DE3782991T2 - Cvd-verfahren und vorrichtung. - Google Patents
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Description
- Die Erfindung bezieht sich allgemein auf CVD-Verfahren und -Vorrichtungen, und insbesondere betrifft sie eine photo- und plasmaunterstützte CVD-Vorrichtung.
- Es existieren viele Verfahren zur Materialabscheidung aus der Dampfphase (CVD), wie AP(Atmospheric Pressure = Umgebungsdruck)-CVD, LP(Low Pressure = Niederdruck)-CVD, Plasma- CVD, thermische CVD usw., die dazu verwendet werden, einen Film auf einem Substrat abzuscheiden. Diese Prozesse weisen jeweils ihre eigenen besonderen Eigenschaften auf, jedoch gilt allgemein, daß die Temperatur, bei der jeder Prozeß ausgeführt wird, relativ hoch ist. Ein derartiger Hochtemperaturprozeß ist z. B. nicht für das Ausbilden eines Passivierungsfilms auf einer Aluminiumelektrodenanordnung geeignet.
- Photounterstützte CVD-Prozesse haben das Interesse von Gerätebauern auf sich gezogen, da sie bei relativ niedrigen Temperaturen ausgeführt werden können. Der photounterstützte CVD-Prozeß basiert auf der Energie von Licht, indem nämlich eine optische Reaktion ausgeführt wird. Z. B. werden im Fall eines Photo-CVD-Prozesses mit Silan und Ammoniak Quecksilberatome durch Einstrahlung ultravioletten Lichts einer Wellenlänge von 2,537 Å (1 2Å = 10&supmin;¹&sup0;m) angeregt. Der Prozeß wird zum Abscheiden eines Siliziumnitridfilms auf einem Substrat gemäß folgender Gleichung verwendet.
- Hg + hν T Hg* ("*" zeigt Anregung an)
- Hg* + SiH&sub4; T SiH&sub3; + H- + Hg ("-" zeigt ein Radikal an)
- Hg* + NH&sub3; T NH&sub2;- + H- + Hg
- yNH&sub2;- + xSiH&sub3; T SixNy + zH&sub2;
- In den vorstehenden Gleichungen werden x, y und z geeignet gewählt.
- Fig. 1 der beigefügten Zeichnungen stellt einen Querschnitt durch eine beispielhafte Photo-CVD-Vorrichtung dar, die früher von den Erfindern der vorliegenden Erfindung ersonnen wurde. Um das Verständnis des Hintergrundes der vorliegenden Erfindung zu erleichtern, wird zunächst diese Vorrichtung kurz erläutert. Wie in Fig. 1 dargestellt, weist die Vorrichtung eine Reaktionskammer 31, Lichtquellenkammern 39 und Ultraviolettlichtquellen 41 innerhalb der Kammern 39 auf. Zwischen den Lichtquellenkammern 39 ist ein Träger 35 so angebracht, daß er in Richtung rechtwinklig zum Zeichenblatt bewegt werden kann. Der Träger ist mit Heizern 37 versehen, um Substrate 33 aufzuheizen, die, wie dargestellt, auf den Außenseiten des Trägers 35 angebracht sind, die den Lichtquellenkammern 39 gegenüberstehen. Die Temperatur der Substrate 33 wird auf etwa 200ºC erhöht, was zum Ausbilden eines Siliziumnitridfilms geeignet ist. In der Reaktionskammer 31 wird ein Prozeßgas mit einem Druck von einigen Torr (1 Torr = 133.3 N/mΠ) zirkuliert. Das Prozeßgas wird durch Quarzfenster 47 hindurch mit Licht von den Lichtquellen 41 beleuchtet. Das Bezugszeichen 45 kennzeichnet Elektroden, durch die bewirkt werden kann, daß eine Entladung innerhalb der Kammer stattfindet, wobei der Träger als zweite Elektrode verwendet wird, damit unerwünschte Produkte, die sich auf den Oberflächen der Quarze 47 abgeschieden haben, durch Sputtern entfernt werden können.
