DE3027572C2 - Verfahren zum Herstellen eines Berylliumoxid-Filmes - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Berylliumoxid-Filmes

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DE3027572C2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Berylliumoxid-Filmes.
Berylliumoxid (BeO) kristallisiert in einer hexagonalen Wurtzitstruktur und hat hervorragende isolierende Eigenschaften infolge der großen Breite des verbotenen Bandes von 11,2 eV und des spezifischen Widerstandes von 10'°ncm. Zusätzlich beträgt die spezifische Dielektrizitätskonstante von BeO etwa 6—8, was im Vergleich mit AI2O3 ein relativ kleiner Wert ist. BeO hat hervorragende elektrische und Wärmeleiteigenschaften und ist chemisch stabil. Entsprechend wird es verbreitet in elektrischen Teilen für Mikrowellenanwendungen eingesetzt, als Innenauskleidung einer Hochtemperatur-Brennkemmer, als Moderator oder Reflektor eines Kernreaktors, als Fensterflamme einer Röntgenstrahlröhre usw.
Weiterhin hat BeO einen extrem hohen Schmelzpunkt von 25700C und ist schwierig in einem Dünnfilm herrteilbar. So wird das in den bestehenden Vorrichtungen verwendete BeO hergestellt oder formiert, indem feine BeO-Pulver in Gestalt einer Platte durch Heißpressen gepreßt werden. In einem anderen bestehenden Verfahren wird versucht, monokristallines BeO durch ein Flußverfahren aufzuwachsen, indem Molybdänoxid (MOO3) als ein Flußmittel verwendet wird. Jedoch ist das durch dieses Verfahren hergestellte BeO ein monokristalliner Chip bzw. Körper und wird bisher industriell nicht eingesetzt.
Wie bereits oben erwähnt wurde, hat BeO eine Wärmeleitfähigkeit und hoch isolierende Eigenschaften.
Zusätzlich ist die mechanische Härte extrem groß und weist einen Morse-Härtegrad mit dem Wert 9 auf. Wenn demgemäß der BeO-FiIm direkt auf einer Oberfläche verschiedener Teile oder Vorrichtungen gebildet wird, ist es möglich, die Oberfläche dieser Vorrichtungen mit einem Oberzug zu ummanteln, der hervoiragende Antiabrieb- und Wärmestrahlungseigenschaften aufweist, und es wird erwartet, daß der BeO-FiIm verbreitet als ein Überzugsmaterial für
Ό verschiedene Werkzeuge oder als ein Wärmestrahlungsüberzug für eine Ausrüstung verwendet wird, die hohe Temperaturen erzeugt
Hiervon ausgehend haben die Erfinder ausgedehnte Forschungs- und Entwicklungsarbeiten über BeO-Filme ausgeführt
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines Berylliumoxid-(BeO)-Filmes und einen nach diesem Verfahren hergestellten Berylliumoxid-FiIm anzugeben, der hervorragende Antiabrieb-, elektrische Isolations- und Wärmeleitungseigenschaften aufweist
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß durch die in dessen kennzeichnenden Teil angegebenen
Merkmale gelöst
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Herstellung eines Berylliumoxid-Filmes mit einem ausgezeichneten kristallinen Zustand und einer hohen Haftfähigkeit bezüglich eines Substrates. Außerdem kann ein transparenter Berylliumoxid-Film hergestellt werden, dessen Dicke in der Größenordnung von μπι liegt und der in vorteilhafter Weise für optische Vorrichtungen anwendbar ist Weiterhin erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren das Hersteilen eines extrem dünnen Berylliumoxid-Filmes.
Die Erfindung ermöglicht somit einen Berylliumoxidfilm, der erzeugt wird, indem teilweise ionisierter Dampf von metallischem Beryllium und Sauerstoff auf ein Substrat auftreffen.
Die Erfindung geht dabei von de · Erkenntnis aus, daß ein dünner BeO-FiIm direkt auf einer Substratoberfläche formiert werden kann, indem teilweise ionisierter Dampf von metallischem Beryllium auf der Substratoberfläche zusammen mit Sauerstoff auftrifft.
