JP3178658B2 - イオン・プラズマ型電子銃とその製造方法 - Google Patents
イオン・プラズマ型電子銃とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大気中に電子ビー
ムを供給する電子銃に関し、特にプラズマを用い、２次
電子を窓を通して大気中に取り出すイオン・プラズマ型
電子銃とその製造方法に関する。
ムを供給する電子銃に関し、特にプラズマを用い、２次
電子を窓を通して大気中に取り出すイオン・プラズマ型
電子銃とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン・プラズマ型電子銃は、プラズマ
チェンバ中にヘリウムガスのプラズマを発生させ、ハニ
カム状グリッドを介して配置したカソード板に向かって
ヘリウムイオンを加速し、ヘリウムイオンがカソード板
に衝突することによって発生する２次電子をヘリウムイ
オンと逆方向に加速し、ハニカム状グリッドを通し、さ
らに窓支持体上に支持された窓箔を通して大気中に放出
させる。
チェンバ中にヘリウムガスのプラズマを発生させ、ハニ
カム状グリッドを介して配置したカソード板に向かって
ヘリウムイオンを加速し、ヘリウムイオンがカソード板
に衝突することによって発生する２次電子をヘリウムイ
オンと逆方向に加速し、ハニカム状グリッドを通し、さ
らに窓支持体上に支持された窓箔を通して大気中に放出
させる。
【０００３】窓箔は、電子を通過させることのできる導
電層によって形成されるが、電子が透過することによっ
て加熱される。窓箔を冷却するために、窓支持体には冷
却配管を備えた銅製のものが使われる。
電層によって形成されるが、電子が透過することによっ
て加熱される。窓箔を冷却するために、窓支持体には冷
却配管を備えた銅製のものが使われる。
【０００４】しかしながら、熱伝導率が高く、窓箔用の
ヒートシンクとして適した銅の窓支持体は、プラズマに
さらされた時にスパッタ率が高い。銅製窓支持体の表面
がプラズマにさらされ、スパッタされると、スパッタさ
れた銅粒子が真空容器内に飛散し、真空容器内壁上に堆
積する。銅は良電気伝導体であるため、絶縁部上に銅層
が形成されると、絶縁特性を低下させる。また、カソー
ド部に堆積した場合もカソード周辺の電界分布を変化さ
せる。このように、銅製窓支持体のスパッタリングが生
じると、イオン・プラズマ型電子銃の動作に支障を来す
ようになる。
ヒートシンクとして適した銅の窓支持体は、プラズマに
さらされた時にスパッタ率が高い。銅製窓支持体の表面
がプラズマにさらされ、スパッタされると、スパッタさ
れた銅粒子が真空容器内に飛散し、真空容器内壁上に堆
積する。銅は良電気伝導体であるため、絶縁部上に銅層
が形成されると、絶縁特性を低下させる。また、カソー
ド部に堆積した場合もカソード周辺の電界分布を変化さ
せる。このように、銅製窓支持体のスパッタリングが生
じると、イオン・プラズマ型電子銃の動作に支障を来す
ようになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
イオン・プラズマ型電子銃の窓支持体を良熱伝導体であ
る銅で形成すると、窓支持体がプラズマによってスパッ
タリングされ、イオン・プラズマ型電子銃の動作に支障
をきたすようになる。
イオン・プラズマ型電子銃の窓支持体を良熱伝導体であ
る銅で形成すると、窓支持体がプラズマによってスパッ
タリングされ、イオン・プラズマ型電子銃の動作に支障
をきたすようになる。
【０００６】本発明の目的は、プラズマによってスパッ
タされ難く、かつ窓箔を良好に冷却することのできる窓
支持体を備えたイオン・プラズマ型電子銃を提供するこ
とである。
タされ難く、かつ窓箔を良好に冷却することのできる窓
支持体を備えたイオン・プラズマ型電子銃を提供するこ
とである。
【０００７】本発明の他の目的は、プラズマによるスパ
ッタ率が低く、窓箔を良好に冷却することができ、使用
寿命の長い窓支持体を有するイオン・プラズマ型電子銃
の製造方法を提供することである。
ッタ率が低く、窓箔を良好に冷却することができ、使用