- Ein Nachteil der Vorrichtung von Fig. 1 ist, daß die Dicke des abgeschiedenen Films von der räumlichen Beziehung zwischen den Lichtquellen und den Positionen der Substrate abhängt. Hierbei kann das beim CVD-Prozeß erzeugte Produkt mit größerer Dicke an solchen Stellen abgeschieden werden, die mit stärkerem Licht bestrahlt werden. Allgemein gesagt, beträgt die tolerierbare Schwankung in der Dicke des Films etwa 10 %. Darüber hinaus müssen die Quarzfenster 47 ausreichend dick sein, damit sie dem Differenzdruck zwischen der Innenseite der Reaktionskammer 31 und der Innenseite der Lichtquellenkammer 39 standhalten, in der Kühlgas umgewälzt wird, damit ein Auslecken des Kühlgases von der Lichtquellenkammer 39 in die Reaktionskammer 31 verhindert werden kann. Als Alternative kann ein spezielles Kühlsystem zum Kühlen der Lichtquellenkammer 39 erforderlich sein, wodurch der Druck in der Lichtquellenkammer und dadurch der Differenzdruck erniedrigt werden kann. Wenn es erwünscht ist, eine Entladung zwischen dem Träger 35 und der Reaktionskammer 31 herbeizuführen, um durch Sputtern einen unerwünschten Film zu entfernen, der sich auf den Lichteinstrahlfenstern abgeschieden hat, neigt die Entladung dazu, von den Fenstern wegzugehen. Daher müssen spezielle Elektroden 45 angebracht werden, was zu erhöhter Größe der Vorrichtung führt.
- Die Schwierigkeit mit der Ungleichmäßigkeit des durch CVD abgeschiedenen Films liegt auch im Fall plasmaunterstützter CVD vor. Die Energie des Plasmas scheint von der Beziehung zwischen dem Substrat und dem Paar von Elektroden abhängig zu sein, zwischen denen die Entladung stattfindet. Gleichförmige Filmabscheidung auf einem zu beschichtenden Substrat ist auch ein Erfordernis bei Plasma-CVD.
- Gemäß der Erfindung wird eine photounterstützte CVD-Vorrichtung angegeben mit einer evakuierbaren Reaktionskammer, einer Einrichtung zum Einführen von Prozeßgasen in die Reaktionskammer, einem im wesentlichen säulenförmigen Substrathalter, der innerhalb der Reaktionskammer angebracht ist, welcher Substrathalter Umfangsflächen aufweist, die mehrere Substrate halten können, mehreren langgestreckten Lichtquellen, die im wesentlichen gleichförmig um den Substrathalter angeordnet sind, um auf diesem befindliche Substrate zu bestrahlen, welche langgestreckten Lichtquellen sich im wesentlichen parallel zu den Substrathalterflächen des Substrathalters erstrecken und eine Länge aufweisen, die zumindest der entsprechenden Längsabmessung der Substrathalterflächen des Substrathalters entspricht, und einer Einrichtung zum Verändern der räumlichen Beziehung des Substrathalters relativ zu den Lichtquellen, um während des Gebrauchs der Vorrichtung das Ausbilden gleichförmiger Abscheidungen auf den auf den Umfangsflächen des Substrathalters gehaltenen Substraten unabhängig von irgendwelchen Unhomogenitäten in der räumlichen Ausbildung der Vorrichtung zu ermöglichen.
- Die vorliegende Erfindung gibt also eine CVD-Vorrichtung an, in der die räumliche Beziehung eines auf einem Träger der Vorrichtung angebrachten Substrats relativ zur Vorrichtung während des CVD-Prozesses verändert wird, um den schädlichen Effekt von Ungleichförmigkeiten in der räumlichen Anordnung der Vorrichtung auf die Gleichförmigkeit von von der Vorrichtung herbeigeführten Abscheidungen zu verringern. Der Träger kann z. B. drehbar in der Vorrichtung angebracht sein, um sicherzustellen, daß ein auf dem Träger angebrachtes Substrat den Effekten der Photounterstützungseinrichtungen der Vorrichtung über die gesamte Substratfläche gleichmäßig ausgesetzt ist.
- Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen, wie sie nachfolgend beschrieben werden, wird ein im wesentlichen zylindrischer Träger mit vielen Prismenflächen verwendet, der so angeordnet ist, daß er während des CVD-Prozesses um seine Achse gedreht werden kann, und die Photounterstützungseinrichtung ist so ausgebildet, daß sie den sich drehenden Träger umgibt. Ein derartiger Träger kann viele Flächen aufweisen, und er ist dazu in der Lage, gleichförmige Abscheidungen auf den Oberflächen der Substrate herbeizuführen, die auf allen seinen Flächen angebracht sind.