Somit betrifft die Erfindung einen Berylliumoxid-Film, der durch Auftreffen von teilweise oder partiell ionisiertem Dampf von metallischem Beryllium (BeO) und Sauerstoff auf ein Substrat erzeugt ist, und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Beryllium-
oxid-(BeO)-Filmes, das die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Erwärmen und Verdampfen von metallischem Beryllium, das in einen geschlossenen Tiegel mit wenigstens einer Einspritzdüse gefüllt ist, und den Berylliumdampf zu bilden, Einspritzen des Dampfes
durch die Einspritzdüse in eine Sauerstoffatmosphäre, deren Druck bei 10~2 oder weniger des Dampfdruckes im Tiegel gehalten ist, um dadurch einen Dampfstrom von Beryllium zu bilden, Ionisieren wenigstens eines Teiles des Dampfstromes durch Bestrahlen des Dampf-
Stromes mit Elektronenstrahlen, um einen ionisierten Dampfstrom zu erzeugen, und Zusammenstoßenlassen des ionisierten und nicht ionisierten Dampfstrornes mit einer Substratoberfläche zusammen mit Sauerstoff durch kinetische Energie zur Zeit des Einspritz.!:ns des
Dampfes durch die Einspritzdüse, um einen darauf abgeschiedenen Berylliumoxid-(BeO)-Film zu formieren.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeich-
nung näher erläutert Es zeigen:
Fig. 1 eine schematised Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zum Erzeugen eines Berylliumoxid(BeO)-Filmes nach der Erfindung,
Fig.2 eine Elektronenmikrophotographie mit einer Abtast-EIektronenmikroskopie-(SEM)-Struktur eines Berylliumoxid-(BeO)-Filmes nach der Erfindung,
F i g, 3 ein Röntgenstrahl-Beugungsmuster eines BerylIiumoxid-(BeO)-Filmes mit der bevorzugten Orientierung der C-Achse senkrecht zur Substratoberfiäche, und F i g. 4 eine Elektronenmikrophotographie mit einem
Rückstrahl-Hochenergie-Elektronen-Beugungs-(RHEED-)Muster eines Beryl!iumoxid-(BeO-)Filmes nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Ein Berylliumoxid-(BeO-)FiIm und ein Verfahren zu dessen Herstellung nach der Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnung beschrieben.
F i g. i ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Erzeugen des BeO-Filmes nach der Erfindung. Die in F i g. 1 gezeigte Vorrichtung umfaßt einen geschlossenen Tiegel mit wenigstens einer Düse 2 eines Durchmessers von 0,5 mm bis 2,0 mm. Die Länge der Düse 2 in der axialen Richtung ist so gering wie möglich, vorzugsweise geringer als der Durchmesser der Düse 2, so daß das Längenverhältnis kleiner als 1 sein kann. Der Tiegel 1 ist mit metallischem Beryllium 3 gefüllt, das in der Gestalt von Flocken oder Schuppen vorliegt oder in eine Gestalt von Pellets oder Kugeln formiert ist, indem das flockige Beryllium geeignet verarbeitet wird.
Der Tiegel 1 ist von einer Heizeinrichtung 4 umgeben. In dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Heizeinrichtung4 eine Elektronenbambardement-Heizeinrichtung, die den Tiegel 1 zum Emittieren von Elektronen durch eine Heizdrahtspule erwärmt, die um den Tiegel 1 angeordnet ist, und die Heizeinrichtung 4 erhöht die Temperatur des Tiegels, in dem ein positives Potential von einer (nicht gezeigten) Strom- bzw. Spannungsquelle an den Tiegel gelegt wird, wodurch die vom Heizc'"aht emittierten Elektronen beschleunigt werden und die Elektronen die Tiegeloberfläche bombardieren. Wenn der Tiegel 1 aus einem elektrisch leitenden Material besteht, können in einem anderen Ausführungsbeispiel für die Heizeinrichtung des Tiegels 1 Anschlüsse mit dem oberen und dem unteren Teil des Tiegels 1 vorgesehen werden, und der Tiegel 1 kann durch Widerstandsheizen erwärmt werden. bei dem ein hoher elektrischer Strom einer geringen Spannung arn Tiegel 1 liegt, um so den Tiegel 1 zu erwärmen. Der Tiegel 1 kann auch duioh Strahlungsheizen erwärmt werden, indem eine Heizeinrichtung um den Tiegel 1 vorgesehe-,1 wird, oder durch eine Kombination dieser Heizarten. Weiterhin ist eine Wärmeschirmplatte 5 für die Heizeinrichtung vorgesehen.
