DE3123231C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter
körpers nach dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 2. Ein derartiges Ver
fahren ist aus der DE-AS 10 25 995 bekannt.
Die Wellenlänge des von lichtemittierenden Dioden (LED)
abgegebenen Lichtes hängt von der Größe des Bandabstandes
des Halbleitermaterials ab, aus welchem die Diode hergestellt ist.
Im Allgemeinen ist
die Wellenlänge des
emittierten Lichtes größer
als es der Absorptionskante
des verwendeten Halbleitermaterials entspricht; die Absorptionskante
stimmt mit der Wellenlänge des Lichtes bei dem Bandabstand E g
des Halbleitermaterials überein. Für die Wellenlänge
λ m der Absorptionskante gilt:
mit
h
= Plancksche Konstante
c
= Lichtgeschwindigkeit
E
g
= Bandabstand des verwendeten
Halbleitermaterials.
Für eine LED mit einer Lichtemission in
einem Wellenlängenbereich jenseits der grünen Farbe ist es
notwendig,
Halbleitermaterialien zu verwenden, welche einen
größeren Bandabstand als Materialien der Gruppe III-V haben,
zu denen GaAs, GaP oder GaAl1-x As x gehören.
Halbleitermaterialien, welche hierfür geeignet sind, gehören
der Gruppe II-VI an.
Aus Tabelle 1 geht der Bandabstand von
Halbleitermaterialien der Gruppe II-VI hervor, wobei auch der
Leitfähigkeitstyp angegeben ist, den man auf natürlichem Wege er
hält.
Die in Tabelle 1 aufgeführten Materialien haben teilweise einen geeigneten Bandabstand,
der die Herstellung lichtemittierender Dioden der gewünschten Farbe ermöglicht,
jedoch ist es nicht möglich, den Leitfähigkeitstyp einzustellen.
So kann z. B. mit ZnS,
CdS oder ZnSe leicht n-Typ Leitfähigkeit erzielt werden,
jedoch ergibt sich bei der Dotierung mit Akzeptorstörstellen üblicherweise
wiederum nur eine n-
Leitfähigkeit bzw. der behandelte Kristall nimmt einen
hohen Widerstand an und ist entweder n-leitend oder p-leitend.
Selbst wenn das Material also zufälligerweise p-leitend wird,
läßt sich diese Leitfähigkeit nicht so einstellen, daß
man einen pn-Übergang schaffen kann, wie er für eine lichtemit
tierende Diode notwendig ist.
Aus der eingangs erwähnten DE-AS 10 25 995 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halblei
terkörpers einer II-VI-Ver
bindung
mit einem pn-Übergang im Zonenschmelzverfahren bekannt, wobei der
Dampfdruck des flüchtigeren Elementes während dem Wandern der Schmelzzone
geändert wird, um einen Kristall mit einem pn-Übergang zu erhalten.
Durch
"Appl. Phys.Lett." 27 (1975), 74-76 ist es weiterhin bekannt geworden
für II-VI-Verbindungen,
speziell für ZnSe, den Halbleiterkristall durch Ein
diffusion von Störstellen mit einem pn-Übergang zu versehen. Die Eindiffusion wird
für ZnSe in Anwesenheit von überschüssigem Zink vorgenommen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung
eines Halbleiterkörpers aus einer II-IV-Verbindung mit einem definierten
pn-Übergang zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß für ein Diffusionsverfahren nach
dem Kennzeichen des Anspruchs 1 und für ein Epitaxialverfahren nach
dem Kennzeichen des Anspruchs 2 gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die Erfindung wird anhand von
auf die Zeichnung bezugnehmenden Ausführungsbeispielen näher er
läutert. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der
Diffusion von Gold in ein Kristallsubstrat;
Fig. 2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines Ver
fahrens zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem ZnSe-
Kristall unter Verwendung einer epitaxialen Technik.
Ein n-leitender ZnSe-Kristall, der bei einem gesteuerten Dampf
druck für Se gezüchtet wurde, wird als Substrat verwendet und
kann etwa 1% Tellur enthalten. Dieser für das Substrat benutzte
Kristall wird unter nachfolgenden Bedingungen hergestellt. Wäh
rend dem Wachstum des Kristalls ist es erforderlich, den Dampf
druck konstant auf einem verhältnismäßig hohen Niveau zu halten,
wobei das Wachstum bei einer niedrigstmöglichen Temperatur be
wirkt wird, um sicherzustellen, daß die Abweichung von der Stö
chiometrie des Kristalls so gering als möglich ist. Ferner soll
dadurch sichergestellt werden, daß möglichst wenig Leerstellen
infolge von Selbstkompensation bewirkt werden, selbst wenn im
nachfolgenden Verfahrensschritt eine Akzeptor-Störstellen-Dotie
rung erfolgt, so daß die Abweichung von der Stöchiometrie mög
lichst gering ist. Im konkreten Fall wird für das Wachsen eines
ZnSe-Kristalls und die nachfolgende Ausbildung eines pn-Über
ganges die Wachstumstemperatur des Substratkristalls auf etwa
1000°C oder darunter, vorzugsweise bei 950°C und niedriger ge
halten, wobei ein Se-Dampfdruck eingestellt wird, der bei etwa 1.33 mbar
und höher liegt. Damit kann die Leerstellenkonzentration verringert
und die Ausbildung des pn-Übergangs erleichtert werden. Das
heißt, es ist notwendig, die Diffusion für die p-leitende Störstellen
verunreinigung bei einer möglichst niederen Temperatur durch
zuführen, um die Entstehung von Se-Leerstellen zu unterdrücken,
welche die Donatoren während der Diffusion sind, was nachfolgend
noch erläutert wird. Dadurch kann die Konzentration der diffun
dierten Akzeptor-Störstellen nicht ausreichend groß werden. Die
Störstellenkonzentration liegt in der Größenordnung von z. B. 10¹⁷
Atome cm -3 oder darunter. Dies bedeutet, daß es notwendig ist,
dafür zu sorgen, daß zunächst der Substratkristall bei einer mög
lichst niederen Temperatur und einem möglichst hohen Se-Dampf
druck wächst, um die Leerstellenkonzentration soweit zu reduzieren,
daß sie geringer ist, als die durch Diffusion bewirkte Stör
stellenkonzentration, um ein p-leitendes Verhalten zu erzielen.
Um anschließend einen pn-Übergang aufzubauen, wird der
Substratkristall in ein Quarzrohr eingeschlossen, das entweder
evakuiert ist oder eine Edelgas-Atmosphäre, z. B. eine Argon-
Atmosphäre, hat. Daran schließt die Diffusion von Akzeptor-Stör
stellen für eine kurze Zeitdauer bei einer Temperatur von etwa
300°C bis etwa 600°C an, welche im Vergleich mit üblichen
Diffusionstemperaturen aus den bereits erwähnten Gründen relativ
niedrig ist. Für die Erzeugung eines pn-Übergangs ist es für eine
Diffusion bei einer niederen Temperatur notwendig; ein Störstellen
material auszusuchen, welches einen verhältnismäßig hohen Diffu
sionskoeffizienten hat. Ein solches Material ist z. B. Gold, welches
als Akzeptor verhältnismäßig schnell bei niederen Temperaturen
eindiffundiert. Es werden etwa 3 Minuten benötigt, um bei der Ver
wendung von Gold eine Diffusionstiefe von 1 µm bei etwa 300°C
bis etwa 400°C zu erreichen. Auch mit Silber können verhältnis
mäßig rasche Diffusionsgeschwindigkeiten erreicht werden, wobei
etwa nur eine Minute oder weniger für eine Diffusionstiefe von etwa
1 µm benötigt werden.
Die Diffusion von Gold und Silber ist mit bemerkenswert niederen
Temperaturen und mit großen Diffusionskoeffizienten durchführbar,
verglichen mit der Diffusion von Zn in Halbleitermaterialien der
Gruppe III-V oder der Diffusion von Bor (B) in Silicium. Damit
kann die Diffusion unter Verwendung von Silber und Gold während
einer Zeitdauer durchgeführt werden, die kürzer als eine Stunde
ist. Diese Störstellenmaterialien haben einen bemerkenswert gro
ßen Diffusionskoeffizienten verglichen mit den Se-Leerstellen, wel
che aufgrund der Verdampfung von Se während dem Diffusionsvor
gang erzeugt werden. Infolge dieser Gegebenheiten ist es möglich,
die Erzeugung von Leerstellen zu verringern und einen p-leitenden
Bereich auszubilden.
