JPS6032343A - パワ−半導体モジユ−ル基板 - Google Patents
パワ−半導体モジユ−ル基板Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はパワー半導体モジュール基板の改良に関する。
近年、パワー半導体素子に対する高密度集積化、ハイブ
リッド化、更には大電流の制御など、種々の要求が高ま
っている。こうした要求を達成しようとすると、半導体
素子より発生する多量の熱が問題となる。このため、発
生する多１寸の熱を放出して半導体素子の温度上昇を防
ぐ必要がある。
リッド化、更には大電流の制御など、種々の要求が高ま
っている。こうした要求を達成しようとすると、半導体
素子より発生する多量の熱が問題となる。このため、発
生する多１寸の熱を放出して半導体素子の温度上昇を防
ぐ必要がある。
このようなことから、従来、放熱基板を用いた第１図に
示すパワー牛導体モジュールが多用されている。即ち、
図中の１はＣｕ等からなるヒートシンクであり、このヒ
ートシンク１上には後記熱拡散板との絶縁を図るための
Ａ７．Ｏ，からなる第１絶縁板２□が半田層３を介して
接合されている。この絶縁板２１上には熱拡散板４が半
田層３を介して接合されている。また、この熱拡散板４
上には実装すべき半導体素子との絶縁を図るためのＡｌ
２Ｏ３からなる第２絶縁板２２・・・が半田層３を介し
て接合されている。そして、これら絶縁板２２・・・上
には半導体素子５・・・が半田層３・・・を弁して夫々
接合されている。なお、図中の６・・・は第１．第２の
絶縁板２□、２２・・・と半田層３の間に形成された接
合層である。
示すパワー牛導体モジュールが多用されている。即ち、
図中の１はＣｕ等からなるヒートシンクであり、このヒ
ートシンク１上には後記熱拡散板との絶縁を図るための
Ａ７．Ｏ，からなる第１絶縁板２□が半田層３を介して
接合されている。この絶縁板２１上には熱拡散板４が半
田層３を介して接合されている。また、この熱拡散板４
上には実装すべき半導体素子との絶縁を図るためのＡｌ
２Ｏ３からなる第２絶縁板２２・・・が半田層３を介し
て接合されている。そして、これら絶縁板２２・・・上
には半導体素子５・・・が半田層３・・・を弁して夫々
接合されている。なお、図中の６・・・は第１．第２の
絶縁板２□、２２・・・と半田層３の間に形成された接
合層である。
しかしながら、従来のパワー半導体モジュールに用いら
れる放熱基板は同第１図に示す如く非常に複雑となる欠
点があった。これは、第１゜第２の絶縁板２１＋２２・
・・を構成するＡ４０３は制圧が１００罰／信と良好で
あるものの、熱伝導率が２０Ｗ／ｎｎ・℃と低いために
、放熱と絶縁の両機能をＣｕとＡ１２ｏ３の両材料を用
いて満足させる必要があるからである。
れる放熱基板は同第１図に示す如く非常に複雑となる欠
点があった。これは、第１゜第２の絶縁板２１＋２２・
・・を構成するＡ４０３は制圧が１００罰／信と良好で
あるものの、熱伝導率が２０Ｗ／ｎｎ・℃と低いために
、放熱と絶縁の両機能をＣｕとＡ１２ｏ３の両材料を用
いて満足させる必要があるからである。
一方、最近、窒化アルミニウム（ｈｌｌＮ）は電気絶縁
性（１４０〜１７０ Ｖ ／ ｃｍ ）と熱伝導性（６
Ｑ ｗ／ｌ：ｒｎ・℃）が共に優れていることに着目し
、これをＣｕ部材に接合してモジュール基板を造ること
か試みられている。しかしながら、ＡｌＮはろう材に対
する濡れ性が劣るため、銀ろう材等でＡ ７ Ｎ ｉｊ
ｉ材とＣｕ部材を接合しようとしても充分な接合強度を
得ることはほとんど困難であった。
性（１４０〜１７０ Ｖ ／ ｃｍ ）と熱伝導性（６
Ｑ ｗ／ｌ：ｒｎ・℃）が共に優れていることに着目し
、これをＣｕ部材に接合してモジュール基板を造ること
か試みられている。しかしながら、ＡｌＮはろう材に対
する濡れ性が劣るため、銀ろう材等でＡ ７ Ｎ ｉｊ
ｉ材とＣｕ部材を接合しようとしても充分な接合強度を
得ることはほとんど困難であった。
本発明は簡素化された構造で、かつ良好な絶縁耐圧を有
することはもとより放熱特性の優れたパワー半導体モジ
ュール基板を提供しようとするものである。
することはもとより放熱特性の優れたパワー半導体モジ
ュール基板を提供しようとするものである。
本発明者らは、電気絶縁性及び熱伝導性が優れているも
のの、ろう材等との濡れ性の悪いＡＩＮに対する接合材
について鋭意研究を重ねた結果、ＴｉやＺｒ等の活性金
属がｈｌＮに対して良好な濡れ性を有することを究明し
、該活性金属又は活性金属と銅の合金を用いてＡｌＮ部
材とＣｕ部材を接合することによって、接合強度が高く
、既述の如く簡素化さｎた構造で放熱特性の優れたパワ
ー半導体モジュール基板を見い出した。
のの、ろう材等との濡れ性の悪いＡＩＮに対する接合材
について鋭意研究を重ねた結果、ＴｉやＺｒ等の活性金
属がｈｌＮに対して良好な濡れ性を有することを究明し
、該活性金属又は活性金属と銅の合金を用いてＡｌＮ部
材とＣｕ部材を接合することによって、接合強度が高く
、既述の如く簡素化さｎた構造で放熱特性の優れたパワ
ー半導体モジュール基板を見い出した。
部ち、本発明のパワー半４体モジュール基板はＡＡＮ部
材とＣｕ部材とを活性金属層又は活性金属とＣｕの合金
属を用いて接合して４Ｘるものである。
材とＣｕ部材とを活性金属層又は活性金属とＣｕの合金
属を用いて接合して４Ｘるものである。
次に、本発明のパワー半ｉｊ体モジュール基板の製造方
法を説明する。
法を説明する。
まず、ＡＡＮ部材とＣｕ部材の接合部にＴｉ、Ｚｒ。
Ｈｆなどの活性金属層又は活性金属とＣｕの合金層を介
在させる。この工程において、活性金属層等を前記接合
部に介在させる手段としては、例えば活性金属箔を用い
て介在させる方法、或いはＣｕ部材に活性金属層をスパ
ッタリング法、ＬＰＣ法（低圧プラズマコーティング法
）などにより堆積して介在させる方法等を採用し得る。
在させる。この工程において、活性金属層等を前記接合
部に介在させる手段としては、例えば活性金属箔を用い
て介在させる方法、或いはＣｕ部材に活性金属層をスパ
ッタリング法、ＬＰＣ法（低圧プラズマコーティング法
）などにより堆積して介在させる方法等を採用し得る。
次いで、ＡＡｉＮＡｌＮ部材部材の接合部を真空雰囲気
或いは不活性算囲気中にて加熱する。この工程において
、基本的には圧力を加えなくともよいが、必要に応じて
０．０１〜１１＆／ｉの低圧を加えて加熱してもよい。
或いは不活性算囲気中にて加熱する。この工程において
、基本的には圧力を加えなくともよいが、必要に応じて
０．０１〜１１＆／ｉの低圧を加えて加熱してもよい。
加熱温度はＣｕ部材の融点より低いことが必要である。
具体的には８７２〜１０８２℃の範凹で加熱すればよい
。
。
こうした熱処理によりＡｌＮ部材とＣｕ部材の間にＣｕ
と活性金属の合金融液が生成され、この後冷却すること
によりＡＡＮ部材とＣｕ部材とが強固に接合されたパワ
ー半導体モジュール基鈑が造られる。
と活性金属の合金融液が生成され、この後冷却すること
によりＡＡＮ部材とＣｕ部材とが強固に接合されたパワ
ー半導体モジュール基鈑が造られる。
なお、上記加熱工程において、更に加熱を続行して合金
融液をＣｕ部材に拡散させてもよい。
融液をＣｕ部材に拡散させてもよい。
このような方法を行なうことによって、熱衝撃によるＡ
１８部材のクラック発生を防止したパワー半導体モジュ
ール基板を得ることができる。即ち、Ｃｕ或いは活性金
属のような金属とｈｌｌＮとは熱膨張係数（Ｃｕ ；
１７Ｘ１０””６Ｘ℃、 Ａｊ？Ｎ： ４Ｘ１０−６Ｘ
℃）が大きく異なるため、接合部の温度が上昇したり、
下降したりすると、その接合部に大きな応力が生じる。
１８部材のクラック発生を防止したパワー半導体モジュ
ール基板を得ることができる。即ち、Ｃｕ或いは活性金
属のような金属とｈｌｌＮとは熱膨張係数（Ｃｕ ；
１７Ｘ１０””６Ｘ℃、 Ａｊ？Ｎ： ４Ｘ１０−６Ｘ
℃）が大きく異なるため、接合部の温度が上昇したり、
下降したりすると、その接合部に大きな応力が生じる。
この場合、Ｃｕはその硬度が低く、柔かいため、前記応
力により容易に変形してｊ、６カを緩和し易い。これに
対し、ＣｕとＴｉ、Ｚｒ７’ｊどの活性金属との合金は
硬く、変形し難いため、接合部にこれら合金層が圧く存
在すると、応力の緩和作月刀）ｌ卦さく、ｈｌｌＮ部材
に応力が加わってクラックが％’Ｅするものと考える。
力により容易に変形してｊ、６カを緩和し易い。これに
対し、ＣｕとＴｉ、Ｚｒ７’ｊどの活性金属との合金は
硬く、変形し難いため、接合部にこれら合金層が圧く存
在すると、応力の緩和作月刀）ｌ卦さく、ｈｌｌＮ部材
に応力が加わってクラックが％’Ｅするものと考える。
このようなことから、既述の如く接合部の合金をＣｕ部
材に拡散してその合金層の厚さを者しく薄くするか、或
いはほとんど存在しない′ＪＩ：態にすることによって
ＡＡＮＯ熱衝撃によるクラック発生を防止できる。こう
した合金の拡散を行なう隙は、Ｃｕ部材と活性金属の合
金融液を加圧して生成した場合、合金融液が接合部に生
成した時に圧力を解除して合金のＣｕ部材への拡散を行
なうことが望ましい。また、合金の拡散を行なう場合に
は拡散時間を短縮させる観点から活性金属層の厚さを１
００μｍ以下にすることが望ましい。
材に拡散してその合金層の厚さを者しく薄くするか、或
いはほとんど存在しない′ＪＩ：態にすることによって
ＡＡＮＯ熱衝撃によるクラック発生を防止できる。こう
した合金の拡散を行なう隙は、Ｃｕ部材と活性金属の合
金融液を加圧して生成した場合、合金融液が接合部に生
成した時に圧力を解除して合金のＣｕ部材への拡散を行
なうことが望ましい。また、合金の拡散を行なう場合に
は拡散時間を短縮させる観点から活性金属層の厚さを１
００μｍ以下にすることが望ましい。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
まず、絶縁板、熱放熱板及びヒートシンクを兼ねたＡｌ
ＮｌＮ板上１数東ＯＣｕ板１２・・・をトリクレン及び
アセトンで洗浄して脱脂した後、ＡＡＮ板１板上１ｕ板
１２・・・の接合部に厚ざ２０μｍのＴＩ箔を挿入し、
２ Ｘ １０−５ｔｏｒｒの真空度に保持したホットプ
レス中にセットした。つづいて、ＡＩＮ板１板上１数枚
のＣ＋１板１２・・・間に上下方向からｏ１１＆／−の
圧力を加え、高周波加熱により接合部を９３０℃に保持
した。加熱後、３０分間未満の時間で接合部が溶融した
。この後、アルゴンガス雰囲気中で冷却して第２図（Ａ
）に示す如＜ ｈｉｍ板１１にＣｕ根１２・・・をＣｕ
とＴｉを含む合金層１３・・・を介して接合した構造の
パワー牛導体モジュール基板しノを得た。
ＮｌＮ板上１数東ＯＣｕ板１２・・・をトリクレン及び
アセトンで洗浄して脱脂した後、ＡＡＮ板１板上１ｕ板
１２・・・の接合部に厚ざ２０μｍのＴＩ箔を挿入し、
２ Ｘ １０−５ｔｏｒｒの真空度に保持したホットプ
レス中にセットした。つづいて、ＡＩＮ板１板上１数枚
のＣ＋１板１２・・・間に上下方向からｏ１１＆／−の
圧力を加え、高周波加熱により接合部を９３０℃に保持
した。加熱後、３０分間未満の時間で接合部が溶融した
。この後、アルゴンガス雰囲気中で冷却して第２図（Ａ
）に示す如＜ ｈｉｍ板１１にＣｕ根１２・・・をＣｕ
とＴｉを含む合金層１３・・・を介して接合した構造の
パワー牛導体モジュール基板しノを得た。
得らｎたモジュール基）ｌＢ４はＡＡＮ板１板上１ｕ板
Ｉ２・・・とが合金属１３・・・により強固に接合され
たものであった。
Ｉ２・・・とが合金属１３・・・により強固に接合され
たものであった。
また、前記モジュール基板Ｌ」のＣｕ板１２・・・に第
２図（Ｂ）に示す如く半導体素子１５・・・をＰｄ −
８ｎ系半田１６・・・を介して実装したところ、半導体
素子１５・・・からの多量を熱をＣｕ ＆１２・・・及
びｈｌＮ叛１１より良好に放出できるパワー半導体モジ
ュールを得ることができた。
２図（Ｂ）に示す如く半導体素子１５・・・をＰｄ −
８ｎ系半田１６・・・を介して実装したところ、半導体
素子１５・・・からの多量を熱をＣｕ ＆１２・・・及
びｈｌＮ叛１１より良好に放出できるパワー半導体モジ
ュールを得ることができた。
実施例２
前記実施例１と同様、ＡＡＮ板とＣｕ板の接合部を９３
０℃に保持し、該接合部を浴融してＣｕとＴ１を含む合
金融液を生成した後、圧力を屑除去し、９５０°Ｃで９
６時間保持してＣｕとＴｉを含む合金をＣｕ板に拡散せ
しめてｉＮ板とｃｕ飯とが接合されたパワー半導体モジ
ュール基板を得た。
０℃に保持し、該接合部を浴融してＣｕとＴ１を含む合
金融液を生成した後、圧力を屑除去し、９５０°Ｃで９
６時間保持してＣｕとＴｉを含む合金をＣｕ板に拡散せ
しめてｉＮ板とｃｕ飯とが接合されたパワー半導体モジ
ュール基板を得た。
得られたモジュール基板の接合部を１００倍の元掌顕微
鏡で観察したところ、ＣｕとＴＩを含む合金層は観察さ
れず、かつＡＡＮ板のクラック発生もなく、良好な接合
状態を有することが確認された。また、実施例１と同様
、得られたパワー牛導体モジュール基板のＣｕ板上に半
導体素子をＰｄ Ｓｎｎ系山田介して実装したところ、
半導体素子からの多号の熱を良好に放出できると共に、
Ａ、６Ｎ板のクラック発生のない高信頼性のパワー半導
体モジュールを得ることができた。
鏡で観察したところ、ＣｕとＴＩを含む合金層は観察さ
れず、かつＡＡＮ板のクラック発生もなく、良好な接合
状態を有することが確認された。また、実施例１と同様
、得られたパワー牛導体モジュール基板のＣｕ板上に半
導体素子をＰｄ Ｓｎｎ系山田介して実装したところ、
半導体素子からの多号の熱を良好に放出できると共に、
Ａ、６Ｎ板のクラック発生のない高信頼性のパワー半導
体モジュールを得ることができた。
実施例３
まず、複数枚のＣｕ板１２・・・及びＣｏ製熱拡散板１
７を夫々トリクレン及びアセトンで脱脂した後、これら
Ｃｕ板１２・・・、熱拡散板１７の片面に６０ｔｏｒｒ
、アルゴン≧゛妬技、の条件の’、ｇＶ：圧プラズマ溶
射法により厚さ３０μｍのＣｕ Ｔｉ合金層（７２重、
叶％Ｃｕ−２８Ｍ量％Ｔｉ）を堆積した。つづいて、熱
拡散板１７のＣｕ−Ｔｉ合金層上に表面がトリクレン及
びアセトンで洗浄されたＡＩＮ板１板上１せ、更にＡＡ
Ｎ板ｌｌ上に複数枚のＣｕ板１２・・・を該Ｃｕ板１２
・・・片面上のＣｕ Ｔ１合金層がＡｌＮ板１１１μり
に位置するように載せ、２ｘｌＯ−５ｔｏｒｒの真空度
に保持したポットプレス中にセットした。ひきつづき、
上方のＣｕ板１２・・・と下方の熱拡散板１７の間に上
１方向から０．１１１Ｒｎｌの圧力を加え、毘周波加熱
によりｈｌｌＮ板１とＣＵ！Ｄ、Ｊ２・・・、及びｈＪ
ＩＮ板ｌと熱ｌ散板１７の接合部を９００℃ζこ保持し
た。加熱後、ｉｈちに各接合部が溶融した。この後、ア
ルコンカス雰囲気中で冷却してｋｌＮ板１１の上面にＣ
ｕ破１２・・・を、ＡＡＮ板１板上１面に熱拡散板１７
を、夫々Ｃｕとコ゛ｌを含む合金１ｊ者Ｊ ３ｒ・・・
を介して接合しブこ。次いで、Ｒ１弓広散板〕７の下面
にＣｕ表ヒートシンク１８をＰｃｔ Ｓｎ糸半田１６を
弁しで接合し第３図（Ａ）に示すパワー牛導体モジュー
ル基版Ｕ′を製造した。
７を夫々トリクレン及びアセトンで脱脂した後、これら
Ｃｕ板１２・・・、熱拡散板１７の片面に６０ｔｏｒｒ
、アルゴン≧゛妬技、の条件の’、ｇＶ：圧プラズマ溶
射法により厚さ３０μｍのＣｕ Ｔｉ合金層（７２重、
叶％Ｃｕ−２８Ｍ量％Ｔｉ）を堆積した。つづいて、熱
拡散板１７のＣｕ−Ｔｉ合金層上に表面がトリクレン及
びアセトンで洗浄されたＡＩＮ板１板上１せ、更にＡＡ
Ｎ板ｌｌ上に複数枚のＣｕ板１２・・・を該Ｃｕ板１２
・・・片面上のＣｕ Ｔ１合金層がＡｌＮ板１１１μり
に位置するように載せ、２ｘｌＯ−５ｔｏｒｒの真空度
に保持したポットプレス中にセットした。ひきつづき、
上方のＣｕ板１２・・・と下方の熱拡散板１７の間に上
１方向から０．１１１Ｒｎｌの圧力を加え、毘周波加熱
によりｈｌｌＮ板１とＣＵ！Ｄ、Ｊ２・・・、及びｈＪ
ＩＮ板ｌと熱ｌ散板１７の接合部を９００℃ζこ保持し
た。加熱後、ｉｈちに各接合部が溶融した。この後、ア
ルコンカス雰囲気中で冷却してｋｌＮ板１１の上面にＣ
ｕ破１２・・・を、ＡＡＮ板１板上１面に熱拡散板１７
を、夫々Ｃｕとコ゛ｌを含む合金１ｊ者Ｊ ３ｒ・・・
を介して接合しブこ。次いで、Ｒ１弓広散板〕７の下面
にＣｕ表ヒートシンク１８をＰｃｔ Ｓｎ糸半田１６を
弁しで接合し第３図（Ａ）に示すパワー牛導体モジュー
ル基版Ｕ′を製造した。
・ｐられたモジュール基板Ｌゴ′はＩＮ板１１とＣｕ坂
１２・・・、及びＡ＃Ｊ板１１と熱拡散板１７が夫々合
金層１３′・・によりｉｌ＋１０に接合されたものであ
った。
１２・・・、及びＡ＃Ｊ板１１と熱拡散板１７が夫々合
金層１３′・・によりｉｌ＋１０に接合されたものであ
った。
また、印］記モジュール基４反、す′のＣｕ板１２・・
・に第３図（Ｂ）に示す即く半導体素子１５・・・をＰ
ｄ −Ｓｎ系半田１６を介して実装したところ、半導体
素子１５・・・からの多量の熱をＣｕ板１２・・・、Ａ
ＡＮ板１１、熱拡散板１７及びヒートシンク１８より良
好に放出できるパワー牛導体モジュールを得ることがで
きた。
・に第３図（Ｂ）に示す即く半導体素子１５・・・をＰ
ｄ −Ｓｎ系半田１６を介して実装したところ、半導体
素子１５・・・からの多量の熱をＣｕ板１２・・・、Ａ
ＡＮ板１１、熱拡散板１７及びヒートシンク１８より良
好に放出できるパワー牛導体モジュールを得ることがで
きた。
実施例４
前記実施例３と同様、ポットプレス中にてＡＡＮ板とＣ
ｕ板、及びＡｌＮ板と熱拡散板の夫々の接合部を９００
℃に保持し、各接合部を溶融してＣｕとＴｉを含む合金
融液を生成した後、圧力を解除し、更に９５０℃で９６
時間保持して各接合部の合金をＣｕ板、熱拡散板に夫々
拡散せしめて接合した。つづいて、熱拡散板の下面にＣ
ｕ製ヒートシンクをＰｄ−８ｎ系半田を介して接合しパ
ワー半導体モジュール基板を製造した。
ｕ板、及びＡｌＮ板と熱拡散板の夫々の接合部を９００
℃に保持し、各接合部を溶融してＣｕとＴｉを含む合金
融液を生成した後、圧力を解除し、更に９５０℃で９６
時間保持して各接合部の合金をＣｕ板、熱拡散板に夫々
拡散せしめて接合した。つづいて、熱拡散板の下面にＣ
ｕ製ヒートシンクをＰｄ−８ｎ系半田を介して接合しパ
ワー半導体モジュール基板を製造した。
得られたモジュール基板におけるＡｌＮ板とＣｕ板、及
びＡｌＮ板と熱拡散板の各接合部を１００倍の光学顕微
鏡で観察したところ、ＣｕとＴｉを含む合金層は観察さ
れず、かつＡｌＮ板のクラック発生もなく、良好な接合
状態を有することがパワー牛導体モジュール基板のＣｕ
板上に半導体素子をＰｄ Ｓｎ系半田を介して実装した
ところ、半一導体素子からの多量の熱を良好に放出でき
ると共に、ＡｌＮ板のクラック発生のない高信頼性のパ
ワー半導体モジュールを得ることができた。
びＡｌＮ板と熱拡散板の各接合部を１００倍の光学顕微
鏡で観察したところ、ＣｕとＴｉを含む合金層は観察さ
れず、かつＡｌＮ板のクラック発生もなく、良好な接合
状態を有することがパワー牛導体モジュール基板のＣｕ
板上に半導体素子をＰｄ Ｓｎ系半田を介して実装した
ところ、半一導体素子からの多量の熱を良好に放出でき
ると共に、ＡｌＮ板のクラック発生のない高信頼性のパ
ワー半導体モジュールを得ることができた。
以上詳述した如く、本発明によれば簡素化された構造で
、良好な絶縁耐圧を廟することはもとより、放熱特性の
優れたパワー半導体モジュール基板を提供できる。
、良好な絶縁耐圧を廟することはもとより、放熱特性の
優れたパワー半導体モジュール基板を提供できる。
第１図は従来の放熱基板を有するパワー半導体モジュー
ルを示す断面図、第２図（Ａ）は本発明の実施例１にお
けるパワー半導体モジュール基板を示す断面図、同図（
Ｂ）は同図（Ａ）のモジュール基板に半導体素子を実装
したパワー半導体モジュールの断面図、第３図（Ａ）は
本発明の実施例３におけるパワー半導体モジュール基板
を示す断面図、同図ＣＢ）は同図（Ａ）のモジュール基
板に半導体素子を実装したパワー半導体モジュールの断
面図である。 ｚ Ｊ−ＡｌＮ板、１２・・・Ｃｕ版、Ｊ ３ 、 Ｚ
３’−・・合金層、±４ 、２４’・・・パワー半導
体モジュール基板、１５・・・半導体素子、１６・・・
半田、１７・・・熱拡散板、１８・・・ヒートシンク。
ルを示す断面図、第２図（Ａ）は本発明の実施例１にお
けるパワー半導体モジュール基板を示す断面図、同図（
Ｂ）は同図（Ａ）のモジュール基板に半導体素子を実装
したパワー半導体モジュールの断面図、第３図（Ａ）は
本発明の実施例３におけるパワー半導体モジュール基板
を示す断面図、同図ＣＢ）は同図（Ａ）のモジュール基
板に半導体素子を実装したパワー半導体モジュールの断
面図である。 ｚ Ｊ−ＡｌＮ板、１２・・・Ｃｕ版、Ｊ ３ 、 Ｚ
３’−・・合金層、±４ 、２４’・・・パワー半導
体モジュール基板、１５・・・半導体素子、１６・・・
半田、１７・・・熱拡散板、１８・・・ヒートシンク。
Claims (2)
- （１）窒化アルミニウム（Ａ７Ｎ ）部材と銅（Ｃｕ
）部材とを活性金属層又は活性金属と銅の合金層を用い
て接合してなるパワー半導体モジュール基板。 - （２）活性金属がＴｉ又はＺｒであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のパワー半導体モジュール基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131983A JPS6032343A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | パワ−半導体モジユ−ル基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131983A JPS6032343A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | パワ−半導体モジユ−ル基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300702A Division JP2519402B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | パワ―半導体モジュ―ル基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032343A true JPS6032343A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0586662B2 JPH0586662B2 (ja) | 1993-12-13 |
Family
ID=15289145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14131983A Granted JPS6032343A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | パワ−半導体モジユ−ル基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032343A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6342152A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Showa Denko Kk | 混成集積回路基板及びその製造方法 |
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| EP0788153A2 (en) | 1996-02-05 | 1997-08-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for semiconductor device using an aluminum nitride substrate material, and method of manufacturing the same |
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| US6261703B1 (en) | 1997-05-26 | 2001-07-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Copper circuit junction substrate and method of producing the same |
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-
1983
- 1983-08-02 JP JP14131983A patent/JPS6032343A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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| JP2000335983A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 接合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586662B2 (ja) | 1993-12-13 |
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