Eine Ionisationskammer 6 liegt über dem Tiegel 1, die aufweist eine netzförmige Anode 7, die kreisförmig oder quadratisch zylindrisch ist oder in Gestalt paralleler Platten angeordnet ist, um den Dampfweg des metallischen Berylliums zu umschließen, wie dies weiter unten näher beschrieben wird, einen Heizdraht 8 zum Emittieren von Elektronen, der um die Anode 7 vorgesehen ist, und eine Schirmplatte 9.
Die den BeO-FiIm herstellende und in F i g. 1 gezeigte Vorrichtung hat außerdem einen Substrathalter 11 zum Halten eines Substrates 12. auf dem der BeO-Füm abgeschieden wird, und einen Verschluß 13, um · in Auftreffen, des Beryllium· (Be) oder Sauerstoffes (O) <uif das Substrat 12 zu verhindern, wenn dies nicht erforderlich ist
Jedes beliebige Substrat beispielsweise ein Metallisches Substrat ein Halbleiter-Substrat, ein isolierendes Substrat aus Glas, Keramik, Saphir und dgl., kann für das Substrat 12 verwendet werden. Weiterhin ist ein Sauerstoff-Zufuhrrohr 15 mit mehreren Düsen 16 vorgesehen. In dem in F i g. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel liegen die Düsen 16 in der Nähe der Düse 2 des Tiegels 1; jedoch können die Düsen 16 neben dem Substrat 12 vorgesehen sein. Bei Bedarf kann eine Beschleunigungselektrode 17, an der ein negatives Potential bezüglich des Tiegels 1 durch eine (nicht gezeigte) Strom- bzw. Spannungsquelle zum Beschleunigen des ionisierten Be-Dampfes liegt, zwischen der Ionisationskammer 6 und dem Substrat 12 vorhanden sein. Weiterhin kann eine (nicht gezeigte) Heizeinrichtung für das Substrat 12 in der Nähe des Substrates 12 vorgesehen werden.
Diese Rauteile für die den BeO-FiIm herstellende Vorrichtung (vgl. oben) sind in einr ;.i (nicht gezeigten) Vakuumbehälter angeordnet, der d'irch geeignete Halteglieder gehalten ist und der Behälter wird auf ein Hochvakuum in der Größenordnung von wenigstens 0,00133 Pa evakuiert
Der BeO-FiIm und das diesen erzeugende Verfahren mittels der oben eriäuterten Vorrichtung werden im folgenden näher beschrieben.
Zunächst wird der Tiegel 1 mit dem metallischem Be 3 gefüllt das von irgendeiner geeigneten Gestalt ist, und der Behälter 1, in den alle oben erläuterten Bauteile aufgenommen sind, wird auf wenigstens 0,00133 Pa oder weniger evakuiert In diesem Zustand wird der Sauerstoff 16a in den Vakuumbehälter von der Düse 16 durch das Sauerstoff-Zufuhrrohr 15 gespeist, und der Druck innerhalb des Vakuumbehälters wird in der Größenordnung von 0,0001 Pa bis O1) Pa gehalten. Wenn der Druck zum Einführen des Sauerstoffes 16a in den Vakuumbehälter kleiner ist, wird die Entstehung des BeO-Filmes mit hoher Qualität erwartet. Um jedoch den BeO-FiIm unter dem kleinen Sauerstoffdruck zu bil ien, muß der Vakuumbehälter auf ein Hochvakuum oder ein Ultrahochvakuum vor der Einführung des Sauerstoffes in den Vakuumbehälter evakuiert werden, und die Entstehungsgeschwindigkeit des beO-Filmes wird dadurch nachteilhaft beeinflußt. Demgemäß ist es zweckmäßig, die Menge des in den Vakuumbehälter eingeführten Sauerstoffes so einzustellen, daß der Druck im Vakuumbehälter 0,0001 Pa bis 0,1 Pa beträgt.
