JPS6020440A - イオンビ−ム加工装置 - Google Patents

イオンビ−ム加工装置

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JPS6020440A
JPS6020440A JP58126848A JP12684883A JPS6020440A JP S6020440 A JPS6020440 A JP S6020440A JP 58126848 A JP58126848 A JP 58126848A JP 12684883 A JP12684883 A JP 12684883A JP S6020440 A JPS6020440 A JP S6020440A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ン引き出しグリッドの改良に係り、更に詳しくは低い加
速電圧で高いビーム電流密度を得ることができるイオン
引き出しグリッドに関するものである。
従来、集積回路の微細パターンの形成方法として反応性
エツチング方法が広く用いられていた。
しかし、集積回路の集積度を高めることが強く要請され
ており、反応性エツチング方法では微細パターンの形成
方法としては限界に達している。そこで、更により微細
なパターンや微細な形状の形成方法としてイオンビーム
加工法が開発されている。このイオンビーム加工法はイ
オン源から引き出された高エネルギ（　１　０　ｅＶ以
上）のビーム状のイオンを用いて微細パターンの形成、
薄膜形成又は表面の変質などに広く用いられ、粒子間の
相互作用を加工原理と　ているから数１ｏＪ程度の微細
パターンの形成が可能である。
イオンビーム加工法で利用されるイオン源としては種々
のイオン源があげられるが、ｌ　ＯｅＶ〜５００ｅＶ程
度のエネルギー領域のイオンビームを放出でき薄膜形成
や微細パターンの形成などのスパッタリングに用いられ
るイオン源としてはカウフマン型イオン源がある。この
カウフマン型イオン源はスパッタリングに好適なエネル
ギー領域のイオンビームを簡単な制御装置を用いて取り
出すことができ、しかも加工のし易さ、再現性等におい
て種々の長所を有しているが、低い加速電圧で高いビー
ム電流密度が得られず長時間の加工時間を必要とする欠
点がある。一方加速電圧を高くして高いビーム電流を得
ようとすると、ビーム電流密度は増加するがイオンビー
ムのエネルギーが高（なりすぎてマスクの破損等の神々
の弊害が発生する欠点がある。このような欠点を除去す
るため、スパッタリングに好適なエネルギー領域のイオ
ンビームを引き出すことができ、しかも低い加速電圧で
高いビーム電流密度が得られるイオン源の開発が強く要
請されている。
第１図は従来のカウフマン型イオン源を用いたイオンビ
ーム加工装置の構成を示す断面図である。
このイオン加工装置１１？は大別してプラズマイオンを
発生させるプラズマ発生室１１発生したイオンをイオン
ビームとして引き出すイオン引き出しグリッド２と被加
工物にイオンビームを照射する加工室８とから構成され
ている。プラズマ発生室ｌは陰極４を中心に　設した円
筒形をしたシール壁５でシールされていて、このシール
壁５の内側には円筒形をした陽極６が配置され、シール
壁うの外側には縦方向に磁界を発生させ陰極４から放射
される電子な゛す”イクロトロン運動させる電磁石７が
並置されている。陰極４と陽極６との間にはグロー放電
させるために４０〜５０Ｖのアノード電源８が陽極６側
が正極になるように接続されている。
イオン引き出しグリッド２は、多数の孔が形成されてい
て周囲壁５の電位と等しい電位にありプラズマ境界を形
成するためのスクリーングリッド９と、プラズマ境界か
ら熱運動妬より出てくるイオンを加速するための多′数
の孔が形成されている加速グリッド１０とから構成され
ている。スクリーングリッド９と加速グリッド１０は所
定の距離だけ離間して双方に形成されている孔が相互に
一致するように配置され、これらの間にはスクリーング
リッド９に対して加速グリッド１ｏが負極になる向きに
加速用電源１１が接続されている。また、加速グリッド
１０には加工室側からの電子の逆流を防止するためター
ゲット電位に対して加速グリッド１０が負極になるよう
