DE2925796A1 - Fotoleitendes material - Google Patents

Fotoleitendes material

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Description

BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf ein amorphes fotoleitendes Material. Das fotoleitende Material ist insbesondere für lichtempfindliche Dünn sch ich ten geeignet,· die in Speicherweise arbeiten.
Als amorphe Halbleitermaterialien, die fotoleitend sind, Bind bekannt ein Material mit einem Gruppe-IV-Element, wie Si oder Ge, als Hauptbestandteil,ein Material mit einem Gruppe-V-Blernent, wie As, als Hauptbestandteil und ein Material mit einem Gruppe-VI-Element, wie Se oder Te, als Hauptbestandteil. Unter diesen sind die beiden letztgenannten, gegenwärtig oft verwendeten Materialien toxische Substanzen. Deshalb gehen die Bestrebungen nach ungiftigen amorphen Materialien, deren Hauptbestandteile Si, Ge etc. sind.
In jüngerer Zeit wurden eine Wasserstoff (H) enthaltende amorphe Silicium-(Si-)Substanz, eine Wasserstoff enthaltende amorphe Germanium-(Ge-)Substanz und ein einer Legierung dieser beiden entsprechendes amorphes Material als aussichtsreiche Materialen für Elektronenvorrichtungen betrachtet. Über wasserstoffhaltiges amorphes Silicium und Germanium wurde beispielsweise bei J. Chevallier et al, Solid State Communications, Band 24, Seiten 867 bis 169, 1977 berichtet. Diese Materialien sind jedoch in ihrer Anzahl begrenzt und setzen Grenzen hinsichtlich der Eigenschaften, wenn man an das weite Anwendungsfeld dieser Materialien für Elektronenvorrichtungen denkt. Beispielsweise läßt sich der Bandabstand (E ), welcher der wichtigste Faktor zur Bestimmung der Eigenschaften eines Elektronenmaterials ist, nur im Bereich zwischen 0,8 und 1,65 eV auswählen, wenn man auf amorphe Materialien auf Si-oder Ge-Basis zurückgreift.
Ein wichtiges Anwendungsbeispiel für solche fotoleitenden Materialien ist ein Lichtempfängerfläche zur fotoelektrischen Wandlung. Verwendet man herkömmliche fotoleitende Materialien für lichtempfindliche Filme, die in Spei-
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cherbetriebsweise benützt werden, ergeben sich die unten genannten Probleme.
Eine wichtige Eigenschaft, die für eine fotoleitende Schicht erforderlich ist, besteht darin, daß ein in der fotoleitenden Schicht gespeichertes Ladungsmuster nicht innerhalb eines Zeitintervalls, in welchem ein bestimmtes Bildelement zur fotoelektrischen '!vandlun^ durch einen elektronenstrahl oder dergleichen abgetastet wird (d.h. also innerhalb einer Speicherzeit), durch Diffusion verschwinden darf. Dementsprechend werden üblicherweise Halbleitermaterialien, deren spezifdsehe Widerstände wenigstens 10 Si-cm betragen, beispielsweise Chalcogenid-Gläser auf Sb3S3-, PbO- und Se-Basis, verwendet. Bei Verwendung eines Materials, wie beispielsweise eines Si-Einkristalls, dessen spezifischer Widerstand weniger als 10 Ω»cm beträgt, muß die Oberfläche der fotoleitenden Schicht auf der Elektronenstrahlabtastseite in ein mosaikartiges Muster unterteilt sein, um das Abklingen des Ladungsmusters zu verhindern. Unter diesen Materialien erfordert der Si-Einkristall einen komplizierten Verarbeitungsprozeß. Die anderen Halbleiter hohen spezifischen Widerstands haben ein schlechtes Fotoansprechverhalten, weil sie üblicherweise Haftstellenniveaus in hoher Dichte aufweisen, welche den Durchgang von Fotoladungsträgern behindern, und bei darauf basierenden Abbildungsvorrichtungen besteht die Gefahr eines langen Nachhängens b2W. von Nachbildern.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß ein amorphes Material, welches Silicium (Si), Kohlenstoff (C) und Wasserstoff (H) als unverzichtbare Bestandteile enthält, nämlich ein amorphes Material mit durch die Formel (Si1 C)1, (E)„ (kurz geschrieben als'amorphes Si1 C (H)') ι— χ χ ι— y y ι—χ χ
ausgedrückter Zusammensetzung ein ausgezeichnetes fotoleitendes Material ist. Ein amorphes Material mit einer Zusammensetzung gemäß (Si1 C)1, (H). wobei 0,02 - χ - 0,3 und 0,02 - y < ι-χ χ i-y y
- 0,3 ist, ist als fotoleitendes Material bevorzugt. Im amorphen Material darf natürlich etwas an Fremdstoffen enthalten sein. Ein Teil der Zusammensetzung kann durch Germanium substituiert sein, welches ein Element ist,
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das zur gleichen Gruppe wie Si und C gehört. Eine Substitutionsmenge bis zu ungefähr 40 % des Kohlenstoffs ist im praktischen Gebrauch möglich.
Durch Herstellung des amorphen Materials mit Si und C läßt sich ein Bandabstand (E ) verwirklichen, der breiter als bei dem Material ist, das Si als Hauptbestandteil enthält. Dies bringt den bei dem amorphen Material mit Hi als Hauptbestandteil nicht vorhandenen Vorteil mit sich, daß sich ein spektrales Änsprechverhalten erreichen läßt, das näher bei der spektralen Lichtausbeute liegt. Im Zusammensetzungsbereich., in welchem χ = 0,3 oder weniger ist, ist die Veränderung des Bandabstands E in Abhängigkeit vom Kohlenstoffgehalt extrem linear und die Einstellung der Eigenschaften leicht, so daß dieses amorphe Material für den praktischen Gebrauch am geeignetsten ist.
Wenn χ kleiner als 0,02 ist, ist vom Standpunkt des praktischen Gebrauchs aus die Veränderung des Bandabstands Eg gering.
Hinsichtlich des Wasserstoffs andererseits wird vermutet, daß er ein Bestandteil ist, der insbesondere dahingehend wirkt, daß ein hauptsächlich aus Silicium und Kohlenstoff bestehendes Material amorph wird.
Ein zu hoher Wasserstoffgehalt vermindert jedoch die mechanische Festigkeit der Schicht selbst, und ebenso geht dadurch die thermische Stabilität zurück. Bei Anwendung auf eine Vorrichtung ist daher ein übermäßig viel Wasserstoff enthaltendes Material unter Lebensdauergesichtspunkten nicht günstig.
Ferner hat das amorphe Material gemäß der Erfindung den großen Vorteil, daß sich mit ihm ein Material hohen spezifischen Widerstands einfach gewinnen läßt.
Im Hinblick auf diese Vorteile ist das amorphe Material für einen lichtempfindlichen Film zur fotoelektrischen Wandlung, der in Speicherweise betrieben wird, brauchbar. Natürlieh kann es auch für lichtempfindliche Filme zu anderen Verwendungszwecken verwendet werden.
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Eine in Speicherbetriebsweise verwendete Lichtempfängerfläche umfaßt im allgemeinen wenigstens einen transparenten leitenden Film und einen fotoleitenden Film, wobei dieser fotoleitende Film als Einfach- oder Mehrfachschicht aufgebaut ist. Der Bereich des fotoleitenden Films, der auf den Einfall von Licht hin Paare aus freien Elektronen und positiven Löchern erzeugt, besteht aus dem amorphen Material der Zusammensetzung (Si1 C ) Λ (IJ) . Wenn das Material für eine Bildaufnahmeröhre usw. verwendet wird, sollte sein
10 spezifischer Widerstand wenigstens zu 10 Ω«cm, vorzugs-
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weise wenigstens zu 10 Ω«cm, gemacht werden.
Im folgenden wird-"die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung weiter erläutert. Auf dieser zeigt bzw. zeigen Figur 1 in schematischer Darstellung eine Apparatur zur Herstellung des fotoleitenden Materials gemäß der
Erfindung,
Figuren 2a und 2b eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht
eines Kathodenzerstäubungs-Targets (Sputter-Targets) , Figur 3 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Abscheidungsgeschwindigkeit beim Kathodenzerstäuben und der Filmzusammensetzung,
Figur 4 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem relativen Kohlenstoffgehalt und dem Flächenverhältnis zwischen Kohlenstoff und Silicium beim Kathodenzerstäubungs-Target,
Figuren 5 bis 11 Schnittansichten jeweils einer Lichtempfängerfläche, die das fotoleitende Material verwendet, Figur 12 eine graphische Darstellung des radialen Intensitätsprofils eines Elektronenbeugungsbilds des fotoleitenden Materials,
Figur 13 eine graphische Darstellung der Fotoleitfähigkeit des fotoieitenden Materials,
Figur 14 eine Schnittansicht einer Bildaufnahmeröhre des Fotoleitungstyps, welche ein typisches Beispiel eines Speicher-Fotosensors ist, und Figur 15 eine Schnittansicht eines Lichtempfängerabschnitts,
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die ein Beispiel eines das fotoleitende Material verwendenden Festkörper-Fotosensors zeigt. Das amorphe Material gemäß der Erfindung, das eine durch
die Formel (Si1- C)1- (H) ausgedrückte Zusammensetzung hat, kann nach verschiedenen Verfahren hergestellt werden.
Das erste Verfahren ist ein reaktives Kathodenzerstäuben. Figur 1 zeigt eine Modellansicht einer Apparatur , wie sie für das reaktive Kathodenzerstäuben verwendet wird. Die Apparatur selbst ist eine gewöhnliche Kathodenzerstäubungseinrichtung. 1 bezeichnet einen Kezipienten, der evakuiert werden kann, 2 ein Kathodenzerstäubungs-Target, 3 ein Probensubstrat, 4 eine Sperrblende, 5 einen Eingang für einen Kathodenzerstäubungs-Hochfrequenzoszillator, 6 eine Heizung zum Erwärmen des Substrats, 7 Kühlwasserleitungen zur Kühlung des Substrats, 8 eine Wasserstoffquelle hoher Reinheit, 9 einen Einlaß für ein Gas, wie etwa Argon, 10 einen Gasbehälter, 11 einen Druckmesser, 12 einen Vakuummesser und eine Anschlußöffnung an ein Evakuiersystem.
Silicium (Si) und Kohlenstoff (C) , verkörpert durch" Graphit, werden als Kathodenzerstäubungs-Target verwendet. Dabei wird das Target iri herkömmlicher Weise präpariert, indem Graphitscheiben 22 auf einem Siliciumsubtrat 21 angeordnet werden, wie dies beispielsmäßig in den Figuren 2a und 2b dargestellt- ist. Figur 2a ist eine Draufsicht des Targets, während Figur 2b eine Schnittansicht desselben darstellt. Durch geeignete Auswahl des Flächenverhältnisses zwischen Silicium und Kohlenstoff läßt sich die Zusammensetzung Si1- .C (H) steuern. Es ist selbstverständlich erlaubt, Siliciuinscheiben auf einem Kohlenstoff substrat anzuordnen. Ebensogut kann das Target durch Nebeneinanderanordnung beider Materialien aufgebaut sein.
Wenn Silicium, bei welchem vorab dafür gesorgt wurde, daß es beispielsweise Phosphor (P), Arsen (As), Bor (B), Gallium (Ga), Antimon (Sb), Indium (In) oder wismuth (Bi) enthält, als Kathodenzerstäubungs-Target verwendet wird, kann ein solches Element als Fremdstoffelement eingeschossen werden. Für die Gewinnung eines -Materials hohen spezifischen
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Widerstands wird eine Menge von höchsten 0,1 Atom-% im praktischen Gebrauch verwendet. Hier gilt das gleiche wie bei auf dem Gebiet der Halbleitermaterialien üblichen Techniken. Nach diesem Verfahren läßt sich das amorphe Si1-C (H) mit jedem gewünschten Leitungstyp, also n-Typ oder p-Typ, erzeugen. Daneben kann der Widerstandswert des Hal- -rials durch die "Ootiei ung mit dem Fremdstoff verändert werden. Selbst so hohe Widerstandswerte wie ungefähr 1O 3S1CHi ias&erj sich verwirklichen. Für den spezifistehen Dünkelv/icLerstanr! Rind 10 5f. ■ Cn> die Obergrenze im pr akt is eher. Gebr a uch.
Ferner läßt sich etwas Sauerstoff als Fremdstoff in das amorphe Material leicht einführen.
Bei Verwendung des oben beschriebenen Geräts wird in einer Argon-(Ar-) Atmosphäre, die Wasserstoff (H„) in verschiedenen Mischungsverhältnissen von maximal 30 MoI-S enthält, eine Hochfrequenzentladung herbeigeführt, damit das Silicium und der Graphit kathodenzerstäubt und auf dem . Substrat niedergeschlagen. Auf diese Weise erhält man eine Dünnschicht. Der Druck der wasserstoffhaltigen Ar-Atmosphäre kann dabei jeden Wert innerhalb eines Bereiches haben, in welchem eine Glimmentladung aufrechterhalten werden kann, wobei der Wert üblicherweise ungefähr 0,013 bis 1,3 mb (ungefähr 0,01 bis 1,0 Torr) beträgt. Zwischen 0,13 bis' 1 ,3 mb (0,1 und 1,0 Torr) ist die Entladung besonders stabil. Die Temperatur des Probensubstrats kann im Bereich zwischen Raumtemperatur und 573 K (3000C) ausgewählt werden. Temperaturen zwischen ungefänr 420 und 520 K (ungefähr 150 und 25O°C) sind die praktischsten. Der Grund dafür ist, daß bei zu tiefen Temperaturen der Einschuß von Wasserstoff in das amorphe Material schwierig ist, während umgekehrt bei zu hohen Temperaturen der Wasserstoff die Neigung hat, das amorphe Material zu verlassen.Es wurde bestätigt, daß für den Fall einer Substrattemperatur von 473 K (2000C) die Abscheidungsgeschwindigkeit auf dem Substrat in Abhängigkeit vom Mischungsverhältnis von Si und C in der in Figur 3 dargestellten Weise variiert.
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Nach diesem Verfahren läßt sich die Ausbildung des amorphen Si1- C (H) mit C-Konzentrationen von 0 bis 99 % wirksam durchführen, die Abscheidungsgeschwindigkeit wird jedoch extrem niedrig, wenn die Konzentration von C 100 % beträgt. Figur 4 ist eine graphische Darstellung der Zusammensetzungen des amorphen Si1- C (H) die durch Veränderung des Flächenverhältnisses zwischen den Komponenten Si und C des Targets erzeugt wurden. Der Wasserstoffgehalt in der Atmosphäre betrug beispielsweise 6 Mol-%, das Mischungsverhältnis zwischen Si und C kann jedoch in der Praxis als unabhängig vom Wasserstoffgehalt in der Atmosphäre betrachtet werden. Der Wasserstoffgehalt wird vielmehr durch Einstellung des Partialdruckes von Wasserstoff in der Ar-Atmosphäre gesteuert. Wenn der Wasserstoffgehalt in der Atmosphäre zu 5 bis 7 Mol-% gemacht wird, läßt sich ein Gehalt von ungefähr 30 Atom-% im amorphen Si1- C (H)
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verwirklichen. Hinsichtlich anderer Zusammensetzungen kann der Partialdurck von Wasserstoff mit auf diesen Anteil grob fixiertem Ziel eingestellt werden. Was die Wasserstoffkomponente im Material anbelangt, so wurde das durch Erwärmung erzeugte Wasserstoffgas durch Massenspektrometrie gemessen. Silicium und Kohlenstoff wurden nach der XPS-Methode (X-ray photoemission spectroscopy r Röntgen-Fotoemissionsspektroskopie) gemessen.
Das in der Atmosphäre vorhandene Argon kann durch andere Edelgase, wie etwa Krypton (Kr)> ersetzt sein.
Ein Verfahren, welches zur Gewinnung einer Probe hohen spezifischen Widerstands besonders bevorzugt ist, besteht in obigem Verfahren, das auf das reaktive Kathodenzerstäuben einer Siliciumlegierung in einer Mischatmosphäre, bestehend aus Wasserstoff und einem Edelgas, wie etwa Argon, zurückgreift. Als Kathodenzerstäubungseinrichtung ist eine Tieftemperatur-Hochgeschwindigkeits-Kathodenzerstäubungseinrichtung des Magnetron-Typs geeignet.
Ein zweites Verfahren zur Herstellung des amorphen Si1- C (H) nützt die Glimmentladung aus. Unter Verwendung
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eines Gasgemisches aus SiH. und CH. wird durch die Glimmentladung eine Zersetzung dieser organischen Substanzen und ein Niederschlag der Bestandteile auf einem Substrat bewirkt. Auf diese Weise wird das amorphe Si1- C (H) ausgebildet. Der Druck des aus SiH4 und CH4 bestehenden Gasgemisches wird dabei auf einem Wert zwischen 0,13 und 6,65 mb (0,1 und 5 Torr) gehalten. Die Glimmentladung kann dabei nach einem Gleichspannungs-Glinmientladungsverfahren oder einem Hochfrequenz-Glinunentlaciungsverfahren erzeugt werden. Durch Veränderung des Verhältnisses ?;>r\ sehen BiH4 und CH4, die das Gasgemisch bilden, läßt sich der Anteil von Si und C steuern. Zur Gewinnung von amorphem Si1 C (H) guter Qualität muß die Substrattemperatur bei 373 bis 473 K (100 bis 2000C) gehalten werden.
Amorphes Si1- C (H) des p-Typs oder des η-Typs kann derart erzeugt werden, daß 0,1 bis 1 Vol.-% an B0H, oder PH-. dem SiH4 und CH4 bestehenden Gasgemisch zusätzlich beigemischt werden.
Hinsichtlich der das Gemisch bildenden Gase können SiH4 und CH4 durch geeignete organische Substanzen, wie etwa C2H4, ersetzt werden. Als Gase zur Dotierung, wenn amorphes Si1- C (H) in den p- oder den η-Typ gebracht werden soll, sind Substanzen, wie AsH3, Sb(CH3).,, Bi(CHO3 usw. ebenfalls wirksam.
Das photoleitende Material gemäß der Erfindung läßt sich auch nach anderen Verfahren, beispielsweise durch Elektronenstrahlverdampfung in aktiver Wasserstoffatmosphäre oder durch Plasmazersetzung, herstellen.
Die Eigenschaften des fotoleitenden Materials gemäß der Erfindung lassen sich wie folgt zusammenfassen:
(1) Verglichen mit den Materialien aus kristallinem Si, amorphen Si, usw. hat das erfindungsgemäße Material eine Spektralempfindlichkeit zu einem Bereich kürzerer Wellenlängen hin. D.h., man kann ihm ein Empfindlichkeitsmaximum für Licht irgendeiner Wellenlänge zwischen ungefähr 650 nm und 450 nm verleihen.
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(2) Das erfindungsgeitiäße Material hat eine bessere Wärmebeständigkeit als amorphes Si(H) usw.
(3) Das Herstellungsverfahren für das erfindungsgemäße Material ist einfach, wobei verhältnismäßig niedrige Temperatüren (nicht mehr als 573 K (3000C)) bei der Herstellung genügen·.-
(4) Es ist einfach, große Flächen herzustellen.
(5) Die mechanische Festigkeit ist hoch.
(6) Es ist möglich, die Kosten zu verringern.
(7) Das erfindungsgemäße Mateiial hat. ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich seiner Bestätigkeit gegen Chemikalien, wie Alkalien. Beispielsweise löst sich amorphes Silicium auf, wenn es mit einer NaOH-Lösung in Berührung gebracht wird, wohingegen sich das erfindungsgemäße amorphe Material praktisch kaum auflöst,. -
Das fotoleitende Material gemäß der Erfindung ist nutzvoll bei Anwendung auf einen lichtempfindlichen Film zur fotoelektrischen Wandlung, der in Speicherweise betrieben wird.
Bei einem Fotosensor der Speicherbetriebsweise muß eine Hochwiderstandsschicht zur Speicherung und Beibehaltung des Ladungsmusters über eine bestimmte Zeit für die Erzielung einer hohen Auflösung nicht immer die gesamte fotoleitende Schicht sein, sondern es kann sich dabei auch um einen Teil der fotoleitenden Schicht handeln, der die Oberfläche, auf welcher das Ladungsmuster erscheint, enthält. Üblicherweise arbeitet die Hochwiderstandsschicht, wenn man sie als Ersatzschaltbild ausdrückt, kapazitiv. Als Anforderung von der Leitungskonstante her ist es daher wünschenswert/ .
daß die Schicht wenigstens 10 nm dick ist. Im allgemeinen wird die Dicke des fotoleitenden Films so ausgewählt, daß sie im Bereich zwischen 100 nm und 20 ym liegt.
Figur 5 zeigt ein Beispiel eines lichtempfindlichen Films, in welchem die oben beschriebene amorphe fotoleitende Hochwiderstandsschicht nur in einem Teil einer fotoleitenden Schicht 33 verwendet wird. Die fotoleitende Schicht 33 hat
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Doppelschichtaufbau, der aus einer amorphen fotoleitenden Hochwiderstandsschicht 37 und einer weiteren fotoleitenden Schicht 38 besteht. In diesem Falle werden durch in Richtung eines Schirmträgers 31 einfallendes Licht Fotoladungsträger in der fotoleitenden Schicht 38 erzeugt und diese in die amorphe fotoleitende Hochwiderstandsschicht injiziert, wo wie a.l~ Lad uivgs muster in der Oberfläche dieser Schicht gespeichert werden.Da die fotoleitende Schicht 38 nicht direkt mit der Speicherung zu tun hat, muß sie nicht immer den hoher-, ^p*?/fischen Widerstand von '»wenigstens 10 ,Q'cm haben und kann aus bekannten Fotoleitern CdS, CdSe, Se oder ZnSe bestehen.
Als eine lichtdurchlässige leitende Schicht 32 kann üblicherweise ein niederohmiger Oxidfilm aus SnO-/ In-O.,, Ti°2 °der dergleichen oder ein semitransparenter Metallfilm aus Al, Au oder dergleichen verwendet werden. Um den Dunkelstrom des Fotosensors zu vermindern und die Ansprechgeschwindigkeit zu erhöhen, ist es zweckmäßig, einen gleichrichtenden Kontakt zwischen dem transparenten leitenden Film 32 und der fotoleitenden Schicht 33 herzustellen« Durch Zwischenlegung einer dünnen n-Oxidschicht zwischen die fotoleitende Schicht 33 und den transparenten leitenden Film 32 ist es möglich, die Injektion von positiven Löchern aus dem transparenten leitenden Film 32 in die fotoleitende Schicht 33 zu unterdrücken. Es hat sich gezeigt, daß man damit einen guten gleichrichtenden Kontakt erreicht. Um den Kontakt als Fotodiode verwenden zu können, ist es wünschenswert, die Seite des transparenten leitenden Films zum positiven Pol und die Seite der amorphen Schicht zum negativen Pol zu machen. Figur 6 zeigt ein Beispiel eines Fotosensors, der einen solchen Aufbau aufweist. Eine n-0xidschicht 39 liegt zwischen dem transparenten leitenden Film 32 und der amorphen fotoleitenden Schicht 33. Figur 7 ist eine Schnittansicht, die ebenfalls ein Beispiel eines Fotosensors mit einer n-Oxidschicht zeigt.Sie ist die gleiche wie im Beispiel der
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Figur 6, mit Ausnahme, daß die fotoleitende Schicht 33 einen Mehrschichtaufbau, bestehend aus den Schichten 37 und 38, aufweist. Ein Fotoleiter, welcher eine Empfindlichkeit zum sichtbaren Bereich hin hat, ist üblicherweise ein HaIbleiter, dessen Bandabstand ungeführ 2,0 eV beträgt- In diesem Fall sollte dementsprechend die n-Oxidschicht. 39 zweckmäßigerweise einen Bandabstand von wenigstens 2,0 eV haben, damit sie nicht verhindert, daß Licht an der fotoleitenden Schicht 33 ankommt·> Zur Blockierung der Injektion von. positiven Löchern, aus dem transparenten leitenden Film 32 reicht eine n-Oxidschicht 39 mit einer Dicke von ungefähr 5 nm bis 100 ran aus. Als Materialien für diese Verwendung zeigen Verbindungen wie Ceroxid, Wolframoxid, Nioboxid, Germaniumoxid und Molybdänoxid günstige Eigenschaften. Da diese Materialien üblicherweise η-Leitfähigkeit zeigen, verhindern sie nicht, daß Fotoelektronen, die durch das Licht in der amorphen fotoleitenden Schicht 33 erzeugt worden sind, zum transparenten leitenden Film 32 abfließen. Wenn ein solcher lichtempfindlicher Film als Target einer Bildaufnahmeröhre verwendet wird, ist es wünschenswert, daß als Strahllandeschicht zusätzlich eine Schicht aus Antimontrisulfid über die Oberfläche der fotoleitenden Schicht 33 gelegt wird, um die Injektion von Elektronen aus dem Abtastelektronenstrahl zu verhindern und die Emission von Sekundärelektronen aus der fotoleitenden Schicht zu
unterdrücken. Zu diesem Zweck wird der Antimontrisulfidfilm unter Argongas eines niedrigen Druckes zwischen 1,3 · 10 b (1-10~3Torr) und 1,3 - 10~5b (1-10~2Torr) aufgedampft, wobei die Dicke des Filiris ausreicht, wenn sie im Bereich zwischen 10 nm und 1 ym liegt. Figur 8 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel dieses Aufbaus zeigt. Der transparente leitende Film 32 und der fotoleitende Film 33 werden auf dem lichtdurchlässigen Substrat 31 angeordnet, und ferner ist ein Antimontrisulfidfilm 41 auf dem entstandenen Aufbau ausgebildet. Auch Figuren 9 bis 11 sind Schnittansichten, die Beispiele zeigen, bei welchen der Antimontrisulfidfilm 41 auf dem fotoleitenden Film 33 ausgebildet ist. Hierbei
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zeigt Figur 9 ein Beispiel, bei welchem der fotoleitende Film 33 die Schichtstruktur, bestehend aus den Schichten 37 und 38, hat, während Figuren 10 und 11 Beispiele zeigen, bei welchen obige Maßnahme auf einen Aufbau angewandt ist, bei welchem die n-Oxidschicht 39 zwischen dem fotoleitenden Film 33 und der transparenten Elektrode 32 vorliegt.
Hinsichtlich der fotoleitenden Schicht 33 wurden Beispiele eines Einschichtenaufbaus und Beispiele eines Zweischichtenaufbaas aus den Schichten 37 und 38 beschrieben, ebensogut kann die fotoleitende Schicht aber auch aus noch mehr Schichten aufgebaut, sein. In diesem Fall versteht sich, daß der Teil, der dazu dient, das Ladungsmuster zu speichern, als Hochwiderstandsschicht in der oben beschriebenen Weise ausgebildet ist.
Die Zusammensetzung kann ebensogut kontinuierlich verändert werden.
Die Aufbauten der soweit erläuterten verschiedenen Lichtempfängerflächen können nach dem Verwendungszweck ausgewählt werden.
Die Merkmale der oben beschriebenen Licht'empfängerflachen lassen sich folgendermaßen zusammenfassen:
(1) Eine hohe Auflösung von ungefähr 800 Linien pro 2,54 cm (1 inch) läßt sich verwirklichen.
(2) Verglichen mit Lichtempfängerflächen aus kristallinem Si, amorphen Si usw., hat die erfindungsgemäße Lichtempfängerfläche eine Spektralempfindlichkeit zu kürzeren Wellenlängen hin. D.h., sie kann mit einem Empfindlichkeitsmaximum für Licht irgendeiner Wellenlänge zwischen ungeführ 560 nm und 450 nm ausgestattet werden.
(3) Nachbilder -ersten nicht auf, was eine sehr günstige Eigenschaft ist.
(4) Die Lichtempfängerfläche gemäß der Erfindung hat ausgezeichnete Wärmebeständigkeit. Insbesondere zersetzt sich das die Lichtempfängerfläche gemäß der Erfindung bildende Material mit einem C-Gehalt von 30 % erst bei 773 K (5OO°C) während sich amorphes Si(H) bereits bei ungefähr 620 K (ungefähr 3500C) zu zersetzen beginnt.
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(5) Die mechanische Festigkeit ist hoch.
(6) Das Herstellungsverfahren ist einfach.
(7) Es ist kein toxisches Element enthalten, so daß eine Umweltgefährdung nicht zu befürchten ist.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf Beispiele im einzelnen erläutert.
Beispiel 1
Amorphes (Si1 CJ1 (H) verschiedener Zusammen-Setzungen wurde durch die weiter oben beschrieben reaktive Kathodenzerstäubung hergestellt. Bei der verwendeten Kathodenzerstäuburigseinrichtung handelte es sich um das in Figur 1 gezeigte Magnetron-Gerät. Das Substrat, auf welchem der Film abgeschieden wurde, bestand aus Glas, die Substrattemperatur wurde zu 473 K (2000C) gemacht. Das Zusammen-Setzungsverhältnis zwischen-Si und C wurde durch das Verhältnis der Flächen, die die Komponenten Si und C auf einem
Target einnahmen, gesteuert.
Beispiele von durch reaktive Kathodenzerstäubung hergestellten Proben sind in Tabelle 1 aufgelistet.
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TABELLE 1
Proben- 1 —X C JC J1 V(H y Bandabstand Energie der Mitte
Nr. X 1-y (eV) der Spektralempfind
0,01 y lichkeit (eV)
1 0,02 0,3 ^ 1 ,67 •v 2,21
2 0,05 0, ί ^ 1,68 ^ 2,23
3 C,'' 0, 3 -, 1,74 -v 2,28
4 0,15 V. > ; 3 Ί> ! , θ4 ".■ 2,37
j. 0,2 0,3 - ?,49
6 0,25 0,3 ^ 2,56
7 0,3 0,3 ^ 2,67
8 0,02 0,3 λ, 2,76
9 0,1 0,1 •v 2,19
10 0,3 0,1 ^.2,35
11 0,4 l 0,2 * 2,73
12 0,6 0,2 Niedrige Fotoempf.
13 0,6 0,2 Niedrige Fotoempf.
14 0,05 Fast keine Fotoempf.
-- ■>, 94
^ 2,03
ν 2,14
ι. 2,20
^ 1,66
^ 1 ,80
-ν 2,15
-v 2,10
^ 1,80
^ 1,40
Verschiedene Eigenschaften wurden für einen Film einer Dicke von 500 nm gemessen. Die Gasatmosphäre war ein Gasgemisch, bestehend aus Argon und Wasserstoff, bei einem Druck von weniger als 0,133 mb (0,1 Torr). Die Hochfrequenzleistung lag bei einer Frequenz von 13,65 MHz und einer Eingangsleistung von 250 W. Wie aus Tabelle 1 ersichtlieh, läßt sich durch Steuerung der Zusammensetzung bei dem fotoleitenden i-laterial gemäß der Erfindung das Empfindlichkeitmaximurn auf Licht jeder beliebigen Wellenlänge zwischen ungefähr 560 nm und 450 nm einstellen. Figur 12 ist eine graphische Darstellung des radialen Intensitätsprofils des Elektronenbeugungsbilds der Probe Nr. 8. Daraus läßt sich die Bestätigung gewinnen,da'ß das Material amorph ist. Die Intensitätsprofile sind über den gesamten Zusammensetzungsbereich der Materialien ähnlich, was anzeigt, daß die Materialien alle amorph sind.
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Es wurde der Fotoleitwirkungsgrad bzw. die Fotoleitausbeute für Licht einer Quantenenergie von 2,6 eV gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 dargelegt.
Der Fotoleitwirkungsgrad wurde in einer solchen Weise gemessen, daß Elektroden an beiden Enden eines amorphen Dünnfilms durch Aufdampfung von Aluminium aufgebracht wurden und daß der Widerstand zwischen beiden Enden gemessen wurde. Eine Xenon-Lampe wurde als Lichtquelle verwendet, wobei die Einstrahlung von Licht einer 2,6 eV entsprechenden WeI it-nlänge spektirometrisch erreicht wurde. Der Fotoleitwirkungsgrad ist in Relativwerten angegeben, wobei der Fall χ = 0 1,O gesetzt ist.
TABELLE 2
<Si1-xCx>1-yiH>y y Relativwert des Fotoleit
wirkungsgrads
X 0,3
0,3
0,3
0,3		 «v» 1,0
^2,0
* 2,7
ι- 2,2
0
0,1
0,2
0,3
Aus den Ergebnissen der Tabelle 2 entnimmt man, daß sich das Maximum der spektralen Empfindlichkeit mit Zunahme des Kohlenstoffgehalts χ zur Seite höherer Energie hin verschiebt.
Figur 13 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der Fotoleitfähigkeit und der Energie des einfallenden Lichts bei einem amorphen Si1- C (H) zeigt, bei welchem χ = 0,14 und y = 0,2 ist.
Ferner hat das amorphe Si1- C (H) gemäß der Erfindung ausgezeichnete Wärmebeständigkeit. Das Bestehen dieser Tatsache wird sehr deutlich beispielsweise durch die Messung der Ansah! von Wasserstoffatomen gestützt, die infolge
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der Erwärmung des Materials abgegeben werden. Tabelle 3 gibt ein Beispiel des Ergebnisses.
TABELLE 3
?.ir.orphes Temperatur, bei Anzahl von
Si(H) welcher die abge abgegebenen
amorphes gebene Wasserstoff Wasserstoffato
SiO,7CO,3(H) menge ein Maximum men (/cm3/Grad)
zeigt im Maximum
Vergleichs 773 K
beispiel (5000C) ο * IU
Erfindung 973 K ■5 · 1019
(7000C)
Was die Materialien gemäß der Erfindung anbelangt, so ist die Temperatur, bei welcher die Menge an abgegebenen Wasserstoff eine Spitze zeigt, ungefähr proportional dem Kohlenstoffgehalt. Selbst wenn der Kohlenstoffgehalt 0,1 Atom-% beträgt, ist die Temperatur, bei welcher sich das Maximum zeigt, ungefähr 840 K (ungefähr 57O°C), somit die Wärmebeständigkeit also sehr groß.
Das fotoleitende Material gemäß der Erfindung zeigt also einen außerordentlich bemerkenswerten Effekt in Bezug auf die Wärmebeständigkeit.
Es wurde weiter oben ausgeführt, daß Wasserstoff eine besondere Wirkung hinsichtlich des Amorphmachens des Materials hat. Die Rolle des Wasserstoffs wird folgendermaßen gesehen.
Es ist bekannt, daß im allgemeinen in der Umgebung von Normaltemperatür und Normaldruck synthetisierter'Kohlenstoff Graphitstruktur mit Dreierkoordination annimmt und ein Halbmetall und nicht eine Halbleitersubstanz mit Diamantstruktur mit Viererkoordination wird. Wenn man also einfach Kohlenstoff in eine amorphe Substanz auf Si-Basis, die Diamantbindung der Viererkoordination hat, mischt, ist folglich
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nicht zu erwarten, daß eine amorphe Substanz auf Si-C-Basis mit Viererkoordination synthetisiert wird. Dazu im Gegensatz läßt sich durch Einführung von Wasserstoff das amorphe Si1- C (H) verwirklichen, das sich bei Elektronenvorrichtungen nutzbringend anwenden läßt. Von diesem Material nimmt man an, daß es folgendermaßen aufgebaut ist. Die sogenannte Diamantstruktur mit Viererkoordination, bei welcher die Anordnung der nächsten Nachbaratome derart istf daß ein Si-Atom in der Mitte eines regelmäßigen Tetraeders liegt und die benachbarten Si-Atome die Ecken des regelmäß8gen Tetraeders einnehmen, bildet die Grundeinheit, während freie Bindungen, die wegen der Amorphheit unausweichlich vorhanden sind, mit Wasserstoff (H) in Formen wie Si-H und SiCS, aufgefüllt werden.
Unter Verwendung von Si-Kathodenzerstäubungstargets,
19 -3 von denen jedes ungewähr 10 cm an B oder P enthielt, wurden die in Tabelle 4 aufgelisteten Materialien hergestellt. Es konnten so n- und p-leitende Materialien gewonnen werden.
TABELLE 4
Prober
Nr.		 51I-X^ 1-y(H)y y Band
abstand
(eV)		 Energie der
Mitte der
Spektral-
empfindlich-
ket (eV)		 Fremd
stoff im
Target		 Leitungs-
1
2
3		 X 0,3
0,3
0,3		 λ. 1,85
- 1,85
-ν- 2,20		 * 2,37
* 2,37
* 2,75		 B
P
P		 p-Typ
n-Typ
n-Typ
0,1
0,1
O,3
Beispiel 2
In diesem Beispiel wird die Anwendung des amorphen Materials gemäß der Erfindung bei einer Lichtempfängerfläche für eine Bildaufnahmeröhre erläutert.
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Auf einem Glassubstrat 1 wurde ein transparenter leitender Film aus Zinnoxid nach einem Verfahren, bei welchem SnCl, in Luft thermisch zersetzt wird, ausgebildet. Nachfolgend wurde ein Target, bei welchem ein Graphitstück mit einer Reinheit von 99,9999 % auf einem Substrat aus polykristallinem Silicium mit einer Reinheit von 99,99999 % angeordnet war, in einer Hochfrequenz-Kathodenzerstäubungseinrichtung angebracht. Durch Veränderung des Verhältnisses der Silicium- und Kohlenstoffflächen wurden verschieden Proben bergen teilt. Ein amorpher Sjlciumfilm 3 wurde auf dem transparenten leitenden Film durch reaktive Kathodenzerstäubung für verschiedene Mischatmosphären, welche aus Argon eines Drucks von 5,65 · 10 b (5*10 Torr) und Wasserstoff eines Drucks von 3,99 ■ 10~7 bis 3,99 · 10 b (3*1O~4 bis 3-10~3Torr) bestanden, hergestellt- In allen Fällen wurde das Substrat bei 473 K (2000C) gehalten. Die Hochfrequenzleistung wurde auf eine Frequenz von 13,65 MHz und eine Eingangsleistung von 250 W eingestellt. Die Dicke des amorphen Siliciumfilms betrug ungefähr 2 ym. Beispiele von Proben mit den so ausgebildeten amorphen
(Si., C).. (H) -Filmen sind in Tabelle 5 aufgelistet. ι—χ χ ι —y y
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- 21 -
TABELLE 5
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Proben-
Nr.		 (Si1-xC x> i-y(h)y Spezifi
scher Wider
stand (Ω -cm)		 1012 Energie der Mitte
der Spektral
empfindlichkeit
(eV)
X Y <\ι 2 ·■ 1012
ίο12 		* 2,21
1 0,01 0,3 θ; 2 *
-v 3 -		 1012 * 2,2 3
■v 2,28
2
3		 0,02
0,05		 0,3
O, 3		 'V, S <■ 1012 •u 2,37
4 0,1 ■ 0, .: »ν* 6 · 1012 ^ 2,49
5 0,15 0,3 ■v 6 · 1012 •v 2,56
6 0,2 0,3 1V 6 * 1012 λ, 2,67
7 0,25 0,3 'x* 4 · 1012 «x. 2,76
8 0,3 0,3 *\* "1 · 1012 -ν 2,19
9 0,02 O/l t\j j · 1012 -v 2,35
10 0,1 0,1 <v 4 ♦ «v 2,73
11 0,3 0,2
Wenn die in dieser Weise ausgebildeten Lichtempfänger flächen für Bildaufnahmeröhren des Vidikon-Typs verwendet wurden, so ergaben sich hervorragende Bildaufnahmeeigenschaften ohne Nachbilder.
Eine Fotoleit-Bildaufnahmeröhre, die im Speicherbetrieb arbeitet, hat den in Figur 14 gezeigten Aufbau. Sie setzt sich zusammen aus einem lichtdurchlässigen Substrat 31, üblicherweise "Schirmträger" genannte, einem transparenten leitenden Film 32, einer fotoleitenden Schicht 33, einer Elektronenkanone 34 und einem Röhrenkolben 35. Ein auf der fotoleitenäen Schicht 33 durch den Schirmträger 31 hindurch ausgebildetes optisches Bild wird fotoelektrische gewandelt und als Ladungsmuster in der Oberfläche der fotoleitenden Schicht 33 gespeichert. Das gespeicherte Ladungsmuster wird durch einen Abtastelektronenstrahl 36 zeitsequentiell ausgelesen.
Wenn die fotoleitende Schicht gemäß der Erfindung in der in Figur 14 gezeigten-Weise als Target der Bildaufnahmeröhre verwendet wird, ist es zweckmäßig, auf der Oberfläche der
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fotoleitenden Schicht 33 Antiraontrisulfid als Strahllandeschicht aufzuschichten, um die Injektion von Elektronen des Abtastelektronenstrahls 36 zu verhindern und die Erzeugung von Sekundärelektronen aus der fotoleitenden Schicht 33 zu unterdrücken.
Zu diesem Zweck wird der Antimontrisulfidfilm unter Argongas bei einem Druck zwischen 1,33 · 10 b (1 ■ 10 Torr) und 1-10 b (1 · 10 Torr) aufgedampft, wobei die Dicke des Films in Bereich zwischen 10 nm und 1 ym sein kanr. Figur 8 zeigt emc Schnittansicht eines Beispiels dieses Aufbaus. Der transparente leitende Film 32 und der fotoleitende Film 33 sind auf dem lichtdurchlässigen Substrat 31 aufgebracht und außerdem der Antimontrisulfidfilm 41 darauf ausgebildet.
Beispiel 3
Dieses Beispiel wird unter Bezugnahme auf Figur 7 beschrieben. Es ist ein Beispiel, bei welchem ähnlich wie bei Beispiel 2 das amorphe Material für die Lichtempfängerfläche einer Bildaufnahmeröhre verwendet wird. Ein Gemisch, bestehend aus SnO2 und In3O3, wurde auf einem Glassubstrat 31 mittels der bekannten Kathodenzerstäubung aufgebracht, wobei ein transparenter leitender Film 32 mit einer Dicke' von 150 nm ausgebildet wurde. Unter Verwendung eines Molybdänschiffchens wurde CeO3 auf den Film 32 in einer Dicke von 20 nm vakuumaufgedampft:. Auf diese Weise wurde eine n-Oxidschicht 39 ausgebildet. Ein Target, bei weichem ein hochreines Graphitplättchen (0,5 mm dick) mit einem Flächenanteil von 45 % auf einem mit 0,5 ppm Bor dotierten Siliciumeinkristall angeordnet war, wurde in einer Kochfrequenz-Kathodenzerstäubungseinrichtung angebracht. Nachfolgend wurde ein amorpher Silicium-K.ohlenstoffilm 33 auf dem entstandenen Substrat in einer Dicke von 100 nm in einer Atmosphäre, die aus Argon eines Drucks von 6,65 · 10 b (5 · 10~ Torr) und Wasserstoff 5 eines Drucks von 3,99 ' 10~6 b (3 · 10 Torr) bestand, ausgebildet. Das Substrat wurde dabei auf einer Temperatur
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von 423 K (150°C) gehalten. Der so gebildete amorphe Silicium-Kohlenstoffilm enthielt ungefähr 40 Atom-% Wasserstoff. Ferner wurde der Partialdruck von Argon auf 1,33* 1Ob (1 · 10 Torr) angehoben, worauf in der Mischatmosphäre, bestehend aus dem Argon und dem bereits enthaltenen Wasserstoff, ein amorpher Siliciumfilm 37 auf dem Film 38 in einer Dicke von 3 ym unter Verwendung eines hochreinen Siliciumtargets ausgebildet wurde. Dieser amorphe Siliciumfilm enthielt ungefähr 25 Atom-% Wasser-
1 2
stoff und hatte einen spezifischen Widerstand von 10 Ω«cm.
Die so ausgebildete Lichtempfängerfläche wurde als Target für eine Bildaufnahmeröhre des Vidikon-Typs verwendet. Da diese Lichtempfängerfläche einen gleichrichtenden Kontakt hatte, war die Foto-Ansprechgeschwindigkeit hoch und der Dunkelstrom niedrig. Da der amorphe Silicium-Kohlenstofffilm hoher Wasserstoffkonzentration nahe der lichteinfallsseitigen Ebene eingebaut war, verminderte sich infolge eines größeren Bandabstands als im Siliciumfilm der Einfluß der Oberflächenrekombination, so daß sich eine hohe Empfindlichkeit im blauen Bereich zeigte.
Ein äquivalenter Effekt läßt sich erreichen, wenn man die n-Oxidschicht aus Wolframoxid, Nioboxid,' Germaniumoxid, Molybdänoxid oder dergleichen macht.
Ferner ist es für das Target einer Videkon-Bildaufnahmeröhre günstig, wenn ein Antimontrisulfidfilm auf dem aus den Schichten 38 und 37 bestehenden fotoleitenden Film 33 ausgebildet wird. Für die Ausbildung des Antimontrisulfidfilms kann auf folgendes Verfahren zurückgegriffen werden. Das Substrat, weiches den aus den zusammengesetzten amorphen Siliciumfilmen bestehenden fotoleitenden Film aufweist, wird in einer Vakuumaufdampfapparatur angebracht. Unter Ärgon-
— fi — 3
gas eines Druckes von 3,99 · 10 b (3 · 10 Torr) wird Antimontrisulfid in einer Dicke von 100 nm aufgedampft. Dies entspricht dem in Figur 11 gezeigten Aufbau. Mit dem vorliegenden Beispiel wurde der Fall beschrieben, daß der amorphe Silicium-Kohlenstoffilm 38 gestuft
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zwischen die Schichten 32 und 37 eingefügt wird, um eine der Oberflächenrekombination zuschreibbare Verminderung der Empfindlichkeit für Blau zu vermindern. Der aus den Schichten 38 und 37 aufgebaute fotoleitende Film 33 braucht jedoch nicht gestuft aufgebaut zu sein, sondern seine Zusammensetzung kann ebensogut kontinuierlich variieren. In diesem Fall wird mit größerem Anteil von Kohlenstoff im amorphen Silicium-Kohlenstoffilm der Banabstand breiter. Es ist daher erforderlich, daß der Kohlenstoffgehalt auf der Seite des einfallenden Lichts (auf der Seite des Substrats 31 im vorliegenden Fall) nicht niedriger ist. Wenn der Kohlenstoffgehalt kontinuierlich und linear von 30 % bis 0 % über eine Dicke von 3 jjm des fotoleitenden Films 33 verändert wurde, ergab sich eine Erhöhung der Blauempfindlichkeit um 80 % gegenüber einem Fall, wo kein Kohlenstoff enthalten war, und um 3 % gegenüber dem Fall des gestuften Aufbaus. Der Aufbau, bei welchem die Zusammensetzung kontinuierlich verändert ist, hat auch in Bezug auf eine leichte Herstellbarkeit hervorragende Eigenschaften, weil bei Herstellung der Lichtempfängerfläche .nach dem Glimmentladungsverfahren unter Verwendung von SiH. und CH4, C2^a, C2H2 oder dergleichen die Gasströmungsgeschwindigkeit von CH4, C2H-J C2H2 o<^er dergleichen sequentiell und kontinuierlich reduziert werden kann. Beispiel 4
Dieses Beispiel wird unter Bezugnahme auf Figur 9 beschrieben.
Eine wässerige SnCl4-Lösung wurde zur Ausbildung eines transparenter, leitenden SiO2-FiImS 32 auf ein auf 673 K (400 C) erwärmtes Glassubstrat 31 gesprüht und dort oxidiert. Das sich ergebende Substrat wurde in einer Vakuumapparatur auf 473 K (2000C) gehalten und CdSe auf den transparenten leitenden Film 32 als fotoleitende Schicht 38 in einer Dicke von 2 pm aufgedampft. Danach wurde der entstandene Film in Luft bei einer Temperatur von 773 K (500° C) eine
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Stunde- lang wärmebehandelt-. WäftTenurcSas^eiitsi:aiiclene~Substrat in der Vakuumapparatur bei 523 K (250 C) gehalten wurde, wurde ferner eine amorphe CSi^. CL^1. _ CH) -Schicht 37 i einer Dicke von 0,5 ym durch Elektronenstrahlverdampfung.-in einer Atmosphäre von aktivere Wasserstoff eines Drucks-, von 1,33 · 10 b (1 " 10 Torr) aufgedampft. Danach wurde das Substrat auf Normaltemperatur zurückgebracht und ein Antimontrisulfidfilm 41 in einer Dicke von 50 nm in einer Argonatmosphäre von. 6,65 * 10 b (5 - 10~ Torr) aufgedampft. Damit war die Hersteilung eines· Targets für eine Vidikon-Bildaufnahmeröhre beendet. Der auf diese Weise ausgebildete Fotosensor benützte im CdSe-PiIm erzeugte Foto-Ladungsträger und hatte deshalb eine hohe Fotoempfindlichkeit über den gesamten sichtbaren Bereich.
Beispiel 5
Dieses Beispiel wird unter Bezugnahme auf Figur 15
beschrieben. Zur Ausbildung einer Elektrode 40 wurde Chrom-
-9 -6 metall bei einem Druck von 1,33 »10 b (1 - 10 Torr)_ in einer Dicke von 100 nm auf ein isolierendes glattes Substrat 42 aufgedampft. Das entstandene Substrat wurde in einer Hochfrequenz-Kathodenzerstäubungsapparatur angeordnet und unter Verwendung eines Si-C-Targets ein amorpher (Si1- C)1- (H) -Film 37 einer Dicke von 10 pm bei einer
Substrattemperatur von 403 K (130°C) in einem Gasgemisch,
— 6 —
bestehend aus Argon eines Drucks von 6,65 * 10 b (5 · Torr) und Wasserstoff eines Drucks von 1,33 · 10 b (1 · Torr), erzeugt. Der amorphe (Si1 C). (H) -Film 37 hatte
i-x χ l-y y -]2 einen spezifischen Widerstand von ungefähr 10 Ω«cm.
Während man das entstandene Substrat bei einer Temperatur von 47 3 K (2QO0C) hielt, wurde durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung darauf ein Nioboxidfilm 39 in einer Dicke von 50 nm abgeschieden. Ferner wurde das entstandene Substrat in eine Vakuumaufdampfapparatur gesetzt und, während die Substrattemperatur auf 423 K (150°C) gehalten wurde, Indiummetall in einer Dicke von 100 nm in einer Sauerstoffatmosphäre von 1,33 · 10 b (1 · 10~3 Torr) aufgedampft. Das entstandene Substrat wurde an die Luft unter Normaldruck heraus-
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genommen und bei 42 3 K (1500C) eine Stunde lang wärmebehandelt. Dabei wandelte sich das Indiummetall in eine transparente Elektrode 32 aus Indiumoxid um. Wenn bei einem so hergestellten Fotosensor eine Spannung so angelegt wurde, daß die transparente Indiumoxidelektrode positiv und die metallische Chromelektrode negativ war, arbeitete er als- in Sperr!chtung vorgespannte Fotodiode.
Ferner wurde dar unten beschriebene Fotosensor hergestellt.
Zur Ausbildung einer Elektrode 40 wurde Chrommetall
—9 —6
unter einem Druck von 1,33 · 10b (1 · 10 Torr) in einer Dicke von 100 nm auf einem isolierenden glatten. Substrat 42 aufgedampft. Das entstandene Substrat wurde in eine Hochfrequenz-Kathodenzerstäubungsapparatur gesetzt. Unter Verwendung eines Targets, welches 70 Atom-% Silizium und 30 Atom-% Kohlenstoff enthielt, wurde ein amorpher Film 37 einer Dicke von 10 pm auf einem Substrat einer Temperatur von 473 K (2000C) in einem Gasgemisch, welches
— 6 —3
aus Argon unter 2,66 * 10 b (2 * 10 Torr) und Wasserstoff unter 2,66 · 10 b (2 · 10~3 Torr) bestand, ausgebildet. Der amorphe Film 37 hatte einen spezifischen Wider-
1 2
stand von 5 * 10 Ω«cm. Während das entstandene Substrat auf einer Temperatur von 423 K (1500C) gehalten wurde, wurde ein Film 39 aus Nioboxid darauf in einer Dicke von 50 nm durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung abeschieden. Ferner wurde das entstandene Substrat in eine Vakuumaufdampfapparatur gesetzt. Während die Substrattemperatur auf 423 K (1500C) gehalten wurde, wurde Indiummetall in einer Dicke von 100 nm in einer Sauerstoffatmosphäre von 1,33 · 10 b (1 * 10** Torr) aufgedampft. Durch Herausnehmen des entstandenen Substrats an die Luft unter Normaldruck und Wärmebehandlung desselben bei 423 K (150°C) über eine Stunde wandelte sich das metallische Indium in eine transparente Indiumoxidelektrode 32 um. Auf diese Weise war ein Fotosensor hergestellt. Er konnte in der gleichen Weise»wie oben bereits angegeben, betrieben werden.
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ORIGINAL INSPECTED
Das- vorliegende Beispiel besteht in einem Festkörper-Fotosensor- Wenn auch die Reihenfolge der Ausbildung des Mehrfachfilms umgekehrt ist wie in den Fällen der weiter oben angegebenen Targets für Bildaufnahmeröhren, so hat der Aufbau der Lichtempfängerfläche gemeinsame Teile· Wenn die in der vorliegenden Ausführungsform auf dem Substrat vorhandene Elektrode aus metallischem Chrom in eine große Anzahl von Abschnitten unterteilt wird und die Abschnitte über externe Schalter sequentiell mit einer Schaltung zum Auslesen gespeicherter Ladungen verbunden werden, erhält man einen linearen oder flächenbezogenen Festkörper-Bildsensor.
Dr.Ki/Ug
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Claims (7)

SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK MARIöHILFPLATZ 2 & 3, MÜNCHEN 9O POSTADRESSE: POSTFACH 95 O16O, D-8OOO MÜNCHEN 95 O Q O K H ö Ct HITACHI, LTD. 26· Juni 1979 DI' .-59 38 Fotoleitendes Material PATENTANSPRÜCHE
1. Fotoleitendes Material, gekennzeichnet durch ein amorphes Material, dessen Zusammensetzung durch
die Formel (Si1 C)1 (H) ausgedrückt wird, wobei ι—χ χ ι—y y
0 < x- 0,3 und 0,02 - y - 0,3 ist.
2. Fotoleitendes.Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß 0,02 - χ - 0,3 und 0,02 - y - 0,3 ist.
3. Fotoleitendes Material nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Kohlenstoff des amorphen Materials in einer Menge bis zu 40 % desselben durch Germanium ersetzt ist.
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4. Lichtempfindlicher Film des Fotoleittyps eines aus einer oder mehreren Schichten eines fotoleitenden Materials aufgebauten lichtempfindlichen Films, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens
5 o.ij'< amorphes Matarciial, desv·-."· Znsammensetzung diarch die
Formel (Si1 C.!._ (HL ausgedrückt wird,- wobei 0 χ - 0,3 ι —χ χ i ■/ y
und 0,02 - γ - 0,3, in einem Bereich angeordnet ist, wo durch einfallendes Liont- i'aare aus freien Elektronen und positiven Löchern erzeugt warden.
5. Lichtempfindlicher Film nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß 0,02 - χ - 0,3 und 0,02 - y - 0,3 ist.
6. Lichtempfindlicher Film nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet , daß der Kohlenstoff des amorphen Materials-in einer Menge bis zu 40 % desselben durch Germanium ersetzt ist.
