JPH084072B2 - 堆積膜形成法 - Google Patents

堆積膜形成法

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JPH084072B2
JPH084072B2 JP61004364A JP436486A JPH084072B2 JP H084072 B2 JPH084072 B2 JP H084072B2 JP 61004364 A JP61004364 A JP 61004364A JP 436486 A JP436486 A JP 436486A JP H084072 B2 JPH084072 B2 JP H084072B2
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス、電子写真
用の感光デバイス、光学的画像入力装置用の光入力セン
サーデバイス等の電子デバイスなどの用途に有用な多層
構造膜の作製法に関する。
〔従来の技術〕
半導体膜、絶縁膜、光導電膜、磁性膜、金属膜等の非
晶質、多結晶質などの多層構造の堆積膜を用いた素子
は、単層構造の堆積膜には望めない物理的特性や用途を
期待できるため、近年盛んに研究が進められている。特
に、大面積素子という観点から、２種類以上の非晶質層
を積層させた多層構造膜が興味をもたれている。
例えば、非晶質シリコン層と非晶質シリコンカーバイ
ド層、あるいは非晶質シリコン層と非晶質シリコンゲル
マニウム層を交互に積層させた多層構造膜をプラズマCV
D法や光CVD法等化学的気相法により作製することが検討
されており、太陽電池やその他のデバイスへの応用が考
えられている。
特に、プラズマCVD法による堆積膜の形成は、その反
応機構も不明な点が少なくない等問題点もあるが、生産
性や膜の特性を考えた場合、現在最良の方法であるた
め、広く太陽電池、電子写真感光体の製造等に応用され
ている。しかしながら、堆積膜の形成パラメーターも多
く（例えば、基体温度、導入ガスの流量と比、形成時の
圧力、高周波電力、電極構造、反応容器の構造、排気の
速度、プラズマ発生方式など）これらの多くのパラメー
タの組み合せによるため、時にはプラズマが不安定な状
態になり、形成された堆積膜に著しい悪影響を与えるこ
とが少なくない。
特に、プラズマCVD法により多層構造膜を形成する場
合、層を変えるたび毎に放電の制御やガス導入の制御を
行なう必要がある。
しかしながら、ガス導入量を大幅に変化させると反応
空間内の圧力が変化するため、放電の状態が不安定とな
り、膜の構造や特性に悪影響を与える。従って、従来放
電をオンにしたままガス導入量の制御のみで多層膜を形
成すると、膜の特性が常に良い条件とするのが難しい。
一方、放電の制御、即ち放電をオフさせてガスを入れ
換え、圧力が平衡になった後放電を再オンして堆積膜を
形成する方法は、時間が極めて長くかかり、生産性が悪
い。また、プラズマ放電において、通常、放電をオンさ
せた直後、放電が安定しないため、特性の悪い界面をも
った多層膜となる。
例えばSiH4ガスとGeH4ガスとのグロー放電分解により
光学ギヤップ1.5eVのａ−SiGe層を形成する場合、通
常、SiH4とGeH4の量比は2:1となる。従って、ａ−SiH膜
とａ−SiGe:H層との多層構造膜を作製する目的で、GeH4
の流量を制御すると成膜空間内の圧力は約30％の変動を
受ける。このため、放電状態は大きく変わり、特性の良
い多層構造膜は作製が困難である。
〔発明の目的及び概要〕
本発明の目的は、生産性、量産性に優れ、高品質で電
気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れた膜が簡単
に得られる多層構造膜の作製法を提供することにある。
上記目的は、基体上に堆積膜を形成するための成膜空
間内に、多流量成分であるSiF4から形成された活性種
（Ａ）と、該活性種（Ａ）のガス量に対して1/10以下の
ガス量を有する少流量成分であるGeF4から生成された活
性種（Ｂ）と、前記活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）と化
学的相互作用をするH2より生成される活性種（Ｃ）と、
を夫々別々に導入して、前記活性種（Ａ）および前記活
性種（Ｂ）と、前記活性種（Ｃ）とを化学反応させるこ
とによって、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成
法であって、前記活性種（Ｂ）の成膜空間への導入を制
御することにより多層構造膜を形成せしめることを特徴
