DE3021027C2

DE3021027C2 - Photoleitende Ladungsspeicherplatte

Info

Publication number: DE3021027C2
Application number: DE3021027A
Authority: DE
Inventors: Naohiro Machida Goto; Tadaaki Koganei Hirai; Eikyu Komae Hiruma; Yohitsumu Ikeda; Tatsuro Tama Kawamura; Chushirou Kusano; Yasuhiko Mobara Nonaka; Keiichi Tama Shidara; Yukio Takasaki; Kenkichi Tokio/Tokyo Tanioka; Tsuyoshi Hachioji Uda
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1979-06-07
Filing date: 1980-06-03
Publication date: 1984-09-13
Also published as: FR2458889A1; NL8003293A; DE3021027A1; GB2051478B; FR2458889B1; GB2051478A; NL182263B; NL182263C; JPS55163749A; US4330733A; JPS5832454B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine photoleitende Ladungsspeicherplatte nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Es geht besonders um einen Aufbau, der die Lichtansprechcharakteristik einer photoleitenden Schicht des Gleichrichtkontaktlyps verbessert, wenn ein starkes einfallendes Licht unterbrochen wird.

Wie bekannt ist, hat amorphes Selen (Se) Photolcitfähigkeit und besitzt P-Leitfähigkeit, wenn es mit einer Signalelektrode des N-Leitfähigkcitslyps kombiniert wird, ergibt sich daher eine photoleitende Ladungsspcicherplatte des Photodiodentyps. Da Se für langwellige Strahlung nicht empfindlich ist, wurde bereits angegeben, einem Teil der Se-haltigcn Schicht Tc zuzusetzen, um die Empfindlichkeit für langwellige Strahlung zu verbessern. Dieses Verfahren ist in der US-PS 38 90 525 und in der US-PS 40 40 985 beschrieben.

Fig. 1 zeigt den grundsätzlichen Aufbau einer typischen bekannten Ladungsspeicherplattc wie sie in der US-PS 40 40 985 beschrieben ist. Man erkennt in Fig. 1 eine transparente Froniplatte 1, eine transparente, N-leitende Signalelektrodc 2 und eine erste photolcitende Schicht 3 des P-Typs, die einem sensibilisierten Teil einer photoleitenden Gesamtschicht des P-Typs entspricht. Außerdem erkennt man eine /weite P-leitende Schicht 4, die zur Verringerung der Speicherkapazität der Ladungsspcieherplatte dient, und eine Schicht 5 zur Förderung des Auftreffens des Abtastelekironenstrahls. Die Schicht 3' kann aus Sc, As und Te bestehen, die Schicht 4 kann aus Se und As bestehen, unil die Schicht 5 kann aus Sb₂Si bestehen. Das Element As ist den Schichten 3 und 4 zugesetzt, um die Wärmestabilität von Se zu verbessern. Schließlich erkennt man einen Pfeil 6 zur Andeutung eines einfallenden Lichts und einen Pfeil 7 zur Andeutung eines Abtastelektronenstrahls.

F i g. 2 zeigt ein Beispiel der Verteilung der Bestandteile in der Dickenrichtung von der Signalelektrodenseite der in Fig. 1 gezeigten sensibilisierten P-Photoleitschicht3.

Bis zu einer Entfernung von 100 nm von der Grenzfläche zwischen der Signalelektfode und der P-leitenden Schicht ist kein scnsibilisierendes Te zugesetzt (Eilschicht a). In der anschließenden Teilschicht b der Dicke 150 nm ist Te zugesetzt.
Das Element As ist in den Teilschichten a und b zugesetzt, um die Wärmestabilität des Se zu verbessern. In der Teilschicht c ist As zugesetzt, da angenommen wird, daß es niedrigliegende Störstellenniveaus besitzt, um den Scnsibilisierungseffekt zu verbessern. In der Teilschicht c sinkt die As-Konzentration in einer gleichmäßigen Rate über die Schichtdicke von 250 nm. Dieses As dient auch zur Verbesserung der Wärmestabilität des Se. Die Ladungsspeicherplatte, die den Aufbau dieser Art hat, erreicht die Wirkung der Steigerung der Sensibilisicrung gegenüber langwelliger Strahlung.

Die Bildaufnahmeröhre dieser Art zeigt gute Eigenschaften bezüglich der gewöhnlichen Anforderungen an Bildaufnahmeröhren, wie z. B. die Nachwirkung und das Nachbild. Abgesehen von dem obigen wurde auch angegeben, eine geringe Halogenmenge zu dotieren, um die

)o Nachwirkung und das Nachbild der in einer Bildaufn ihmeröhre verwendeten Ladungsspeicherplatte zu verbessern, deren Hauptbestandteil Se ist und die einen gleichrichtenden Übergang verwendet. Dieses Verfahren ist in der US-PS 39 84 722 beschrieben. Die La-

r> dungsspeichcrplattc dieser Art zeigt gute Eigenschaften unter gewöhnlichen Verwendungsbedingungen, doch wird, wenn die Stärke des einfallenden Lichts erheblich höher als unter normalen Verwendungsbedingungen wird, die Ansprechcharakteristik, nachdem das einfallcnde Licht unterbrochen ist (Nachwirkung für starkes Licht), verschlechtert, [c langer die Betriebszeit wird, um so mehr verschlechtert sich die Ansprechcharakteristik. Die sich aus einem solchen starken Licht ergebende Nachwirkung wird üblicherweise als Spitzenlichtein-

v> brennen bezeichnet.

Es ist außerdem aus der GB-PS 13 83 159 eine photolcitende l.adungsspeichcrplatte nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt, bei der die mctallfluoridhaltige Tcilschicht ganz aus einem Metallfluorid besteht und zwischen der Signalelektrode und der P-leiienden Schicht vorgesehen ist, um die Sperrspannung des gleichrichtenden Überganges zu erhöhen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die photoleitcndc Ladungsspeicherplattc nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so zu verbessern, daß das Spitzenlichteinbrenncn möglichst gering gehalten wird.

Diese Aufgabe wird bei einer Ladungsspeicherplatte nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 erfindungsgemäß durch die in seinem kennzeichnenden Teil angege-

M) benen Merkmale gelöst.

Vorzugsweise ist das flache Störstellenniveau bildende Metallfluorid wenigstens eines der aus LiF, NaF, MgF., CaF;. All·,, CrF,, MnF... CoF₂, PbF₂. BaF₂. CeF₁ undTIF bestehenden Mcuillfluoiide.

M Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß wenigstens ein Metallfluorid in einer Tc-frcien Tcilschicht des Bereichs in dem der größte Teil des Signalstroms erzeugt wird, mit einer Durchschnittskon-

zentration von mindestens 0,005 und höchstens 5 Gewichtsprozent eindotierl ist und wenigstens ein Metallfluorid in einem Teil der Te-haltigen Teilschicht mit einer Durchschnittskonzentration von mindestens 0,01 und höchsten 10 Gewichtsprozent eind'.>:ierl ist

Durch die Eindotierung des wenigstens einen Metallfluorids in dem Bereich, wo der größte Teil des Signalstroms erzeugt wird, kann das Spitzenlicht einbrennen beträchtlich vermindert werden.

Die Erfindung wird anhand der F i g. 3 bis 6 näher erläutert; darin zeigt

F i g. 3 Zusammensetzung eines Teils der photoleitenden Schicht der Ladungsspeicherplatte nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig.4 eine Schnittdarstellung einer in einer Bildaufnahmeröhre verwendeten Ladungsspeicherplatte;

Fig.5 eine Veranschaulichung des Spitzcnlichlcinbrennens und

Fig.6 die Abhängigkeit der Nachwirkung und des Spitzenlichteinbrennens von der Dotiermenge an LiF.

F i g. 3 veranschaulicht den grundsätzlichen Aufbau zur Erläuterung der Erfindung, und zwar zeigt sie eine verbesserte Zusammensetzung der in Fig. 1 mit dem Bezugszeichen 3 versehenen phololeiienden Schicht. Die Zusammensetzungsprozentsätze in der folgenden Beschreibung sind als Gewichtsprozent angegeben. Der der P-leitenden Schicht 3 in Fig. 1 entsprechende Teil ist eine amorphe photoleitcndc Schicht, deren Hauptbestandteil Se ist und der Tc örtlich zur Sensibilisierung zugesetzt ist. Die Teilschichten a'und b'\n F i g. 3 stcl'en die eigentliche photoempfindlichc Schicht zur Absorption des größeren Teils des auf die Ladungsspcichcrplatte einfallenden Lichts und zur Erzeugung von Signalstromträgern dar.

Wie bei der aus der US-PS 40 40 985 bekannten Ladungsspeicherplatte enthält die phololeitcndc Schicht im Anschluß an die Signalclektrode zunächst in einer ersten Teilschicht a'kein Te. In einer zweiten Teilschicht b' ist Te in einer Konzentration von 30Gewichlsprozent: zugesetzt.

Das Element As ist in den Teilschichtcn a'und t'mit gleichmäßiger Konzentration von 6 Gewichtsprozent in der Dickenrichtung eindotiert, und es hat einen abfallenden Konzentrationsgradienten in derTcilschichi c'. Die Konzentration in der Teilschicht t·', deren Dicke 100 nni ist, ist am Anfangspunkt 30 Gewichtsprozent und am Endpunkt 6 Gewichtsprozent. Die Konzentrationen an Te und As sind im Prinzip die gleichen wie die nach Fig. 2. Die P-Ieitende Schicht dieses Typs weist gewöhnlich eine erste P-leitende Schicht 3 mit der eigentlichen photoempfindlichen Schicht und eine zweite P-Icitende Schicht 4 auf, wie es in F i g. 1 dargeslclh ist.

Die in F i g. 1 gezeigte erste P-lcitende Schicht 3 weist nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung im Anschluß an die Signalelektrode 2 den folgenden Schichtenaufbau auf:

— eine erste Teilschicht .-;' die hauptsächlich aus Se besteht, eine Dicke über 10 nm aufweist und der wenigstens ein Stoff der Gruppe Tellur und Zusatzelemente, die sich zur Bildung eines Störstcllennivcaus in Se eignen, zugesetzt ist, wobei die Mengen an Tc und an den Zusatzclcmcntcn in einer Konzentration von höchstens 15 Atompro/.cnl im Durchschnitt vorliegen,

— eine zweite Teilschicht b\ die hauptsächlich aus Sc besteht, eine Dicke im Bereich von 20 bis 500 nm aufweist und in der die Spitze der stetigen Verteilung der Konzentration des zugesetzten Te wenigstens 15 Alomprozent beträgt, und
— eine dritte Teilschicht c', die hauptsächlich aus Se besteht, eine Dicke im Bereich von 50 bis 300 nm aufweist und in der das zur Bildung tiefer Störstellcnnivcaus in Se geeignete Zusatzelement einen Spitzenwert der stetigen Konzentrationsverteilung von weniger als 20 Aiomprozem am' weist. Wenigstens ein zur Bildung der tiefen Störstellenniveaus

to in Se geeignetes Element ist aus der aus As. Sb, Bi. Ge und einer Mischung derselben bestehenden Gruppe gewählt.

Die photolcitende Schicht gemäß einem Ausführungsbeispicl der Erfindung unterscheidet sich von der in Fig.2 dargestellten dadurch, daß LiF gleichmäßig in der Dickenrichtung mit einer Konzentration von 0,4 Gew.-% in den Teilschichtcn a' und £>', d. h. der eigentlichen lichtempfindlichen Schicht verteilt ist. Im dargestellten Beispiel ist LiF mit gleichmäßiger Konzentration in der Dickenrichtung verteilt, doch ist die Konzentration nicht notwendigerweise gleichmäßig, sondern es können unterschiedliche Konzentrationen in den Teilschichten a'und b' vorliegen, oder das LiF kann einen Konzentrationsgradienten in jeder dieser Teilschichtcn aufweisen. Alternativ kann auch ein Metallfluorid nur in der Teilschicht a'oder in der Teilschicht b' eindotiert sein, um einen gleichartigen Effekt zu erzielen. Der wesentliche Punkt ist, LiF in dem trägererzeu-

jo gendcn Teil (in der lichtempfindlichen Schicht) zu dotieren. Im dargestellten Beispiel ist die Konzentrationsverteilung des Te von Rechteckform. doch ist diese Form nicht stets erforderlich, und sie kann dreieckig, trapezförmig oder von komplizierterer Form sein.

J5 In einem besonderen Ausführungsbeispiel ist wenigstens eines der oben erwähnten Metallfluoride mit einer Durchschnittskonzentration von wenigstens 0,005 und höchstens 5 Gcw.-% in der Tc-freien Teilschicht a'eindotiert, wo der Signalstrom für den größten Teil erzeugt wird, und wenigstens eines der oben erwähnten Metallfluoride ist mit einer Durchschnittskonzentration von wenigstens 0,01 und höchstens 10Gew.-% in wenigstens einem Teil der Tc-haltigen Teilschicht b' eindotiert. Es ist in diesem Fall wichtig, daß der Durchschnittsgcwichtsprozcntsatz des Metallfluorids im Bereich, wo der Signalstrom für den größten Teil erzeugt wird, innerhalb des oben erwähnten Bereichs ist.

Die zweite P-icitcnde Schicht 4 (Fig. 1) kann eine herkömmliche sein. Ein typisches Beispiel der zweiten !'-leitenden Schicht 4 besteht hauptsächlich aus Se, dem wenigstens ein Stoff der aus Te und zur Bildung tiefer Störstcllenniveaus in Se geeigneten Zusatzelementen bestehenden Gruppe zugesetzt ist, wobei die Mengen des Tc und der Zusatzclemente jeweils zu höchstens 15 Atompro/.ent im Durchschnitt gewählt werden.

Beim vorliegenden Ausfiihrungsbcispiel ist die photoleitendc Schicht, die die erste P-photoleitende Schicht 3 und die zweite P-photolcitende Schicht 4 enthält, einfach als P-Ieitende Schicht bezeichnet.

bo Die Metnllfluoride werden wirksam in den der Signalclektrode 2 benachbarten Teilschichten a'und ö'eindoticri.dicdcm einfallenden Licht 6 zugewandt sind und in denen der größte Teil des Signalstroms erzeugt wird. Kein Effekt wird erzielt, wenn die Metallfluoride in der

h5 Schicht 4 nach F i g. I dotiert werden, obwohl sie die gleiche P-!:citcnde Schicht wie die lichtempfindliche Schiilil ist. Im Gegenteil verschlechtert dies die photolcitenden eigenschaften der Bildaufnahmeröhre.

Beispiele von Anordnungen der Ladungsspeicherplatte gemäß der Erfindung werden im folgenden erläutert.

Beispiel 1

Entsprechend Fig.4 wird eine transparente leitende Signalelektrode 2, die hauptsächlich aus Zinnnoxid besteht, auf einem Glassubstrat 1 gebildet, und CeCh wird darauf im Vakuum von 4 · 10-^h mbar bis zu einer Dicke von 30 nm zur Bildung einer gleichrichtenden Hilfskontaktschicht 8 aufgedampft. Das Vorsehen solcher Hilfskontaktschichten ist beispielsweise aus der GB-P.S 13 83 159 bekannt. Dann werden darauf gleichzeitig Se und LiF aus getrennten Verdampfungsquellen bis zu einer Dicke von 30 nm zur Bildung der ersten TcM-schicht a'der ersten P-leitenden Schicht 3 aufgedampft. LiF wird mit gleichmäßiger Konzentralion von 0.4 Gew.-% in der Dickenrichtung dotiert. Dann weiden zur Erzeugung der Teilschicht 6'Se, Te und LiF gleichzeitig aus getrennten Verdampfungsquellen bis zu einer Dicke von 30 nm aufgedampft. Die Te-Kon/.entration ist 31 % und die des LiF 0,4%, und sie sind gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Sc und Te werden weiter gleichzeitig von getrennten Verdampfungsquellen bis zu einer Dicke von 30 nm aufgedampft. Die Te-Konzentration ist 31% und gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Die beiden Teilschichten a' und b' bilden den eigentlichen lichtempfindlichen Bereich, in dem der größte Teil des Signalstroms erzeugt wird. Anschließend wird die aus Se und As bestehende dritte Teilschicht c' auf die zweite Teilschicht b' aufgedampft. Beim Aufdampfen der dritten Teilschicht c' werden Se und As_;Se3 gleichzeitig von getrennten Verdampfungsquellen aufgedampft. Der As2SerSchiffchenstrom wird so gesteuert, daß die As-Konzentration am Anfangspunkt 27% ist und langsam abfällt, wenn die Verdampfung fortschreitet, bis sie am Endpunkt der dritten Tcilschicht c', d. h. dem 70-nm-Niveau 0% erreicht. Dann wird Se auf die dritte Teilschicht c' zur Bildung der zweiten P-ieitenden Schicht 4 bis zu einer solchen Dicke aufgedampft, daß die erste P-Icitende Schicht 3 und die zweite P-Ieitende Schicht 4 eine Gesamtdickc von 4 μιτι haben. Die Verdampfungsprozesse für die zweite P-Icitende Schicht 4 werden im Vakuum von 4-10 ^h mbar durchgeführt. Dann wird eine Sb2Si-Schicht 5 auf die zweite P-leitende Schicht 4 in einer Argonatmosphärc von 2.67 · 10-'mbar bis zu einer Dicke von 100 nm aufgedampft. Falls erwünscht, wird As mit einer Konzentration von 3% über einen Bereich zugesetzt, der

den Schicht 4 erstreckt, um die Wärmestabilität der Ladungsspeicherpiatte zu verbessern. Obwohl LiF als das Metallfluorid im vorstehenden Beispiel verwendet wird, erhält man eine gleichartige Wirkung, wenn andere Fluoride, wie z. B. NaF. MgF₂, CaF₂. BaF₂. AIF₁, CrFj, MnF₂XoF₂, PbF₂.CeFj oderTlF verwendet werden.

Beispiel 2

Entsprechend Fig. 1 wird eine hauptsächlich aus Zinnoxid bestehende transparente leitende Signalelcktrode 2 auf einem Glassubstrat 1 gebildet, und Se, As₂Se3 und CaF₂ werden darauf gleichzeitig von getrennten Verdampfungsquellen bis zu einer Dicke von 10 bis 50 nm zur Bildung der ersten Teilschicht ;i'dcr ersten P-Ieitendcn Schicht 3 aufgedampft. Die As-Konzentration ist 6%. und die CalVKonzcntralion ist 0.5%. und sie sind gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Dann werden Se, As₂Se₁, Tc und CaF₂ gleichzeitig von getrennten Verdiimpfungsquellen bis zu einer Dicke von 45 bis 100 nm aufgedampft, um die zweite Teil-

■; schicht b'v.ü bilden. Die Konzentrationen an Te, As und CaF₂ sind in der Dickenrichtung gleichmäßig, und zwar 20 bis 35% Iur Tc. 3 bis 6% für As und 0,3 bis 0,7% für CaFj. Die aus Se und As bestehende dritte Teilschicht c' wird auf die zweite Teilschicht 6'bis zu einer Dicke von

lü 50 bis 150 nm aufgedampft. Beim Aufdampfen der dritten Teilschicht c'werden Se und AsaSei gleichzeitig von verschiedenen Verdampfungsquellen aufgedampft. Der AsiiSci-Schiffcheristrom wird so gesteuert, daß die As-Konzcntralion anfänglich 20 bis 30% ist und gleichmä-

is ßig abfallt, wenn die Verdampfung fortschreitet, um schließlich am Ende der dritten Teilschicht c' 0 bis 3% zu erreichen. Se und As₂Se j werden dann gleichzeitig auf der dritten Teilschicht c' zur Bildung der zweiten P-Ieitendcn Schicht 4 in einer solchen Dicke abgeschieden, daß die Gesamtdicke der P-leitenden Schicht gleich 6 μηι ist. Die As-Konzentration der zweiten P-leitenden Schicht 4 ist 3%. Die erste P-Icitende Schicht 3 und die weiteren bis zur zweiten P-lcitcnden Schicht 4 werden im Vakuum von 2,67 · IO/^hmbar aufgedampft. Dann wird eine SbiSi-Schicht 5 auf der zweiten P-leitenden Schicht 4 in einer Argonatmosphäre von 2,67 · 10~ ' mbar bis zu einer Dicke von 100 nm aufgedampft.
Wenn LiF in der ersten Teilschicht a'der photoleiten-

jo den Schicht 3 und CaF₂ in der zweiten Teilschicht b' dotiert werden oder wenn diese Materialien umgekehrt dotiert werden, ist ein gleichartiger Effekt erhältlich. Weiter ist, wenn LiF zusätzlich zu CaF₂ in seinem Verhältnis von 2 :1 dotiert wird, ein gleichartiger Effekt zu erreichen. Die Gesamtmenge der Dotierstoffe ist 0,3 bis 0,7%. Ein gleichartiger Effekt ist erreichbar, wenn ein anderes der oben erwähnten Fluoride verwendet wird.

B e i s ρ i e 1 3

Entsprechend F i g. 4 wird die hauptsächlich aus Zinnoxid bestehende transparente leitende Signalelektrode 2 auf dem Glassubstrat 1 gebildet, und es werden eine GcO₂-Schicht und eine CcO₂-Schicht in dieser Reihenfolge bis zu einer Dicke von je 15 nm aufgedampft, um eine gleichrichtende Hilfskontaktschicht 8 zu bilden. Die Aufdampfung wird im Vakuum von 2,67 · 10~⁶ mbar durchgeführt. Dann werden Se. As₂Se3 und MgF₂ gleichzeitig von getrennten Verdampfungsqucllen bis zu einer Dicke von 30 urn zur Bildung der ersten Teüschicht a' der ersten P-leitenden Schicht 3 aufgedampft. Die As-Konzentration ist 3%, und die MgF2-Konzentration ist 0,3%. und sie sind gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Die zweite Teilschicht ö'wird auf die erste Teilschicht a' aufgedampft. Dies erfolgt in zwei Schritten. Zunächst werden Se, As₂Se j, Te und MgF₂ gleichzeitig von verschiedenen Verdampfungsquellen bis zu einer Dicke von 20 nm zur Bildung der ersten Hälfte der zweiten Teilschicht b' aufgedampft Die As-Konzentration ist 3%, und die Te-Konzentration ist 30%, und sie sind gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Die MgFc₂-Konzentration wird so gesteuert, daß sie anfänglich 0,8% ist und stetig abfällt, wenn die Verdamp-

<i5 fung fortschreitet, bis sie schließlich am Ende der 20 nm dicken ersten Hälfte der zweiten Teilschicht fc'0% erreicht. Die MgfVKonzentration wird durch Ändern des Vcrdampfungsschiffchenslroms gesteuert. Dann wer-

K)

20

den Se, As₂Scj und Tc zur Bildung der zweiten Hüllte der zweiten Teilschicht /»'aufgedampft. Der Aufdampfprozeß kann der gleiche wie für die erste halbe Schicht sein. Die As-Konzentration ist 3%, und die Tc-Konzentration ist 30%, und sie sind gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Die Dicke der zweiten halben Schicht ist 20 nm. Dies vollendet die Aufdampfung der zweiten Teilschicht b'. Dann werden Se und As darauf zur Bildung der dritten Teilschicht c'aufgedampft. Beim Aufdampfen der dritten Teilschicht c' werden Se und As₂Se j gleichzeitig von getrennten Verdampfungsquellcn aufgedampft. Der Schiffchcnstrom zum Verdampfen von As₂Sea wird so gesteuert, daß die As-Konzentration anfänglich 29% ist und stetig abfällt, während die Verdampfung fortschreitet, bis sie am Ende der 60 nm dikken dritten Teilschicht c' 3% erreicht. Dann werden Sc und As auf die dritte Teilschicht c'zur Bildung der zweiten P-Ieitenden Schicht 4 bis zu einer solchen Dicke aufgedampft, daß die gesamte Schichtdicke gleich 4 μηι ist. Die As-Konzentralion der zweiten P-Ieiiendcn Schicht 4 ist 3% und gleichmäßig in der Dickenrichtung verteilt. Die erste Teilschicht a'der ersten P-Ieitenden Schicht 3 und die anderen Schichten bis zur zweiten P-Ieitenden Schicht 4 werden im Vakuum von 2,67 · 10-⁶ mbar aufgedampft. Dann wird Sb₂S₁ auf die zweite P-Ieitende Schicht 4 in einer Argonatmosphäre von 2,67 · 10-' mbar bis zu einer Dicke von 100 nm aufgedampft.

Durch die so ausgebildete Ladungsspeicherplatte wird das Ansprechen nach Unterbrechung des einfallen- jo den Lichts unter solchen Umständen, daß die Stärke des einfallenden Lichts beträchtlich höher als die bei normaler Verwendung ist, (d. h. Spitzenlichteinbrennen), verbessert, und das Ansprechen ist auch nach Langzeitbetrieb gut. Obwohl die physikalische Bedeutung dieses J5 Effekts nicht aufgeklärt ist, nimmt man an, daß die flachen Störstellenniveaus, die die Signalstromträger leicht erfassen und sie nach Aufhören der Strahlung leicht abgeben, durch Dotieren der genannten Metallfluoride gebildet werden und diese Störsiellennivcaus wirksamer als die vorhandenen Störstellenniveaus sind.

F i g. 5 zeigt Nachwirkungseigenschaften für ein starkes Licht, die nach einem zweistündigen Betrieb gemessen wurden. Das einfallende Licht ist 500mal so stark wie das der normalen Verwendungsbedingungen. Die Abszisse stellt die Zeit dar, nachdem das einfallende Licht unterbrochen wurde, und die Ordinate stellt das Verhältnis zum Signalstrom (0,2 μΑ) der normalen Verwendungsbedingungen dar. Die gestrichelte Linie 41 in Fig.5 zeigt die Charakteristik einer herkömmlichen ! =H::ngsspcichcrp!attc und sie läßt sich, wie -⁴"-~- -■*'= Dotiermenge ist ähnlich, verwendet weiden.

wenn andere Metallfluoride

: UUIUIl UlC

ausgezogene Linie 42 gezeigt ist, merklich verbessern. Da die Wirkung durch das Eindotieren von Metallfluoriden erzielt wird, ist die Wirkung geringer, wenn die Menge der Dotierstoffe geringer ist. Andererseits wird, wenn die Dotierstoffe zu stark dotiert werden, der Transport der Ladungsträger gehindert, und die Nachwirkungscharakteristik wird verschlechtert. Der bevorzugte Konzentrationsbereich ist für die lichtempfindliche Schicht im Durchschnitt 0,005 bis 5 Gewichtspro- t>o zent, wie in Fig.6 gezeigt ist, in der die Abszisse die LiF-Konzentration (Durchschnittswert in der lichtempfindlichen Schicht) und die Ordinate die Nachwirkung und das Spitzenlichteinbrennen zeigen. Die Kurve 51 in F i g. 6 zeigt die Abhängigkeit der Nachwirkung auf die LiF-Dotiermenge, und die Kurve 52 zeigt die Abhängigkeit des Spitzenlichteinbrennens. Die Abhängigkeit der Nachwirkung und des Spitzenlichteinbrennens von der I lierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Photoleitende Ladungsspeicherplatte mit einer Signalelektrode (2) und einer P-leitenden Schicht (3), die hauptsächlich aus Selen besteht, in einer Tcilschicht (b') einen Zusatz von Tellur enthält und einen gleichrichtenden Übergang mit der Signalelektrode (2) bildet, sowie mit einer Teilschicht (a'. b'), die wenigstens ein in der P-leitenden Schicht (3) flache Störstellenniveaus bildendes Metallfluorid enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallfluorid in derjenigen Teilschicht (a', b')acr P-leitcnden Schicht (3), in der der größte Teil des Signalstroms erzeugt wird, mit einer Durchschnittskonzentration von mindestens 0,005 und höchstens 5 Gewichtsprozent eindotiert ist.

2. Photoleitende Ladungsspeicherplattc nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallfluorid wenigstens eines der aus LiF, NaF, MgF₂, CaF₂. AlF₃, CrFj, MnF₂, CoF₂, PbF₂, BaF₂. CeFi und TlF bestehenden Metallfluoride ist.

3. Photoleitende Ladungsspeicherplattc nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Metallfluorid in einer Te-frcien Tcilschicht (a') des lichtempfindlichen Bereichs, in dem der größte Teil des Signalstroms erzeugt wird, mit einer Durchschnittskon/.entration von mindestens 0,005 und höchstens 5 Gewichtsprozent cindoticrl ist und wenigstens ein Metallfluorid in einem Teil der Te-haltigen Tcilschicht (b') mit einer Durchschnittskonzentration von mindestens 0,01 und höchstens 10 Gewichtsprozent eindotiert ist.