verdampfte Material wird auf der Oberfläche des
Subst.r2tcc ^* ^!s Schicht 11 niprjprijpschlatyen. Durch den
Elektronenbeschuß werden in der schmelzflüssigen Zone 10 gleichzeitig auch Ionen 12 des Materials 4, in
dem Beispiel Si-Ionen, erzeugt. Diese Ionen 12 werden durch Anlegen einer Hochspannungsquelle 8 an den
Tiegel 3 einerseits und an den Halter 5 andererseits auf die Substratoberfläche hin beschleunigt. Die zwischen
dem Tiegel und dem Halter 5 anliegende Spannung beträgt beispielsweise 20 kV. Die Polung dieser
Spannungsquelle ist so, daß der Tiegel 3 gegenüber dem Halter 5 positives Potential besitzt. Die Dichte des von
den Ionen 12 hervorgerufenen Stromes beträgt beispielsweise 5 mA pro cm2 der Substratoberfläche.
Der Strom dieser Ionen 12 bewirkt eine Impuls- und Energieübertragung, und damit bei einem isolierenden
Substrat 6 zusammen mit elektrischen Feldern bereits in der Nukleationsphase ein orientiertes Wachstum der
Schicht 11, ohne daß das Substrat 6 mit Hilfe eines Ofens
14 auf eine hohe Temperatur erhitzt werden müßte. Mit Hilfe dieses Ofens 14 kann das Substrat auf eine
Temperatur von nur etwa 200° C erhitzt werden, damit Strahlenschäden, die von den Ionen 12 hervorgerufen
werden, ausheilen können. Bei einer Temperatur von 200° C können noch keine unerwünschten Diffusionsprozesse im Substrat bzw. zwischen dem Substrat und
der Schicht 11 auftreten. In der Nähe der Substratoberfläche befindet sich weiter eine Hilfselektrode 13, durch
die mit der Spannungsquelle 28 ein elektrisches Feld hervorgerufen wird, das eine in der Oberflächenebene
des Substrates liegende Komponente aufweist, und das eine Orientierung der beim Aufwachsen der Schicht 11
vorhandenen Wachstumskeime bewirkt. Die Elektrode 13 kann auch als Teil des Halters 5 ausgebildet werden
und liegt dann natürlich auf dem Potential des Halters wobei die Spannungsquelle 28 entfällt.
Die in Fig.2 gezeigte Vorrichtung entspricht im
wesentlichen der Vorrichtung nach Fig. 1. Als Träger
für das Substrat 6 dient hier ein Band 15, mit dessen Hilfe das Substrat 6 in den von dem Tiegel 3
κι ausgehenden Kegel 16 der verdampfenden Teilchen gefahren werden kann. Gleichzeitig ist in F i g. 2
dargestellt, daß auch mit Hilfe eines Gitters 17, das sich zwischen dem Tiegel 3 und dem Substrat 6 befindet, die
beim Verdampfen des Materials 4 entstehenden Ionen 12 auf das Substrat hin beschleunigt werden können. In
dem Raum zwischen dem Tiegel 3 und dem Substrat 6 kann weiter auch eine Mikrowellenantenne 18 angeordnet
sein, die von einem Mikrowellengenerator 19 erregt wird. Das von der Mikrowellenantenne 18 dabei
ausgehende hochfrequente elektrische Feld kann eine zusätzliche Ionisierung der aus der Zone 10 des
Materials 4 verdampfenden Teilchen bewirken, so daß ein höherer Strom von Ionen 12 zur Verfügung steht. In
einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird als Substrat eine Folie 15 verwendet, und auf diese Folie 15
direkt eine Schicht 11 aufgewachsen. Eine Vorzugsrichtung
läßt sich dabei dadurch erreichen, daß diese Folie 15 in einer durch den Pfeil 29 angedeuteten Richtung
gestreckt wird.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage, bei dem aus einer
Verdampfungsquelle das Material der Schicht verdampft und auf der Oberfläche der Unterlage
abgeschieden wird, und bei dem während des Abscheidens die Oberfläche der Unterlage einem
Beschüß mit Ionen des abzuscheidenden Materials ausgesetzt wird, deren kinetische Energie beim iu
Auftreffen auf die Oberfläche der Unterlage wenigstens 10keV beträgt, dadurch gekennzeichnet,
daß während des Abscheidens der Schicht (11) ein elektrisches Feld aufrechterhalten
wird, das eine in der Oberflächenebene der Unterlage (6) liegende Komponente besitzt, oder,
daß während des Abscheidens der Schicht (11) in der Unterlage (6) eine mechanische Spannung hervorgerufen
wird, die eine in der Oberflächenebene der Unterlage (6) liegende Komponente besitzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Unterlage ein amorphes Substrat eingesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage eine Folie eingesetzt 2>
wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis aus der
Zahl der auf der Oberfläche der Unterlage (6) durch Verdampfung auftreffenden Teilchen des Materials
(4) zu der Zahl der auf treffenden Ionen größer als 10
gewählt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der
Unterlage zusätzlich einem Beschüß mit Dctierstoff- J5
ionen ausgesetzt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur des
Substrates kleiner als etwa 4000C, vorzugsweise bei etwa 200°C gehalten wird.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2644208A DE2644208C3 (de) | 1976-09-30 | 1976-09-30 | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage |
US05/825,246 US4140546A (en) | 1976-09-20 | 1977-08-17 | Method of producing a monocrystalline layer on a substrate |
JP11388777A JPS5343684A (en) | 1976-09-30 | 1977-09-21 | Monocrystalline layer growth |
FR7728916A FR2366057A1 (fr) | 1976-09-30 | 1977-09-26 | Procede de formation d'une couche monocristalline sur un support |
IT27967/77A IT1087608B (it) | 1976-09-30 | 1977-09-27 | Procedimento per formare uno strato monocristallino su un substrato |
GB40461/77A GB1532759A (en) | 1976-09-30 | 1977-09-29 | Production of monocrystalline layers on substrates |
BE181363A BE859265A (fr) | 1976-09-30 | 1977-09-30 | Procede de formation d'une couche monocristalline sur un support |
NL7710742A NL7710742A (nl) | 1976-09-30 | 1977-09-30 | Werkwijze voor de vervaardiging van een mono- kristallijne laag op een onderlaag. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2644208A DE2644208C3 (de) | 1976-09-30 | 1976-09-30 | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2644208A1 DE2644208A1 (de) | 1978-04-06 |
DE2644208B2 true DE2644208B2 (de) | 1980-07-31 |
DE2644208C3 DE2644208C3 (de) | 1981-04-30 |
Family
ID=5989344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2644208A Expired DE2644208C3 (de) | 1976-09-20 | 1976-09-30 | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4140546A (de) |
JP (1) | JPS5343684A (de) |
BE (1) | BE859265A (de) |
DE (1) | DE2644208C3 (de) |
FR (1) | FR2366057A1 (de) |
GB (1) | GB1532759A (de) |
IT (1) | IT1087608B (de) |
NL (1) | NL7710742A (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4179312A (en) * | 1977-12-08 | 1979-12-18 | International Business Machines Corporation | Formation of epitaxial layers doped with conductivity-determining impurities by ion deposition |
DE2941908C2 (de) * | 1979-10-17 | 1986-07-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle |
DE3003285A1 (de) * | 1980-01-30 | 1981-08-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten |
US4340461A (en) * | 1980-09-10 | 1982-07-20 | International Business Machines Corp. | Modified RIE chamber for uniform silicon etching |
US4385946A (en) * | 1981-06-19 | 1983-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Rapid alteration of ion implant dopant species to create regions of opposite conductivity |
GB2155042B (en) * | 1984-02-21 | 1987-12-31 | Hughes Technology Pty Ltd | Laser induced ion beam generator |
DE3418330C2 (de) * | 1984-05-17 | 1995-05-24 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers |
GB2174108B (en) * | 1985-04-04 | 1989-07-19 | Sharp Kk | Method for forming a polycrystalline silicon thin film |
CH665428A5 (de) * | 1985-07-26 | 1988-05-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur beschichtung von mikrovertiefungen. |
WO1987006389A1 (en) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 | J.C. Schumacher Company | Semiconductor dopant vaporizer |
WO1999005728A1 (en) | 1997-07-25 | 1999-02-04 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
FR2774511B1 (fr) * | 1998-01-30 | 2002-10-11 | Commissariat Energie Atomique | Substrat compliant en particulier pour un depot par hetero-epitaxie |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
EP1168539B1 (de) * | 1999-03-04 | 2009-12-16 | Nichia Corporation | Nitridhalbleiterlaserelement |
WO2008021501A2 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Piero Sferlazzo | Apparatus and method for ultra-shallow implantation in a semiconductor device |
TWI362769B (en) * | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3433677A (en) * | 1967-04-05 | 1969-03-18 | Cornell Aeronautical Labor Inc | Flexible sheet thin-film photovoltaic generator |
US3520741A (en) * | 1967-12-18 | 1970-07-14 | Hughes Aircraft Co | Method of simultaneous epitaxial growth and ion implantation |
US3614423A (en) * | 1970-09-21 | 1971-10-19 | Stanford Research Inst | Charged particle pattern imaging and exposure system |
US3808674A (en) * | 1972-08-10 | 1974-05-07 | Westinghouse Electric Corp | Epitaxial growth of thermically expandable films and particularly anisotropic ferro-electric films |