寿命の長い窓支持体を有するイオン・プラズマ型電子銃
の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、多数の開口部を有するグリッドと、前記グリッドの
一方の側に配置され、内部に２次電子放出用のカソード
を有する真空チェンバと、前記グリッドの他方の側に配
置され、内部に陽極ワイヤを有するプラズマチェンバで
あって、良熱伝導率の金属で形成され、冷媒通路を有
し、前記グリッドと対向する部分に多数の窓孔を有する
窓支持体と、前記窓支持体のプラズマにさらされる表面
上に形成された低スパッタ率の金属被覆とを含むプラズ
マチェンバと、前記窓支持体の外側に接して配置され、
前記多数の窓孔を気密に封止する窓箔とを有するイオン
・プラズマ型電子銃が提供される。
ば、多数の開口部を有するグリッドと、前記グリッドの
一方の側に配置され、内部に２次電子放出用のカソード
を有する真空チェンバと、前記グリッドの他方の側に配
置され、内部に陽極ワイヤを有するプラズマチェンバで
あって、良熱伝導率の金属で形成され、冷媒通路を有
し、前記グリッドと対向する部分に多数の窓孔を有する
窓支持体と、前記窓支持体のプラズマにさらされる表面
上に形成された低スパッタ率の金属被覆とを含むプラズ
マチェンバと、前記窓支持体の外側に接して配置され、
前記多数の窓孔を気密に封止する窓箔とを有するイオン
・プラズマ型電子銃が提供される。
【０００９】本発明の他の観点によれば、プラズマチェ
ンバ内に作動ガスのプラズマを発生させ、正イオンをカ
ソード側に引き出し、正イオンがカソードに衝突するこ
とによって発生する２次電子を正イオンと逆方向に加速
し、窓支持体上に支持された窓箔を通して外部に取り出
すイオン・プラズマ型電子銃の製造方法であって、前記
窓支持体のプラズマにさらされる面上に低スパッタ率の
金属を溶射して低スパッタ率金属層を形成する工程を含
むことを特徴とするイオン・プラズマ型電子銃の製造方
法が提供される。
ンバ内に作動ガスのプラズマを発生させ、正イオンをカ
ソード側に引き出し、正イオンがカソードに衝突するこ
とによって発生する２次電子を正イオンと逆方向に加速
し、窓支持体上に支持された窓箔を通して外部に取り出
すイオン・プラズマ型電子銃の製造方法であって、前記
窓支持体のプラズマにさらされる面上に低スパッタ率の
金属を溶射して低スパッタ率金属層を形成する工程を含
むことを特徴とするイオン・プラズマ型電子銃の製造方
法が提供される。
【００１０】低スパッタ率の材料で窓支持体を作成する
ことは、窓支持体の製造コストを上昇させる。また、低
スパッタ率の材料は一般的に熱伝導率が低く、窓箔の冷
却には不適である。窓支持体を熱伝導率の高い金属で形
成し、プラズマにさらされる面を低スパッタ率の材料で
被覆することにより、プラズマ中にさらされてもスパッ
タされる量が少なく、かつ窓箔を効率的に冷却すること
のできる窓支持体が得られる。
ことは、窓支持体の製造コストを上昇させる。また、低
スパッタ率の材料は一般的に熱伝導率が低く、窓箔の冷
却には不適である。窓支持体を熱伝導率の高い金属で形
成し、プラズマにさらされる面を低スパッタ率の材料で
被覆することにより、プラズマ中にさらされてもスパッ
タされる量が少なく、かつ窓箔を効率的に冷却すること
のできる窓支持体が得られる。
【００１１】低スパッタ率材料を窓支持体上に溶射する
ことにより、窓支持体の開口部側壁上にも効率的に低ス
パッタ率材料の層を形成することができる。
ことにより、窓支持体の開口部側壁上にも効率的に低ス
パッタ率材料の層を形成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、イオン・プラズマ型電子
銃の構成を概略的に示す断面図である。図１（Ａ）は横
断面図を示し、図１（Ｂ）は縦断面図を示す。真空チェ
ンバ１１は、その内部にカソード組み立て体１２を収容
する。カソード組み立て体１２は、Ｍｏなどで形成され
たカソード板２１およびカソードカバー２２を含み、セ
ラミック製ブッシング２４によりフランジ上に支持され
ている。フランジの中央部を通って高圧ケーブル２５が
真空チャンバ１１内に導入され、カソード板２１に負の