Dann wird die Heizeinrichtung 4 betätigt um den Tiegel 1 zum Schmelzen des in den Tiegel 1 gefüllten metallischen Be zu erwärmen und Dampf 3a des metallischen Be innerhalb des Tiegels 1 zu erzeugen. Die Temperatur zum Erwärmen des metallischen Be wird aufgrund des umgebenden Raumes um den Tiegel 1 bestimmt insbesondere aufgrund des Druckes im Vakuumbehälter, der durch P/PoS IC2 vorzugsweise P/PoälO4 ausdrückbar ist, wobei P den Dampfdruck des metallischen Be im Tiegel 1 und Po den Druck innerhalb des Vakjumbehälters bedeuten. Beispielsweise wird der Dampfdruck P bei ca, 6,5 Pa bei der Heiztemperatur von 13000C und bei 133Pa bei der Heiztemperatur von 13800C gehalten, wobei der Schmelzpunkt des metallischen Be berücksichtigt wird, der 12800C beträgt. Demgemäß ist die Heiztemperatur von 1300—14000C husreichend, wenn der Druck im Vakuumbehälter 0,1 Pa-0,0001 Pa beträgt. Um die FilmentstehunE durch Steigerung des Damofdruckes P
zu beschleunigen, kann die Heiztemperatur insoweit erhöht werden, als die Qualität des gebildeten BeO-Filmes nicht beeinträchtigt wird.
Der Dampf 3a des metallischen Be wird von der Düse 2 in den Außenraum des Tiegels I aufgrund der Druckdifferenz zwischen dem Tiegel 1 und dem Vakuumbehälter ausgespritzt. Der ausgespritzte Dampf wird mit kinetischer Energie entsprechend der Ausspritzgeschwindigkeit versehen und zum Substrat 12 in einem Dampfstrom 36 gerichtet. Wenn in diesem Fall der Dampf in einen unterkühlten Zustand aufgrund der adiabatischen Entspannung zur Zeit des Ausspritzens aus der Düse 2 durch Ändern der Gestalt der Düse 2 und des Druckes P und Po entsprechend den oben erläuterten Bedingungen oder durch Abändern der Gestalt der Düse 2 des Tiegels I getrieben wird, ist es möglich, den Dampf in Komplexe umzusetzen, die große Ansammlungen des Dampfes der Be-Atome oder -Moleküle sind, die lose durch Van der Waals'sche Kräfte gekoppeil situi. Die Enisiehung der Komplexe ermöglicht eine Verbesserung des lonisationswirkungsgrades in der Ionisationskammer, die weiter unten näher erläutert wird, und auch die Bildung überlegener Filme auf dem Substrat 12.
Der mit der kinetischen Energie aufgrund der Ausspritzung aus dem Tiegel 1 versehene Dampfstrom 3b wird durch die Ionisationskammer 6 geschickt, wo wenigstens ein Teil des Dampfstromes 36 ionisiert wird. Die Ionisation des Dampfstromes 36 wird derart bewirkt, daß die vom Heizdraht 8 bei Erregung und Erwärmung emittierten Elektronen durch die Spannung von 100—1000 V beschleunigt werden, die zwischen dem Heizdraht 8 und der netzförmigen Anode 7 liegt, und dann auf den Dampfstrom 36 auftreffen, der durch die netzförmige Anode 7 verläuft. Wenn der aus der Düse 2 herausgespritzte Dampfstrom 36 des metallischen Be in der Form des Komplexes vorliegt, wird wenigstens eine Atomgnippe der jeden Komplexbildenden Atomgruppen in der Ionisationskammer 6 durch das Elektronenbombardement ionisiert, um dadurch Komplexionen zu schaffen. Weiterhin wird der aus der Düse 16 herausgespritzte Sauerstoff durch die Ionisationskammer 6 geschickt, wo der Sauerstoff dem Elektronenbombardement unterworfen und teilweise ionisiert wird.
