DE2359072A1 - Durchsicht-photokathode und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Durchsicht-photokathode und verfahren zu ihrer herstellung

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Description

7623-73 Ks/Sö
U.S. Serial No.: 309,756 ' *
Filed: November 27, 1972
RCA Corporation New York, N. Y., V. St. A.
Durchsicht - Photokathode und Verfahren zu ihrer Herstellung
Die Erfindung bezieht sich auf eine-sogenannte Durchsicht-Photokathode, und zwar speziell auf einen Typ, der nach dem. Prinzip dsr negativen Elektronenaffinität arbeitet. Die Erfindung betrifft ferner ein Herstellungsverfahren für derartige Photokathoden.
Es sind Photokathoden mit P-Halbleiterschichten bekannt, de ,mit einem Alkalimetall oder einer Zusammensetzung aus Alkalimetall und Bauerstoff mit niedrigerer Austrittsarbeit aktiviert sind. Eine solche Photokathode ist in der USA—^tentschrift 3 387 161 beschrieben. Diese Photokathoden bestehen aus einem Material, welches bei Beaafschlagung mit Strahlungsenergie Elektronen emittiert*, di· in der erwähnten USA-Patentschrift beschriebene Photokathod· emittiert die Elektronen von derjenigen Seite aus, die von der auf das emittierende Material fallende Licht getroffen wird.
Ein zweiter Photokathodentyp ist di· helbdurchlässige oder sogenannte "Durchsicht-Photokathod·", bei welcher sich die Photoemiesions-oder Absorberschicht auf einem transparenten Medium befindet.
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Hier werden die Elektronen von derjenigen Seite der' Photokathode aus emittiert, die der von der Strahlung getroffenen . Seite des transparenten Mediums entgegengesetzt ist.
Es ist möglich, eine P-leitende Strahlungsabsorbierende Halbleiterschicht mittels änes epitaxialen Aufwachsverfahrens auf eine transparente strahlungsdurchlässige Unterdage aufzubringen und dann die P-leitende Absorptionsschicht mit einem Alkalimetall oder einem aus Alkalimetall und Sauerstoff bestehendem Material zu aktivieren, um eine Anordnung mit negativer Elektronenaffinität zu bilden. Eine" solche Anordnung ist in der USA-Patentschrift 3 575 628 beschrieben. Ein solches 3pitaxie-Yerfahren zum Aufbringen einer kristallinen strahlunssabsoivjierenden Schicht auf eine Kristallunterlage bringt jedoch die Gefahr von Gitterbaufehlern mit sich. Solche Fehler ergeben sich entweder wenn die Gitterkenngrößen der beiden Falbleiterschichten unterschiedlich sind oder wenn während des Kristallwachstums Defekte in den Halbleiter eingefügt worden sind.
Das sich bei Fehlanpassung der Gitter ergebende Problem Oe- äBht darin, daß sich. Leitungsbandelektronen, die in der strahlnngsabsorDierenden Schicht erzeugt worden sind, in Zentren am Ort der Defekte im Kristallgitter rekombinieren können. Diese Rekombination von Elektronen findet hauptsächlich an der Grenzschicht zwischen der Kristallunterlage und der strahlungsabsorbierenden Schicht statt. Infolge der Rekombination können die Elektronen nicht in die emittierende Oberfläche der Photokathode diffundieren, wodurch sich der Wirkungsgrad der Photokathode verschlechtert.