- Die Gleichmäßigkeit kann weiter durch Einstellen der Drehzahl des Trägers und/oder durch Einstellen der Intensität der von der Unterstützungseinrichtung hervorgerufenen Effekte gesteigert werden.
- Die vorstehenden und weitere Merkmale und Gesichtspunkte der Erfindung werden insbesondere in den beigefügten Ansprüchen dargelegt, und sie werden für den Fachmann aus der folgenden, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen gegebenen Beschreibung deutlich.
- Fig. 1 ist ein Querschnitt für ein Beispiel einer Photo-CVD- Vorrichtung;
- Fig. 2 ist ein Querschnitt, der ein beispielhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
- Fig. 3 ist ein Querschnitt entlang der Linie III-III von Fig. 2;
- Fig. 4 ist ein Querschnitt, der ein anderes beispielhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
- Fig. 5(A) bis 5(C) sind Diagramme, die die Verteilung der Beleuchtungsintensität von Substraten darstellen, die auf prismenförmigen Substrathaltern angebracht sind, die Querschnitte in Form regelmäßiger Polygone mit 6, 12 bzw. 24 Seiten aufweisen; und
- Fig. 6(A) bis 6(C) und Fig. 7 sind Querschnitte, die Stufen eines beispielhaften erfindungsgemäßen CVD-Prozesses zeigen.
- Fig. 2 und Fig. 3 zeigen eine erfindungsgemäße photounterstützte CVD-Vorrichtung. Wie in den Figuren dargestellt, weist die Vorrichtung 1 eine Reaktionskammer 3, einen hexagonalen Träger 7, der als Substrathalter dient und sechs Seitenflächen aufweist, auf die Substrate 15 aufgebracht werden können, eine Antriebsanordnung 9 mit einem Motor 21 zum Drehen des Trägers 7 um seine Achse, mehrere Quarzrohre 17, die voneinander beabstandet in regelmäßigen Winkelabständen um den Träger angeordnet sind und gegen die Innenseite der Reaktionskammer 3 an einem Ende abgedichtet sind, während sie am anderen Ende geschlossen sind, Quecksilberdampflampen 19, die innerhalb der Quarzrohre luftdicht gelagert sind, Halogenlampenheizer 23, die in axialer Richtung entlang dem Träger angeordnet sind, ein Prozeßgas-Einlaßsystem 11 und ein Auspumpsystem 13 auf. Ein Kühlgas, wie Stickstoff, wird durch eine Umwälzeinrichtung 29 in den Quarzrohren 17 umgewalzt. Auf jeder ebenen Fläche des Trägers 7 können zwei Substrate mit jeweils 35 cm Länge und 30 cm Breite angebracht werden, weswegen der Träger 7 zwölf Substrate halten kann. Der Träger ist vorzugsweise von der Antriebseinrichtung abnehmbar, so daß die Substrate außerhalb der Reaktionskammer 3 am Träger angebracht werden können.