とする堆積形成法によって達成される。
〔発明の具体的説明〕
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間にお
いてプラズマを生起させることがないので、形成される
堆積膜は、エッチング作用、或いはその他の例えば異常
放電作用などによる悪影響を受けることはない。
本発明の方法が従来のCVD法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使う事である。この
ことにより、従来のCVD法より成膜速度の飛躍的に伸ば
すことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一層
の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した堆
積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供できる。
尚、本発明での前記活性種とは、前記堆積膜あるいは
この励起分解物と化学的相互作用を起して例えばエネル
ギーを付与したり、化学反応を起したりして、堆積膜の
形成を促す作用を有するものを云う。従って、活性種と
しては、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る構
成要素を含んでいても良く、あるいはその様な構成要素
を含んでいなくともよい。
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）
からの活性種（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）からの活性種
（Ｂ）は、生産性及び取扱い易さなどの点から、その寿
命が0.1秒以上、より好ましくは１秒以上、最適には10
秒以上あるものが、所望に従って選択されて使用され
る。
本発明で使用する活性化空間（Ｃ）に導入され活性種
（Ｃ）を生成する化合物は、活性化空間（Ｃ）に導入さ
れる以前に既に気体状態となっているか、あるいは気体
状態とされて導入されることが好ましい。例えば液状の
化合物を用いる場合、化合物供給源に適宜の気化装置を
接続して化合物を気化してから活性化空間（Ｃ）に導入
することができる。
本発明の堆積膜形成製法によれば、例えば物性の異な
る２種類の層を交互に積層させた多層膜等２種類以上の
層で構成される多層構造膜を容易且つ迅速に作製するこ
とができる。また、夫々の層も、例えば10Å〜200Åと
いった極めて薄い層として多層構造膜を作製することが
できる。
前記多流量成分である主体の原料ガスの量ａに対する
少流量成分である客体の原料ガスの量ｂは、1/2a以下、
更には1/10a以下とされるのが望ましい。
活性種（Ａ）を生成する主体の原料ガスは、多層構造
膜を構成する例えば物性の異なる２つの層にともに含ま
れる元素よるなるガスで構成することができ、かつ反応
性が客体の原料ガスに比べ著しく小さいため客体の原料
ガスに比べ極めて多量反応空間内に導入しなくてはいけ
ない様なガスで構成することができる。また活性種
（Ｂ）を生成する客体の原料ガスは、多層構造膜を形成
する例えば物性の異なる２つの層のうち片方の層のみに
含まれる元素よりなるガスで構成することができ、かつ
反応性が主体の原料ガスに比べ、著しく大きいため主体
の原料ガスより少量のガスの導入で良いガスで構成する
ことができる。
このような２種類のガスで多層構造膜を作ろうとする
と、ＡとＢとの元素を含む膜を成膜するときには、主体
の原料ガスを多量に客体の原料ガスを少量にしても、こ
れらの活性種と活性種（Ｃ）との化学反応の結果ほぼ均
等に近い元素比のＡとＢの元素よりなる膜が得られる。
次にＡのみの元素よりなる膜を成膜しようとし、客体の
原料ガスによる活性種（Ｂ）の成膜空間への導入を停止
しても、反応チャンバー内の圧力変化は極めて小さい。
具体的にSi元素を中心とした多層構造膜、例えばａ−
Siとａ−SiGeとの多層構造膜、あるいはａ−Siとａ−Si
Cとの多層構造膜を作る場合を考えると主体となる原料
ガスとしては、SiF4,SiCl4,SiF2Cl2等のケイ素の化合物
等が上げられる。また客体となる原料ガスとしては、Ge
F4等のゲルマニウムの化合物、CF4,C2F6,CCl4等の炭素
の化合物が挙げられる。
例えば、SiF4とGeF4よりａ−SiGe膜を作る場合、成膜
した通常膜に求める物性量によってことなるが通常SiF4
とGeF4の比は10:1以下、望ましくは100:1以下になるよ