Diese Schwierigkeiten lassen sich vermindern, wenn man eine strahlungsdurchlässige Schicht aus einer kristallinen strahlungsabsorbierenden Schicht bildet, die als Unterlage für die Photokathode verwendet werden soll. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung besteht eine Photokathcde aus einer absorbierenden Schicht eines P-leitenden Halbleitermaterials, die
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eine erste Oberfläche und eine zweite, gegenüberliegende Oberfläche aufweist. Auf der ersten Oberfläche dieser Absorptionsschicht wird eine strahlungsdurchlässige Unterlage oder Trägerschicht aus P-leitendem Halbleitermaterial gebildet. Dieses halbleitermaterial der durchsichtigen Trägerschicht hat Gitterkenngrößen, die nicht mehr als 0,5 # von den Gitterkenngrößen der Absorptionsschicht abweichen·, und eine höhere Bandlücken-Energie als die Absorptionsschicht» J)ie Bandlücken-Energie der strahlungsdurchlässigen Schicht böarägt mindestens 1,1 Elektronenvolt, damit eine für die einfallende Strahlung transparenteUnterlage vorhanden ist. Ein auf die zweite Oberfläche der absorbierenden Halbleiterschicht aufgebrachter überzug aus einem die Austrittsarbeit vermindernden Aktivierungsstoff bildet eine elektronenemittierende Fläche»
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Durchsiclrb-Photokathode zeichnet sich dadurch. auss daß zunächst die strahlungsabsorbierende Schicht und dann darauf die als Unterlage dienende Btrahlungsdurchlässige Schicht gebildet wird. Dies ge- ■ schient durch epitaxiales Aufwachsen einer P-leitenden strahlungsabsorbierenden Schicht eines Halbleitermäterials auf einem aus ähnlichem Halbleitermaterial bestehenden Substrat» Hierauf wird die zweite durchlässige Hälbleiterschicht, die später die Trägerschicht darstellt, auf der Oberfläche der absorbierenden Schicht gezüchtet. Diese zweite durchlässige Schicht besteht aus einem Material, dessen Bandlücken-Energie höher ist als bei der P-leitenden Absorptionsschicht, um die Absorption der einfallenden Strahlung zu verhindern. Das Substrat wird anschließend entfernt, um die entgegengesetzte Oberfläche der Absorptionsschicht freizulegen, die dann mit einem die Austrittsarbeit vermindernden Aktivierungsstoff überzogen wird.
Die Erfindung tird nachstehend anhand von Zeichnungen erläutert-Darin zeigt:
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Figur 1 einen Sqhnitt durch eine Durchsicht-Photokathode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
Figuren 2 und 3 Schnittansichten der in Figur 1 dargestellten Photokathode zur Veranschaulichung eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens;
Figur 4 die Schnittansicht eines feuerfesten Ofeneinschubs mit mehreren Behältern, der bei der Herstellung der in Figur 1 gezeigten Anordnung verwendet werden kann.
Die in Figur 1 dargestellte Durchsicht-Photokathode 10 hat eine strahlungsdurchlässige Schicht 12, die sich auf der einen Oberfläche einer Strahlungsabsorbierenden Schicht 14 befindet. Die andere Oberfläche der Absorptionsschicht 14 trägt einen überzug aus einem die Austrittsarbeit vermindernden Aktivierungsstoff 16. Die in Figur 1 dargestellte Dnchsicht-Photokathode stellt eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung dar und ist unter Verwendung von III-V-Halbleitermaterial hergestellt, (d.h. mit Hilfe von Elementen der III. und V. Gruppe des periodischen Systems). Es können jedoch auch Verbindungen von Elementen der II. und VI. Gruppe des periodischen Systems verwendet werden, und zwar entweder allein oder in Kombination mit III-V-Verbindungen. Bei der in Figur 1 dargestellten Ausführungsform besteht die Absorptionsschicht 14 aus der binären III-V-Verbindung Galliumarsenid GaAs, welches für P-Leitfähigkeit dotiert ist und vorzugsweise eine Akzeptorenkonzentration von
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mindestens 5·1° ' Atomen Je cm3 hat. Die strahlungsdurchlässige Schicht 12 besteht aus der ternären III-V-Verbindung Aluminiumgalliumarsenid (AlGa)As. Die Aktivierungsschicht 16 besteht aus einem Alkalimetall wie z.B. Cäsium oder aus einer Alkali-Sauerstoff -Kombinat ion wie z.B. Cäsium-Sauerstoff, welches bei der bevoEugten Ausführungsform verwendet ist.