高電圧を印加する。
銃の構成を概略的に示す断面図である。図１（Ａ）は横
断面図を示し、図１（Ｂ）は縦断面図を示す。真空チェ
ンバ１１は、その内部にカソード組み立て体１２を収容
する。カソード組み立て体１２は、Ｍｏなどで形成され
たカソード板２１およびカソードカバー２２を含み、セ
ラミック製ブッシング２４によりフランジ上に支持され
ている。フランジの中央部を通って高圧ケーブル２５が
真空チャンバ１１内に導入され、カソード板２１に負の
高電圧を印加する。
【００１３】真空チェンバ１１の下方には、プラズマチ
ェンバ１４が結合されている。プラズマチェンバ１４の
上面には、多数の開口部が配置されたハニカム状のグリ
ッド１８が配置され、プラズマチェンバ１４内と真空チ
ェンバ１１内とでガス、イオン、電子などが移動できる
構成とされている。プラズマチェンバ１４の底面には、
グリッド１８同様の多数の開口部を有する窓支持体１５
が配置され、その外側表面上にＴｉやＡｌ等の薄箔で形
成された窓箔１６が気密に配置されている。気密封止
は、たとえばＯリング等を利用して構成される。プラズ
マチェンバ１４の中心軸上には、陽極ワイヤ１９が配置
されている。
ェンバ１４が結合されている。プラズマチェンバ１４の
上面には、多数の開口部が配置されたハニカム状のグリ
ッド１８が配置され、プラズマチェンバ１４内と真空チ
ェンバ１１内とでガス、イオン、電子などが移動できる
構成とされている。プラズマチェンバ１４の底面には、
グリッド１８同様の多数の開口部を有する窓支持体１５
が配置され、その外側表面上にＴｉやＡｌ等の薄箔で形
成された窓箔１６が気密に配置されている。気密封止
は、たとえばＯリング等を利用して構成される。プラズ
マチェンバ１４の中心軸上には、陽極ワイヤ１９が配置
されている。
【００１４】真空チェンバ１１に結合されたターボ分子
ポンプ等の真空ポンプ３３を作動させることにより、真
空チェンバ１１およびプラズマチェンバ１４内を真空に
排気することができる。
ポンプ等の真空ポンプ３３を作動させることにより、真
空チェンバ１１およびプラズマチェンバ１４内を真空に
排気することができる。
【００１５】なお、図示しないがプラズマチェンバ１４
には、ピエゾバルブを備えたガス導入口が設けられてお
り、高純度Ｈｅをプラズマチェンバおよび真空チェンバ
内に導入することができる。また、タングステン熱フィ
ラメント等のプラズマ点火手段がプラズマチェンバ１４
内に設けられている。
には、ピエゾバルブを備えたガス導入口が設けられてお
り、高純度Ｈｅをプラズマチェンバおよび真空チェンバ
内に導入することができる。また、タングステン熱フィ
ラメント等のプラズマ点火手段がプラズマチェンバ１４
内に設けられている。
【００１６】図１（Ａ）には、窓箔１６から出射される
電子ビームを取り囲むように配置された鉛製のシールド
２０、電子ビーム進行方向で電子ビームを遮蔽するため
のビームストッパ３１、被照射物を搬送するためのロー
ラ３０ａ、３０ｂおよびローラ３０ａ、３０ｂによって
搬送されている被照射物であるウエブ３２も図示されて
いる。
電子ビームを取り囲むように配置された鉛製のシールド
２０、電子ビーム進行方向で電子ビームを遮蔽するため
のビームストッパ３１、被照射物を搬送するためのロー
ラ３０ａ、３０ｂおよびローラ３０ａ、３０ｂによって
搬送されている被照射物であるウエブ３２も図示されて
いる。
【００１７】図２に示すように、例えば−２００ＫＶで
ある高圧電源３６を真空チェンバ１１のハウジングとカ
ソード板２１間に接続し、例えば３００Ｖであるプラズ
マ電源３５を真空チャンバ１１のハウジングと陽極ワイ
ヤ１９間に接続する。ハウジングは接地３７に接続され
ている。
ある高圧電源３６を真空チェンバ１１のハウジングとカ
ソード板２１間に接続し、例えば３００Ｖであるプラズ
マ電源３５を真空チャンバ１１のハウジングと陽極ワイ
ヤ１９間に接続する。ハウジングは接地３７に接続され
ている。
【００１８】プラズマチェンバ１４内に高純度Ｈｅガス
を、例えば１７ｍＴｏｒｒの圧力を維持するように導入
し、プラズマ点火手段から熱電子を供給してプラズマ４