うに流す。
本発明において、活性化空間（Ａ），（Ｂ）及び
（Ｃ）で夫々活性種（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を生成させ
る方法としては、各々の条件、装置を考慮してマイクロ
波、RF、低周波、DC等の電気エネルギー、ヒータ加熱、
赤外線加熱等の熱エネルギー、光エネルギーなどの活性
化エネルギーが使用される。
上述したものに、活性化空間で熱、光、電気などの活
性化エネルギーを加えることにより、活性種（Ａ）が生
成される。
本発明において、成膜空間における前記活性種
（Ａ），（Ｂ）と活性種（Ｃ）との量の割合は、堆積条
件、活性種の種類などで適宜所望に従って決められる
が、好ましくは10:1〜1:10（導入流量比）が適当であ
り、より好ましくは8:2〜4:6とされるのが望ましい。
本発明において、活性種（Ｃ）を作る原料ガスとして
は水素ガス、水素化ケイ素化合物等があげられる。水素
化ケイ素化合物の一例としては、鎮状及び環状のシラン
化合物、この鎖状及び環状のシラン化合物の水素原子の
一部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物などが好
適である。
具体的には、例えば、SiH4,Si2H6,Si3H8,Si4H10,Si5H
12,Si6H14等のSipH2p+2（ｐは１以上好ましくは１〜1
5、より好ましくは１〜10の整数である。）で示される
直鎖状シラン化合物、SiH3SiH（SiH3）SiH3,SiH3SiH（S
iH3）Si3H7,Si2H5SiH（SiH3）Si2H5等のSipH2p+2（ｐは
前述の意味を有する。）で示される分岐を有する鎖状シ
ラン化合物、これらの直鎖状又は分岐を有する鎖状のシ
ラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で
置換した化合物、Si3H6,Si4H6,Si5H10,Si6H12等のSiqH2
q（ｑは３以上、好ましくは３〜６の整数である。）で
示される環状シラン化合物、該環状シラン化合物の水素
原子の一部又は全部を他の環状シラニル基及び／又は鎖
状シラニル基で置換した化合物、上記例示したシラン化
合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換し
た化合物の例としては、SiH3F,SiH3Cl,SiH3Br,SiH3I等
のSirHsXt（Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上、好ましく
は１〜10、より好ましくは３〜７の整数、ｓ＋ｔ＝2r＋
２又は2rである。）で示されるハロゲン置換状又は環状
シラン化合物などである。これらの化合物は、１種を使
用しても２種以上を併用してもよい。
また本発明の方法により形成される多層堆積膜は、成
膜中又は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可
能である。また、ドーピングは多層構造膜構成層の何れ
か１つ乃至全部に対し可能である。使用する不純物元素
としては、ｐ型不純物として、周期律表第III族Ａの元
素、例えばB,Al,Ga,In,Tl等が好適なものとして挙げら
れ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例
えばP,As,Sb,Bi等が好適のものとして挙げられるが、特
にB,Ga,P,Sb等が最適である。ドーピングされる不純物
の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決
定される。
斯る不純物元素を成分として含む化合物としては、常
温常圧でガス状態であるか、或いは少なくとも活性化条
件下で気体であり、適宜の気化装置で容易に気化し得る
化合物を選択するのが好ましい。この様な化合物として
は、PH3,P2H4,PF3,PF5,PCl3,AsH3,AsF3,AsF5,AsCl3,SbH
3,SbF5,SiH3,BF3,BCl3,BBr3,B2H6,B4H10,B5H9,B5H11,B6
H10,B6H12,AlCl3等を挙げることができる。不純物元素
を含む化合物は、１種用いても２種以上併用してもよ
い。ハロゲン化合物の不純物導入用物質は、活性化空間
（Ａ）又は／及び活性化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及
び活性種（Ｂ）の夫々を生成する各物質と共に導入され