7. Lichtempfindlicher Film nach einem der Ansprüche
4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Material einen spezifischen Dunkelwiderstand von wenigstens 10 Ω«cm hat.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2933411A1 (de) * 1978-08-18 1980-03-20 Hitachi Ltd Festkoerper-abbildungs-bauelement
DE3112209A1 (de) * 1980-03-28 1982-01-28 Canon K.K., Tokyo Photoelektrisches wandlerelement
EP0058543A1 (de) * 1981-02-12 1982-08-25 Energy Conversion Devices, Inc. Photoempfindliche amorphe Halbleiterlegierungen
DE3135375A1 (de) 1980-09-09 1982-09-23 Energy Conversion Devices Inc Verfahren zum herstellen einer lichtempfindlichen amorphen legierung und diese enthaltendes bauelement
DE3153761C2 (de) * 1980-09-09 1993-05-19 Energy Conversion Devices, Inc., Troy, Mich., Us

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4471042A (en) * 1978-05-04 1984-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium
US4565731A (en) * 1978-05-04 1986-01-21 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming member for electrophotography
JPS5662254A (en) * 1979-10-24 1981-05-28 Canon Inc Electrophotographic imaging material
JPS5662255A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
DE3040972A1 (de) * 1979-10-30 1981-05-14 Fuji Photo Film Co. Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa Elektrophotographisches lichtempfindliches material und verfahren zu dessen herstellung
JPS5713777A (en) 1980-06-30 1982-01-23 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and manufacture thereof
JPS56125881A (en) * 1980-03-06 1981-10-02 Fuji Photo Film Co Ltd Optical semiconductor element
JPS56146142A (en) * 1980-04-16 1981-11-13 Hitachi Ltd Electrophotographic sensitive film
JPS56150752A (en) * 1980-04-25 1981-11-21 Hitachi Ltd Electrophotographic sensitive film
JPS5711351A (en) * 1980-06-25 1982-01-21 Shunpei Yamazaki Electrostatic copying machine
US4999270A (en) * 1980-06-25 1991-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing member for electrostatic photocopying
US5545503A (en) * 1980-06-25 1996-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making printing member for electrostatic photocopying
US4889783A (en) * 1980-06-25 1989-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing member for electrostatic photocopying
US5859443A (en) * 1980-06-30 1999-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6900463B1 (en) 1980-06-30 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US5262350A (en) * 1980-06-30 1993-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming a non single crystal semiconductor layer by using an electric current
JPS5727263A (en) * 1980-07-28 1982-02-13 Hitachi Ltd Electrophotographic photosensitive film
JPS5748735A (en) * 1980-09-08 1982-03-20 Canon Inc Manufacture of image forming member for electrophotography
IE52208B1 (en) * 1980-09-09 1987-08-05 Energy Conversion Devices Inc Method for increasing the band gap in photoresponsive amorphous alloys and devices
US4394425A (en) * 1980-09-12 1983-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer
JPS5752178A (en) * 1980-09-13 1982-03-27 Canon Inc Photoconductive member
US4394426A (en) * 1980-09-25 1983-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer
US4385199A (en) * 1980-12-03 1983-05-24 Yoshihiro Hamakawa Photovoltaic cell having a hetero junction of amorphous silicon carbide and amorphous silicon
JPS57126175A (en) * 1981-01-29 1982-08-05 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Amorphous silicon carbide/amorophous silicon hetero junction optoelectric element
GB2095030B (en) * 1981-01-08 1985-06-12 Canon Kk Photoconductive member
US4539283A (en) * 1981-01-16 1985-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous silicon photoconductive member
US5582947A (en) * 1981-01-16 1996-12-10 Canon Kabushiki Kaisha Glow discharge process for making photoconductive member
US5258250A (en) * 1981-01-16 1993-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member
US4464451A (en) * 1981-02-06 1984-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic image-forming member having aluminum oxide layer on a substrate
JPS57152173A (en) * 1981-02-12 1982-09-20 Atlantic Richfield Co Amorphous semiconductor alloy and method of producing same
JPS57153160A (en) * 1981-03-16 1982-09-21 Sanyo Electric Co Ltd Solar beam energy transducer
JPH03188682A (ja) * 1981-04-30 1991-08-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 高電圧アモルファス半導体／アモルファスシリコン・ヘテロ接合光起電力素子
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
US4536460A (en) * 1981-11-09 1985-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member
JPS5882579A (ja) * 1981-11-11 1983-05-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 高性能光起電力装置
US4423133A (en) * 1981-11-17 1983-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member of amorphous silicon
US4460669A (en) * 1981-11-26 1984-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with α-Si and C, U or D and dopant
US4460670A (en) * 1981-11-26 1984-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with α-Si and C, N or O and dopant
JPS5895873A (ja) * 1981-12-02 1983-06-07 Konishiroku Photo Ind Co Ltd アモルフアスシリコン太陽電池
US4465750A (en) * 1981-12-22 1984-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with a -Si having two layer regions
GB2115570B (en) * 1981-12-28 1985-07-10 Canon Kk Photoconductive member
EP0098296B1 (de) * 1981-12-31 1987-04-08 Western Electric Company, Incorporated Optische aufzeichnungsmedia
DE3303266A1 (de) * 1982-02-01 1983-08-11 Canon K.K., Tokyo Fotoeleitfaehiges element
US4522905A (en) * 1982-02-04 1985-06-11 Canon Kk Amorphous silicon photoconductive member with interface and rectifying layers
US4452874A (en) * 1982-02-08 1984-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with multiple amorphous Si layers
US4452875A (en) * 1982-02-15 1984-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous photoconductive member with α-Si interlayers
DE3246361A1 (de) * 1982-02-27 1983-09-08 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kohlenstoff enthaltende gleitschicht
USRE34035E (en) * 1982-02-27 1992-08-18 U.S. Philips Corp. Carbon containing layer
US4453173A (en) * 1982-04-27 1984-06-05 Rca Corporation Photocell utilizing a wide-bandgap semiconductor material
US4510224A (en) * 1982-05-06 1985-04-09 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptors having amorphous silicon photoconductors
JPS58192044A (ja) * 1982-05-06 1983-11-09 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
JPS5955077A (ja) * 1982-09-22 1984-03-29 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
US4451391A (en) * 1982-09-24 1984-05-29 International Business Machines Corporation Conductive silicon carbide
DE3370565D1 (en) * 1982-09-27 1987-04-30 Toshiba Kk Thin film electroluminescence device and method of manufacturing the same
US4704339A (en) * 1982-10-12 1987-11-03 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Infra-red transparent optical components
US4617246A (en) * 1982-11-04 1986-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member of a Ge-Si layer and Si layer
US4585721A (en) * 1983-09-05 1986-04-29 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member comprising amorphous germanium, amorphous silicon and nitrogen
US5300951A (en) * 1985-11-28 1994-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Member coated with ceramic material and method of manufacturing the same
DE3789522T2 (de) * 1986-01-23 1994-08-04 Canon K.K., Tokio/Tokyo Lichtempfindliches Element, verwendbar in der Elektrophotographie.
JPH01232353A (ja) * 1988-03-11 1989-09-18 Kyocera Corp 電子写真感光体
FR2631346B1 (fr) * 1988-05-11 1994-05-20 Air Liquide Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications
JPH03153876A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 炭化珪素質部材
US5052339A (en) * 1990-10-16 1991-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process and reactor
JP2915555B2 (ja) * 1990-11-21 1999-07-05 日本碍子株式会社 複合部材の製造方法
US5238866A (en) * 1991-09-11 1993-08-24 GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating
US5353139A (en) * 1991-11-22 1994-10-04 Victor Company Of Japan, Ltd. Spatial light modulator with photoconductor of hydrogenated amorphous silicon with 0.1-1.0 ppm boron
US5444558A (en) * 1991-11-22 1995-08-22 Victor Company Of Japan, Ltd. Spatial light modulator with photoconductor of hydrogenated amorphous silicon with 0.1-1.0 ppm boron
JPH0697070A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 多結晶シリコン膜の製造方法
US6001486A (en) 1994-07-29 1999-12-14 Donnelly Corporation Transparent substrate with diffuser surface
JP4315701B2 (ja) * 2003-02-25 2009-08-19 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体用電極とその製造方法
US7507438B2 (en) * 2004-09-03 2009-03-24 Donnelly Corporation Display substrate with diffuser coating
US20060170444A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Wu Zong M Novel fluorescent and photoemission apparatus and method for submicron IC failure analysis
US8354143B2 (en) * 2005-05-26 2013-01-15 Tpk Touch Solutions Inc. Capacitive touch screen and method of making same
MX2009010488A (es) 2007-03-28 2010-03-15 Contech Entpr Inc Compuestos de sulfuro de alilo y composiciones y metodos que utilizan tales compuestos para repeler artropodos hematofagos.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052430A (en) * 1975-04-26 1977-10-04 The Research Institute For Iron, Steel And Other Metals Of The Tohoku University Method for producing organosilicon high molecular weight compounds having silicon and carbon as main skeleton components and said organosilicon high molecular weight compounds

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3670198A (en) * 1969-09-30 1972-06-13 Sprague Electric Co Solid-state vidicon structure
DE2229229A1 (de) * 1972-06-15 1974-01-10 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052430A (en) * 1975-04-26 1977-10-04 The Research Institute For Iron, Steel And Other Metals Of The Tohoku University Method for producing organosilicon high molecular weight compounds having silicon and carbon as main skeleton components and said organosilicon high molecular weight compounds

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2933411A1 (de) * 1978-08-18 1980-03-20 Hitachi Ltd Festkoerper-abbildungs-bauelement
DE3112209A1 (de) * 1980-03-28 1982-01-28 Canon K.K., Tokyo Photoelektrisches wandlerelement
DE3135375A1 (de) 1980-09-09 1982-09-23 Energy Conversion Devices Inc Verfahren zum herstellen einer lichtempfindlichen amorphen legierung und diese enthaltendes bauelement
DE3153761C2 (de) * 1980-09-09 1993-05-19 Energy Conversion Devices, Inc., Troy, Mich., Us
EP0058543A1 (de) * 1981-02-12 1982-08-25 Energy Conversion Devices, Inc. Photoempfindliche amorphe Halbleiterlegierungen

Also Published As

Publication number Publication date
FR2430097B1 (de) 1982-02-12
GB2024186B (en) 1982-09-08
DE2925796C2 (de) 1981-10-08
FR2430097A1 (fr) 1980-01-25
GB2024186A (en) 1980-01-09
JPS5549304B2 (de) 1980-12-11
NL7904965A (nl) 1979-12-28
US4289822A (en) 1981-09-15
NL174499C (nl) 1984-06-18
JPS554040A (en) 1980-01-12
NL174499B (nl) 1984-01-16

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