DE2843983C2

DE2843983C2 - Verfahren zum Herstellen einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode

Info

Publication number: DE2843983C2
Application number: DE2843983A
Authority: DE
Inventors: Tatsuro Tokyo Beppu; Masami Tokyo Iwamoto; Akinobu Yokohama Kasami; Makoto Yokohama Tashiro
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1977-10-07
Filing date: 1978-10-09
Publication date: 1983-09-15
Also published as: US4417262A; US4224632A; DE2843983A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren ium Herstellen einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode, bei dem auf einem η-leitenden GaP-Substrat eine η-leitende, Stickstoff enthaltende Schicht und darauf eine p-leitende, Stickstoff enthaltende Schicht epitaktisch aus einer GaP enthaltenden Ga-Schmelze durch Temperaturabsenkung abgeschieden werden. Ein derartiges Verfahren zur Herstellung einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode ist aus der Zeitschrift »IEEE Transactions on Electron Devices« ED-24 (July 1977), S. 946-950 bekannt.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, die Lebensdauer der für die Lichterzeugung verantwortlichen Minoritätsladungsträger in der η-leitenden Schicht zu erhöhen, um damit die Lichtausbeute zu verbessern.

Ausgehend von dem eingangs genannten Verfahren zum Herstellen einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zum Abscheiden der n-leitenden Schicht zunächst eine reine, GaP enthaltende Ga-Schmelze mit dem Substrat in Verbindung gebracht wird, daß dann ein erster Teil der n-leitenden Schicht abgeschieden wird, daß sodann die Schmelze für eine vorgegebene Zeitspanne bei der erreichten Temperatur gehalten und mit Stickstoff angereichert wird und daß schließlich der restliche, Stickstoff enthaltende Teil der n-leitenden Schicht abgeschieden wird, so daß die Netto-Donator-Konzentration vom ersten Teil zum restlichen Teil der n-leitenden Schicht stufenweise abnimmt.

Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung kann insbesondere derart ausgeführt werden, daß die Netto-Donatorkonzentration von 1 ... 5x10^l7/cm³ im ersten Teil auf 1... 5 χ 10^I6/cm³ im restlichen Teil abnimmt

Das erfindungsgemäße Verfahren wird ferner zweckmäßig auch derart durchgeführt, daß der erste Teil in einer Dicke von mindestens 10 μπι und der restliche Teil in einer Dicke von 10... 35 μπι abgeschieden wird.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt

Fig. 1 einen schematischen Längsschnitt durch eine Flüssigphasen-Aufwachsvorrichtung für die Herstellung von lichtemittierenden Dioden,

F i g. 2 schematische Schnittdarstellungen zur Veranschaulichung des Vorschubs des bei der Vorrichtung gemäß F i g. 1 benutzten Schiffchens,

F i g. 3 eine graphische Darstellung der Temperaturvenäufe (a), (b) am Aufwachsschiffchen und an einer Fremdatom-Verdampfungsquelle bei der Vorrichtung gemäß F ig. 1,

F i g. 4 eine graphische Darstellung der Fremdatomkonzentration,

F i g. 5 eine graphische Darstellung der Lebensdauer der Minorilätsträger und der Grünlichi-Emissionsleistung in der zweiten n-GaP-Schicht in Abhängigkeit von der Donatorkonzentration Wo in derselben n-Schicht

F i g. 6 eine graphische Darstellung der Elektrolumineszenz (EL)-Intensität in Abhängigkeit von der Wellenlänge des emittierten Lichts bei Änderung der Stickstoffkonzentration A/7-der zweiten n-Schicht

Fig.7 eine graphische Darstellung der Grünlicht-Emissionsleistung in Abhängigkeit von der Stromdichte,

F i g. 8 eine graphirehe Darstellung der Minoritätsträger-Lebensdauer in der zweiten n-Schicht und der Grünlicht-Emissionsleistung in Abhängigkeit von der Donatorkonzentration der ersten n-GaP-Schicht

Fig.9 eine graphische Darstellung der Grünlicht-Emissionsleistung in Abhängigkeit der Dicke der zweiten n-Schicht,

Fig. 10 eine graphische Darstellung der Grünliclit-Emissionsleistung in Abhängigkeit von der Dicke der ersten Schicht,

F i g. 11 eine graphische Darstellung der Grünlicht-Emissionsleistung in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen der Donatorkonzentration (Nd) der ersten n-Schicht und der Donatorkonzentration der zweiten n-Schicht und

F i g. 12 eine graphische Darstellung eines von F i g. 3 abweichenden Temperaturverlaufs am Aufwachsschiffchen.

Mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Flüssigphasen-Aufwachsvorrichtung wird zuerst eine n-GaP-Epitaxialschicht auf einem n-GaP-Substrat gezüchtet. Die Donatorkonzentration Nd der so gezüchteten Schicht wird dabei gemäß F i g. 4 stufenweise variiert. Weiterhin wird auf der n-Schicht eine p-GaP-Schicht gezüchtet. Die auf diese Weise hergestellten lichtemittierenden Dioden besitzen eine den vergleichbaren bisherigen Dioden dieser Art überlegene Lichtemissionsleistung bzw. -wirkungsgrad. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Leuchtzentrenkonzentration Nr (Stickstoff) in der n-GaP-Schicht hoch ist und etwa 2 χ 10"Vcm³ beträgt, während die Minoritätsträger eine sehr lange Lebensdauer von beispielsweise durchschnittlich 330 ns oder mehr besitzen.

Bei der Vorrichtung gemäß Fig. 1 wird ein Aufwachsschiffchen 12 in eine aus Quarz bestehende Reaktionskammer 11 eingesetzt, um welche ein Heizspulenpaar 13a und 13b herumgewickelt ist. Das Schiffchen 12 besteht aus einem Schieber 15 mit einer

Vertiefung 14a zur Aufnahme eines n-GaP-Plättchens (Substrat) 14 und aus einem Lösungsaufnahmeteil 18, der mit einem Hohlraum zur Aufnahme einer Lösung 16 sowie mehreren Öffnungen 17 für die Dotierung mit einem Fremdatom versehen ist Beispielsweise aus Quarz bestehende Deckel 146 und 166 sind über die Vertiefung und in den Hohlraum eingesetzt Eine Fremdatom-Verdampfungsquelle 19 mit Zink (Zn) ist im Abstand vom Schiffchen 12 in der Reaktionskammer 11 angeordnet Die Reaktionskammer 11 ist in ihren gegenüberliegenden Enden mit Gaszufuhryohren 11a und 116 und einem Gasablaßrohr lic versehen. Zur Züchtung einer n-GaP-Schicht und einer p-GaP-Schicht auf dem n-GaP-Plätichen in der Vorrichtung gemäß F i g. 1 wird das Schiffchen 12 auf die in F i g. 2 gezeigte Weise verschoben. Zur Einleitung des Aufwachsens wird das mit Schwefel dotierte n-GaP-Plättchen 14 in die Vertiefung des beispielsweise aus Graphit bestehenden Schiebers 15 eingesetzt Die Versetzungsdichte des Plättchens liegt zu diesem Zeitpunkt bei weniger als Ix KP/cm², vorzugsweise 5 bis 8xlO*/cm². Sodann werden in den Lösungsaufnahmebehälter des Schiffchens 18 5 g metallisches Gallium eingesetzt, und über das Gaszufuhrrohr 116 wird HrGas in die Reaktionskammer 11 eingeleitet Die Heizspule wird an Spannung gelegt um das Schiffchen 12 auf 1010⁰C zu erhitzen, wobei sich eine Galliumlösung 16 bildet, die keine Donatorfremdatome (aber restliche Donatorverunreinigungen, z. B. Silicium) enthält und die nicht mit GaP gesättigt ist 15 Minuten nach dem Zeitpunkt zn welchem die Temperatur von 1010° C erreicht wurde, wird der Schieber 15 verschoben, um die Lösung 16 gemäß F i g. 2b mit der Oberfläche des Plättchens 14 in Berührung zu bringen. Der Schieber 15 wird unter Mitnahme eines Teils der Lösung 16 auf der Oberfläche des Plättchens 14 weiterverschoben, bis seine Vertiefung gemäß Fig. 2c unter die Öffnungen 17 zu liegen kommt Die Tiefe der Vertiefung ist dabei so gewählt, daß die Lösung 16 in einer Höhe von z. B. 1,5 mm zurückbleibt. Dieser Zustand des Schiebers wird für etwa 10 min beibehalten, damit sich die Oberfläche des GaP-Plättuiens 14 mit der Lösung 16 verschmelzen kann. Anschließend wird die Lösung mit einer vorgegebenen Abkühlgeschwindigkeit von z. B. 1,5^oC/min auf eine vorbestimmte Temperatur