- Nachfolgend wird ein Verfahren für den Gebrauch der Vorrichtung beschrieben. Zunächst werden zwölf Substrate am Träger 7 angebracht und in die Reaktionskammer 3 eingeführt. Nach dem Evakuieren der Reaktionskammer 3 auf 10&supmin;² bis 10&supmin;&sup6; Torr mit Hilfe des Auspumpsystems 13 wird Prozeßgas mit etwa 3 Torr vom Einlaßsystem 11 eingegeben. Gleichzeitig werden die Substrate 15 durch die Heizer 23 auf etwa 200ºC aufgeheizt. Anschließend wird der von den Quecksilberdampflampen 19 umschlossene Träger 7 mit 2 U/min durch die Antriebsanordnung 9 in Drehung versetzt und mit ultraviolettem Licht von den Strahlen 19 bestrahlt, woraufhin das durch die optische Energie herbeigeführte Reaktionsprodukt auf den Substraten 15 abgeschieden wird. Jedes unerwünschterweise auf den Quarzrohren 19 abgeschiedene Reaktionsprodukt kann durch Sputtern dadurch entfernt werden, daß eine Entladung zwischen dem Träger und der Reaktionskammer 3 hergestellt wird. Ein photounterstützter CVD-Prozeß kann z. B. gemäß der folgenden Gleichung stattfinden:
- 3Si&sub2;H&sub6; + 8NH&sub3; T 2Si&sub3;N&sub4; + 21H&sub2; oder
- SiH&sub4; + 4N&sub2;O T SiO&sub2; + 4N&sub2; + 2H&sub2;O (1)
- Unter Bezugnahme auf Fig. 4 wird nun ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht. Dieses Ausführungsbeispiel stimmt mit dem vorherigen mit der Ausnahme überein, daß die Anzahl von Seitenflächen des Trägers anders ist und daß eine Elektrode 49 in Form eines zylindrischen Drahtnetzes zwischen dem Träger 7 und der Reaktionskammer 3 angeordnet ist. Der Träger 7 beim Ausführungsbeispiel von Fig. 4 weist zwölf Seitenflächen auf, von denen jede zwei Substrate halten kann. Die Elektrode 49 wird sowohl zum Erzeugen eines Plasmagases durch eine zwischen ihr und dem Träger 7 herbeigeführte Entladung verwendet wie auch zum Ausführen eines Ätzvorgangs zum Beseitigen irgendwelcher unerwünschter CVD-Produkte, die auf der Innenwand der Reaktionskammer 3, den Außenseiten der Lichtquellen 5 usw. abgeschieden sind. Die Elektrode 49 könnte alternativ zwischen den Lichtquellen 5 und dem Träger 7 angeordnet sein. Plasmaunterstütztes CVD kann mit der dargestellten Vorrichtung gleichzeitig mit Photo-CVD dadurch realisiert werden, daß eine Plasmaentladung innerhalb der Reaktionskammer während des Photo-CVD-Prozesses bewirkt wird, oder es kann getrennt nach oder statt der Abscheidung durch Photo-CVD erfolgen. Plasma-CVD kann z. B. mit Hilfe von TEOS (Tetra-Ethyl-Oxi- Silan) gemäß den folgenden Gleichungen ausgeführt werden:
- SiO&sub4;(C&sub2;H&sub5;)&sub4; + 14O&sub2; T SiO&sub2; + 8CO&sub2; + 10H&sub2;O, oder
- SiO&sub4;(C&sub2;H&sub5;)&sub4; + 28N&sub2;O T SiO&sub2; + 8CO&sub2; + 10H&sub2;O + 28N&sub2; (2)
- Nachdem die Substrate nach der abgeschlossenen Abscheidung der Reaktionskammer entnommen wurden, kann jedes unerwünschte Abscheidungsprodukt, das sich auf der Innenseite der Reaktionskammer ausgebildet hat, durch Ätzen mit einer Entladung entfernt werden, die zwischen dem Träger 7 und der Elektrode 49 aufgebaut wird. Der Ätzvorgang wird z. B. gemäß den folgenden Gleichungen ausgeführt:
- Si&sub3;N&sub4; + 4NF&sub3; T 3SiF&sub4; + 4N&sub2;
- 3SiO&sub2; + 4NF&sub3; T 3SiF&sub4; + 2N&sub2; + 3O&sub3;
- Die Beziehung zwischen der Gleichförmigkeit der Beleuchtungsintensität des Substrates und der Anzahl von Seitenflächen des Trägers wurde experimentell untersucht. Die Fig. 5(A) bis 5(C) sind Diagramme, die die Verteilungen der Intensitäten auf den Substraten zeigen, die auf prismenförmigen Substrathaltern angebracht sind, die Querschnitte in Form regelmäßiger Polygone mit 6, 12 bzw. 24 Seiten aufweisen. In den Figuren repräsentiert die Abszisse die Entfernung des Meßpunktes von der Mitte eines Substrats, und die Ordinate repräsentiert die auf die maximal auf dem Substrat gemessene Intensität normalisierte Intensität. Wie aus den Diagrammen ersichtlich, wird die Intensitätsverteilung mit zunehmender Anzahl von Flächen des Trägers immer gleichmäßiger. Die Intensität schwankt über die bestrahlte Oberfläche um mehr als 10 %, wenn der Träger sechs Flächen aufweist, während die Intensitätsschwankung auf Werte innerhalb 5 % begrenzt ist, wenn die Träger zwölf oder vierundzwanzig Flächen aufweisen. Der Träger mit vierundzwanzig Flächen kann achtundvierzig Substrate halten, wenn zwei Substrate auf jeder Fläche angebracht werden.
- Die Fig. 6(A) bis 6(C) sind Querschnitte, die ein Beispiel eines erfindungsgemäßen CVD-Prozesses veranschaulichen. Die Oberfläche eines zu beschichtenden Substrates 15 ist mit mehreren Aluminiumanschlußleitungen 51 versehen. Die Anschlußleitungen 51 sind in Richtung rechtwinklig zum Zeichenblatt langgestreckt, und sie können z. B. eine Höhe von 0,8 um und eine Breite von 0,6 um aufweisen und voneinander in Intervallen von 0,9 um beabstandet sein, wie in Fig. 6(A) dargestellt. Auf dem Substrat wird über den Anschlüssen 51 ein Siliziumoxidfilm durch Photo-CVD gemäß Gleichung (1) mit einer Dicke von 0,3 bis 0,5 um bei etwa 400ºC abgeschieden, wie in Fig. 6(B) dargestellt. Weiterhin wird ein anderer Siliziumoxidfilm 55 durch Plasma-CVD gemäß Gleichung (2) bei 200ºC abgeschieden, wie in Fig. 6(C) dargestellt. Der Film 53 weist wegen seiner relativ hohen Bildungstemperatur ausgezeichnete Isoliereigenschaften auf, während der Film 55 eine ebene Oberfläche aufweist aufgrund der Verwendung von TEOS in flüssigem Zustand bei vergleichweise niedriger Temperatur bei seiner Herstellung. Die ebene Oberfläche ist erwünscht, wenn sie mit einer abdeckenden Aluminiumelektrode 57 versehen wird, wie in Fig. 7 dargestellt. Die Wahrscheinlichkeit von Diskontinuitäten in der Elektrode 57 wird durch die Gleichmäßigkeit der Oberfläche des Films 55 verringert. Nach dem Abschließen der Abscheidung kann die Innenseite der Reaktionskammer z. B. durch Ätzen gereinigt werden, um CVD- Produkte zu entfernen, die sich auf den Quecksilberdampflampen 19 abgeschieden haben; in den Fig. 6(A) bis 6(C) ist nur eine solche Lampe schematisch dargestellt. Ein Ätzprozeß kann für den abgeschiedenen Film vor oder nach einem Plasma-CVD-Prozeß ausgeführt werden, um eine ebene Oberfläche des Films zu erhalten oder um die Kanten des abgeschiedenen Films zu entgraten.
- Durch den vorstehend beschriebenen Prozeß kann ein Film mit praktisch konstanter Dicke über die Oberfläche des Substrats 15 aufgrund der gleichförmigen Bestrahlung abgeschieden werden, die über jedes Substrat erhalten wird. Jedoch kann die Gleichförmigkeit der Filmdicke noch weiter dadurch verbessert werden, daß die Intensität der Quecksilberdampflampe 19 synchron mit der Umdrehung des Trägers 7 moduliert wird oder dadurch, daß die Winkeldrehzahl des Trägers 7 abhängig von der Position relativ zu den Quecksilberdampflampen 19 moduliert wird.
- Es darf nicht angenommen werden, daß die Erfindung auf die vorstehend beschriebenen besonderen Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern viele Modifizierungen und Variationen können sich für den Fachmann ergeben, ohne daß von der Erfindung abgewichen wird. Z. B. können, was den Querschnitt des Trägers 7 betrifft, andere regelmäßige oder unregelmäßige polygonale oder kreisförmige Formen verwendet werden. Auch kann die Antriebsanordnung statt an der Unterseite, wie in Fig. 2 dargestellt, an der Oberseite der Reaktionskammer oder an einer Seite angebracht sein, wobei ein Zahnradantrieb vorhanden ist.
Claims (15)
1. Photounterstützte CVD-Vorrichtung mit einer
evakuierbaren Reaktionskammer (3), einer Einrichtung (11) zum
Einführen von Prozeßgasen in die Reaktionskammer, einem im
wesentlichen säulenförmigen Substrathalter (7), der innerhalb der
Reaktionskammer angebracht ist, welcher Substrathalter
Umfangsflächen aufweist, die mehrere Substrate (15) halten
können, mehreren langgestreckten Lichtquellen (19), die im
wesentlichen gleichförmig um den Substrathalter angeordnet
sind, um auf diesem befindliche Substrate zu bestrahlen,
welche langgestreckten Lichtquellen sich im wesentlichen
parallel zu den Substrathalterflächen des Substrathalters
erstrecken und eine Länge aufweisen, die zumindest der
entsprechenden Längsabmessung der Substrathalterflächen des
Substrathalters entspricht, und einer Einrichtung (21) zum
Verändern der räumlichen Beziehung des Substrathalters (7)
relativ zu den Lichtquellen (19), um während des Gebrauchs
der Vorrichtung das Ausbilden gleichförmiger Abscheidungen
auf den auf den Umfangsflächen des Substrathalters
gehaltenen Substraten unabhängig von irgendwelchen Unhomogenitäten
in der räumlichen Ausbildung der Vorrichtung zu ermöglichen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Substrathalter
(7) polygonal ist und mehrere ebene Substrathalteflächen
aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der der polygonale
Substrathalter (7) mindestens zwölf Substrathalteflächen
aufweist.
4. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
der der Substrathalter (7) im wesentlichen zylindrisch ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
der die Lichtquellen (19) UV-Lichtquellen aufweisen.
6. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
der die langgestreckten Lichtquellen (19) Entladungslampen
(19) aufweisen, die innerhalb hermetisch abgedichteten
durchsichtigen zylindrischen Rohren (17) eingeschlossen
sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Rohre (17) aus
Quarz bestehen.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 oder 7, bei der
eine Einrichtung (29) vorhanden ist, um Kühlgas innerhalb
der Rohre (17) zum Kühlen der Lampen (19) umzuwälzen.
9. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
der der im wesentlichen zylindrische Substrathalter (7) hohl
ist, wobei Heizeinrichtungen (23) innerhalb des hohlen
Inneren des Substrathalters angeordnet sind, um von diesem
festgehaltene Substrate zu beheizen.
10. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
die Einrichtung (21) zum Verändern der räumlichen Beziehung
des Substrathalters (7) relativ zu den Lichtquellen (19)
eine Einrichtung zum Drehen des Substrathalters (7) in der
Vorrichtung aufweist.
11. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
der der Substrathalter (7) und die Lichtquellen (19) koaxial
angeordnet sind und die Einrichtung (21) so ausgebildet ist,
daß sie eine Relativverdrehung um die Achse zwischen dem
Substrathalter (7) und den Lichtquellen (19) bewirkt.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, bei
der eine Einrichtung vorhanden ist, um die Intensität der
Lichtausgangsleistung von den mehreren Lichtquellen (19)
synchron zur Relativdrehung zwischen dem Substrathalter (7)
und den Lichtquellen (19) zu modulieren, um dadurch die
Gleichförmigkeit von Filmen zu erhöhen, die beim Gebrauch
der Vorrichtung abgeschieden werden.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, bei
der eine Einrichtung zum Modulieren der
Winkelgeschwindigkeit des Substrathalters (7) abhängig von seiner Position
relativ zu den Lichtquellen (19) vorhanden ist, um dadurch
die Gleichförmigkeit von Filmen zu verbessern, die beim
Gebrauch der Vorrichtung abgeschieden werden.
14. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
der eine Elektrode (49) in der Reaktionskammer (3) vorhanden
ist, um es zu ermöglichen, daß sich eine Plasmaentladung in
der Kammer aufbaut, um plasmaunterstützte CVD innerhalb der
Vorrichtung zu realisieren, um unerwünschte Abscheidungen
vom Inneren der Reaktionskammer durch Plasmaätzen zu
entfernen oder um einen beim Gebrauch der Vorrichtung
abgeschiedenen Film plasmazuätzen.
15. Verfahren zum Verwenden der Vorrichtung nach Anspruch
14, bei dem ein dünner Film auf einem Substrat durch
photooder plasmaunterstütztes CVD abgeschieden wird und
anschließend der abgeschiedene Film plasmageätzt wird.
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JP21332486A JPS6369976A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 光cvd装置 |
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Publications (2)
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