NL7907245A - Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal. - Google Patents

Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal. Download PDF

Info

Publication number
NL7907245A
NL7907245A NL7907245A NL7907245A NL7907245A NL 7907245 A NL7907245 A NL 7907245A NL 7907245 A NL7907245 A NL 7907245A NL 7907245 A NL7907245 A NL 7907245A NL 7907245 A NL7907245 A NL 7907245A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
glass
semiconductor
temperature
room temperature
bonding
Prior art date
Application number
NL7907245A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Licentia Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Gmbh filed Critical Licentia Gmbh
Publication of NL7907245A publication Critical patent/NL7907245A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/006—Arrangements for eliminating unwanted temperature effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/34—Photoemissive electrodes
    • H01J2201/342—Cathodes
    • H01J2201/3421—Composition of the emitting surface
    • H01J2201/3423—Semiconductors, e.g. GaAs, NEA emitters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312—Aligning
    • H01L2224/83136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01043—Technetium [Tc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01088—Radium [Ra]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

-1- ΙΓ.Ο. 28.173 ïïit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal.
3e uitvinding heeft betrekking op een uit een halfgeleider en . glas bestaand materiaal en een werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal.
Bekende, uit een halfgeleider en glas bestaande materialen 5 bezitten als regel geen bevredigende eigenschappen ten gevolge van sterke elastische vervormingen en een grote dichtheid van storings-plaatsen in het halfgeleiderdeel, die worden bepaald door de bij hoge temperatuur sterk niet-lineaire thermische uitzetting van het glas.
10 De uitvinding heeft ten doel een nieuw soort van een uit een halfgeleider en glas -bestaand materiaal te verschaffen met betere eigenschappen en tevens een werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal.
Dit doel wordt bereikt met een uit halfgeleider en glas be-15 staande materiaal waarbij ten minste één halfgeleiderlaag permanent met een plaatvormig glassubstraat is verbonden, welk materiaal vol---gens de uitvinding_Kiërdbór is gekenmerkt, dat voor de half geleiderlaag geldt: a) uitzetting £ 0,5 o/oo ' g _2 20 b) dichtheid van storingsplaatsen 2.10 cm
Toorts wordt het doel van de uitvinding bereikt met een werkwijze voor de vervaardiging van een zojuist genoemd, uit halfge-1 eidermateriaal en glas bestaand materiaal, welke werkwijze volgens de uitvinding hierdoor is gekenmerkt, dat de halfgeleider en het 25 glas tezamen tot de verbindingstemperatuur worden verhit, onder inwerking van druk met elkaar worden verbonden en vervolgens weer tot kamertemperatuur worden afgekoeld, waarbij het materiaal na het verbinden bij de verbindingstemperatuur T wordt getemperd bij een tussen de temperatuur T en kamertemperatuur liggende temperatuur 30 T , waarbij de taaiheid van het glas tussen 10 en 10 Pa.s
SL
ligt en waarbij geldt T = Ta I (L <*G (T) - as (T)_7 W < 3.10"4
J T = 25°C
35 waarin a_ en a_ de uitzettingscoëfficiënten van respectievelijk glas
Vj b en de halfgeleider· zijn.
7907245 t -2- Η '
Voorkeursuitvoeringen van de uitvinding zijn in de volgconclu-sies aangegeven.
De werkwijze volgens de uitvinding maakt de vervaardiging van een uit halfgeleider en glas bestaand materiaal mogelijk met aanzien-5 lijk minder elastische spanningen en een verminderde dichtheid van storingsplaatsen in het halfgeleidermateriaal. De uitzetting is bijvoorbeeld £ λ(Ό,3°/οο én de dichtheid van storingsplaatsen in het ' 6 2 halfgeleidermateriaal 2.10 per cm .