von beispielsweise 960° C abgekühlt Bei diesem Abkühlschritt bildet sich ein erster Teil einer n-GaP-Schicht (erste η-Schicht), die — wie in Verbindung mit Fig.4 noch erläutert werden wird — keinen Stickstoff enthält, bis zu einer Dicke /on etwa 20 μπι auf dem n-GaP-Plättchen 14. Die Donatorkonzentration A/_Oder ersten n-GaP-Schicht ist geringfügig niedriger als diejenige des Plättchens 14. Die erste η-Schicht besitzt gemäß F i g. 4 eine Donatorkonzentration Nd von etwa 1,8 χ lO'Vcm³. Die Donatorkonzentration der ersten r> Schicht kann aber auch höher sein als diejenige des Substrats bzw. Plättchens. Dies beruht darauf, daß die Oberfläche des die Reaktionskammer 11 bildenden Quarzrohrs durch gasförmigen Wasserstoff reduziert wird und die Lösung daher mit einer großen Menge Silicium (Si) dotiert wird. Nach der Abnahme der Temperatur auf 960⁰C wird die Anordnung sodann während einer vorgegebenen Zeitspanne von z. B. min auf konstanter Temperatur gehalten. Zu einem passenden Zeitpunkt in diesem Zeitraum wird Ammoniak (NH₃) enthaltendes Argon (Ar) über das Gaszufuhrrohr 11a in die P.eaktionskammer 11 eingeführt. Das Ammoniak tritt dabei durch die öffnungen 17 hindurch und reagiert mit der auf dem GaP-Substrat befindlichen Gallium-Lösung 16, die unter den Bedingungen gemäß F i g. 2c zum Teil auf dem Substrat gezüchtet worden ist mit dem Ergebnis, daß bis zur Sättigung der Lösung Stickstoffatome in diese eingeführt werden. Außerdem reagiert das Ammoniak beispielsweise mit dem aus der Reaktionskammer in einen Teil der Lösung 16 eingetretenen Silicium unter Bildung von Si₃N₄. Der in der Lösung 16 enthaltene Schwefel (S) wird während der Haltezeitspanne teilweise verdampft Nach 60 min wird die Lösung wiederum mit einer Abkühlgeschwindigkeit von l,5°C/min auf z.B. 900⁰C abgekühlt Bei diesem Abkühlvorgang bildet sich der restliche Teil der n-GaP-Schicht (zweite η-Schicht) auf der ersten η-Schicht Die zu diesem Zeitpunkt aufgewachsene η-Schicht besitzt eine Gesamtdicke von 40 μπι. Die zweite η-Schicht enthält ziemlich viel Stickstoff und besitzt aus den zuvor genannten Gründen gemäß F i g. 4 eine vergleichsweise niedrige Donatorkonzentration Μ? von beispielsweise 13 χ 10^l6/cm³. Die Lösung wird eine vorbestimmte Zeit lang bei einer Temperatur von 900⁰C belassen. Zu Beginn diese· Arbeitsschritts wird die Heizspule 136 für die Fremda;o-n-Verdampfungsquelle (Zink) 19 eingeschaltet um die Fremdatomquelle auf eine Temperatur von 560⁰C zu erhitzen und bei dieser Temperatur zu halten. Während dieses Erwärmunpsvorgangs verdampft das Zink mit hohem Dampfdruck und tritt zusammen mit dem über das Gaszufuhrrohr 116 gemäß Fig. 1 zugeführten Ar-Gas durch die öffnungen 17 hindurch in die Lösung.16 über dem Plättchen 14 ein. Hierauf wird die Lösung 16 erneut mit einer Abkühlgeschwindigkeit von l,5^oC/min auf 800⁰C abgekühlt Auf diese Weise wird auf dem Plättchen, auf dem bereits die erste und die zweite η-Schicht erzeugt wurde, eine p-GaP-Schicht gezüchtet die mit Stickstoff in einer Konzentration von etwa 2 χ lO'o/cm³ dotiert ist Im Anschluß hieran werden die Heizspulen 13a und 136 abgeschaltet, so daß die Lösung auf natürliche Weise abkühlt Die Temperaturverläufe für das Schiffchen 12 und für die Fremdatonjjuelle 19 sind in F i g. 3 durch die Kurven a bzw. 6 veranschaulicht