Die ionisierten Be-Atome und die nicht ionisierten neutralen Be-Atome oder die Be-Komplexe und die Komplexionen werden, während Sauerstoff in den Weg des Dampfstromes 36 eingeschlossen ist. zum Substrat 12 als ein Sauerstoffkomplex gerichtet, und wenn der Verschluß 13 offen ,st. stößt der Dampfstrom 36 mit der Oberfläche des Substrates 12 zusammen, um darauf einen BeO-FiIm 20 zu bilden. In diesem Fall ist. wie oben erläutert wurde, ein Teil des auf das Substrat 12 auf treffenden Be-Dampfstromes 36 ionisiert, indem er durch die Ionisationskammer 6 geschickt ist. und das elektrische Feld des Ions beeinflußt wirksam den Anfangszustand der Filmbildung. Das heißt, das elektrische Feld des Ions fördert die Entstehung oder Bildung von Keimen für das Kristallwachstum und beeinflußt wirksam die Entstehung oder Bildung von Inselbereichen, die die Atome in der Mitte der so erzeugten Keime sammeln, was allgemein als Koaleszenz bezeichnet wird. Weiterhin ist die Ionisierung wirksam, um die Reaktion zwischen Be und Sauerstoff zu fördern und den Film zu bilden, der hervorragende kristalline Eigenschaften entsprechend der Stöchiometrie aufweist.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren trifft der Be-Dampfstrom 36 auf das Substrat 12 mit der kinetischen Energie auf, die zur Zeit der Ausspritzung übertragen ist. Daher kann eine stark haftfähige Abscheidung des BeO-Filmes 20 auf dem Substrat 12 aufgrund der Implantationsenergie erzielt werden, die ihrerseits wirksam ist, um zur Steigerung der Packungsdichte des BeO-Filmes 20 und zur Verbesserung des kristallinen Zustandes beizutragen und um den Film von
ίο einer hervorragenden Qualität zu bilden. Die lonisationsrate des Be-Dampfes 3a kann gesteuert werden, indem die Beschleunigungsspannung zwischen der Anode 7 eingestellt und der aus dem Heizdraht 8 abgesaugte lonisationsstrom verändert wird, um dadurch den kristallinen Zustand und andere Eigenschaften des auf dem Substrat abzuscheidenden BeO-Filmes zu steuern.
Im oben erläuterten Ausführungsbeispiel wird die kinetische Energie des Be-Dampfes durch Ausspritzen
w des Dampfes ia aus dem Tiegel i aufgrund der Druckdifferenz zwischen dem Tiegel 1 und dem Vakuumbehälter erzeugt. Jedoch ist darauf hinzuweisen, daß der Dampfstrom 36, der durch den Durchgang durch die Ionisationskammer 6 teilweise ionisiert ist.
durch ein elektrisches Feld beschleunigt werden kann, um die kinetische Energie zu erhöhen, wodurch der kristalline Zustand gesteuert oder verbessert wird. Wenn beispielsweise die bezüglich des Tiegels 1 negative Beschleunigungsspannung von 0—10 kV an
JO der Beschleunigungselektrode 17 liegt, werden die durch den Durchgang durch die Ionisationskammer 6 ionisierten Teilchen in Dampfstrorn 36 beschleunigt und mit der kinetischen Energie versehen, die wirksam die Verbesserung oder Steuerung des kristallinen Zustandes während der Bildung des Filmes beeinflußt, und es kann der BeO-FiIm 20 mit hervorragenden Eigenschaften hergestellt werden. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn ein monokristallines Substrat, wie beispielsweise Saphir oder Natriumchlorid (NaCI) für das Substrat 12 verwendet wird. In diesem Fall kann der kristalline Zustand des zu bildenden BeO-Filmes in vorteilhafter Weise gesteuert werden, indem die an der Beschleunigungselektrode 17 liegende Beschleunigungsspannung hinsichtlich der kristallinen Oberfläche des Substrates
■»5 12 geändert wird. Weiterhin beeinflußt die auf die ionisierten Teilchen durch das elektrische Feld übertragene Energie wirksam die Verbesserung in der Haftfähigkeit. Es ist darauf hinzuweisen, daß die Beschleunigungselektrode 17 nicht unbedingt notwendig in der Vorrichtung nach der Erfindung ist; vielmehr kann ein beschleunigendes elektrisches FaId zwischen dem Substrathalter 11 und dem Tiegel 1 hervorgeiufen werden, wenn der Substrathalter 11 aus elektrisch leitenden Materialien hergestellt ist. Wenn das Substrat 12 aus einer Substanz besteht, die in Wasser oder einem organischen Lösungsmittel löslich ist, wie z. B. Natriumchlorid (NaCI), und der BeO-FiIm auf der Substratoberfläche gebildet wird, kann der BeO-FiIm, der transparent extrem dünn und hervorragend irr.
kristallinen Zustand ist. erhalten werden, indem der BeO-FiIm vom Substrat 12 durch dessen Auflösen getrennt wird. Dieser BeO-FiIm ist insbesondere für die Verwendung in einem Fensterrahmen einer Röntgenstrahlröhre vorteilhaft
Im folgenden werden die Eigenschaften des durch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugten BeO-Filmes und die Bedingungen zu dessen Herstellung näher erläutert, wobei der Tiegel 1 mit dem Beryllium in der
Form von Flocken gefüllt und auf eine Temperatur von 13000C durch die in F i g. 1 gezeigte Heizeinrichtung 4 erwärmt wird. Der Sauerstoffdruck innerhalb des Vakuumbehälters wird bei 0,04 Pa gehalten, indem Sauerstoff vom Sauerstoffzufuhrrohr 15 eingespeist wird, und der Be-Dampfstrom 3b wird durch die Druckdifferenz zwischen dem Tiegel 1 und dem Vakuumschalter erzeugt. Der lonisationsstrom in der Ionisationskammer 6, der aus dem Heizdraht 8 durch die Spannung zwischen der Anode 7 und dem Heizdraht 8 abgesaugt wird, beträgt 300 mA. Der Damnfstrom 3b, nämlich wenigstens ein Teil hiervon, wird ionisiert, indem er durch die Ionisationskammer verläuft, und er stößt mil der Oberfläche des Substrates 12 zusammen, um darauf den ReO Film 20 zu bilden. Die Filmdicke des so erhaltenen ReO-Filmes beträgt 1,6 μπι. Das Substrat wird auf eine Temperatur von 300"C bis 500cC erwärm!·, es wird jedoch keine Besehlcunigungsspannung a: las Substrat 12 gelegt. Für das Substrat 12 wird eine (ilasplatte verv/endet.
F i g. 2 zeigt die Abtast-Elektronenmikroskop-Struk· tür des unter den obenbeschriebenen Bedingungen gebildeten BeO-Filmes 20, und das Röngenstrahl-Beugungsmuster hiervon ist in F i g. 3 gezeigt. Aus den Fig. 2 und 3 folgt, das säulenartige Strukturen, die für eine hexagonale Kristallstruktur charakteristisch sind, im so erhaltenen BeO-FiIm 20 erkennbar sind, und daQ der auf dem Glassubstrat abgeschiedene BeO-FiIm 20 vorzugsweise zur C-Achse, also der (002)-Ebene des Substrates, ausgerichtet oder orientiert ist. Fig.4 zeigt das Rückstrahl-Hochenergie-Elektron-Beugungs-(RHEED-)Muster des BeO-Filmes 20, der epitaktisch auf der (0001 )F.bene eines monokristallinen Sciphicrsubstrates linier den gleichen Bedingungen abgeschieden ist. die oben erläutert wurden. Das in F i g. 4 ge/cigte Rl IF.F.D-Mustcr ist etwas undeutlich, da der RcO-FiIm 20 einen extrem hohen Oberflächcnwidcrstand aufweist und der auf den BeO-FiIm eingestrahlte Elektronenstrahl auf dessen Oberfläche geladen ist. leiloch ist zu erkennen, daß der BeO-FiIm 20 epitaktisch aufgewachsen ist. um durch die C-Achse des Substrates 12 geordnet zu sein.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines Berylliumoxid-(BeO)-Filmes, gekennzeichnet durch Erwärmen und Verdampfen metallischen Berylliums (3), das in einen geschlossenen Tiegel (1) mit wenigstens einer Einspritzdüse (2) gefüllt ist, um Dampf aus dem Beryllium (3) zu bilden,
Einspritzen des Dampfes durch die Einspritzdüse (2) in eine Sauerstoffatmosphäre, deren Druck bei 10~2 oder weniger des Dampfdruckes im Tiegel (1) gehalten ist, um dadurch einen Dampfstrom (36) des Berylliums (3) zu bilden,
Ionisieren wenigstens eines Teiles des Dampfstromes (3b) durch Einstrahlen von Elektronenstrahlen auf den Dampfstrom (3b) um einen ionisierten Dampfstrom zu erzeugen, und Zusammenstoßenlassen des ionisierten und nicht ionisierten Dampfstromes mit einer Substratoberfläche zusammen mit dem Sauerstoff durch kinetische Energie zur Zeit des Einspritzeiis des Dampfes durch die Einspritzdüse (2), um einen darauf abgeschiedenen Berylliumoxid-(BeO)-FiIm (20) zu bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusammenstoß des ionisierten und des nichtionisierten Dampfstromes auf die Substratoberfiäche zusammen mit dem Sauerstoff erfolgt, indem der ionisierte Dampfstrom durch ein elektrisches Feld beschleunigt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12) aus einer Substanz besteht, die in Wasser oder organischen Lösungsmitteln löslich ist
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