０を発生させる。プラズマ４０は、陽極ワイヤ１９の周
囲に形成される。グリッド１８は接地されており、カソ
ード板２１に例えば−２００ＫＶ程度の負の高電圧が印
加されるため、グリッド１８、カソード板２１間の空間
には、高電界が形成される。
を、例えば１７ｍＴｏｒｒの圧力を維持するように導入
し、プラズマ点火手段から熱電子を供給してプラズマ４
０を発生させる。プラズマ４０は、陽極ワイヤ１９の周
囲に形成される。グリッド１８は接地されており、カソ
ード板２１に例えば−２００ＫＶ程度の負の高電圧が印
加されるため、グリッド１８、カソード板２１間の空間
には、高電界が形成される。
【００１９】プラズマ４０で発生したＨｅイオンがグリ
ッド１８を通ってグリッド１８とカソード板２１間の空
間に達すると、高電界によって加速され、カソード板２
１に衝突する。カソード板２１に高加速エネルギのＨｅ
イオンが衝突すると、カソード板２１からは増倍された
２次電子が発生する。たとえば、カソード板がモリブデ
ンで形成されている場合、衝突するＨｅイオン１個当た
り１４個の電子が発生する。
ッド１８を通ってグリッド１８とカソード板２１間の空
間に達すると、高電界によって加速され、カソード板２
１に衝突する。カソード板２１に高加速エネルギのＨｅ
イオンが衝突すると、カソード板２１からは増倍された
２次電子が発生する。たとえば、カソード板がモリブデ
ンで形成されている場合、衝突するＨｅイオン１個当た
り１４個の電子が発生する。
【００２０】発生した２次電子は、高電界によってグリ
ッド１８方向に加速される。グリッド１８を透過した２
次電子は、プラズマ４０中を通過し、窓支持体１５に到
達する。窓支持体１５には、グリッドの開口部と対応し
た開口部が設けられており、加速された電子は窓支持体
１５の開口部を通って窓箔１６に達する。
ッド１８方向に加速される。グリッド１８を透過した２
次電子は、プラズマ４０中を通過し、窓支持体１５に到
達する。窓支持体１５には、グリッドの開口部と対応し
た開口部が設けられており、加速された電子は窓支持体
１５の開口部を通って窓箔１６に達する。
【００２１】窓箔１６は、たとえば数μｍから２０数μ
ｍの厚さを有し、電子を通過させることのできる材料で
形成されている。従って、窓箔１６を通過した２次電子
により大気中に電子ビームを形成することができる。
ｍの厚さを有し、電子を通過させることのできる材料で
形成されている。従って、窓箔１６を通過した２次電子
により大気中に電子ビームを形成することができる。
【００２２】たとえば、プラズマをパルス的に発生させ
ることにより、パルス的に電子ビームを発生させる。
ることにより、パルス的に電子ビームを発生させる。
【００２３】図３は、窓支持体１５の構成を拡大して示
す。窓支持体１５は、厚さ方向に貫通している多数の開
口部Ａおよび、冷媒通路Ｗを有する。冷媒通路Ｗに冷媒
を流すことにより、窓支持体１５全体を効率的に冷却す
ることができる。窓支持体１５の下面には、窓箔１６が
配置されている。窓箔１６の上側は真空雰囲気、下側は
大気圧となるため、イオン・プラズマ型電子銃作動中は
窓箔１６は窓支持体１５にほぼ１気圧の圧力差で押しつ
けられる。窓支持体１５が冷媒によって冷却されている
ため、窓箔１６も効率的に冷却される。
す。窓支持体１５は、厚さ方向に貫通している多数の開
口部Ａおよび、冷媒通路Ｗを有する。冷媒通路Ｗに冷媒
を流すことにより、窓支持体１５全体を効率的に冷却す
ることができる。窓支持体１５の下面には、窓箔１６が
配置されている。窓箔１６の上側は真空雰囲気、下側は
大気圧となるため、イオン・プラズマ型電子銃作動中は
窓箔１６は窓支持体１５にほぼ１気圧の圧力差で押しつ
けられる。窓支持体１５が冷媒によって冷却されている
ため、窓箔１６も効率的に冷却される。
【００２４】ところで、窓支持体１５はプラズマ４０に
さらされる。プラズマ４０から放射する荷電粒子４２な
どにより、窓支持体１５はスパッタされ得る状態にあ
る。
さらされる。プラズマ４０から放射する荷電粒子４２な
どにより、窓支持体１５はスパッタされ得る状態にあ
る。
【００２５】図４は、窓支持体１５の構成をより詳細に