Wenn jedoch Gold und Silber in einen herkömmlichen ZnSe-Kri
stall diffundiert wird, wobei keine Regulierung des Dampfdruckes
erfolgt, werden Donator-Leerstellen in großer Anzahl vom Beginn
des Diffusionsvorganges an und auch während des Diffusionsvor
ganges erzeugt, wodurch die Ausbildung eines pn-Überganges
Schwierigkeiten bereitet. Es ergeben sich jedoch nicht nur diese
Schwierigkeiten, vielmehr werden durch die Störstellen im ver
botenen Band tiefe Niveaus ausgebildet, welche nicht zur Licht
emission beitragen, und außerdem tragen die Störstellen dazu bei,
daß sich Komplexe aus Störstellen und Leerstellen bilden. In die
sen Bereichen findet keine Lichtemission statt. Andererseits ist
jedoch die Konzentration von Se-Leerstellen in dem unter regulier
tem Dampfdruck erzeugten Substratkristall bemerkenswert klein.
Für den Fall, daß die Diffusion einer Störstelle im Vakuum an
stelle einer Edelgas-Atmosphäre, z. B. Argon, ausgeführt wird,
treten während der Diffusion verdampfte Se-Moleküle aus dem
Kristall aus. Die Diffusion kann mit Hilfe eines Systems ausge
führt werden, welches in Fig. 1 schematisch angedeutet ist. Da
nach wird ein Substratkristall 2 zusammen mit einer Störstellen
quelle 4, z. B. einem goldbeschichtetem Film, und ein Se-Metall 3
in einer Quarzröhre 1 angeordnet, in welcher eine Edelgasatmos
phäre aus Argon besteht. Das Se-Metall 3 und der Quarzkristall 2
sowie die Störstellenquelle 4 sind voneinander getrennt angeordnet.
Die Quarzröhre wird derart angeordnet, daß sie in zwei unter
schiedlichen Temperaturzonen liegt. In der Tem
peraturzone mit der Temperatur T₁ befindet sich der Substrat
kristall 2, wogegen in der Temperaturzone mit der Temperatur T₂
das Se-Metall angeordnet ist. Da man den Dampfdruck von Se
kennt, ist die Temperatur T₂ derart einzustellen, daß der erfor
derliche Dampfdruck erreicht wird. Grundsätzlich soll der Dampf
druck so hoch als möglich sein, und deswegen ist es wünschens
wert, die Temperatur T₂ entsprechend hoch einzustellen. In Anbe
tracht der Tatsache, daß Se leicht bei dem ihm zugeordneten
Dampfdruck in die erste Zone transportiert werden kann, ergibt
sich, daß für eine Temperautur T₂<T₁ ein erheblicher Se-Anteil
in die erste Zone transportiert würde. Man sollte allerdings be
achten, daß bei einer ausreichend kurzen Diffusionszeit die Bezie
hung T₂<T₁ nicht immer eingehalten werden muß, wenn die kur
ze Diffusionszeit sicherstellt, daß nur verhältnismäßig wenig Se in
die erste Zone transportiert werden kann. In vielen Fällen ist es
wünschenswert, die Diffusion mit Gold oder Silber bei Temperaturen
von z. B. T₁=350°C und T₂=330°C durchzuführen. Der Se-
Dampfdruck muß dann zumindest 0,13 mbar oder höher sein. Bei
dem erwähnten Beispiel wurde für den Se-Dampfdruck eine Größe
von etwa 0,65 mbar gewählt. Bei diesem Beispiel ergibt sich,
daß bemerkenswert wenig Se-Leerstellen erzeugt werden und kaum
eine Selbstkompensation stattfindet. Unter diesen Bedingungen wird
der Diffusionsbereich p-leitend. Während der Diffusionsphase ist
Se-Dampf in der den Substrat-Kristall umgebenden Atmosphäre vor
handen. Deshalb kann kaum Se aus dem Substratkristall verdampfen.