Wenn die Donatorkonzentration in der ersten η-Schicht und der zweiten η-Schicht wie erwähnt in Aufwachsrichtung stufenweise abnimmt, führt das zu einer Beseitigung von vom Substrat herrührenden Gitterfehlern, d. h. zu einer Verbesserung der Kristallgüte bzw. des Kristallgefüges in der zweiten Schicht: dies bedeutet, daß auch bei Einführung einer großen Stickstoffmenge die Lebensdauer der Minoritätsträger in der zweiten Schicht relativ lang ist, wie dies nachstehend anhand von F i g. 5 näher erläutert wird.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht ist bei der beschriebenen Ausführungsform das Sticksto^rtkonzentrationsverhältnis zwischen erster und zweiter η-Schicht umgekehrt wie das Donatorkonzentrationsverhältnis zwischen diesen Schichter. Infolgedessen ist der in der Nähe des p-n-Übergangs befindliche Bereich mit Stickstoff hoch dotiert was für die Lichtemissiondeistung günstig ist.

Im folgenden werden die Eigenschaften der wie vorstehend beschrieben hergestellten Lumineszenzdioden anhand der F i g. 5 bis 11 erläutert. Wit eingangs bereits angegeben, besteht die beste Tvlöglichkeit zur Verbesserung der Lichtemissionsleistung einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode darin, die Donatorkonzentration der n-GaP-Schicht herabzusetzen und gleichzeitig ihre Stickstoffkonzentration N_T zu

erhöhen und die Lebensdauer der Minoritätsträger zu verbessern. Es wurden dazu Messungen der Lebensdauer der Minoritätsträger in Abhängigkeit von der Donatorkonzentration No der zweiten n-Schicht,die am stärksten zur Lichtemission beiträgt, durchgeführt. Das erzielte Meßergebnis ist für eine Stickstoffkonzentration von Nt-2 ■ 10^l8/cm³ in F i g. 5 (Kurve f) aufgetragen. Daraus geht folgendes hervor: Wenn die Donatorkonzentration Nd der zweiten Schicht weniger als 5xlO^l6/cm³ beträgt, liegt die Lebensdauer der i< > Minoritätsträger bei 330 ns oder mehr.

Der Grund für die lange Lebensdauer der Minoritätsträger in der zweiten η-Schicht der Halbleitervorrichtung sei im folgenden näher betrachtet. Die Diskontinuität des Kristalls aufgrund einer von einer schnellen Änderung der Konzentrationen in erster und zweiter η-Schicht herrührenden Spannung führt zu einer Unterbrechung von Nichtstrahlungszentren (einschließlich verschiedener Versetzungen Eu^rund der UnvoH-kommenheit des Kristalls oder stellenweisen Fehlern des Restfremdatoms oder dergleichen), die vom Substrat in die erste n-GaP-Schicht eingeführt wurden, so daß eine verkleinerte Zahl von Nichtstrahlungszentren zur zweiten η-Schicht übertragen wird.

Für verschiedene Stickstoffkonzentrationen von Nt- 5 χ 10'7cm³, 1 χ lO'Vcm³ und 2 χ lO'Vcm³ bei der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Vorrichtung ist die Elektrolumineszenz-lntensität über der Wellenlänge des emittierten Lichts in Fig.6 aufgetragen. Jo

Die F i g. 5 (Kurve erzeigt auch die Abhängigkeit der Grünlicht-Emissionsleistung von der Donatorkonzentration der zweiten η-Schicht. Die Messungen wurden bei in Epoxyharz vergossenen Lumineszenzdioden unter folgenden Bedingungen durchgeführt: Stromdich- « te = 25A/cm², N₇=*etwa 2 χ lO'Vcm³ und A/_Dder ersten n-Schicht=l bis 5 χ 10'7cm³. Wenn die Donatorkonzentration der zweiten η-Schicht gemäß F i g. 5 bei 1 bis 5xl0^I6/cm³ liegt, beträgt die Grünlicht-Emissionsleistung durchschnittlich 0,4% oder mehr und bei No=Ix- 10¹⁶/cm^J maximal etwa 0,7%. Soweit bekannt, konnte ein so hoher Wert bisher noch nie erreicht werden. Bei einer Stromdichte von lOOA/cm² beträgt die maximale Emissionsleistung unter sonst gleichen Bedingungen sogar über 0,8%. Dies ist in Fig.7 «5 dargestellt Der Grund für diese überlegene Leistung kann darin gesehen werden, daß die No-Verteilung der n-GaP-Schicht einen stufenförmigen Verlauf besitzt, die Lebensdauer der Minoritätsträger in der zweiten η-Schicht relativ lang ist und lediglich die zweite ">ⁿ η-Schicht Stickstoff h hoher Konzentration enthält

Ähnlich wie im Fall von Fig.5 für die zweite η-Schicht wurde die Beziehung zwischen der Donatorkonzentration der ersten η-Schicht einerseits und der Lebensdauer der Minoritätsträger der zweiten " η-Schicht (Kurve I) bzw. der Grünlicht-Emissionsleistung (Kurve e) andererseits untersucht und ist in F i g. 8 aufgetragen. Die Untersuchung erfolgte mit in Epoxyharz vergossenen bzw. gekapselten Lumineszenzdioden unter den folgenden Bedingungen: Stromdichte=25A/ ω cm², Nt= etwa 2xl0¹⁸/cm³ und Np der zweiten n-Schicht = 1 bis 5 χ 10^I6/cm³.

Wie aus F i g. 8 hervorgeht, ist für eine Donatorkonzentration der ersten η-Schicht im Bereich von 1 bis 5 χ lO'Vcm³ die Lichtemissionsleistung durchschnittlich mindestens 0,4%, während die Lebensdauer der Minoritätsträger etwa 330 ns beträgt

Die Lichtemissionsleistung wird durch die Dicke der ersten und zweiten η-Schicht (nur) gering beeinflußt. Diese Tatsache ist in den F i g. 9 und 10 veranschaulicht. Wie aus diesen Figuren hervorgeht, wird eine Lichtemissionsleistung von 0,4% oder mehr bei einer Dicke der zweiten η-Schicht von 10 bis 35 μπι und der ersten η-Schicht von 10 μιη oder mehr erreicht.

Auch die Abhängigkeit der Lichtemissionsleistung von dem Verhältnis der Donatorkonzentrationen Nd von erster und zweiter η-Schicht wurde untersucht; das Ergebnis ist in F i g. 11 dargestellt, aus welcher hervorgeht, daß dann, wenn das A/irVerhältnis von erster zu zweiter η-Schicht im Bereich von 3 bis 20 liegt, die Lichtemissionsleistung 0,4% oder mehr beträgt.

Wie erwähnt, wird die Donatorkonzentration Nd der ersten η-Schicht vorzugsweise auf 1 bis 5 χ t0^l7/cm^J und der zweiten η-Schicht auf 1 bis 5 χ lO'Vcm¹ eingestellt. Stickstoff ist dabei nur in der zweiten n-Schicht vorhanden. Die p-GaP-Schicht ist auf der zweiten n-Schicht ausgebildet. Mit einer derartigen Konstruktion kann eine Lichtemissionsleistung bzw. ein Lichtemissionswirkungsgrad von 0,4% oder mehr erzielt werden.

Obgleich bei der beschriebenen Ausführungsform Schwefel (S) als Donatorfremdatom für das n-GaP-Substrat benutzt wurde, können statt dessen auch Tellur (Te) oder Selen (Se) verwendet werden.

Bei dem anhand von F i g. 3 beschriebenen Herstellungsverfahren wird das Substrat etwa bei der höchsten Temperatur mit der Lösung in Berührung gebracht und dann abgekühlt. Wahlweise können Substrat und Lösung auch bei einer niedrigen Temperatur miteinander in Berührung gebracht und dann erwärmt werden. Diese Verfahrensweise ist nachstehend in Verbindung mit Fig. 12erläutert.

Dabei wird das GaP-Substrat bzw. Plättchen 14 mit der Galliumlösung 16 in Berührung gebracht, wenn die Temperatur 800⁰C erreicht hat. Sodann wird der Schieber 15 verschoben, um die Vertiefung 14a unmittelbar unter die öffnung 17 zu bringen, worauf diese Position etwa 30 min lang beibehalten wird. In diesem Verfahrensschritt wird das Plättchen 14 etwa 5 μπι weit angeschmolzen, wobei der in diesem Abschnitt enthaltene Schwefel ebenfalls ausgeschmolzen wird und wobei der Schwefel zusammen mit dem in der Lösung befindlichen Sulfid während des 30 min lang dauernden Aufbrennverfahrens vollständig aus der Lösung ausgetrieben wird. Sodann werden Plättchen und Lösung auf 1030⁰C erwärmt, was der Aufwachsstarttemperatur entspricht Bei dieser Wärmebehandlung wird das Plättchen bis zu einer Tiefe von etwa 65 μιη von der Oberfläche her angeschmolzen. A Λ-grund des (ausgetriebenen) Schwefels im angeschmolzenen Abschnitt enthält die epitaxiale Aufwachslösung das Donatorfremdatom in einer vorgegebenen Konzentration. Unter den angegebenen Bedingungen wird die Anordnung mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 2°C/min auf 950⁰C abgekühlt so daß sich auf dem Plättchen eine erste n-Schicht bildet Die folgenden Arbeitsgänge werden auf ähnliche Weise, wie in Verbindung mit Fig.3 beschrieben, durchgeführt, jedoch mit leicht abgewandelter Behandlungszeit und Abkühlgeschwindigkeit

Das benutzte Symbol Nd bedeutet die Netto-Donatorkonzentration, d.h. Afc— N_A, während Na eine Netto-Akzeptor-Konzentration bedeutet d. h. Na-Nd-

Weiterhin bezieht sich der Ausdruck »Donatorkonzentration« der ersten n-Schicht auf die durchschnittliche bzw. mittlere Donatorkonzentration in diesem

Abschnitt, ausgenommen 3 μίτι dicke Schichtabschnitte zu beiden Seiten. Die »Donatorkonzentrationen« der zweiten η-Schicht bezieht sich auf die mittlere Donatorkonzentration in diesem Bereich, mit Ausnahme eines 3 um dicken Schichtabschnitts, der mit der ersten η-Schicht in Berührung steht. Die »stufenweise Änderung der Donatorkonzentration« bedeutet eine Kon/entrationsänderung von vorzugsweise

0,5 χ 10^l7/cm^J oder mehr über eine Strecke von 6 μιη.

Die in der Fig. 5 erscheinenden Streubereichbalken beziehen sich auf eine Variation der Donatorkonzentration der ersten η-Schicht zwischen lO'Vcm³ und 5xlO¹⁷/cnv>.

Entsprechend gelten die Streubereichbalken in F i g. 8 für eine Variation der Donatorkonzentration der zweiten ii-3cnicht zwischen lO'Vcm³ und 5 χ 10"7cm³.

Hierzu 8 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode, bei dem auf einem η-leitenden GaP-Substrat eine n-leitende, Stickstoff enthaltende Schicht und darauf eine p-leitende, Stickstoff enthaltende Schicht epitaktisch aus einer GaP enthaltenden Ga-Schmelze durch Temperaturabsenkung abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß zum Abscheiden der η-leitenden Schicht zunächst eine reine GaP enthaltende Ga-Schmelze mit dem Substrat in Verbindung gebracht wird, daß dann ein erster Teil der η-leitenden Schicht abgeschieden wird, daß sodann die Schmelze für eine vorgegebene Zeitspanne bei der erreichten Temperatur gehalten und mit Stickstoff angereichert wird und daß schließlich der restliche, Stickstoff enthaltende Teil der n-leitenden Schicht abgeschieden wird, so daß die Netto-Donator-Konzentrstwn vom ersten Teil zum restlichen Teil der n-ieitenden Schicht stufenweise abnimmt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Netto-Donator-Konzentration von 1... 5 χ lO'Vcm³ im ersten Teil auf 1... 5 χ lO'Vcm³ im restlichen Teil abnimmt

3. Verfahren nach Anspruch ? oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Teil in einer Dicke von mindestens 10 μπι und der restliche Teil in einer Dicke von 10... 35 μπι abgeschieden wird.