示す。窓支持体１５は銅製の主体１５ａと、その上面お
よび側面を覆う低スパッタ率の金属層１５ｂによって形
成されている。金属層１５ｂは、たとえばモリブデン、
タングステン、タンタルのいずれかによって形成され、
プラズマにさらされてもスパッタされる率の少ない表面
を形成している。ここで対象とするスパッタ率は、３０
０〜５００Ｖ程度の加速電圧下でのヘリウムイオンに対
するものである。
示す。窓支持体１５は銅製の主体１５ａと、その上面お
よび側面を覆う低スパッタ率の金属層１５ｂによって形
成されている。金属層１５ｂは、たとえばモリブデン、
タングステン、タンタルのいずれかによって形成され、
プラズマにさらされてもスパッタされる率の少ない表面
を形成している。ここで対象とするスパッタ率は、３０
０〜５００Ｖ程度の加速電圧下でのヘリウムイオンに対
するものである。
【００２６】金属層１５ｂは、好ましくは上面で厚さ
０．１ｍｍ〜０．５ｍｍに形成される。厚さが０．１ｍ
ｍよりも薄いと、長期間の使用中に金属層１５ｂがスパ
ッタされ、消失してしまう。厚さが０．５ｍｍよりも厚
い金属層は製造が困難であり、コストを上昇させてしま
う。
０．１ｍｍ〜０．５ｍｍに形成される。厚さが０．１ｍ
ｍよりも薄いと、長期間の使用中に金属層１５ｂがスパ
ッタされ、消失してしまう。厚さが０．５ｍｍよりも厚
い金属層は製造が困難であり、コストを上昇させてしま
う。
【００２７】図５は、このような厚さの低スパッタ率金
属層を形成するのに適した製造方法を概略的に示す。開
口部を加工した銅製の窓支持体の主体１５ａを洗浄した
後、低スパッタ率金属Ｍの溶射を行う。たとえば、溶射
はプラズマ溶射によって行う。低スパッタ率金属Ｍの進
行方向に対し、窓支持体の主体１５ａの表面を図に示す
ように傾けると、開口部Ａ等の側壁上にも低スパッタ率
金属層を堆積させることができる。主体１５ａを傾ける
方向を、面内で方位角方向に回転させることにより、開
口Ａの全側壁に効率的に低スパッタ率金属層を形成する
ことができる。
属層を形成するのに適した製造方法を概略的に示す。開
口部を加工した銅製の窓支持体の主体１５ａを洗浄した
後、低スパッタ率金属Ｍの溶射を行う。たとえば、溶射
はプラズマ溶射によって行う。低スパッタ率金属Ｍの進
行方向に対し、窓支持体の主体１５ａの表面を図に示す
ように傾けると、開口部Ａ等の側壁上にも低スパッタ率
金属層を堆積させることができる。主体１５ａを傾ける
方向を、面内で方位角方向に回転させることにより、開
口Ａの全側壁に効率的に低スパッタ率金属層を形成する
ことができる。
【００２８】このような方法によれば、主体１５ａの下
面には金属層が形成されないが、主体１５ａの下面はプ
ラズマにさらされないため、低スパッタ率金属層を形成
する必要はない。さらに、主体１５ａの下面には窓箔１
６が接触する。窓箔１６を効率的に冷却するためには、
良熱伝導率の銅表面が直接露出していることが好まし
い。
面には金属層が形成されないが、主体１５ａの下面はプ
ラズマにさらされないため、低スパッタ率金属層を形成
する必要はない。さらに、主体１５ａの下面には窓箔１
６が接触する。窓箔１６を効率的に冷却するためには、
良熱伝導率の銅表面が直接露出していることが好まし
い。
【００２９】このように、プラズマにさらされる表面上
に低スパッタ率金属層を形成した窓支持体を用いること
により、イオン・プラズマ型電子銃を長期間安定した性
能で使用することができる。
に低スパッタ率金属層を形成した窓支持体を用いること
により、イオン・プラズマ型電子銃を長期間安定した性
能で使用することができる。
【００３０】なお、窓支持体の表面にのみ低スパッタ率
金属層を形成する場合を説明したが、プラズマにさらさ
れるプラズマチャンバ内側表面の全てまたは主要部に同
様の低スパッタ率金属層を形成することもできる。たと
えば、グリッド１８の下側表面および側面に上述同様の
低スパッタ率金属層を形成してもよい。
金属層を形成する場合を説明したが、プラズマにさらさ
れるプラズマチャンバ内側表面の全てまたは主要部に同
様の低スパッタ率金属層を形成することもできる。たと
えば、グリッド１８の下側表面および側面に上述同様の