にサプレソザ電源１２が接続されている。加工室８は試
料をホールドするためのターゲットホルダ１８が配置さ
れてぃｃ１この上に試料１４が載置され、試料１４の上
にマスク１５が載置されている。
次にプラズマを発生させ試料にイオンビームを照射する
プロセスについて説明する。−４ｔず、真空装置（図示
せず）により開口１６を介して装置内部を１０＝〜］、
　０−７Ｔｏｒｒまで排気してから開口１７を介してＡ
ｒカスを封入する。陰極鴫から熱電子放出された電子は
電磁石７の作る磁界によりサイクロトロン運動をおこし
ながら陽極に入射スる。その途中において陰極会と陽極
６との間の電界により加速され、Ａ’ｒ原子と衝突して
Ａｒ　イオンが電離され、グロー放電がおこり低電離プ
ラズマが発生する。発生したプラズマと周囲壁及びスク
リーングリッド９との間には薄いさやのようなイオンシ
ースが形成され、このイオンシースによりプラズマ境界
が形成される。プラズマ境界から熱運動により放出され
るイメンはプラズマ霜７位と加速グリッド電位の差であ
る総加速屯圧（実際にはプラズマ電位と加速電源電圧か
らザフレツサ電圧を引いた値）により加速されイオンビ
ームとして引き出される。そして、加工室Ｂ内の試料に
対してイオンシャワーのようにして照射され、マスク１
５により覆われていない部分は直接イオンビームが照射
されて試料自体がエツチングされマスク形状をした微細
パターンが形成される。
このカウフマン型イオンビーム加工装置において得られ
る最大電流密度Ｊ（Ｖ側２）は下記の式で表わされる。
ここで、ｎニゲリッドの孔の密度、 ｑ：イオンの電荷 Ｍｌ：イオンのノロ量 ｄｓニゲリッドの孔の径 ■４．：最大加速電圧 Ｂｅ　：　（Ｑ＋プ）％ ２ｇニスクリーングリッドと加速グリ ッドとの距離 （１）式より理解されるように、最大ビーム電流密度Ｊ
を大きくするには、まず第１に、グリッドの穴の密度（
単位面積当りの孔の個数）ｎを大きくする方法があげら
れる。しかし、グリッドは一定の機械的強度、耐熱性及
び放出されるイオンビームによりスパッタリングされブ
Ｚい耐久性を具えていなければならず、使用できる材料
はおのずと限定される。従来これらの特性を具えるもの
として炭素から造られているグリッドが用いられている
が、より小径の孔を多数形成して穴の密度を太きくする
ことは加工製作上より限界がある。特に２枚のグリッド
を用いて孔の位置が相互に一致するように配置している
から孔の径を小さくすることは非常に困難なものといわ
ざるを得ない。
第２に、スクリーングリッド９と加速グリッド１０との
間隔ｇｇを小さくする方法が考えられるが、グリッド間
の絶縁破壊を防止するには一定の距離だけ離間して配置
しなげればならず限界がある。
第８の方法として加速電圧を大きくする方法があるが、
前述したようにイオンビームの加速エネルギーが高くな
りすぎマスク自体がスパッタリングされてしまい汚染等
の弊害が生じてしまう。
このように従来のカウフマン型イオン源において用いら
れているイオン引き出しグリッドでは高いビーム電流密
度を得ることができず、スパッタリング加工に長時間必
要となる欠点がある。まだ、２枚のグリッドを用いて孔
の位置が各々一致するように配設する構成になっている
から、部品加工上及び実装上高い精度が要求されるばか
りでなく、゛グリッドを構成する利料が限定される欠点
もある。
このような欠点を解消する方法としてスクリーングリッ
ドを取り除き加速グリッド１枚で構成されるイオン引き
出しグリッドが提案されているが、この方法ではビーム
の放散角が太き（なる欠点があるばかりでなく、グリッ
ド自体が加工されてしまいグリッドの寿命が短くなる欠
点があり、試料を汚染する間顕点も生ずる。
本発明の目的はスパッタリングに好適なエネルギー領域
のイオンビームを取り出ず際低い加速電圧でも高いビー
ム電流密度が得られると共に、イオンビームの放散角が
小さくイオンビームラ有効に被加工物に照射し得るイオ
ンビーム加工装色を提供することにある１、 本発明はプラズマイオンを発生するプラズマ発生室と、
発生したイオンをイオンビームどして引き出すイオン引
き出しグリッドと、引き出されたイオンビームを被加工
物に照射する加工室とを具エタイオンビーム加工装渦′
において、前記イオン引き出しグリッドを、前記プラズ
