DE2842492C2 - Verfahren zur Herstellung einer aus einem Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoff bestehenden Photokathode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer aus einem Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoff bestehenden Photokathode

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Description

[aG(T)-as(T)]dT
<3 · 10"
wobei mit kg und as die Ausdehnungskoeffizienten von Glas und Halbleiter bezeichnet sind, und daß der Verbundwerkstoff nach Beendigung des Temperungsvorgangs mit einer Abkühlrate r bis auf Zimmertemperatur abgekühlt wird, die nach der Beziehung
r > K/min.
von der Zähigkeit η3 des Glases bei der Temperungstemperatur T3 abhängig ist, um in der Halbleiterschicht eine Dehnung ε <O,3%o und eine Versetzungsdichte /VV< 2 · !06Cm-2 einzustellen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung aber eine Zeit von mindestens 15 Minuten durchgeführt wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein solches Verfahren ist aus der US-PS 37 69 536 bekannt.
Demnach kommt es zur Erzielung optimaler Umwandlungswirkungsgrade darauf an, mechanische Spannungen in der Halbleiterschicht möglichst zu vermeiden.
Ein Tempern von Gläsern im sogen. Entspannungsbereich ist in der Glastechnologie üblich, um Eigenspannungen im Glas zu vermeiden (vgl. z.B. GlT 7 (1963), Heft 12, »Typische Temperaturen von Glas«).
Bekannte Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffe zeigen in der Regel infolge starker elastischer Verformungen und einer hohen Versetzungsdichte im Halbleiterbeistandteil; welche durch die bei höherer Temperatur stark nichtlineare thermische Ausdehnung des Glases bedingt sind, keine befriedigenden Eigenschaften.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß die damit hergestellten Photokathoden einen höheren Umwandlüngswirkungsgrad aufweisen.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1
angegebene Erfindung gelöst.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung geht aus dem Unteranspruch hervor.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Herstellung eines HaJbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs mit verringerten elastischen Verspannungen und insbesondere einer reduzierten Versetzungsdichte im Halbleitermaterial. Es hat sich nämlich gezeigt, daß "s im Hinblick auf den Umwandlungswirkungsgrad von besonderer Bedeutung ist, die Versetzungsdichte durch schneileres Abkühlen möglichst klein zu halten und dafür u. U. höhere elastische Verspannungen in Kauf zu nehmen. Auf diese Weiso erhält man eine Dehnung £<O3%o und eine Versetzungsdichte im HalbleitermateriaiyVv<2 - 106 pro cm2.
Zur Herstellung des Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs nach dem erfindungsgemäßen Verfahren werden Glas und Halbleiter gemeinsam auf die Verbindungstemperatur Tc gebracht und unter Druck verbunden.
Anschließend wird der Werkstoff nicht zügig bis auf Zimmertemperatur abgekühlt, sondern mindestens 15 Minuten lang bei der Temperatur Ta getempert. Die Temperungstemperatur wird dabei so gewählt, daß die Zähigkeit η3 des Glasanteils des Verbundwerkstoffs beim Temperungsvorgang zwischen 10" bis 1012·5 Pa · s liegt und der Wert des Integrals
la(,(T)-as(T)]dT
<3 ■ 10"4
Nach Beendigung des Temperungsvorgangs wird der Verbundwerkstoff auf Zimmertemperatur abgekühlt. Dabei wird eine Abkühlrate reingehalten, die nach folgender Beziehung von der Zähigkeit η3 abhängt:
^ 2-ΙΟ12 „. .
τ > K/min
Ία
In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das anhand der Zeichnung näher erläutert wird, besteht der neuartige Verbundwerkstoff aus dem Halbleiter GaAs und dem Glas ZKN 7 (Glassorte der Fa. Schott).
Aus einer GaAs-Substratscheibe mit der Dicke 300 μιτι und einer Zn-Dotierung von 5 · 1017/cm3 wird durch Ultraschallbohren eine Scheibe 1 mit 20 nun Durchmesser entnommen. Eine Seite der Scheibe ist poliert.
Es wird eine Glasscheibe 3, (ZKN 7 der Fa. Schott) mit dem Durchmesser 32 mm und der Dicke 3 mm hergestellt. Beide Seiten der Scheibe 3 sind poliert.
Glasscheibe 3 und Halbleiterscheibe 1 werden zeitweilig so auf einer Keramikhalterung montiert, daß die polierte Seite 2 der GaAs-Scheibe 1 das Glas 3 berührt. Die Keramikhalterung 4 besteht aus einer kreisförmigen Bodenplatte 5 von etwa 1 cm Dicke und 50 mm Durchmesser mit einer kreisförmigen Einlassung 6 von
' 100 μΐη Tiefe und 20,5 mm Durchmesser und der Justierhilfe 7; diese ist als Kreisring ausgebildet, mit einer Höhe von 2 mm, einer Wandstärke von 1 mm und einem inneren Durchmesser von 32,5 mm.
Die Keramikhalterung 7 wird zusammen mit dem darauf angeordneten Glas 3 und Halbleiter 1 in einen Ofen eingebracht und auf die Verbindungstemperatur T1. von 66O0C erwärmt.
f. 3
% Zur Fördenjng des Verbindungsvorgangs wird das in
"|. einem vertikal verschiebbaren Halter angeordnete Ge-ί wicht 10 von etwa 150 g auf das Glas 3 gelegt und nach % etwa 10 Min. wieder entfernt.
Anschließend wird die Ofentemperatur auf die Tem-
pertemperatur T3 von 555° C abgesenkt und bei dieser i. Temperatur mindestens 15 Minuten, vorzugsweise 30
Minuten gehalten. Bei dieser Tempertemperatur gilt für % das Glas ZKN / und den Halbleiter GaAs
ϊ ίο
¥- ' Ia0(T)- as(T)]UT
= + 1-10"
Γ 25°C
5
1 Die Zähigkeit des Glases ZKN 7 beträgt (555° C)
Z ^3 = 2,3 - 10n Pa - s.
ή Dei Verbundwerkstoff wird anschließend auf Zim-
ij mertemperatur abgekühlt mit einer AbkAhlungsge-
I schwindigkeit rvon 9 K/min.
I Eine danach hergestellte Verbindung von GaAs und
I Glas zeigt elastische Verzerrungen von £<O,2%o und
I eine Versetzungsdichte von 1,1 · 106/cm2.
I Dieser Verbundwerkstoff eignet sich hervorragend
:i als Fotokathode und wird zweckmäßig als Iichtempfind-
I licher Bestandteil einer Bildverstärkerröhre verwendet.
I Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich auch
I besonders gut zur Verbindung eines Glassubstrats mit
i einer aus verschiedenen Komponenten, z. B. Gallium-
*! arscnid und Gallium-Aluminium-Arsenid, bestehenden
6 Haibleiterschicht
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
40
45
50
65

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eher aus einem Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoff bestehenden Photokathode, deren mindestens eine Halbleiterschicht in der Weise dauerhaft mit einem plattenförmigen Glassubstrat verbunden wird, daß Halbleiter und Glas zusammen bis auf die Verbindungstemperatur erhitzt, unter Druckeinwirkung miteinander verbunden und anschließend wieder auf Zimmertemperatur abgekühlt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbundwerkstoff nach dem Verbindungsvorgang bei der Verbindungstemperatur Tc bei einer zwischen der Temperatur Tc und Zimmertemperatur liegenden Temperatur T3 getempert wird, bei der die Zähigkeit des Glases zwischen 10" und 1O12-3 Pa - s liegt und bei der gilt
DE2842492A 1978-09-29 1978-09-29 Verfahren zur Herstellung einer aus einem Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoff bestehenden Photokathode Expired DE2842492C2 (de)

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NL7907245A NL7907245A (nl) 1978-09-29 1979-09-28 Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal.
US06/080,948 US4311743A (en) 1978-09-29 1979-10-01 Semiconductor-glass composite material and method for producing it
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2909985C3 (de) * 1979-03-14 1981-10-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs und Verwendung eines solchen Verbundwerkstoffes
DE2909956A1 (de) * 1979-03-14 1980-09-18 Licentia Gmbh Halbleiter-glas-verbundwerkstoff
GB2094056B (en) * 1981-03-03 1985-08-21 English Electric Valve Co Ltd Photocathodes
US4477294A (en) * 1981-05-06 1984-10-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of forming GaAs on Aly Ga1-y As transmission mode photocathodehode
FR2515870A1 (fr) * 1981-11-04 1983-05-06 Labo Electronique Physique Photocathode pour entree de tube electronique comportant un dispositif semi-conducteur avec photo-emission par transmission
DE3242737A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer halbleiter-photokathode
DE3321535A1 (de) * 1983-04-22 1984-10-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer halbleiterphotokathode
FR2553934B1 (fr) * 1983-10-19 1986-09-05 Labo Electronique Physique Structure semi-conducteur-support vitreux et dispositifs realises avec une telle structure
NL8501773A (nl) * 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
US4717597A (en) * 1986-03-21 1988-01-05 Motorola Inc. Method for providing impurities into a carrier gas line
US5512375A (en) * 1993-10-14 1996-04-30 Intevac, Inc. Pseudomorphic substrates
US6181468B1 (en) * 1994-11-16 2001-01-30 Raytheon Company Composite infrared windows fabricated by direct bonding
US5818631A (en) * 1994-11-16 1998-10-06 Raytheon Company Electrically conducting, directly bonded infrared windows

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB994814A (en) * 1961-09-29 1965-06-10 Ibm Protective cover for electrical conductor bodies
US3241010A (en) * 1962-03-23 1966-03-15 Texas Instruments Inc Semiconductor junction passivation
US3408222A (en) * 1965-08-23 1968-10-29 Gen Electric Glass-silicon assemblies
GB1180908A (en) * 1966-11-17 1970-02-11 English Electric Co Ltd Improvements in or relating to processes for Forming an Insulating Coating on Silicon, and to Coated Silicon
GB1205652A (en) * 1967-12-04 1970-09-16 English Electric Co Ltd Coating materials
US3689357A (en) * 1970-12-10 1972-09-05 Gen Motors Corp Glass-polysilicon dielectric isolation
US3769536A (en) * 1972-01-28 1973-10-30 Varian Associates Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate
US3914136A (en) * 1972-11-27 1975-10-21 Rca Corp Method of making a transmission photocathode device
US3909332A (en) * 1973-06-04 1975-09-30 Gen Electric Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures
US4002799A (en) * 1973-11-23 1977-01-11 Technology Glass Corporation Glass sealed products
DE2517743C3 (de) * 1975-04-22 1980-03-06 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente

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Publication number Publication date
DE2842492A1 (de) 1980-04-03
NL7907245A (nl) 1980-04-01
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GB2040563B (en) 1983-02-16
GB2040563A (en) 1980-08-28

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