低スパッタ率金属層を形成してもよい。
【００３１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオン・プラズマ型電子銃のプラズマに晒される窓支持
体表面に低スパッタ率材料層が形成されているため、窓
支持体のスパッタリングを抑制し、かつ窓箔を良好に冷
却することができる。
イオン・プラズマ型電子銃のプラズマに晒される窓支持
体表面に低スパッタ率材料層が形成されているため、窓
支持体のスパッタリングを抑制し、かつ窓箔を良好に冷
却することができる。
【図１】本発明の実施例によるイオン・プラズマ型電子
銃の構成を概略的に示す断面図である。
銃の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例によるイオン・プラズマ型電子
銃の構成を概略的に示す断面図である。
銃の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図１、２に示すイオン・プラズマ型電子銃に用
いる窓支持体の構成を概略的に示す斜視図である。
いる窓支持体の構成を概略的に示す斜視図である。
【図４】窓支持体の構成をより詳細に示す断面図であ
る。
る。
【図５】図４に示す窓支持体の製造方法を概略的に示す
側面図である。
側面図である。
１１ 真空チェンバ １２ カソード組み立て体 １４ プラズマチェンバ １５ 窓支持体 １５ａ 窓支持体の主体 １５ｂ 窓支持体表面上の低スパッタ率金属層 １６ 窓箔 １８ グリッド １９ 陽極ワイヤ ２０ 鉛シールド ２１ カソード板 ２２ カソードカバー ２４ ブッシング ２５ 高圧ケーブル ３０ ローラ ３１ ビームストッパ ３２ ウエブ ３３ 真空ポンプ ３５、３６ 電源 ３７ 接地 ４０ プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G21K 5/04 G21K 5/00 G21K 5/10
Claims (4)
- 【請求項１】 多数の開口部を有するグリッドと、 前記グリッドの一方の側に配置され、内部に２次電子放
出用のカソードを有する真空チェンバと、 前記グリッドの他方の側に配置され、内部に陽極ワイヤ
を有するプラズマチェンバであって、良熱伝導率の金属
で形成され、冷媒通路を有し、前記グリッドと対向する
部分に多数の窓孔を有する窓支持体と、前記窓支持体の
プラズマにさらされる表面上に形成された低スパッタ率
の金属被覆とを含むプラズマチェンバと、 前記窓支持体の外側に接して配置され、前記多数の窓孔
を気密に封止する窓箔とを有するイオン・プラズマ型電
子銃。 - 【請求項２】 前記窓支持体が銅で形成され、前記金属
被覆がモリブデン、タングステン、タンタルのいずれか
で形成されている請求項１記載のイオン・プラズマ型電
子銃。 - 【請求項３】 プラズマチェンバ内に作動ガスのプラズ
マを発生させ、正イオンをカソード側に引き出し、正イ
オンがカソードに衝突することによって発生する２次電
子を正イオンと逆方向に加速し、窓支持体上に支持され
た窓箔を通して外部に取り出すイオン・プラズマ型電子
銃の製造方法であって、前記窓支持体のプラズマにさら
される面上に低スパッタ率の金属を溶射して低スパッタ
率金属層を形成する工程を含むことを特徴とするイオン
・プラズマ型電子銃の製造方法。 - 【請求項４】 前記窓支持体が銅で形成され、前記低ス
パッタ率の金属がモリブデン、タングステン、タンタル
のいずれかであり、前記溶射がプラズマ溶射である請求
項３記載のイオン・プラズマ型電子銃の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13710797A JP3178658B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | イオン・プラズマ型電子銃とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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