マ発生室側か絶・縁体より成り加工室側が導体より成り
、これら絶縁体及び導体を貫通して形成された多数の孔
を有する一体のグリッドで構成し、前記導体部をプラズ
マ電位に対して負の電位点に接続したことを特徴とする
ものでｋ〕る。
以下添附図面について本発明の１を体重実施の態様を詳
、ｔｌｌｌに薄明する。第２し１は本発明に係るイオン
ビーム加工装置の一例の構成を示す断面図である。本発
明に係るイオンビーム加工装ｆはプラズマ発生室８１、
イオン引き出しグリッド８２及び加工室８８から構成さ
れ、プラズマ発生室３１とｊ１１１工宇８８は９（ｔ１
図で示した従来の装置をそのまま適用できるため説明は
省略しイオン引き出しグリッド２２について詳Ｉｖｌ１
１に酸１明する。尚、第１図に示す装置Ｐ＋と同じ部分
には同じ負号を付けて示した。イオン引き出しグリッド
２２はプラズマ発生室８１側が厚さの厚い絶縁材料でで
きている絶縁体２４と加工室２Ｂ側が薄い導電材料でで
きている導体層２５とから一体的に構成され、これら絶
縁体および導体層を貫通して形成された多数の孔・２６
が形成されている。絶縁体２４はプラズマ境界の形状を
制御すると共に、イオンが直接導体層２５に流入するの
を防止している。よって、第１図で説明したスクリーン
グリッドと同等の機能を果している。孔２６の密度（単
位面積当りの孔の個数）は大きい程ビーム電流密度が大
きくなるので小さい径の孔を多数形成することが望まし
い。
また、この絶縁体２４の材料は電気絶縁性を有していれ
ば多くのものを使用できるが、若干の発熱を伴なうため
耐熱性を有していて熱変形の小さい絶縁体が好適である
。導体層２５はグリッド下部で加速電位を与えるための
ものであり、機械的強度は要求されず、また絶縁体２４
によりイオンが直接に入射しないように構成されている
から、スパッタリングに対する耐久性も要求されず、導
電性を具えているだけで良いので種々の拐料を使用でき
る。第８図は引き出しグリッド近傍におけるプラズマ境
界２７の形状を示す線図である。プラズマの発生に伴な
い絶縁体２４の表面にはプラズマ源からイオンが入射し
、絶縁体２４の表面ばほぼ陰極のフィラメント電位に等
しい電位になる。
これにより絶縁体２４の上方のイオンシースのＩＪが孔
２６の上方のイオンシースの巾より小さくなり、第８図
に示すように各孔２６の上方において陰極方向に凹形を
したプラズマ境界が形成される。
この凹形をしたプラズマ境界２７は第１図で示した二枚
グリッドで形成されるプラズマ境界と同等の形状をして
いる。従って、絶縁体２４を形成することによりスクリ
ーングリッドを２枚設ける場合と全（同一の効果を発揮
できる。これにより導体層２５の側面を通りグリッドに
流入するイオン電流は減少し従来のイオン引き出しグリ
ッドに比べ総電流が同一であ〜つてもより大きいイオン
電流密度を得ることができ、また、グリッドのスパッタ
リングによる損耗が防げると共に、グリッド部における
発熱量も減少する。更に、絶縁体表面の電位がフィラメ
ント電位に等しいことは入射するイオンのエネルギーも
絶縁体２４の表面電位、即ち陰極のフィラメント電位に
等しくなる。ここで、重要なことは導体層２５の厚さと
絶縁体Ｂ４の厚・さである。導体層２５の厚さが厚いと
その側面を・通してグリッドに流入する電流が太き（な
りグリッド部における発熱の原因になるばかりでな（、
引き出されるイオンビームの発散角を大きくする弊害も
生ずる。よって導体層の厚さは薄（することが望ましい
。また、絶縁体２４の厚さが薄いと絶縁体２４の内外に
おける電位分布が複雑になりビームの発散角が大きくな
る不都合を生じてしまう。よって絶縁体２４はある程度
の厚さを有することが望ましい。絶縁体２４が厚い場合
、孔２６の側面にイオンが飛来して、ＪＬ　２６の側面
も正極の表面電位と同電位となり静電レンズ効果により
引き出されるイオンビームが絞り込まれ、ビームの指向
性が一層改善される。この場合絶縁体２４の厚さは孔ｚ
６の径との関係より定められるべきであり、少なくとも
開口径の２０％以上あることが望ましい。
尚・充分なイオン電流を得るには、加工室側のプラズマ
電位を中和により充分下げる必要が生ずる場合もある。
この場合にはイオン引き出しグリ、ラドｚ２の下方の加
工室２Ｂ内に通常の熱線フィラメントを配置して熱電子
を充分放出することにより達成できる。
次にカウフマン型イオンビーム加工装置において本発明
に係るイオン引き出しグリッドを用いた場合の性能結果
について従来のイオン引き出しグリッドを使用した場合
と比較して説明する。尚、本発明と従来例との比較実験
は、イオン引き出しグリッド、加速電圧及びザブレツサ
電圧のみ相違し、これら以外は同一条件とした。
（実験条件） １）本発明に係るグリッド Ｊ孔径　０．．４ｍｍ ２孔ピツチ　０．６ｍｍ ８、絶縁体　アルミナ（ｋｙｏｃｅｒａ　Ａ＋＋’４７
９　）ｔ＝０．２５ｍ、ｍ ４、導体層　ニッケルメッキ　ｔ＝０．０１ｍ、ｍＩＩ
）従来例（２枚グリッド方式）のグリッド】、孔径　１
．Ｏｍｍ ２、孔ピッチ　１．５ｍｍ ３．グリッド間隔　０．６ｍｍ （測定方法） １）最大電流密度 プローブ径ｓ　ｍｍのファラデイカツブを用いて測定し
た。測定位置は本発明の装置ではグリッドから８ｃＩｒ
Ｌの位置で、従来の装置では加速グリッドからｌＯｃ＋
＋＋の位置で測定した。この位置の相違は理論的に従来
装置の方が約１．５６倍小さく測定されるので比較する
場合は従来装置の数値を１．５６倍して比較する。
１１）電流密度分布 ファラデイカツブを用いて中心及び横方向に各々２ｃ１
ｒＬ、４ｃｍの５点の電流密度を測定し、ビームプロフ
ィールをめた。
Ｉｌ＋　）ビーム発散角 ビーム発散角αは次の（２）式よりめた。
ａ　＝　ｔａｎ−１（（Ｒ，−Ｒβ）／　Ｌ　：］　・
・・・　（２）Ｒａ：全ビームの９５％のビームが通る
半径 Ｒβ：イオン源の半径 Ｌ　：イオン源からファラデイカツブまでの距離 ｌｖ）総ｉに流 総電流はビームプロフィールを積分することによりめた
。
表１ 表２ ※註ニー熱線フィラメントを用いて熱電子を十分放射し
ている。
（実験結果） 表１に最大電流密度、総電流及びビーム発散半角に関す
る実験結果を、表２にグリッドを通過直後の位置におけ
る最大電流密度をそれぞれ示す。
尚、従来例で用いた加速電圧は本発明で用いた加速電圧
より高いためビーム発散半角を除き直接数値を比較でき
ないが、前述した（１）式に基けばビーム電、流は加速
電圧の４乗に比例することが明らかである。よって、（
１）式に基き補正した数値を用いて比較検討する。
１）最大電流密度 正味の加速電圧ｖｎが１ｆｌｌＯ’Ｖの場合は、従来例
に比べほぼ４〜６倍増加しており、Ｖｎ＝２００Ｖの場
合では従来例に比べ２．６〜８．８倍増加している。又
、グリッドを通過した直後の最大電流密度も同様に本発
明に係るイオン引き出しグリッドを用いると、従来例に
比べＶｎ−１２０ｖの場合は、はぼ４．５〜６．２倍増
加し、Ｖｎ＝２００■の場合には２．４〜８．８倍増加
している。
この結果は、ｖ　−１２０Ｖと比較的低い加速１ 電圧の場合は（１）式に示す理論値とほぼ一致し、Ｖ−
２（ＩＯＶの場合は理論値より低い値になりている。
ｌＩ）総電流 Ｖ　＝１２０Ｖの場合は従来例に比べ、２．８〜４倍増
加し、Ｖｎ−２００Ｖの場合はｌ−２倍増加している。
Ｉｎ）発散半角 本発明に係るイオン引き出しグリッドを用いた場合ビー
ム電流の大小に拘わらすほば一定の値を示すが、従来例
においてはビーム電流が大きくなるに従い発散半角が大
きくなる傾向にある。そｌ−て、本発明によれば従来例
に比べて約８度程度改善することができる。この結果は
イオンビームの発散性を改善してイオンビームの指向性
を一層高めることができることを意味する。
ｌｖ）ビームフロフィール 第４図にビームプロフィールを示す。縦軸はビーム電流
密度を示し、横軸は中心からの距離を示す。実線Ａで示
す従来例は正味の加速電圧が４５０Ｖ、ビーム雷、流が
４４．６ｍＡであり、破＋Ｍ　Ｂで示す本発明の装置で
は加メ１（電圧が２００ｖビーム電流が４４．９ｒｎＡ
−である。グラフｌより明らかなように本発明のビーム
箱、流密度分布は従来例に比べ急激な立ち上がりを示し
、発散性が小さく指向性に富んでいるのが理解できる。
この傾向はビーム電流及び加速電圧が変化しても同様で
ある。
′尚、本発明において正味の加速電圧ｖｎが１５０Ｖの
場合には従来例に対する最大電流密度及び総電流の増加
率がほぼ理論と一致し−ているが、ｖ＝ｚｏｏｖの場合
に若干増加率が小さいことはプラズマ発生室からブリッ
ドにより引き出されるイオン量に対するプラズマイオン