て活性化しても良いし、水素化合物の不純物導入用物質
は、活性化空間（Ｃ）に活性種（Ｃ）を生成する化合物
と共に導入されて活性化しても良いし、或いは、活性化
空間（Ａ），（Ｂ）及び活性化空間（Ｃ）とは別の第４
の活性化空間（Ｄ）に於いて活性化されても良い。不純
物導入用物質を前述の活性化エネルギーを適宜選択して
採用することが出来る。不純物導入用物質を活性化して
生成される活性種（PN）は活性種（Ａ），（Ｂ）または
／活性種（Ｃ）と予め混合されて、又は、独立に成膜空
間に導入される。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用像形
成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第２図は本発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明するための模式図である。
第２図に示す光導電部材10は、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体11の上に、必要に応じて設けられる中間層12、
及び感光層13で構成される層構成を有している。
光導電部材10の製造に当っては、中間層12又は／及び
感光層13を本発明の方法によって作成することが出来
る。更に、光導電部材10が感光層13の表面を化学的、物
質的に保護する為に設けられる保護層、或いは電気的耐
圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層又は／及
び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発明の方法
で作成することも出来る。
支持体11としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体としては、例えばNiCr,ステンレス,
Al,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポリエチ
レン，ポリカーボネート，セルローズアセテート，ポリ
プロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，ポ
リスチレン，ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート，ガラス，セラミック，紙等が通常使用される。こ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面即に他
の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がNiCr,Al,Cr,Mo,A
u,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd,In2O3,SnO2,ITO（In2O3＋Sn
O2）等の薄膜を設けることによって導電処理され、ある
いはポリエステルフィルム等の構成樹脂フィルムであれ
ばNiCr,Al,Ag,Pb,Zn,Ni,Au,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt等
の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
で処理し、又は前記金属でラミネート処理して、そほ表
面が導電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によって、
との形状が結成されるが、例えば、第２図の光導電部材
10を電子写真用像形成部材として使用するのであれば、
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。
中間層12には、例えば支持体11の側から感光層13中へ
のキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射に
よって感光層13中に生じ、支持体11の側に向って移動す
るフォトキャリアと感光層13の側から支持体11の側への
通過を容易に許す機能を有する。
この中間層12は、例えば、必要に応じてケイ素（S
i）、客体のガスの構成元素例えばゲルマニウムを母体
とし、水素（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）等を構成原子とする
アモルファスシリコンゲルマニウム（以下「Ａ−SiGe
（H,X）」と記す）やケイ素（Si）を母体とし、必要に
応じて水素（Ｈ）または／およびハロゲン（Ｘ）を含む
非晶質材料（以後、「Ａ−Si（H,X）と記す。）の多層
構成されると共に、電気伝導性を支配する物質として、
例えばＢ等のｐ型不純物あるいはＰ等のｐ型不純物が含
有されている。
本発明に於て、中間層12中に含有されるＢ、Ｐ等の伝
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、0.00
1〜５×104atomic ppm、より好適には0.5〜１×104atom
ic ppm、最適には１〜５×103atmoic ppmとされるのが
望ましい。
中間層12が感光層13と構成成分が類似、或いは同じで
ある場合には中間層12の形成は、中間層12の形成に続け
て感光層13の形成まで連続的に行なうことができる。そ
の場合には、中間層形成用の原料として、活性化空間
（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空間（Ｂ）
で生成された活性種（Ｂ）の流れを制御し、気体状態の
水素化ケイ素等から生成された活性種（Ｃ）と、を夫々
別々に支持体11の設置してある成膜空間に導入し、化学
反応を起させることにより前記支持体11上に多層構造の
中間層12を形成させればよい。
中間層12を形成させる際に活性化空間（Ａ）に導入さ
れて活性層（Ａ）を生成するケイ素とハロゲンを含む化
合物は、前記の活性化エネルギーの作用で容易に例えば
SiF2 ＊の如き活性種を生成する化合物を前記の中の化合
物より選択するのが望ましい。
中間層12の層厚は、好ましくは、30Å〜10μ、より好
適には40Å〜８μ、最適には50Å〜５μとされるのが望
ましい。
感光層13は、例えば必要に応じて主体のガスの構成元
素、即ちケイ素原子を母体とし水素、ハロゲン、等を構
成原子とするアモルファスシリコンＡ−Si（H,X）とシ
リコン及び客体のガスの構成元素例えばゲルマニウムを
母体とし水素、ハロゲンを形成原子とするアモルファス
シリコンゲルマニウムＡ−SiGs（H,X）のような層との
多層で構成され、レーザー光の照射によってフォトキャ
リアを発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両機能を有する。
感光層13の層厚としては、好ましくは、１〜100μ、
より好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされるのが
望ましい。
感光層13は、例えばノンドープのＡ−Si（H,X）とＡ
−SiGe（H,X）との多層構造とされるが、所望により中
間層12は含有される伝導特性を支配する物質の極性とは
別の極性（例えばｎ型）の伝導特性を支配する物質を含
有させてもよいし、あるいは、同極性の伝導特性を支配
する物質を、中間層12に含有される実際の量が多い場合
には、該量よりも一段と少ない量にして含有させてもよ
い。
感光層13の形成の場合も、本発明の方法によって成さ
れるものであれば中間層12の場合と同様に、活性化空間
（Ａ）にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、高
温下でこれ等を分解することにより、或いは放電エネル
ギーよ光エネルギーを作用させて励起することで活性種
（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入さ
れる。
活性化空間（Ｂ）に客体の原料ガス、例えばゲルマニ
ウムとハロゲンを含む化合物が導入され、活性種（Ａ）
と同様、外から加えられたエネルギーを作用させて励起
することで活性種（Ｂ）が生成され、該活性種（Ｂ）の
流量が断続的に制御されて成膜空間に導入される。
また、これとは別に気体状態の水素あるいは水素化ケ
イ素化合物を、活性化空間（Ｃ）に導入し、前記の活性
化エネルギーを用いることにより活性化して、活性種
（Ｃ）等を形成し、該活性種（Ｃ）を成膜空間に導入す
る。このようにして成膜空間に導入された活性種（Ａ）
及び（Ｂ）と活性種（Ｃ）とは化学反応を起して前記支
持体11上に中間層12が形成される。
第３図は、本発明方法を実施して作製される不純物元
素でドーピングされたシリコンとゲルマニウム、必要に
応じて水素又は／ハロゲンを含む非晶質材料（以後「Ａ
−SiGe（H,X）」と記す）とＡ−Si層の多層堆積膜を利
用したPIN型、アイオード・デバイスの典型例を示した
模式図である。
図中、21は基体、22及び27は薄膜電極、23は半導体膜
であり、ｎ型半導体層24、ｉ型半導体層25、ｐ型半導体
層26によって構成される。28は導線である。基体21とし
ては半導体電性、好ましくは電気絶縁性のものが用いら
れる。
これ等の半導体層は、Ａ−Si（H,X）、Ａ−TiGe（H,
X）の多層で構成され、本発明の方法は、いずれの層の
作成に於いても適用することが出来る。
半導体電性基板としては、例えばSi,Ge,等の半導体が
挙げられる。薄膜電極22,27としては例えば、NiCr,Al,C
r,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd,In2O3,SnO2,ITO（In2O3
＋SnO2）等の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の処理で基体21上に設けることによって得ら
れる。電極22,27の層厚としては、好ましくは30〜５×1
04Å、より好ましくは100〜５×103Åとされるのが望ま
しい。
Ａ−Si（H,X）の半導体層を構成する膜体を必要に応
じてｎ型又はｐ型とするには、層形成の際に、不純物元
素のうちｎ型不純物又はｐ型不純物、あるいは両不純物
を形成される層中にその量を制御し乍らドーピングして
やり事によって形成される。またＰ型,N型の層にａ−Si
Ge層、ａ−SiC層あるいはこれらの層とａ−Si層との多
層構造膜を使用することができる。
多層構造膜の場合、ドーピングは多層のいずれか一
方、あるいは両方の層に行なっても良い。
電極22、27は、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜を、真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体
21上に設けることによって得られる。電極22,27の層厚
としては、好ましくは30〜５×104Å、より好ましくは1
00〜５×103Åとされるのが望ましい。
Ａ−SiGe（H,X）の半導体を構成する膜体を必要に応
じてｎ型又はｐ型とするには、層形成と際に、不純物元
素のうちｎ型不純物又はｐ型部純物、あるいは両不純物
を形成される層中にその量を制御し乍らドーピングして
やる事によって形成される。
ｎ型、ｉ型野呼びｐ型の多層構造膜を形成するには、
本発明方法により、活性化空間（Ａ）に主体の原料ガ
ス、例えばケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、
活性化エネルギーの作用でこれ等を分解することで、例
えばSiF2 ＊の活性種（Ａ）が生成され、成膜空間に導入
される。また、活性化空間（Ｂ）に客体の原料ガス、例
えばゲルマニウムあるいは炭素とハロゲンを含む化合物
が導入され、活性化エネルギーの作用でこれ等を分解す
ることで、例えばGeF2 ＊あるいはCF2 ＊等の活性種
（Ｂ）が生成され、成膜空間に断続的に制御しながら導
入される。
水素及び／又は水素化ケイ素化合物のガス等を活性化
空間（Ｃ）に導入し、活性化エネルギーによって励起し
分解して、活性種（Ｃ）が生成される。活性種（Ａ），
（Ｂ）および活性種（Ｃ）は支持体11の設置してある成
膜空間に導入され、そこで化学反応を起して、支持体11
上に所望の多層の堆積膜が形成される。ｎ型およびｐ型
の半導体層の層厚としては、好ましくは20〜104Å、よ
り好ましくは100〜2000Åの範囲が望ましい。
また、ｉ型の半導体層の層厚としては、好ましくは50
0〜104Å、より好ましくは1000〜10000Åの範囲が望ま
しい。
尚、第３図に示すPIN型ダイオードデバイスは、P,Iお
よびＮの全ての層を本発明の方法で作製する必要は必ず
しもなく、P,IおよびＮのうちの少なくとも１層を本発
明方法で作製することにより、本発明を実施することが
できる。
以下に本発明の具体的実施例を示す。
〔実施例〕
実施例１ 第１図に示した装置を用い、以下の如き操作によって
ｉ型、ｐ型およびｎ型のＡ−Si（H,X）とＡ−SiGe（H,
X）よりなる多層の堆積膜を形成した。
第３図において、101は堆積室であり、内部の基体支
持台102上に所望の基体103が載置される。
104は基体加熱用のヒーターであり、導線105を介して
給電され、発熱する。該ヒーター104は、成膜処理前あ
るいは中に基体104を加熱したり、成膜後に、形成され
た膜の特性を一層向上させる為にアニール処理したりす
る際に使用され、導線105を介して給電され、発熱す
る。
106乃至109は、ガス供給系であり、ゲルマニウム含有