Beim Züchten von Halbleiterkristallschichten ohne Gitterbaufehler ist es sehr wichtig, daß mit einem fehlerarmen Substrat begonnen wird. Um die Gitterbaufehler in den Epitaxialschichten
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gering zu halten, ist es außerdem wichtig, daß die Gitterparameter des Substrats und der gezüchteten Schicht einander gut angepaßt sind. Sobald einmal Gitterbaufehler inder Kristallstruktur zustande gekommen sind, breiten sie sich über das ganze Wachstum der Kristallschichten aus. Daher wird gemäß einem Merkmal der vorliegenden Erfindung ein fehlerarmes Substrat 18 aus Galliumarsenid GaAs als Basis für die Herstellung der Durchsicht-Photokathode 10 verwendet. Ein "fehlerarmes" Substrat
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ist ein Substrat, welches weniger als 10^ Versetzungen je cm
aufweist. . · ·
Gemäß Figur 2 beginnt man mit der Bildung des oben erwähnten GaAs-Substrats 18, welches aus der Schmelze gezüchtet wird.■ Auf dem GaAs-Substrat 18 läßt man eine P-leitende atrahlungsabsorbierende Schicht 14 aufwachsen. Bei dem hier Geschriebenen Ausführungsbeispiel wendet man zur Herstellung der Photokathode 10 die Epitaxie in der flüssigen Phase an. Der Akzeptorenstörstoff ist im vorliegenden Fall Germanium (ein Element der IV.Gruppe des periodischen Systems), welches die Arsenatome in der Kristallstruktur des GaAs zum größten Teil ersetzt, um ane P-Leitfähigkeit zu erhalten. Die P-leitende GaAs-ScHcht ist typischerweise 2 ^m dick. Nach dem Aufwachsen der P-leitenden Absorptionsschicht 14 wird gemäß einem Merkmal der Erfindung eine strahlungsdurchlässige Trägerschicht 12 aus AIuminiumgalliumarsenid (AlGa)As auf der Schicht 14 gezüchtet. Die Züchtung der (AlGa)As-Trägerschicht erfolgt ebenfalls durch Epitaxie in der flüssigen Phase. Die (AlGa)As-Schicht 12 kann ane Aluminiumkonzentration von etwa J0# bis 50# haben. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel beträgt die Aluminiumkonzentration etwa 30$.
(AlGa)As ist eine ternäre III-V-Verbindung mit einer höheren Bandlücken-Energie als sie die binäre III-V-Verbindung GaAs .aufweist. Infolge der größeren Bandlücke kann·'das (AlGa)As von
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"kurzwelligerem Licht durchdrungen werden als das GaAs. (AlGa)As hat eine Gitterstruktur, deren Kenngrößen oder Gitterkonstanteasehr nahe an den Gitteikonstanten des GaAs liegen. Daher ergeben eich an der Grenzfläche zwischen der GaAs-Schieht 14 und der (AlGa)As-Schicht 12 verhältnismasBig werig Gitterbaufehler. Das heißt, das Wachstum der (AlGa)As-Schicht 12 beginnt nicht mit vielen Gitterbaufehlern, und daher gibt es nur wenige Versetzungen, die sich über das Wachstum der (AlGa)As-Schicht 12 ausbreiten. He Dicke der (AlGa) As-Schicht 12 ist nicht wichtig, man wählt sie Jedoch im allgemeinen zu 125/w* , um die Photokathode 10 zu s'tützen. Die (AlGa)As-Schicht sei ebenfäls'P-leitend, damit sich keine tlbergangszone ausbilden kann, die den freien Elektronenfluß behindern-mwcde.
In Figur 4 ist ein feuerbeständiger Ofeneinschub 22 mit mehrer en' Behältern d'argestellt, der beispielsweise gemäß der USA-Patentschrift 3 565 ?C2 ausgebildet sein kann. Der T3nschub 22 hat 3 als Behälter dienende Löcher oder Vertiefungen 24, 25, 27 und eine bewegliche Gleitplatte 28, die zweckmäßigerweise aus feuerfestem Material wie z.B. Graphit besteht. Die obere Fläche der Gleitplatte 28- ist koplanar mit dem Boden jedes der Behälter 24, 26, 27. In der oberen Fläche und nahe an einem Ende der Gleitplatte 28 befindet sich ein Schlitz Dieser Schlitz 34 ist groß genug", um das GaAs-Substrat 18 aufzunehmen, welches derart im Schlitz 34 angeordnet ist, daß seine die aufzubringenden Schichten tragende Fläche nach oben weist. Es ist günstig, wenn die freiliegende obere Fläche des Substrats 18 gereinigt und poliert wird, bevor das Substrat in den Schlitz 34 der Gleitplatte 28 gelegt wird. In den Behälter 24 wird eine erste Füllung und in den Behälter 26 eine •zweite Füllung eingebracht. Die eräe Füllung besteht aus 5 S Gallium (Ga), 550 mg· Galliumarsenid (GaAs) und 100 mg Germanium (Ge), Die zweite Füllung begehe aus 5 S Gallium, 250 mg Galliumarsenid, 200 mg Germanium und 6 mg Aluminium. Die Füllungen sind bei Zimmertemperatur ein Granulat aus Festbetandteilen. Der
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gefüllte Ofeneinschub 22 wird dann in einen Ofen gesetzt. Der Ofen wird von hochreinem Wasserstoff durchströmt, der über den Einschub 22 streicht, während die Temperatur des Ofens und seines Inhalts in etwa 20 Minuten von ungefähr 200C auf ungefähr 92O°G erhöht wird.