US3912826A (en) * | 1972-08-21 | 1975-10-14 | Airco Inc | Method of physical vapor deposition |
US3908183A (en) * | 1973-03-14 | 1975-09-23 | California Linear Circuits Inc | Combined ion implantation and kinetic transport deposition process |
US3909308A (en) * | 1974-08-19 | 1975-09-30 | Rca Corp | Production of lead monoxide coated vidicon target |
JPS5148097A (en) * | 1974-10-23 | 1976-04-24 | Osaka Koon Denki Kk | Iongen |
US3924136A (en) * | 1975-02-18 | 1975-12-02 | Stanford Research Inst | Charged particle apodized pattern imaging and exposure system |
US3997368A (en) * | 1975-06-24 | 1976-12-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Elimination of stacking faults in silicon devices: a gettering process |
DE2631881C2 (de) * | 1975-07-18 | 1982-11-25 | Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
-
1976
- 1976-09-30 DE DE2644208A patent/DE2644208C3/de not_active Expired
-
1977
- 1977-08-17 US US05/825,246 patent/US4140546A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-09-21 JP JP11388777A patent/JPS5343684A/ja active Pending
- 1977-09-26 FR FR7728916A patent/FR2366057A1/fr active Granted
- 1977-09-27 IT IT27967/77A patent/IT1087608B/it active
- 1977-09-29 GB GB40461/77A patent/GB1532759A/en not_active Expired
- 1977-09-30 BE BE181363A patent/BE859265A/xx unknown
- 1977-09-30 NL NL7710742A patent/NL7710742A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2644208C3 (de) | 1981-04-30 |
FR2366057B1 (de) | 1980-04-25 |
GB1532759A (en) | 1978-11-22 |
BE859265A (fr) | 1978-01-16 |
FR2366057A1 (fr) | 1978-04-28 |
DE2644208A1 (de) | 1978-04-06 |
NL7710742A (nl) | 1978-04-03 |
US4140546A (en) | 1979-02-20 |
IT1087608B (it) | 1985-06-04 |
JPS5343684A (en) | 1978-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2644208C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage | |
DE2412102C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer dotierten Halbleiterzone und einer ohmschen Kontaktdoppelschicht hierauf | |
DE2824564C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden | |
DE3027572C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Berylliumoxid-Filmes | |
DE2659392C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang | |
DE69605459T2 (de) | Herstellungsverfahrung einer Elektronenfeldemissionsvorrichtung | |
DE69618326T2 (de) | Feldemissionsvorrichtungen mit Emittern auf Metallfolie und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtungen | |
DE2513034C2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von dotierten dünnen Halbleiterschichten | |
DE2631881C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE2046833A1 (de) | Verfahren zur Herstellung isolierter Halbleiterzonen | |
DE2805247A1 (de) | Vorrichtung zur herstellung von verbindungshalbleiter-duennschichten | |
EP1019953A1 (de) | Verfahren zum thermischen ausheilen von durch implantation dotierten siliziumcarbid-halbleitern | |
DE3112604C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines amorphen Siliciumfilmes | |
WO2008155087A2 (de) | Plasmareaktor und verfahren zur herstellung einkristalliner diamantschichten | |
DE1521313A1 (de) | Verfahren zum Herstellen duenner Schichten | |
EP0183962B1 (de) | Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial | |
DE2522921B2 (de) | Verfahren zur epitaktischen Abscheidung dotierter m-V-Verbindungshalbleiter-Schichten | |
DE3124456C2 (de) | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP0958241B1 (de) | VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON STABILEN ENDOHEDRALEN FULLERENEN DER STRUKTUR Z-at-Cx MIT x GRÖSSER GLEICH 60 | |
EP0239140B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von strukturierten epitaxialen Schichten auf einem Substrat | |
DE3743734C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von vergrabenen, isolierenden Schichten und damit hergestellter Halbleiterkörper | |
DE10341914B4 (de) | Einrichtung zur Herstellung dünner Schichten und Verfahren zum Betreiben der Einrichtung | |
DE3100670C2 (de) | Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung | |
DE3126050A1 (de) | Verfahren zur erzeugung monokristalliner oder grobpolykristalliner schichten | |
DE2363061A1 (de) | Schottky-grenzschichtkontakte und verfahren zur herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAM | Search report available | ||
OC | Search report available | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |