DE1913039A1 - Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in Halbleiterkoerper - Google Patents
Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in HalbleiterkoerperInfo
- Publication number
- DE1913039A1 DE1913039A1 DE19691913039 DE1913039A DE1913039A1 DE 1913039 A1 DE1913039 A1 DE 1913039A1 DE 19691913039 DE19691913039 DE 19691913039 DE 1913039 A DE1913039 A DE 1913039A DE 1913039 A1 DE1913039 A1 DE 1913039A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon nitride
- layer
- chrome
- gold
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
Deutsche ITT Industrias GmbH. R.C.G.Swann et al 6-3
78 Freiburg, Hans-Bunce-Str. 19 10. Mars 1969 Pat.Au/Wi
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT HIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG, FREIBURG i. Br.
Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in Halbleiterkörper
Die Priorität dar Anmeldung Nr. 713,«+12 vom 15. März 1968 in den USA wird
beansprucht.
Ein bekanntes Verfahren zum Dotieren von Halbleiterbauelementen besteht im
Abscheiden von dotierendem Material aus einer Verbindung wie Bortrichlorid (BCl )j Bortribromid (BBr-), Phosphorpentoxyd (P„0 ) und Phosphoroxychlorit
(POCl3) nachdem eine dielektrische Oxydschicht erzeugt worden ist. Bekanntlich
wird dabei im Zusammenhang mit einem Aufspaltungsprozeß eins glasartige
Verbindung des Dotierungsmaterials auf der Halbleiteroberfläche abgeschieden. Dies ergibt verschiedene nachteilige Effekte, wie z.B. durch
Verschmutzung verursachte unerwünschte gleichrichtende Kontakte oder offene Zuleitungen. Dieser Stand der Technik erfordert auch Arbeitsgänge, bei
denen jeder einzelne Schritt, wie Ablagerung des Dielektrikums und Ablagerung des Dotierungsstoffes in verschiedenen Vorrichtungen durchgeführt
wird.
Aufgabe der Erfindung ist die Durchführung einss Verfahrens εar Ablagerung
des Dotisrungsstoffes unter Vermeidung von Verschmutzungen, wob^i eine
gleichmäßige Schicht elementaren Dotierungsraaterials über die gesamte
Oberfläche eines Silieiumplättchens derart aufgebracht wird, daß eine folgende Wärmebehandlung eine große Fläche mit einem gleichmäßig dotierten,
gleichmäßig diffundierten Gebiet ergibt.
909840/1612
Fi 588 R.C.G.Swann et si 6-3
Die Erfindung betrifft demnach ein Verfahren zum Einbringen von dotierenden
Verunreinigungen in eine mit einer durch fensterartige Öffnungen durchbrochenen
Isolierschicht bedeckte Oberfläche eines Halbleiterkörpers durch Abscheiden und nachträgliches Eindiffundieren des Dotierungsmaterials. Erfindungsgemäß
wird dies dadurch erreicht, daß in einer geeigneten Vorrichtung auf der Halbleiteroberfläche eine Siliciumnitridschicht erzeugt wird, daß
in der Siliziuninitridschicht fensterartige Öffnungen gebildet werden und anschließend in der gleichen Vorrichtung, in der die Siliciumnitridschicht
erzeugt wurde durch Aufspalten einer Verbindung des Dctierungsstoffes auf der mit den Fenstern versehenen Siliziumnitridschicht der elementare
Dotierungsstoff abgeschieden und durch eine nachfolgende Wärmebehandlung in
die an dem Fenster freiliegende Oberfläche des Halbleiterkörpers eindiffundiert wird.
Die Einzelheiten der Erfindung sollen durch die folgende Beschreibung in
Verbindung mit den Zeichnungen erläutert werden.
In diesen stellt
Fig. 1 eine Ansicht der in der Erfindung verwendeten Glimmentladungsvorrichtung
,
Fig. 2 eine Ansicht der für die pyrolytische Ablagerung verwendeten
Vorrichtung,
Fig. 3 eine schematische Folgedarstellung der einzelnen Verfahrensschritte
und
Fig. 1^ das Halbleiterplättchen in den einzelnen Stufen des
Verfahrens dar.
In Fig. 1 ist die erforderliche Vorrichtung für die Durchführung des erfindungsgeniäßen
Verfahrens dargast allt:
Zuerst die Ablagerung von Siliciumnitrid auf einer Halbleiterunterlage 1 und
dann folgend die Ablagerung elementaren Bors auf den Substrat , nachdem in
909840/1612
Fl 588 R.C.G.Swann et al 6-3
einer Siliciuranitridschicht fensterartige Öffnungen hergestellt wurden.
Diese beiden Schritte können in der gezeigten Vorrichtung unter Verwendung einer Glimmentladung ausgeführt werden.
Die Ablagerung von Siliciumnitrid durch Reaktion von Ammoniak und Silan in
einer Hochfrequenz-Glimmentladung wird in dem Artikel von R.C.G.Swann, R.R.
Mehta und T.P.Cauge: "The Preparation and Properties of Thin Film Silicon-Nitrogen
Compounds Produced by a Radio Frequency Glow Discharge Reaction" in
"Journal of the Electrochem. Soc", JuIi 1967, S. 713-717 beschrieben.
Die Vorrichtung ist im Vergleich zu Zerstäubungssystemen sehr einfach aufgebaut,
da keinerlei innere Elektroden, vorgespannte Gitter oder Wasserkühlsysteme erforderlich sind. Sie enthält ein Siliciumreaktionsrohr 2, in dem
eine Quarzhalterung 3 mit einem Kohleträger 4 befestigt ist. Der Ausgang
eines Hochfrequenzoszillators 5 ist an eine Spule 6 gekoppelt, die um das Reaktionsrohr 2 liegt. Für den Betrieb bei ümgebungs- bzw. Raumtemperatur
wird der Kohleträger entfernt. Der Generator kann sowohl die Energie für die chemische Reaktion als auch, wenn ervriinscht, für die Heizung des Substrats
liefern.
Die hier behandelte Glimm- oder "Kalt"-Entladung gehöi't zwischen die Townsend-:
und die Lichtbogenentladung, die wiederum nur Teile aus der Gruppe der elektrischen Durchbruchsphänomene darstellen. Entladungen kann man weiter
in zwei verschiedene Typen einteilen. Die kapazitive oder "E-Typ"-Entladung wird durch ein elektrisches Feld, während die induktive oder "H-Tyρ"-Entladung
durch ein magnetisches Feld hervorgerufen wird. Die letztere ist vermutlich von größerer Bedeutung bsi dem hier verwendeten System, da bei Fehlen innerer
Elektroden chemische Reaktionen mit kapazitiven Hochfrequenzentladungen nur
unvollständig ablaufen.
Der bei einer Glimmentladung vorsichgehende physikalische Prozess ist nicht
einfach, da man die Wechselwirkungen zwischen positiven Ionen, Elektronen und
angsregten Molekülen sowie die Gegenwart neutraler Atome und Moleküle berücksichtigen
nuß. Von chemischen Standpunkt aus können die Reaktionsprodukte
909840/1612
durch Zerbrechen der existierenden Verbindungen oder die Bildung neuer
Verbindungen, freier Radikale und metastabiler Ionen gebildet werden.
Im letzteren Fall können die Ionen durch Abgabe ihrer gespeicharten
Energie an an den Rekombinationsstellen angelagerte Moleküle als Katalysatoren wirken. Diese Rekombinationsstellen können die Wände der
Reaktionsröhre sein oder auch irgendein anderer Gegenstand, der im
Entladungsraum angeordnet ist und die bei der Rekombination freiwerdende Energie absorbiert. Alle diese Möglichkeiten weisen auf die
Komplexität der Plasraachemie hin.
Die chemischen Komponenten des Silicium-Nitrids werden durch die gasförmigen
Quellen von unverdünntem Silan 15 und wasserfreiem Ammoniak
16 mit den Reinheiten des Silans 99 % und 1 % Wasserstoff und des wasserfreien Ammoniaks von 99,99 % geliefert. Die Durchflußmengen
werden durch die Durchflußmengenmesser 17 und 18 in Verbindung mit
den Steuerventilen 20 und 21 gemessen. Die Gase werden gemischt und
in den Reaktionsraum 2 geleitet, in dem durch die Vakuumpumpe 25 kontinuierlich ein Druck von 10 Torr
sätzliche Reaktion ist dabei folgende:
sätzliche Reaktion ist dabei folgende:
kontinuierlich ein Druck von 10 Torr eingestellt wird. Die grund-
3 SiH^ + NH3 —-ffi— Si3N^ + 12 H2.
L· Das Siliciumsubstrat ist beispielsweise η-leitend und besitzt einen Widerstand
von 2 Ohm cm. Nachdem der Siliciumnitridfilni abgelagert ist, wird
die Probe dem Reaktionsraum entnommen und auf die Siliciumnitridschicht Gold-Chromschichten gedampft.
Eines der Hauptprobleme bei der Verarbeitung von Siliciumnitrid ist die
Schwierigkeit der Ätzung, so wurden verschiedene Versuche zur Entwicklung von Fotoätzverfahren unternommen. Diese Verfahren habsn den Nachteil, daß
sie kompliziert und sehr verschieden von den für die Ätzung von SiO- allgemein bekannten Prozessen sind. Die bisher bekannten Chemikalien zur bevorzugten
Ätzung von Siliciumnitridfilmen sind Flußsäure und kochende
909840/1612
Fl 588 R.C.G.Swann et al 6-3
Phosphorsäure. Die Ätzgeschwindigkeiten sind davon abhängig, wie das
Siliciumnitrid abgelagert wurde und variieren von 75 X/nin. bis 1200 X/min.
Die Verwendung der üblichen Photolacke wie beispielsweise die unter der Sammelbezeichnung "Photoresistlacke" bekannten Typen KPR, KMER und KFTR
ist wegen des Abhebens und des Zerfalls des Photo films nicht.möglich.
Unter Verwendung von aufgedampften Chrom-Gold-Schichten kann man starke Reagentien und lange Ätzzeiten verwenden und erhält vergleichbare Werte
zu den bei Verwendung der oben angegeben Fotolacke beispielsweise KPR bei erhaltenen Werten.
Es wird zuerst auf die Siliciumnitridschicht eine Chroinschicht von etwa
1000 5t und dann eine Goldschicht von 1Ö00 % bis Ί000 8 aufgedampft. Ein
geeigneter Photolack (beispielsweise Photoresistlack KPR) wird auf das Chrom-Gold aufgebracht.- Der Photolack wird von den zu ätzenden Flächen
entfernt. Die Goldätzung wird unter Verwendung einer Klg-Lösung durchgeführt.
Unmittelbar danach wird das Chrom unter Verwendung konzentrierter Salzsäure geätzt. Der Photolack wird dann von der Gold-Chrom-Schicht
entfernt. Die Scheibe kann nun in ^9 %igsr Flußsäure geätzt werden. Nach
der Flußsäureätzung können die Gold-Chrom-Schichten wie oben angegeben entfernt werden.
Die Scheibe ist nun zur Borablagerung vorbereitet. Sie wird auf den Träger
•l· zurückgebracht und anschließend wird von der Quelle 25 Bortrichlorid
durch den Durchflußmengenmesser 28 und das Ventil 27 in den Reaktionsraum
2 geleitet.
Durch die Hochfrequenz-Glimmentladung läuft die folgende Reaktion ab:
2 BCL,-*-2B + 3 Cl .
ο . 2
ο . 2
Nach der Ablagerung des elementaren Bors kann die Eindiffusion bei einer
'Temperatur von 12000C in einem üblichen Diffusionsofen oder in der Glimm-
909840/1612
-6 -
entladungskammer 2 durchgeführt werden. Bei Durchführung in der Glimsientladtmgskammer
wird die Quarzhalterung 3 erhöht, bis der Träger 4 und die Siliciufflprobe sich im Hochfrequenzfeld befinden; die Anwendung der
Hochfrequenzspannung vergrößert die Temperatur der Scheibe bis auf die für die Eindiffusion erforderlichen 1200 C.
Ein alternatives Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid durch
Glimmentladung ist die pyrolythische Ablagerung. In Fig. 2 ist eine Kammer 2 mit einer Quarzhalterung 3 und einem Kohleträger h gezeigt.
Der Kohleträger $ mit der Siliciumschaibe 1 befindet sich innerhalb
fc des Hochfrequenzfeldes und wird darin auf eine Temperatur von 9000C
erhitzt. Die Kammer wird mit Hilfe des Belüftungsrohrs 30 auf atmosphärischem Druck gehalten. Die Quarzhalterung wird durch bekannte,
hier nicht gezeigte Mittel in Rotation versetzt. Eine Quelle 31 aus Argon oder Wasserstoff ist mit der Kammer durch den Durchflußraenganmesser
32 und das Steuerventil 33 verbunden. Das Silan in dem Argonoder
Wasserstoff-Trägergas wird durch die Qualle 33a und das wasserfreie
Ammoniak durch die Quelle 34 geliefert. Diese Quellen werden
durch die Durchflußmengenmesser 35 und 36 und die Steuerventile 37 und 38 kontrolliert. Zuerst wird bei atmosphärischem Druck das Argon eingeleitet
und 10 Minuten die Scheibe ausgeheizt. Dann weisen Silan und
Ammoniak im Verhältnis 1:10 eingeleitet. Das pyrolythisch hergestellte
Siliciumnitrid wird in Dicken von 1200 bis 1500 % bei 900°C abgelagert.
™ Die Scheibe wird dann entnommen, um die aufeinanderfolgende Chrom-Gold-Auf
dämpfung mit Dicken von je etwa 1000 A durchzuführen. Die erforderlichen Fenster werden in die Chrom-Goldschicht und danach in die Silicium-Nitridschicht
nach dem weiter oben beschriebenen Verfahren geätzt.
Die Scheibe wird danach in die Kammer· zurückgelegt, die evakuiert wird.
Das Bortrichlorid wird von der Quelle h0 durch den Durchflußmengenmesser
und das Steuerventil bei Raumtemperatur und bei einem Druck von 10 Torr
für etwa 15 Min. in die Kanter 2 geleitet. Die Eindiffusion kann in der
Kammer 2 bei 12000C über eine Zeit von 20 Min. durchgeführt werden. Die
Scheibe kann aber auch in einen Diffusionsofen gebracht und dort bei 1200 C 20 Hin. lang erhitzt werden.
909840/1612
Fig. ** zeigt die Scheibe in den verschiedenen Phasen des Prozesses. Die
Siliciumscheibe lr enthält eine abgelagerte Schicht aus Siliciumnitrid 50;
in Fig. Hb sind die Chrom-Gold-Sohichten 51 und 52 auf die Silicium^nitridschicht
50 aufgebracht. In Fig. 4c ist der Fotolack (beispielsweise KPR 53)
aufgebracht und in die Fotolack-Chrom-Gold-Schichten Fenster 5H eingeätzt.
In Fig. *»d werden die Fenster 54 in das Siliciumnitrid bis zur Siliciumoberflache
vertieft. In Fig. 4e sind die Fotolack-Gold-Chrom-Schichten entfernt
und elementares Bor 55 über die gesamte Oberfläche abgelagert.Nach dem Eindiffusionsschritt
ist gemäß Fig. 4f das Eor 55 in das Silicium diffundiert
und bildet das bordotierte Silicium-Gebiet 56.
Elementarer Phosphor kann auf die gleiche Weise auf einem Siliciumsubstrat
abgelagert werden, wie dies für die Ablagerung elementaren Bors beschrieben wurde. Anstelle von Bortrichlorid wird Phosphorwasserstoff PH_ in die Quelle
25' oder in die Quelle UO gebracht, die Temperatur ist dieselbe.
Die Reaktion verläuft wie folgt:
P + 3H.
Als Beispiele für andere p-dotierende Materialien kann man in dem erfindungsgemäSen
Verfahren Diboran BH, Aluminiumalkyl Al CC H) und Digallan Ga„He
/. O ZOO Ji Ό
verwenden. Beispiele für andere η-dotierende Substanzen sind Arsenwasserstoff
AsH_ und Antimonwasserstoff SbH-. Dieses Verfahren ergibt hohe Ober-
19 -3
flächenkonzentrationen größer als 10 cm für Bor und gleichmäßig dotierte Sperrschichtflächen sowie eine gleiche Sperrschichttiefe über die Sperrschichtfläche .
flächenkonzentrationen größer als 10 cm für Bor und gleichmäßig dotierte Sperrschichtflächen sowie eine gleiche Sperrschichttiefe über die Sperrschichtfläche .
909840/1-612
Claims (1)
- P1S88 ' l 1813039PAttJHTANSPRÖCHEVerfahren cum Einbrlnfen von dotierenden Verunreinigung«» in «the einer durch fentterartige Öffnungen durchbrochenen teoltertehitht bit deckte Oberfläche nine» Halbleiterkörper· durch Abscheiden und nachträgliches feindif fundieren de« Dotierungsmaterial·, dadurch gekenn-Belehnet» daß in einer geeigneten Vorrichtung auf der Halbleiteroberfläche «Ine SiHaiutnnitridsehieht «reeüft wird, daß in der ßlUeiuBl·- nitridfchicht feneterartige öffnungen erzeugt und anschließend in der gleichen Vorrichtung» in der die Siliciumnltridschicht erceugt wurde durch Auftpalten einer Verbindung dee Dotierungeetoffei euf der mit den fenstern versehenen Bilicittmnitridsahicht der «Iftmentaro dotierung·4· stoff abgeschieden und durch eine nachfolgende Wärmebehandlung in die an den Fenstern freiliegende Oberfläche des Halbleiterkörper« eindiffundiert wird.i. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ßiliciumnitridßchicht durch Glimmentladung aus Ammoniak und Siliciumhydrid gebildet wird.3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumnltrldschicht durch Pyrolyse aus Ammoniak und Siliciumhydrid gebildet wird.4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Walteren Verfahrensschritt eine Chromschicht und eine Goldschicht auf der Siliciumnitridschicht niedergeschlagen, in diese Chrom-Gold-Schicht mittels der photolithographischen Technik Fenster geätzt und anschließend mittels eines weiteren, die Chrom-Gold-Schlcht nicht angreifenden Xtzmittels in die in den Öffnungen dor Chrom-Goldsehicht freiliegende Siliciumnitridschicht Fenster geätzt werden.909840/1612— 9 —η 688 9 R,C.<Mw«hn «t ·1 6«$5. Verfahren nach Anspruch H, dadurch gefcenn*eiqhnet, da$ «1« Xtimittel sum Entfernen des Siliciumnitrid· H9 %ig* FlufliSur· verwendetβ. Verfahren nach einem oder nehreren der Anspruch· λ-5* dadurch gekenn» seichnet, da)! da· Aufspulten de* Verbindung de· Datieruftgsstoffes und die Abscheidung des elementaren Dotierungsetoffe· auf der Oberfläche dea Halbleiterkörper· durch eine Hochfrequenz-Glimmentladung durchgeführt wird.7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bit β, dadurch gakenn*elehnett d*A das Halbleitermaterial und der aufgebracht· elementare Dotierungaotoff einest Wärmebehandlung bei 12QO9C unterworfen werden und der Dotierungsstoff dabei bis zur gewünschten Tiefe in das Halbleitermaterial eindiffundiert wird.8. Verfahren nach Anspruch f» dadurch gekennzeichnett daß die Diffusion mitt·!· induktive? Heizung in der C&iwwmtladung*vorriehtviHg durchgeführt vird,9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daft die Diffusion in einem Diffusionsofen durchgeführt wird,'10» Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche i bin 0, dadurch gekennzeichnet» daß der elementar· Dotierungestoff Bof ist und die aufzuspaltend· Verbindung Bortrichlorid ist.11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche Ibis 9» dadurch gekennseiehn·*, dad 4«rt elementare 8of4<ftuflgMtoff fhofphor ist und die aufamspaltend« Verbindung Phosphor-Wasserstoff ist.ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US71341268A | 1968-03-15 | 1968-03-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1913039A1 true DE1913039A1 (de) | 1969-10-02 |
Family
ID=24866039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691913039 Pending DE1913039A1 (de) | 1968-03-15 | 1969-03-14 | Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in Halbleiterkoerper |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3576685A (de) |
JP (1) | JPS4822378B1 (de) |
DE (1) | DE1913039A1 (de) |
GB (1) | GB1227705A (de) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3923562A (en) * | 1968-10-07 | 1975-12-02 | Ibm | Process for producing monolithic circuits |
US3757351A (en) * | 1971-01-04 | 1973-09-04 | Corning Glass Works | High speed electostatic printing tube using a microchannel plate |
US3907616A (en) * | 1972-11-15 | 1975-09-23 | Texas Instruments Inc | Method of forming doped dielectric layers utilizing reactive plasma deposition |
JPS558411B2 (de) * | 1974-04-30 | 1980-03-04 | ||
US4173660A (en) * | 1977-07-27 | 1979-11-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of preparing a thermoluminescent phosphor |
US4465529A (en) * | 1981-06-05 | 1984-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor device |
JPS60153119A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 不純物拡散方法 |
US4698104A (en) * | 1984-12-06 | 1987-10-06 | Xerox Corporation | Controlled isotropic doping of semiconductor materials |
US4791074A (en) * | 1986-08-29 | 1988-12-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor apparatus |
EP0675502B1 (de) * | 1989-04-13 | 2005-05-25 | SanDisk Corporation | EEPROM-System mit aus mehreren Chips bestehender Blocklöschung |
EP0505877A2 (de) * | 1991-03-27 | 1992-09-30 | Seiko Instruments Inc. | Dotierungsverfahren mittels einer adsorbierten Diffusionsquelle |
US6893907B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation |
US6939434B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
US7223676B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
US7166524B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
US20070042580A1 (en) * | 2000-08-10 | 2007-02-22 | Amir Al-Bayati | Ion implanted insulator material with reduced dielectric constant |
US7294563B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process |
US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
US7094316B1 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
US20050230047A1 (en) * | 2000-08-11 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus |
US7094670B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7303982B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-12-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7320734B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7465478B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7288491B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7137354B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7430984B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements |
US7037813B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7479456B2 (en) * | 2004-08-26 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck |
US7355687B2 (en) * | 2003-02-20 | 2008-04-08 | Hunter Engineering Company | Method and apparatus for vehicle service system with imaging components |
US20050211171A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having an ion shower grid |
US7291360B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
US20050211547A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma reactor and process using plural ion shower grids |
US20050211546A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma process using an ion shower grid |
US7695590B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
US7244474B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
US7767561B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid |
US8058156B2 (en) * | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
US7666464B2 (en) * | 2004-10-23 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
US7428915B2 (en) * | 2005-04-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | O-ringless tandem throttle valve for a plasma reactor chamber |
US7312162B2 (en) * | 2005-05-17 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition |
US20060260545A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Kartik Ramaswamy | Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system |
US7109098B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
US7422775B2 (en) * | 2005-05-17 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
US7335611B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer |
US7312148B2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing |
US7323401B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask |
US7429532B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask |
CN101583736A (zh) * | 2007-01-19 | 2009-11-18 | 应用材料股份有限公司 | 浸没式等离子体室 |
US7772097B2 (en) * | 2007-11-05 | 2010-08-10 | Asm America, Inc. | Methods of selectively depositing silicon-containing films |
-
1968
- 1968-03-15 US US713412A patent/US3576685A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
- 1969-03-12 GB GB1227705D patent/GB1227705A/en not_active Expired
- 1969-03-14 DE DE19691913039 patent/DE1913039A1/de active Pending
- 1969-03-15 JP JP44020007A patent/JPS4822378B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3576685A (en) | 1971-04-27 |
GB1227705A (de) | 1971-04-07 |
JPS4822378B1 (de) | 1973-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1913039A1 (de) | Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in Halbleiterkoerper | |
DE3789753T2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer dünnen Schicht. | |
DE3855765T2 (de) | Dünnschicht-Siliciumhalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3782991T2 (de) | Cvd-verfahren und vorrichtung. | |
DE3541587C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dünnen Halbleiterfilms | |
DE3336064A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung einer schicht auf einem substrat | |
DE2422195C2 (de) | Verfahren zur Vermeidung von Grenzschichtzuständen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
EP1451384B1 (de) | Beschichtungsverfahren und beschichtung | |
DE2213037C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines MOS-Feldeffekttransistors mit einer polykristallinen Silizium-Gate-Elektrode | |
DE1621390B2 (de) | Verfahren zum abscheiden isolierender duennschichten | |
DE2824564A1 (de) | Verfahren zum herstellen von elektronischen einrichtungen | |
DE2813250A1 (de) | Verfahren zur herstellung von verbindungshalbleiterchips | |
DE2161055A1 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines hitzebeständigen Metalls | |
DE3709066A1 (de) | Verfahren zum erzeugen eines duennen metallfilms durch chemisches aufdampfen | |
DE3411702A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mehrkomponentenduennfilms, insbesondere eines amorphen mehrkomponentensiliciumduennfilms | |
DE2904171C2 (de) | ||
DE1913718C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE2052221C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer Siliciumoxidschicht auf einem Süiciumsubstrat und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE1640486C3 (de) | Verfahren zum reaktiven Zerstäuben von elementarem Silicium | |
DE2253411A1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus halbleitermaterial bestehenden, direkt beheizbaren hohlkoerpern fuer diffusionszwecke | |
DE2032320C3 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Haftung eines leitenden Materials auf einem nichtleitenden anorganischen Substratmaterial | |
DE1544287A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium-oder Germaniumstickstoff-Verbindung an der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls | |
DE3644654A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit einer mehrschichtstruktur und eine hieraus erhaltene elektronische vorrichtung | |
DE69018420T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung mit abgelagertem Oxid. | |
DE2522921A1 (de) | Molekularstrahl-epitaxie |