Voor de vervaardiging van het uit halfgeleider en glas bestaande 10 materiaal met behulp-van de werkwijze volgens de uitvinding^worden glas en halfgeleider tezamen verhit tot de verbindingstemperatuur en onder druk met elkaar verbonden. Aansluitend hierop wordt het materiaal niet snel tot kamertemperatuur afgekoeld, maar ten minste gedurende 15 minuten getempeerd bij de temperatuur T. De tempeertem-15 peratuur wordt hierbij zodanig gekozen, dat de taaiheid van het uit glas bestaande deel van het materiaal bij de warmtebehandeling 11 12 5 tussen 10 en 10 ’3 Pa.s ligt en de waarde van de integraal T ss Ta I I £ aG (T) - ag (T)_7 dT | <3.10“4 is.
20 T = 25°C
------Ua“beë*indiging van de warmtebehandeling wordt het materiaal tot kamertemperatuur afgekoeld. Hierbij wordt een afkoelsnelheid r in acht genomen, die op de volgende wijze van de taaiheid afhangt: r \ 2 . 10^ K/min.
* Da 25 Bij een uitvoeringsvoorbeeld van de uitvinding, dat aan de hand van de tekening nader zal worden verklaard, bestaat het nieuwe materiaal uit de halfgeleider GaAs en glas ZEH7 ( een glassoort van de firma .Schott).
Uit een substraatschijf van GaAs met een dikte van 300 /um en 1 1 x / 30 een doping met zink Vaft 5.10 /cnr wordt door middel van ultrasoon boren een schijf 1 met een diameter van 20 mm verkregen. Eén kant van de schijf wordt gepolijst.
Men vervaardigt een glasschijf 3 (ZKN7 van de firma Schott) met een doorsnede van 32 mm en een dikte van 3 Beide kanten van de 35 schijf worden gepolijst.
De glasschijf 3 en de halfgeleiderschijf 1 worden tijdelijk zodanig in een houder van keramisch materiaal aangebracht, dat de gepolijste kant 2 van de schijf 1 van GaAs tegen de glasschijf 3 aanligt. De uit keramisch materiaal vervaardigde houder 4 bestaat 7907245
-3- * C
uit een cirkelvormige bodemplaat 5 met een dikte van ongeveer 1 cm en een doorsnede van 50 mm en met een cirkelvormige verdieping 6 net een diepte van lOO^um en een doorsnede van 20,5 mm, en voorts een justeerinrichting 7· Deze inrichting bestaat uit een cirkelvormige 5 ring met een hoogte van 2 mm , een wanddikte van 1 mm en een inwendige doorsnede van 32,5 mm.
De uit keramisch materiaal vervaardigde houder 4 wordt tezamen met de erop aangebrachte glasschijf 5 en de halfgeleidershijf 1 in een oven geplaaisfc en verhit tot de verbindingstemperatuur van 6é0°C .
10 Ter bevordering van het verbindingsprocédé wordt een in een ver ticaal versfauifbare houder aangebracht gewicht 10 van ongeveer 150 g op het glas 5 gelegd en na ongeveer 10 minuten weer verwijderd.
Aansluitend hierop wordt de oventemperatuur verlaagd tot de temperatuur Ta van 555°C en ten minste 15 minuten en bij voorkeur 30 15 minuten op deze laatste waarde gehouden. Bij deze laatste temperatuur geldt voor het glas ZKN7 en de halfgeleider GaAs T = 555°0 I j /~aQ (T) - otg (T)_7 dT j = + 1 . 10"4
T = 25°C
20 De taaiheid van het glas ZKN7 bedraagt bij 555°C
= 2,3 .· 1011 Pa . s.
Het materiaal wordt. - aansluitend hierop afgekoeld tot kamertemperatuur met een afkoelsnelheid r van 9 K/min.
Een op deze wijze tot stand gebrachte verbinding van GaAs en 25 glas toont elastische vervormingen van £<0,2C '/οo en een dichtheid 6 2 van storingsplaatsen van 1,1 . 10 /cm .
Dit samengestelde materiaal is zeer geschikt als fotokathodé en kan zeer doeltreffend worden toegepast als lichtgevoelig onderdeel van een béeldversterkingsbuis.
30 De werkwijze volgens de uitvinding is ook bijzonder geschikt voor het verbinden van een glassubstraat met een halfgeleiderlaag die uit verschillende componenten bestaat, bijvoorbeeld galliumar-senide en galliumalnminiumarsenide.
(conclusies) 7907245

Claims (7)

1. Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal waarbij ten minste één halfgeleiderlaag permanent met een plaatvormig glassubstraat is verbonden, welk materiaal hierdoor is gekenmerkt, dat 5 voor de halfgeleiderlaag geldt a) uitzetting 0,3 o/oo 6-2 b) dichtheid van storingsplaatsen N^. 2.10 cm
2. Uit halfgeleider en glas bestaand materiaal volgens conclusie 1,met het kenmerk, dat de halfgeleiderlaag 10 bestaat uit met zink gedoopt galliumarsenide of uit een aantal op elkaar aangebrachte lagen van galliumarsenide en gallium-aluminium-'arsenide, dip op een substraat van ZKN7-glas zijn aangebracht.
3. Werkwijze voor de vervaardiging van een uit halfgeleider en glas bestaand materiaal volgens conclusie en/of 2, m e t het 15 kenmerk,- dat de halfgeleider en het glas tezamen tot de ver-bindingstemperatuur worden verhit, onder inwerking van druk met elkaar worden verbonden en vervolgens weer tot kamertemperatuur worden afgekoeld, waarbij het materiaal na het verbinden bij de ver-bindingstemperatuur wordt getempeerd bij een tussen de tempera- 20 tuur T en kamertemperatuur liggende temperatuur T , waarbij de taai- c ‘11 12 5 heid van het glas tussen 10 en 10 Pa.s ligt en waarbij geldt T = Ta I \Γ «G (*) - « (T) J cLT I < 3 · 10"4 'T = 25°C 25 waarin a_, en a„ de uitzettingscoëfficiënten van j respectievelijk Lr O glas en de halfgeleider zijn.
4· Werkwijze volgens conclusie 3> m e t het kenmerk, dat het temperen ten minste 15 minuten duurt.
5. Werkwijze volgens een van de conclusies 3 en 4> ® e t 30 het kenmerk, dat het materiaal na beëindiging van het'temperen met een afkoelsnelheid i'tót kamertemperatuur.wordt afgekoeld, waarbij v 2 . 10 „/ . r \ --- K/mm )a waarin ^ a de taaiheid van het glas is bij de temperingstemperatuur T . 35 a
6. Eotokathode met het kenmerk, dat deze' is vervaardigd uit materiaal volgens conclusie 1 of 2.
7. Beeldversterkingsbuis, met het kenmerk, dat een deel van deze buis is vervaardigd uit materiaal volgens con- 40 clusie 1 of 2. 7907245
NL7907245A 1978-09-29 1979-09-28 Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal. NL7907245A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2842492 1978-09-29
DE2842492A DE2842492C2 (de) 1978-09-29 1978-09-29 Verfahren zur Herstellung einer aus einem Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoff bestehenden Photokathode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7907245A true NL7907245A (nl) 1980-04-01

Family

ID=6050875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7907245A NL7907245A (nl) 1978-09-29 1979-09-28 Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4311743A (nl)
DE (1) DE2842492C2 (nl)
GB (1) GB2040563B (nl)
NL (1) NL7907245A (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2909956A1 (de) * 1979-03-14 1980-09-18 Licentia Gmbh Halbleiter-glas-verbundwerkstoff
DE2909985C3 (de) * 1979-03-14 1981-10-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs und Verwendung eines solchen Verbundwerkstoffes
GB2094056B (en) * 1981-03-03 1985-08-21 English Electric Valve Co Ltd Photocathodes
US4477294A (en) * 1981-05-06 1984-10-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of forming GaAs on Aly Ga1-y As transmission mode photocathodehode
FR2515870A1 (fr) * 1981-11-04 1983-05-06 Labo Electronique Physique Photocathode pour entree de tube electronique comportant un dispositif semi-conducteur avec photo-emission par transmission
DE3242737A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer halbleiter-photokathode
DE3321535A1 (de) * 1983-04-22 1984-10-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer halbleiterphotokathode
FR2553934B1 (fr) * 1983-10-19 1986-09-05 Labo Electronique Physique Structure semi-conducteur-support vitreux et dispositifs realises avec une telle structure
NL8501773A (nl) * 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
US4717597A (en) * 1986-03-21 1988-01-05 Motorola Inc. Method for providing impurities into a carrier gas line
US5512375A (en) * 1993-10-14 1996-04-30 Intevac, Inc. Pseudomorphic substrates
US5818631A (en) * 1994-11-16 1998-10-06 Raytheon Company Electrically conducting, directly bonded infrared windows
US6181468B1 (en) * 1994-11-16 2001-01-30 Raytheon Company Composite infrared windows fabricated by direct bonding

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB994814A (en) * 1961-09-29 1965-06-10 Ibm Protective cover for electrical conductor bodies
US3241010A (en) * 1962-03-23 1966-03-15 Texas Instruments Inc Semiconductor junction passivation
US3408222A (en) * 1965-08-23 1968-10-29 Gen Electric Glass-silicon assemblies
GB1180908A (en) * 1966-11-17 1970-02-11 English Electric Co Ltd Improvements in or relating to processes for Forming an Insulating Coating on Silicon, and to Coated Silicon
GB1205652A (en) * 1967-12-04 1970-09-16 English Electric Co Ltd Coating materials
US3689357A (en) * 1970-12-10 1972-09-05 Gen Motors Corp Glass-polysilicon dielectric isolation
US3769536A (en) * 1972-01-28 1973-10-30 Varian Associates Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate
US3914136A (en) * 1972-11-27 1975-10-21 Rca Corp Method of making a transmission photocathode device
US3909332A (en) * 1973-06-04 1975-09-30 Gen Electric Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures
US4002799A (en) * 1973-11-23 1977-01-11 Technology Glass Corporation Glass sealed products
DE2517743C3 (de) * 1975-04-22 1980-03-06 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente

Also Published As

Publication number Publication date
GB2040563B (en) 1983-02-16
GB2040563A (en) 1980-08-28
DE2842492C2 (de) 1986-04-17
US4311743A (en) 1982-01-19
DE2842492A1 (de) 1980-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7907245A (nl) Uit een halfgeleider en glas bestaand materiaal en werkwijze voor de vervaardiging van dit materiaal.
JPS62254439A (ja) 大面積の電力用電子デバイスを基板上に固定する方法
Deeying et al. Multi-objective optimization on laser solder jet bonding process in head gimbal assembly using the response surface methodology
US3566207A (en) Silicon-to-gold bonded structure and method of making the same
CN105081500B (zh) 一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法
US4645121A (en) Composite rotary anode for X-ray tube and process for preparing the composite
TW253856B (en) Method of solder bonding, and article produced by the method
JPS59225893A (ja) Ｔｉ又はＴｉ合金とＡｌ又はＡｌ合金との接合方法
EP1833088A1 (de) Verfahren zur Erstellung einer rissarmer Verbindung zwischen einer Wärmesenke und einer Substratplatte
JPS63212088A (ja) 均質低融点銅基合金
JPS6032343A (ja) パワ−半導体モジユ−ル基板
CN114799391B (zh) 一种碳化硅靶材的焊接方法
DE19833590C1 (de) Verfahren zur Verschweißung eines ausgedehnten optischen Bauteils an eine Metallbefestigung, deren Verwendung sowie die optische Baugruppe
JP4871589B2 (ja) 光学素子の接合方法
JPS61250167A (ja) 冷却板付きタ−ゲツトの製造方法
JPS6195788A (ja) 光磁気記録薄膜形成用複合ターゲット材
RU2560438C1 (ru) Способ соединения деталей оптического элемента из кристаллов гранатов
KR20060058979A (ko) Ｚｒ-Ｂｅ 합금층이 형성된 부착물의 제조방법 및 그부착물을 사용한 중수로용 핵연료봉의 용융브레이징접합방법
SU1636147A1 (ru) Способ пайки изделий из нержавеющей стали и меди
CN114905106B (zh) 一种基于Cu6Sn5取向复合涂层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法
RU2104850C1 (ru) Припой для пайки изделий и способ их пайки
JP4538671B2 (ja) 異種金属の接合方法および装置
JPS6256378A (ja) 炭化珪素−金属接合構造体
RU2092970C1 (ru) Способ соединения стекла, пьезоэлектрического кристалла с металлическим слоем из сплава на основе алюминия
JPS61210186A (ja) 金属体表面に多孔質金属層を形成する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed