DE2229229A1 - Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern - Google Patents

Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern

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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching

Description

SIEMENS ATCTTETTGEFT1T-LBOHAPt München 2, den -| 5. JUN. 1972
Perlin und launcher» Witteisbacherplatz 2
72/1090
Verfahren zum Herstellen von aus Silizium oder Siliziumcarbid bestehenden Pormkörpern,
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von aus Silizium oder Siliziumcarbid bestehenden Pormkörpern, insbesondere von aas Silizium bestehenden Eohren, durch Abscheiden von Silizium oder Siliziumcarbid aus der Gasphase auf erhitzte Trägerkörper aus Graphit, wobei sich die Oberfläche des Trägerkörners mit einer Schicht von Silizium oder Siliziumcarbid überzieht, die nach Entfernung des Trägerkörpers den gewünschten Formkörper bildet.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1.805.970 (=VPA 68/1635) ist ein Verfahren zum Herstellen eines Hohlkörpers aus Silizium oder Siliziumcarbid bekannt, bei dem das Silizium oder das Siliziumcarbid aus einer gasförmigen Verbindung auf die Außenfläche eines Trägerkörpers aus einem hitzebeständigen Stoff niedergeschlagen wird und der Trägerkör*- per dann ohne Zerstörung der Siliziumschicht entfernt wird. Dabei wird, ein aus Graphit bestehender Trägerkörper verwendet, der entweder induktiv oder durch direkten Stromdurch^ gang auf die Abseheidungstemperatur erhitzt wird.
Auf diese Weise lassen sich Siliziumrohre für Diffusionszwepke unter Verwendung der Ausgangsverbindung SiliGOchloroform (Sinnig) bei Temperaturen VQn 1050 - 125O0O in einer
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Wasserstoffatmosphäre herstellen, welche gegenüber den bekannten Diffusionsampullen den Vorteil der höheren Reinheit besitzen. Der für die Herstellung des Siliziumrohres benötigte Trägerkörper, welcher vorteilhafterv/eise aus Graphit besteht und als Hohlkörper ausgebildet ist, wird nach dem Abscheiden der Halbleitermaterialschicht durch Erhitzen in sauerstoffhaltiger Atmosphäre ausgebrannt.
Die Wiederverwendung des Graphitträgerkörpers für eine erneute Abscheidung von Halbleitermaterial ist bislang nur in begrenztem Maße möglich, da sich die Struktur des Graphits durch z.B. polykristalline Silizium- oder SiIiziumcarbideinlagerungen erheblich verändert.
Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegt, besteht nun darin, eine Möglichkeit zu schaffen, solche Graphitträgerkörper für eine beliebig häufige Wiederverwendung zu regenerieren.
Dies geschieht nach der Lehre der Erfindung dadurch, daS vor der Abscheidung der aus Silizium oder Siliziumcarbid bestehenden Schicht der aus Graphit bestehende Trägerkörper einer Temperaturbehandlung bei Temperaturen oberhalb
wird,
halb 13oo H in einer strömenden Gasatmosphäre unterworfen
Als besonders günstig hat sich dabei ein Temperaturbereich von 1400 - 1600 0 und eine Gasatmosphäre, bestehend aus Wasserstoff oder inerten Gasen wie Stickstoff oder Edelgasen, erwiesen.
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Gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird die Strömungsgeschwindigkeit der Gasatmosphäre auf 200 - 300 l/h eingestellt. Die Temperaturbehandlung sollte sich auf mindestens 15 Minuten erstrecken. Tn "bestimmten Fällen sind' aber auch Temperungen bis zu vier Stunden erforderlich.
"Die Regenerierung des Graphits läßt sich durch ein Ausdanrofen des Siliziums oder des Siliziumcarbids erklären. Dies ist insofern überraschend, als der Dampfdruck des Siliziums und besonders des Siliziuracarbids bei Temperaturen um 1300 C noch sehr niedrig ist. Es liegt der Schluß nahe, daß es sich um spezielle Modifikationen des Siliziumcarbids handelt. Der Graphit bleibt bei dem Ausheiz- oder Ausdampfprozeß in seiner ursprünglichen Form erhalten und zeigt eine für weitere Silizium- oder Siliziuncarbidabscheidungen sehr günstige porige Struktur. Sogar noch nicht für den Abscheidungsprozeß verwendete Graphitträgerkörper v/erden durch das Ausheizen nach der Lehre der Erfindung in ihrer Oberflächenstruktur verbessert, was sich insbesondere auch beim Abziehen der hergestellten Formkörper in vorteilhafter Weise bemerkbar macht.
Es hat sich als besonders günstig erwiesen, wenn die Temperaturbehandlung in einer Wasserstoffatmosphäre durchgeführt wird, welche Spuren (Molverhältnis MV-^-0.02) von Silicochloroform (SiHOl^) enthält, wobei anscheinend die Anwesenheit zusätzlichen Siliziums des Ausdampfen von Siliziumcarbid durch mögliche TransOorteffekte begünstigt.
Durch die Verwendung eines über den Graphitträgerkörper gestülpten, einseitig geschlossenen Graphitrohres während der Temperaturbehandlungen kann das Verfahren vereinfacht v/erden,
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weil durch die thermische Isolierung; das zu regenerierende Graphitrohr gleichmäßiger und energiesparender aufgeheizt werden kann.
Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung wird zweckmäßigerweise durchgeführt mittels einer Vorrichtung, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß ein mit einer Gaseinlaß- und Gasauslaßöffnung versehener Rezipient aus Quarz mit einer metallischen Bodenplatte, insbesondere aus Silber, verwendet ist, daß weiterhin zur Beheizung des aus Gratvhit bestehenden Trägerkörpers Graphithaiterungen vorgesehen sind, welche über Durchführungen in der Bodenplatte des Rezipienten mittels Silberelektroden mit einer Spannungsquelle verbunden sind, und daß außerdem der Graphitträgerkörper zur besseren Konzentrierung der Wärme-und zum schonenden Aufheizen allseitig von einem einseitig geschlossenen Graphitrohr umgeben ist, welches für die Gasdurchströmung in seinem unteren Randbereich mit Durchbohrungen versehen ist.
An Hand eines Ausführungsbeispiels und der in der Zeichnung befindlichen Figur wird die Erfindung noch näher erläutertv
Die in der Figur abgebildete Vorrichtung dient der Regenerierung eines bei der Herstellung eines Siliziumrohres verwendeten, als Hohlkörper ausgebildeten Graphitträgerkörpers 9 und besteht aus einem Reaktionsgefäß in Form einer Quarzglocke 1, welche mit einer Bodenplatte 2 aus Silber gasdicht verschlossen ist. In der Bodenplatte 2 sind Durchgänge 3 und 4 angebracht, welche als Gaseinlaß- und Gasauslaßöffnungen dienen. Außerdem befinden sich in der Bodenplatte zwei Durchführungen 5» durch welche die aus Silber bestehenden Stromzuführungen 6 in das Innere der Quarzglocke geführt sind. Die Durchführungen 5 bestehen aus Teflon.
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Auf der Oberseite der StromZuführungen 6 sind zwei Halterungen 7 und 8 aus Graphit befestigt, von denen die Halterung 7 das zu regenerierende GraOhitrohr 9 trägt, während die Halterung 8 mit einem massiven Graphitstab 10 verbunden ist. Dieser Graphitstab 10 ist an seinem oberen Ende mittels einer verschraubbaren Graphitkappe 11 mit dem zu regenerierenden Graphitrohr 9 verbunden. Über die gesamte Heizanordnung 9, 1o, 11 ist ein einseitig geschlossenes Graphitrohr 12 gestülpt, so daß die bei der Regenerierung auftretende Wärme auf das zu regenerierende Graphitrohr 9 konzentriert wird. Tn seinem unteren Randbereich ist das über die Heizanordnung gestülpte Graphitrohr 12 mit Gaseinlaß- und Gasauslaßöffnungen 13 versehen.
Zur Regenerierung des als Trägerkörper für eine Siliziumoder Siliziumcarbidabscheidung zu verwendenden Graphitrohres 9 wird in die Quarzglocke 1 Wasserstoff oder Wasserstoff mit geringen Spuren Silicochloroform über die Gaszuführung 3 eingeleitet und eine Strömungsgeschwindigkeit von 200 l/h eingestellt. Dann wird das Graphitrohr 9 auf eine Temperatur von 140O0O aufgeheizt und etwa eine Stunde auf dieser Temperatur belassen. Der auf dem Graphitträgerkörper vor dem Ausheizen befindliche, von der Beschichtung herrührende Belag ist nach dem Ausdampfprozeß vollkommen verschwunden. Der Graphitträgerkörper kann sofort für einen weiteren Beschichtungsvorgang verwendet werden.
Die nach dem Verfahren nach der Lehre der Erfindung hergestellten Formkörper, insbesondere die Siliziumrohre, welche in erster Linie für Diffusionsr>rozesse in der Halbleiter-
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technik Verwendung finden, sind bezüglich ihrer Reinheit und Gasdichtigkeit absolut einwandfrei. Das Abziehen des aus Silizium oder Siliziumcarbid bestehenden Formkörpers von dem gemäß der Lehre der Erfindung regenerierten GraphitträperkörDer wird wesentlich erleichtert.
7 Patentansprüche
1 Figur
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Claims (7)

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen von aus Silizium oder Siliziumcarbid bestehenden Formkörpern, insbesondere von aus Silizium bestehenden Rohren, durch Abscheiden von Silizium oder Siliziumcarbid aus der Gasphase auf erhitzte Trägerkörper aus Graphit, wobei sich die Oberfläche des Trägerkörpers mit einer Schicht von Silizium oder Siliziumcarbid überziehtt die nach Entfernung des Trägerkörpers den gewünschten Formkörper bildet, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Abscheidung der aus Silizium oder Silizium— carbid bestehenden Schicht der aus Graohit bestehende Trägerkörper einer Temperaturbehandlung bei Temperaturen oberhalb 130
worfen wird.
oberhalb 13000C in einer strömenden Gasatmost>häre unter-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Temperaturbereich von HOO - 16000C eingestellt wird·
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Gasatrnosphäre Wasserstoff und/oder inerte Gase wie Stickstoff oder Edelgase verwendet werden.
4. Verfahren nach Anst>ruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Strömungsgeschwindigkeit in der Gssatmosphäre von 200 - 300 l/h eingestellt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturbehandlung auf mindestens 15 Minuten erstreckt wird.
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6. Verfahren nach Ansnruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem strömenden, aus Wasserstoff bestehenden Gas Silicochloroform (SiHOl-,) in geringen Mengen beigemischt wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit einer Gaseinlaß- und Gasauslaßöffnung versehener Rezipient aus Quarz mit einer metallischen Bodenplatte, insbesondere aus Silber, verwendet is+, daß zur Beheizung des aus GraOhit bestehenden Trägerkörpers Graphithalterungen vorgesehen sind, welche über Durchführungen in der Bodenplatte des Rezipierten mittels Silberelektroden mit einer Spannungsquelle verbunden sind, und daß der Graphitträgerkörper zur besseren Konzentrierung der Wärme allseitig von einem einseitig geschlossenen Graohitrohr umgeben ist, welches für die Gasdurchströmung in seinem unteren Randbereich mit Durchbohrungen versehen ist.
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IT25110/73A IT988971B (it) 1972-06-15 1973-06-12 Procedimento per fabbricare ogget ti sagomati costituiti di silicio o carburo di silicio
US05/369,830 US3943218A (en) 1972-06-15 1973-06-14 Method of manufacturing shaped hollow bodies
BE132334A BE800991A (fr) 1972-06-15 1973-06-15 Procede et dispositif de fabrication de corps faconnes en silicium ou carbure de silicium
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015922A (en) * 1970-12-09 1977-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for the manufacture of tubular bodies of semiconductor material
DE2618273C3 (de) * 1976-04-27 1984-04-19 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium
DE2618293A1 (de) * 1976-04-27 1977-11-17 Papst Motoren Kg Kollektorloser gleichstrommotor
US4565731A (en) * 1978-05-04 1986-01-21 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming member for electrophotography
US4471042A (en) * 1978-05-04 1984-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium
US4263031A (en) * 1978-06-12 1981-04-21 Corning Glass Works Method of producing glass optical filaments
JPS554040A (en) * 1978-06-26 1980-01-12 Hitachi Ltd Photoconductive material
US4475030A (en) * 1981-09-25 1984-10-02 Caterpillar Tractor Co. Glow plug having resiliently mounted ceramic surface-ignition element
US4412126A (en) * 1982-02-04 1983-10-25 Sanders Associates, Inc. Infrared source
US4861533A (en) * 1986-11-20 1989-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Method of preparing silicon carbide capillaries
DE59100763D1 (de) * 1990-05-02 1994-02-10 Siemens Ag Elektrode für medizinische Anwendungen.
US6228297B1 (en) * 1998-05-05 2001-05-08 Rohm And Haas Company Method for producing free-standing silicon carbide articles
US6464912B1 (en) 1999-01-06 2002-10-15 Cvd, Incorporated Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition
RU2159213C2 (ru) * 1999-02-25 2000-11-20 Абдюханов Мансур Абдрахманович Способ очистки кремния и устройство для его осуществления
US20050007118A1 (en) * 2003-04-09 2005-01-13 John Kitching Micromachined alkali-atom vapor cells and method of fabrication
US20090224439A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-10 Graham Packaging Company, Lp Injection molding apparatus and methods for making plastic preforms
CN101920961B (zh) * 2009-06-09 2013-09-04 内蒙古神舟硅业有限责任公司 一种去除三氯氢硅中磷硼杂质的工艺
WO2012137429A1 (ja) * 2011-04-01 2012-10-11 株式会社島津製作所 放射線検出器の製造方法および放射線検出器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2925357A (en) * 1954-11-08 1960-02-16 Union Carbide Corp Siliconized inert base materials
US3329527A (en) * 1963-09-13 1967-07-04 Monsanto Co Graphite heating elements and method of conditioning the heating surfaces thereof
DE1287047B (de) * 1965-02-18 1969-01-16 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
DE1917016B2 (de) * 1969-04-02 1972-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zur herstellung von hohlkoerpern aus halbleiter material

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Publication number Publication date
GB1393211A (en) 1975-05-07
US3943218A (en) 1976-03-09
IT988971B (it) 1975-04-30
JPS4952136A (de) 1974-05-21
BE800991A (fr) 1973-10-01
FR2189536B1 (de) 1976-11-12
FR2189536A1 (de) 1974-01-25

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