Damit wird während der Wärmebehandlung die Abweichung von
der Stöchiometrie, d. h., die Erzeugung von Se-Leerstellen, extrem
gering.
An sich ist es bekannt, bei der Diffusion von Störstellen auf den
Halbleiterkristall einen dem Halbleitermaterial entsprechenden
Dampfdruck einwirken zu lassen. Trotzdem erhielt man bisher
keinen pn-Übergang in ZnSe. Hierfür kann man die
Tatsache als Grund angeben, daß das Verfahren des gesteuerten
Dampfdruckes nicht während dem Züchten des Kristalls verwen
det wurde, so daß man nur einen Substratkristall erhielt, welcher
eine bemerkenswert große Leerstellenkonzentration hatte. Eine
Steuerung des Dampfdruckes zu dem Zeitpunkt der nachfolgenden
Diffusion von Störstellen reicht nicht aus, um Leerstellen zu re
duzieren, wobei überdies die Diffusionszeit zu kurz ist. Deshalb
ist es nicht möglich, während der Störstellendiffusion die Leer
stellen zu verringern.
Nachfolgend wird auf die Wellenlänge des von einer Diode emit
tierten Lichtes eingegangen, welche nach dem vorausstehenden
Verfahren z. B. aus einem ZnSe-Kristall hergestellt ist. Der
Bandabstand E g für ZnSe bei Zimmertemperatur beträgt etwa
2,8 eV. Der Wellenlängenbereich von der blau-grünen Farbe im
sichtbaren Bereich bis zur violetten Farbe hat eine Breite von
etwa 550 nm bis 450 nm. Wenn man diesen Wellenlängenbereich
im Sinne der Photonenenergie betrachtet, erstreckt er sich über
einen Bereich von etwa 2,25 eV bis etwa 2,75 eV. Also sollte für
den ZnSe-Kristall ein Donator-Niveau E p in der Größenordnung von etwa
0,03 eV bis 0,2 eV existieren. Dementsprechend sollte, um eine
Lichtemission mit Wellenlängen im Bereich von blau/grün bis
violett zu erhalten, das Akzeptorniveau eine Tiefe von etwa 0,55
bis etwa 0,05 eV, gemessen vom Valenzband, haben, wenn der
Übergang zwischen dem Leitungsband und dem Akzeptorniveau do
miniert, wogegen eine Tiefe von etwa 0,4 bis etwa 0,02 eV zweck
mäßig ist, wenn der Übergang zwischen dem Donatorniveau und
dem Akzeptorniveau dominiert. Daher ist es erforderlich, daß
das Akzeptorniveau einer Störstelle, welche für eine p-Leitfähig
keit verantwortlich ist, einen Wert von etwa 0,5 eV oder weniger,
gemessen vom Valenzband, hat. Ferner ist zu beachten, daß bei
einem Akzeptorniveau von etwa 0,5 eV die Ionisation der positi
ven Löcher bei Zimmertemperatur zu klein ist. Aus diesem Grund
ist es für eine gute elektrische Leitfähigkeit im allgemeinen wün
schenswert, daß das Akzeptorniveau verhältnismäßig flach ist, so
daß es zweckmäßiger erscheint, wenn das Störstellenniveau einen
Wert von 0,2 eV oder weniger hat.
Die Eigenschaften von Gold als Störstellendotierungsmaterial sind
bisher nur wenig bekannt. Wenn man jedoch bei der Herstellung
einer LED im Auge behält, daß ein pn-Übergang mit einer Emis
sion im Blaulichtbereich erzielbar ist, dann scheint Gold ein Ak
zeptor-Niveau von 0,2 eV und weniger zu haben.
Störstellenmaterialien, deren Akzeptor-Niveaus für ZnSe-Kristalle
bekannt sind und für die Dotierung geeignet sind, werden in Tabelle 2
angegeben.
Man kann aus der Tabelle entnehmen, daß auch Silber zur Ausbil
dung eines pn-Überganges Verwendung finden kann. Man muß je
doch dabei beachten, daß auch Silber bestrebt ist, ein tiefes Ni
veau in der Größenordnung von 0,5 eV auszubilden.
Selbst wenn man die Störstellendiffusion bei einem regulierten
Dampfdruck ausführt, findet immer noch eine gewisse Verdampfung
von Se statt, wenn der Dampfdruck nicht ausreichend groß ist. Die
se Verdampfung von Se kann verhindert werden, wenn für die Diffu
sionsstörstellen Materialien verwendet werden, deren Diffusionsge
schwindigkeit ausreichend größer als die Geschwindigkeit ist, mit
welcher die im Oberflächenbereich befindlichen Se-Leerstellen,
welche infolge der Verdampfung von Se erzeugt werden, in das
Innere des Kristalls diffundieren, wobei erforderlich ist, daß die
Störstellendiffusion während einer verhältnismäßig kurzen Zeitdauer
ausgeführt wird. Als Störstellenmaterial ist Gold wie bereits
erwähnt besonders geeignet.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein n-leitender ZnSe-Substratkristall
benutzt, der bei einer regulierten Dampfatmosphäre gezüchtet wurde.
Eine p-leitende ZnSe-Schicht wird mit Hilfe einer Epitaxialtechnik in einer
Se-Dampfatmosphäre aufgewachsen. Die Epitaxialmethode adoptiert
das Flüssigphasenwachstum und verwendet eine Einrichtung ähn
lich der Einrichtung, wie sie bei einem Epitaxialverfahren mit
reguliertem Dampfdruck für die Halbleitermaterialien der Gruppe
III-V Verwendung findet. Ein schematischer Aufbau ist in Fig. 2
dargestellt.
Auf einer Gleitschiene 10 aus Kohlenstoff, welche in einem nicht
dargestellten Quarzrohr angeordnet ist, sind Substrate 50 abge
legt. In Schmelzbadbehältern 20 sind Gemische aus geschmolzenem
Zn, Te und Se angeordnet. Die Schmelzbadbehälter 20 sind
mit einem Deckel luftdicht verschlossen. Das Verhältnis der ge
schmolzenen Metallanteile von Te und Se wird auf ein gewünschtes
Niveau eingestellt. Aus Bereichen 40 wird über eine Quarz
röhre ein vorher festgelegter Se-Dampfdruck einwirken lassen.
Diese Quarzröhre reicht in einen Bereich, in welchem das Se
auf eine Temperatur T₂ erhitzt wird. Auf der Außenseite der
Quarzröhre 10 im Bereich der Schmelzbadbehälter 20 sowie der
Substrate 50 ist ein oberes und ein unteres Heizregister 60 bzw.
70 angeordnet. Die Temperatur des oberen Heizregisters 60 ist
höher eingestellt als die des unteren Heizregisters 70. Auf diese
Weise wird das Kristallwachstum aus der flüssigen Phase durch
die ausgelöste Temperaturdifferenz verwirklicht.
In der gemischten Metallschmelze aus Te und Se hat das Te die
Funktion eines Lösungsmittels. Basierend auf dem Se der Metall
schmelze und der Temperaturdifferenzmethode kann das Wachstum
aus der flüssigen Phase bei Temperaturen von etwa 1000°C und
darunter erreicht werden. Da der Segregationskoeffizient von Te
beim Einbau in den Kristall verhältnismäßig klein ist, bleibt der
Te-Gehalt in der aufgewachsenen Schicht bei etwa 1% und darunter.
Da sich daher als aufgewachsene Schicht im wesentlichen ein ZnSe-
Kristall ausgebildet und da das Wachstum im wesentlichen unter re
guliertem Dampfdruck erfolgt, hat der gezogene Kristall eine mi
nimale Se-Leerstellenkonzentration.
Die Schmelze wird mit Störstellenmaterial der Tabelle 2, wie z. B.
Gold, Silber oder Phosphor dotiert. Da die epitaxial gewachsene
Schicht sehr dünn sein kann, ist es aus dem Gesichtspunkt der
charakteristischen Eigenschaften des pn-Übergangs wünschenswert,
die Schicht bei einer Temperatur von etwa 800°C bis etwa 400°C
aufzubringen. Diese Temperaturen liegen viel tiefer als die zwi
schen etwa 950°C und 900°C liegenden Temperaturen für das Ziehen
eines Substratkristalls nach bekannten Verfahren. Da also der
Kristall bei wesentlich tieferen Temperaturen gezogen werden
kann als sie für das reguläre diffundieren von Störstellen benötigt
wird, ist der Bereich der Abweichung von der Stöchiometrie sehr
klein. Damit wird die Se-Leerstellenkonzentration oder die Kon
zentration des Se-Komplexes mit Störstellen und Leerstellen wei
ter verringert, so daß man eine Diode erhält, welche ein Licht
im blau-grünen Spektralbereich emittiert.
Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung eines pn-Über
gangs kann mit gleichem Erfolg für ZnS, CdS und CdSe einge
setzt werden. Wenn man eine im blau-grünen Spektralbereich lichtemittierende
Diode wünscht, sollte man beachten, daß ZnS einen großen Bandabstand hat.
CdS hat einen Bandabstand von 2,5 eV. Damit ist es geeignet für eine licht
emittierende Diode mit einer Emission im grünen oder gelben Spektralbereich,
wenn der Wert des Akzeptorniveaus vom Wert des Bandabstandes abgezogen
wird.
Wie aus der Tabelle 2 hervorgeht, kann Silber als Akzeptor-Störstellenmaterial in ZnSe
zwei oder mehr Akzeptorniveaus haben. In
diesem Fall kann für ZnSe nicht nur eine Emission im blauen Spektralbereich,
sondern auch eine Emission im roten oder gelben Spektralbereich gleichzeitig
auftreten. Wenn dies der Fall ist und eine Emission im reinen blauen Spektral
bereich gewünscht wird, kann man Fe₂O₃ in das Epoxydharz der Abdeckung
einbauen, welches das Licht im roten und gelben Spektralbereich absorbiert.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers aus
einer II-IV-Verbindung mit einem pn-Übergang, wobei
zunächst ein Halbleiterkristall eines ersten Leitfähig
keitstyps aus einer Elemente der II. und VI. Gruppe
enthaltenden Schmelze gewachsen wird, über welcher der
Dampfdruck des leichter flüchtigen Elements durch getrennte
Erhitzung dieses Elements erhöht wird, dadurch gekennzeichnet,
daß anschließend, während der Halbleiterkristall einem
erhöhten Dampfdruck des leichter flüchtigen Elementes
ausgesetzt ist, in den Halbleiterkristall zur Erzeugung
des pn-Übergangs ein Störstellenmaterial zur Herstellung
eines Bereichs vom zweiten Leitfähigkeitstyp eindiffundiert
wird.
2. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers aus
einer II-IV-Verbindung mit einem pn-Übergang, wobei
zunächst ein Halbleiterkristall eines ersten Leitfähig
keitstyps aus einer Elemente der II. und VI. Gruppe
enthaltenden Schmelze gewachsen wird, über welcher der
Dampfdruck des leichter flüchtigen Elements durch ge
trennte Erhitzung dieses Elements erhöht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß anschließend auf den Halbleiter
kristall eine epitaxiale Schicht unter erhöhtem Dampfdruck
des leichter flüchtigen Elements unter Zugabe eines Stör
stellenmaterials zur Herstellung eines Bereichs vom zweiten
Leitfähigkeitstyp aufgewachsen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß für ZnSe die Temperatur der Schmelze während des
Wachsens des Halbleiterkristalls auf weniger als 1000°C
gehalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schmelze Tellur in einer solchen Menge beigegeben
wird, daß in dem Halbleiterkristall 1% oder weniger Tellur
enthalten ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
für ZnSe die Störstellen bei einer Temperatur von etwa
600°C und weniger unter einem Dampfdruck von 1,3 mbar
und mehr für die leichter flüchtige Komponente Se diffun
diert werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß als Störstellenmaterial Gold verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß als Störstellenmaterial Silber verwendet
wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
Gold bei einer Temperatur in einem Bereich von etwa
400 bis etwa 300°C eindiffundiert wird.
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