Anschließend wird die Leistungszufuhr unterbrochen, so daß sich der Ofeneinschub und der Inhalt mit einer Geschwindigkeit von 3° bis 5°C je Minute abkühlen können. Bei den derart erreichten Temperaturen wird die erste Füllung zur ersten Sohmelze oder Lösung 36, die im vorliegenden Beispiel hauptsächlich aus in geschmolzenem Gallium aufgelöstem GaAs beseht, und zwar mit Germanium als Dotierungsstoff, der als Akzeptor wirkt und das GaAs P-leitend macht. Die zweite Füllung wird zur zweiten Schmelze oder Lösung 38, die hauptäsächlich aus in geschmolzenemGallium gelöstem (AlGa) As besteht.
Wenn die Temperatur des Ofeneinschubs 22 und seines InhalB etwa 9000C erreicht hat, wird die Gleitplatte 28 in Richtung des Pfeils gezogen, so daß das Substrat 18 den Boden des ersten Behälters 24- bildet. Das Substrat 18 wird in dieser Position gelassen, bis die Temperatur 880°C erreicht hat. Während dieser Zeit fällt ein Teil des in der ersten Schmelze 36 gelösten GaAs aus und schlägt sich auf dem Substrat 18 als erste Epitaxialschicht 14 nieder, wie sie in Figur 2 dargestellt ist. Diese Epitaxialschicht 14 ist P-leitend, weil sich in ihrem Kristallgitter Anteile des Germaniums befinden.
Die Gleitplatte 28 wird nun in Richtung des Pfeils weiterbewegt, so daß das Substrat 18 den Boden des zweiten Behälters bildet. Man läßt das Substrat 18 nun auf eine Temperatur von etwa 8500C abkühlen, während es in Berührung mit der zweiten Schmelze 38 ist. Während dieser Zeit schlägt sich auf der ersten Epitaxialschicht14 eine zweite Epitaxialschicht 12 nieder. In
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der zweiten Epitaxialschicht ist auch ein Teil des in der zweiten Schmelze 38 vorhandenen Aluminiums enthalten, welches einige der Gnlliumatome in dieser Schicht ersetzt, so daß die zweite Spitaxialschicht ebenfalls eine gemischte Halbleiterveroindung mit der allgemeinen Formel Al„Ga^, As ist, wobei χ kleiner ist als 1 und in bevorzugter Ausführungsform O13 beträgt.
Wenn die Temperatur des Ofeneinschubs 22 8500C erreicht hat, wird die Gleitplatte 28 wiederum in Richtung des Pfeils bewegt, so daß das Substrat 18 den Boden des leeren Behälters 2? bidet. Das Substrat 18 mit den nacheinander aufgebrachten Epitaxialschichten 14- und 12 wird dann im leeren Behälter 27 in einer nichtoxidierenden Umgebung auf Raumtemperatur abgekühlt. Die Verwendung eines leeren Behälters 27 für den Abkühlvorgang ist deswegen zweckmässig, weil damit ein zusätzliches Wachstum von ungewolltem Al Ga. As einer möglicherweise unerwünschten Zusammensetzung verhindert wird.
Vorstehend wurde eine bevorzugte Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine Photokathode imZusammenhang mit der Epitaxie aus der flüssigen Phase beschrieben. Natürlich können auch Verfahren zur Epitaxie aus der Dampfphase angewendet werden. In diesem Falle sollte jedoch als Akzeptorstörstoff statt Germanium oesser Zink verwendet werden, weil Germanium als Donator wirkt, wenn man bei GaAs die Epitaxie aus der dampfförmigen Phase anwendet. Bei diesem Epitaxie-Verfahren wird das Substrat 18 in eine Kammer gebracht, in welche ein Gas eingelassen wird, welches das Element oder de Elemente des betreffenden Halbleitermaterials enthält. Die Kammer wird auf eine Temperatur aufgeheizt, bei welcher das Gas unter Bildung des Halbleitermaterials reagiert, welches sich dann auf die Oberfläche des Substrats niederschlägt. Halbleitermaterialien aus Verbindungen von Elementen der III. und V. Gruppe des periodischen Systems und Legierungen davon können in einer Weise niedergeschlagen
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werden, wie sie von J. J. Tietjen -und. J.A. Amik in clem'Auf satz -£he Preparation and Properties of Vapor-Deposited ISpitaxial GaAs^ P, Using Arsine and Phosphine" beschrieben wurde, der im Journal Electrochemical Society, Band 113, Seite 724, 19fc>6 veröffentlicht wurde. Halbleitermaterialien aus Verbindungen von Elementen der II. und VI. Gruppe des periodischen Systems lassen sich in einer-Weise niederschlagen, wie sie in einem Aufsatz von W,M. Yim u.a. mit dem Titel "Vapor Growth of (II-VI)-(III-IV) Quaternary Alloys and Their Properties" beschrieben ist, der in der RCA Revien, -Band 31, ITr. 4, Seite* vom "^ezember 1970 veröffentlicht wurde.
Kach den Epitaxie-Kristallzüchtungen wird, das Substrat 18 fortgeätzt j um die Absorptionsschicht 14 freizulegen. Für diesen Ätzvorgang kann eine allgemein bekannte Ätzlösung wie z.B. eine geeignete Säure verwendet werden. Während des Ätzens können bestimmte Teile 19 des Substrats 18 mit einer Wachsschicht abgedeckt werden. Das Wachs wird nachüem Ätzvorgang entfernt, und man enthält körperliche Elemente 19, die zur Verstärkung und zur Handhabung der Photokathode 10 dienen können.
Nach den Ätzvorgang wird auf die freigelegte Oberfläche der Absorptionsschicht 14 ein Überzug aus einem die Austrittsarbeit vermindernden Aktivierungsstoff aufgebracht. Dieser aktivierende Überzug 16 besteht aus einer Schicht aus Alkalimetall oder einer Alkalimetall-Sauerstoff-Kombination mit niedriger Austrittsarbeit. Für die Aktivierungsschicht 16 ist ein überzug aus Cäsium-Sauerstoff (cesium-oxygen) besonders geeignet. Das Cäsium kann erzeugt werden entweder unter Verwendung einer Dampfquelle, die. in einem Wickelrohr eine Mischung aus Cäsiumchromat und Silizium enthält oder unter Verwendung einer Ionenquelle die aus gesintertem und mit Cäsiumkarbonat imprägnierten AIuminiumoxyd besteht. Die Beschichtung der Absorptionsschicht 14 ·■
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fcahn dadurch* erfolgen, daß man die Oberfläche der Absorptionsschieht 14 bei Raumtemperatur abwechselnd Cäsium uni Sauerstoff aussetzt. Ein entsprechendes Verfahren ist in einem Aufsatz von A.A. Turnbull und G.B. JEvans mit dem Titel "Photoemission From GaAs-Cs-O" beschrieben, der in Brit. J. Appln. Fhys. Heine 2, Band 1, Seite 155* 1968 beschrieben wurde.
Der Vorteil dieses Herstellungsverfahrens besteht darin, daß zwischen der GaAs-Schicht 14 und der (AlGa)As-Schicht 12 eine Grenzschicht mit geringer Oberflächenrekombination besteht. Da die GaAs-Schicht 14 auf einem GaAs-Substrat 18 gezüchtet wurde, ist außerdem die Gitteranpassung perfekt. Dies wäre nicht der Fall, wenn man die (AlGa)As-Schicht 12 zuerst züchten würde, weil reines kristallines (AlGa)As im,allgemeinen nicht erhältlich ist. Die Dichte der Versetzungen und somit die Diffusionslänge in der P-leitenden Zone 14 wird durch das Wachstum der (AlGa)As-Schicht 12 nicht beeinträchtigt.