の生成量が対応して生成されていないためこのような結
果になったものと推定される。
第す図は本発明によるイオン引き出しグリッドの他の例
を示す断面図である。前例のグリッドは絶縁体板上に導
体層を被着して形成したが、本例では導体板上に絶縁体
層を破着して形成する。即ち、第５図に示すように、本
例のイオン引き出しグリッドＢＯは、例えば厚さ０．１
ｍｍのステンレス板より成る導体８１に直径が約０．２
ｇの孔６２を従来例（直径１　ｍｍの孔が形成されてい
る）に比ベロ、２５倍の開口密度で形成した後、一方の
表面に例えば厚さ８μｍのｓｉｏ□より成る絶縁体層８
２を真空蒸着して形成した。このイオン引き出しグリッ
ド８０を用いたところ、ビームプロファイルの平行度、
ビーム電流密度、寿命、ターゲットの汚染防止などの点
において従来のイオン引き出しグリッドに比べて著しい
効果の向上が見られた。即ち、ビームプロファイルは従
来のものに比べて急峻となると共に１ビ一ム電流密度も
Ｖ＝１２０■において１．６ｍＭ−の値が得られた。た
だし、本例のように薄い絶縁体層を用いる場合には、そ
の耐久性が問題となる場合もあるので、ＣＶＤのような
比較的残留応力の少ない方法で絶縁体層を形成したり、
導体の熱膨張率に近い膨張率を有する絶［料を用いたり
、８１基板を用いて一方の表面を熱酸化し、他方の表面
にＢ又はＰをドープして応力剥離し、に（い構造とする
ｌＩどの処理を講するのが好適であるー 以上説明したように本発明によれば、イオン引き出しグ
リッドに形成されている絶縁体がスクリーングリッドと
しての機能を果すから、スクリーングリッドと加速グリ
ッドとを一体的に形成したものと等価になる。これによ
りイオン引き出しグリノ・ドに形成すべき小孔の開口密
度を増加することができ、低電位プラズマを低い加電圧
で高いビ−ム電流密度のイオンビームとして取り出すこ
とが可能になり、マスク等に損傷を与えることなく加工
速度を高めることが可能になる。またイオン引き出しグ
リッドを一体物で構成できるから、絶縁体基板に加速グ
リッドを構成する導体層を蒸着、メッキ等の方法により
一体的に製作することが可能になり、イオン引き出しグ
リッド自体の製作及びその装着がより一層容易になる。
さらには、加速グリッドを構成する導体が直接プラズマ
イオンと接触しにくい構成になっているからイオン引き
出しグリッドを構成する材料の選択性の範囲が広くなる
。また、絶縁体層の厚さを大きくして孔の孔径に対して
少な（とも２０％以上の厚さにすることにより引き出さ
れるイオンビームの指向性を一層高めることが可能にな
り、グリッドから被加工物までの距離を大きくとらなけ
ればならない加工室構造をした装置に使用しても効率よ
く被加工物にイオンビームを照射することができる。
尚、本発明を適用できるイオンビーム加工装置のイオン
源はカウフマン型イオン源に限定されず、矩形導波管と
マイクロ波を用いてプラズマを発生させるイオン源にも
適用でき、」゛１人ガスもＡｒ等の不活性ガスに限定さ
れず活性ガスを用（・るリアクティブエツチングにも適
用できる。川に、本発明はエツチングだけでな（スノく
ツタデポジションによる薄膜や表面クリーニング装置等
にも適用でさることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のカウフマン型イオン源を用し・たイオン
ビーム加工装置の構成を示す断面図、第２図は本発明に
係るイオン引き出しグリッドを用いたイオンビーム加工
装置の一例の構成を示す断面図、 第８図は本発明に係る引き出しグリッド及びプラズマ境
界の形状を示す断面図、 第４図はビーム電流密度分布を示す線図である。 ■・・・プラズマ発生室 ２・・・イオン引き出しグリッド ８・・・加工室　番・・・陰極 ５パシール壁　６・・・陽極 ？・・・電磁石　８・・・アノード電源１１・・・加速
用電源　１Ｂ・・・ターゲットホルダ１４・・・試料　
１５・・・マスク １６　、１７・・・開口　２１・・・プラズマ発生室２
２・・・イオン引き出しグリッド ２８・・・加工室　２４・・・絶縁体 ２５・・・導体層　２６・・・孔 ２７・・・プラズマ境界 ｌｌｌ０・・・イオン引き出しグリッド８１・・・導体
　８２・・・絶縁体層 ８８・・・孔。 特許出願人　東　京　大　学　長 第３図 手続補正書 ｌ１１（和５９年　３月２２１Ｊ １、事件の表示 昭和５８年　特　許　願第１２６８４８号２、発明の名
称 イオンビーム加工装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 東　京　大　学　長 な説明」　「図面の簡単な説明」の欄及び図面７、補正
の内容（別紙の通り） の範囲を下記のとおりに訂正する。 「２特許請求の範囲 １　プラズマイオンを発生するプラズマ発生室と、発生
したイオンをイオンビームとして引き出すイオン引き出
しグリッドと、引き出きれたイオンビームを被加工物に
照射する加工室とを具えたイオンビーム加工装置におい
て、前記イオン引き出しグリッドを、前記プラズマ発生
室側が絶縁体より成り加工室側が導体より成り、これら
絶縁体及び導体を貫通して形成された多数の孔を有する
一体のグリッドで構成し、前記導体部をプラズマ電位に
対して負の電位点に接続したことを特徴とするイオンビ
ーム加工装置。 λ　前記グリッドの絶縁体の厚さを導体の厚さよりも厚
くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイ
オンビーム加工装置。 ＆　前記グリッドの絶縁体の厚さをグリッドの孔径の２
０％以上の厚さにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は第２項　１記載のイオンビーム加工装置。」 （ （ （ （ （２）明細書第２頁第２０行の「加工原理と　ているか
ら」を「加工原理としているから」に訂正する。 （３）同第４頁第９行の１中心に　設した」を１中心に
配設した」に訂正する。 （４）同第１Ｏ頁第１０行、第１１行および第１６行〜
１７行の１発生室８１」を「発生室２１」に訂正し１ 同頁第１０行の１グリツド３２」を「グリッド２２」に
訂正し、 同頁第１１行および第１２行の「加工室３８」を「加工
室２８」に訂正する。 ５）同第１１頁第６行の「は大きい」を１が大きい」に
訂正する。 ６）同第１２頁第１行の「陰極のフィラメント電位に等
しい」を「陰極４のフィラメント電位にほぼ等しい」に
訂正する。 ア）同第１８頁第５行の「導体層」を「導体層２５」に
訂正し、 同頁第１９行の「中和により」を「中和して」に訂正す
る。 、（８）同第２０頁第１４行の「グラフ１」を「第４図
１に訂正する。 （９）同第２４頁第１４行〜１６行を下記のとおりに訂
正する。 「　第３図は本発明に係るイオン引き出しグリッド及び
プラズマ境界の形状を示す断面図、第４図はビーム電流
密度分布を示す線図、第５図は本発明によるイオン引き
出しグリ・ノドの変形例の構１ｒ％を示す断面図である
。」００）図面第５図を補充する。 第５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　プラズマイオンを発生するプラズマ発生室と、発生
    したイオンをイオンビームとして引き出すイオン引き出
    しグリッドと、引き出されたイオンビームを被加工物に
    照射する加工室とを具えたイオンビーム加工装置におい
    て、前記イオン引ぎ出しグリッドを、前記プラズマ発生
    室側が絶縁体より成り加工室側が導体より成り、これら
    絶縁体及び導体を貫通して形成された多数の孔を有する
    一体のグリッドで構成し、前記導体部をプラズマ電位に
    対して負の電位点に接続したことを特徴とするイオンビ
    ーム加工装置。 艮　前記スクリーンの絶縁体の厚さを導体の厚さよりも
    厚くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    イオンビーム加工装置。 ＆　前記グリッドの絶縁体の厚さをグリッドの孔径の２
    ０％以上の厚さにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項又は第２項記載のイオンビーム加工装置。
JP58126848A 1983-07-14 1983-07-14 イオンビ−ム加工装置 Granted JPS6020440A (ja)

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