Vorstehend wurde ein Ausführungsbeispiel beschrieben, bei welchem GaAs als binäre III-V-Verbindung und (AlGa) As als ternäre III-V-Verbindung verwendet wird. Es können jedoch?1 auch andere binäre und ternäre Ill-V-Verbindungen wie z.B. Qalliumantimonid GaSbund Aluminiumgalliumantimonid (AlGa) Sb, oder Galliumphosphid GaP und Aluminiumgalliumphosphid (AlGa) P verwendet werden. Bei aus diesen anderen Materialien gebildeten Photokathoden ergeben sich geringe Unterschiede in der Anpassung der Gitterparameter und in der Durchlaßfrequenz. Mit dem oben beschrieaenen Verfahren können auch Durchsicht-Photokathoden nit Kombinationen binärer III,-V-Verbindungen gebildet werden, beispielweise mit Äluminiumphosnid AIP und Gnlliumphoipiid fiaP, wo das AIP mit seiner höheren 3andlücke als strahlungsdurchlässiges Material und das GaP mit seiner niedrigeren Bandlücke als absorbierendes Material dient. In ähnlicher Weise können auch Halbleitermaterialien aus Elementen der II. und VI. Gruppe des Periodischen Systems verwendet werden.
Patentansprüche '·
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Claims (1)

  1. Fat ent an sprüc he
    . 1 .J "Durchäßht-Photokathode mit einer strahlungsabsorüierender; Schicht aus P-leLtendem Halbleitermaterial,- deren eine Operfläche eine strahlungsdurchlässige Halbleiterschicht trägt, dadurch gekennzeichnet, daß die· durchlässige Schicht (12) aus einem Halbleitermaterial besteht, dessen Gitterkonstanten um weniger-als 0,5 c"? von den Gitterkonstanten der absoruierenden Schicht ("A) abweichen, und daß die durchlässige Schicht (12) eine Bandlücrien-Energie hat, die größer als diejenige der absorbierenden Schicht (14) ist und mindestens 1,1 iSIektronenvolt beträgt, und daß auf der zweiten, gegenüberliegenden Oberfläche der absorbierenden Schicht (14) ein tfoerzug (1-5) aus einem die Austrittsarbeit vermindernden Aktivierungsstoff vorgesehen ist.
    2. Photokathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die absorbierende Schicht und die durchlässige Schicht aus Halbleitermaterialien gebildet sind, die Halbleiter aus Elementen der III. und V-. Gruppe und/oder aus Elementen der II. und VI. Gruppe des Periodischen Systems bzw. deren Legierungen enthalten.
    3. Photokathode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Akzeptorenkonzentration in der absorüierenden Schicht mindestens 5 x 10 / Atome je cnr beträgt.
    Photokathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsdurchlässige Schicht (12) P-leitend ist.
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    5. Pnotokathode nach Anspruen 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Aktivierungsstofi' (16) ein Alkalimetall oder eine Alkalimetall-Sauerstofi-Kombination ist.
    ö. Photokathode nach Ansprucn p, dadurch gekennzeichnet, daß der Aktivierungsstoff (16) Cäsium oder eine Cäsium-Sauerstoff -Kombination ist.
    7. Photokathode nach Anspruch G, dadurch gekennzeichnet, daß die absorbierende Schicht (14) aus Galliumarsenid besteht und daß die durchlässige Schicht (12) aus Aluminiumgalliumarsenid besteht.
    8. Pnotokathode nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dal?, die absorbierende Schicht (14) aus Galliumarsenid, besteht und daß die durchlässige Schicht (12) aus Aluminiumgalliumantimonid besteht.
    9. Photokathode nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die absorbierende Schicht (14) aus Galliumphosphid besteht und daß die durchlässige Schicht (12) aus Aluminiumcalliumphosphid besteht.
    10. Photokathode nach Anspruch 5, dadurcn gekennzeichnet, daß die absorbierende P-chicht (14) aus Galliumarsenid besteht und daß die durchlässige Schicht (12) aus Zinkselenid besteht.
    11. Verfahren zur Herstellung einer Durchsicht-Photokathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsabsorbierende Schicht (14) aus P-leiter:lem Material durch epitaxiales V.'achstum auf einem Substrat eines ähnlichen Kalbleitermaterials gebildet wird, uxid daß darauf die strahlungsdurchlässige Schient (12) aus P-leitendem Halbleitermaterial
    • gezüchtet wird, und daß anschließend das Substrat (18) von
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    der strahlunssabsorbierenden Schicht (14-) entfernt wird, um eine Oberfläche der strahlünecsabsorbierenden Schicht freizulegen, und daß auf die freigelegte Ooerflache der absorbierenden Schicht ein die Austrittsarbeit vermindernder Akt.ivierunPTSStoff (16) aufgebracht v.*ird.
    Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das epitaxiale Züchten der absorbierenden und der durchlässigen Schicht aus der flüssigen Phase erfolgt.
    .409823/0851
    Leerseite
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