ハロゲン化合物、水素、不活性ガス、水素化ケイ素化合
物、炭素ハロゲン化合物、不純物元素を成分とする化合
物等の数に応じて設けられる。これ等のガスのうち液状
のものを使用する場合には、適宜の気化装置を具備させ
る。
図中ガス供給系106乃至109の符合にａを付したのは分
岐感、ｂを付したのは流量計、ｃを付したのは各流量計
の高圧側の圧力を計測する圧力系、ｄ又はｅを付したの
は各基体流量を調整するためのバルブである。123は活
性種（Ｃ）を生成する為の活性化室（Ｃ）であり、活性
化室123の周りには、活性種（Ｃ）を生成させる為の活
性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ発生装置
122が設けられている。ガス導入管110より供給される活
性種（Ｃ）生成用の原料ガスは、活性化室（Ｃ）内に於
いて活性化され、生じた活性種（Ｃ）は導入管124を通
じて成膜室101内に導入される。111はガス圧力計であ
る。
図中112は活性化室（Ａ）、113は電気炉、114は固体S
i粒、115は活性種（Ａ）の原料となる気体状態のケイ素
とハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性化室
（Ａ）112で生成された活性種は導入管116を介して成膜
室101内に導入される。
図中、125は活性化室（Ｂ）であり、活性化室（Ｂ）1
25の周りには、活性種（Ｂ）を生成させる為の活性化エ
ネルギーを発生するマイクロ波プラズマ発生装置126が
設けられている。ガス導入管127より供給される活性種
（Ｂ）生成用の客体の原料ガスは、活性化室（Ｂ）内に
於いて活性化され、生成する活性種（Ｂ）は導入管128
を通じて三方弁129に導入される。三方弁129は、電気信
号により導入管128と導入管130を導通にするか、導入管
128と排出管131を導通にするか、制御する。導入管128
と導入管130を導通にすると、活性種（Ｂ）は成膜室101
に導入される。導入管128と排出管131とを導通にすると
活性種（Ｂ）は排気装置（不図示）によって系の外へ排
出される。このように三方弁129を切換えるだけで、導
入管128に流れるガスの量を変化させないため、極めて
安定な流量でガスの流れが制御できる構造になってい
る。
図中、120は排気バルブ、121は排気管である。
先ずコーニング7059ガラス（商品名）基体103を支持
台102上に載置し、排気装置を用いて成膜室101内を排気
し、10-6Torrに減圧した。基体温度を200℃に保った
後、ガス供給用ボンベ108よりH2150SCCM、あるいはこれ
とPH3ガス又はB2H6ガス（何れも1000ppm水素ガス希釈）
40SCCMとを混合したガスをガス導入管110を介して活性
化室（Ｃ）123に導入した。活性化室（Ｃ）123内に導入
されたH2ガス等は300Wのマイクロ波電力を印加したマイ
クロ波プラズマ発生装置122により活性化されて原子状
水素、BHg,PHz（ｙ２）活性種等とされ導入管124を通
じて、水素活性種等を成膜室101に導入した。
また、活性化室（Ａ）102に固体Si粒114を詰めて、電
気炉113により加熱し、約1100℃に保ち、Siを赤熱状態
とし、そこへ導入管115を通じて不図示のボンベよりSiF
4100SCCMを吹き込むことにより、活性種（Ａ）としての
SiF2 ＊を生成させ、該SiF2 ＊を導入管116を経て、成膜
室101へ導入した。
また、ガス供給用ボンベ106よりGeF41SCCMを活性化室
（Ｂ）125に導入した。活性化室（Ｂ）125に導入された
GeF4は150Wのマイクロ波電力を印加したマイクロ波プラ
ズマ発生装置126により活性化されGeFn（ｎ３）等の
活性種（Ｂ）が生成させた。生成された活性種はガス導
入管128を介して、三方弁129に導かれ、５秒間隔で断続
的に導入管130を介して成膜室101に導入された。
成膜室101内の圧力を0.4Torrに保ち、この値は活性種
（Ｂ）の導入あるいは遮断によってもほとんど影響され
ない。その結果ノンドープあるいはドーピングされたＡ
−SiをＡ−SiGe（H,X）の多層膜（膜厚700Å）を形成し
た。成膜速度は25Å/secであった。
次いで得られたノンドープあるいはｐ型のＡ−SiGe
（H,X）膜試料を蒸着槽に入れ、真空度10-5Torrでクシ
型のAlギヤップ電極（ギヤップ長250μ、巾5mm）を形成
した後、印加電圧10Vで暗電流を測定し、暗導電率σｄ
を求めてＡ−SiGe（H,X）を評価した。結果を次に示し
た。
ａ−Si（H,X）/a−SiGe（H,X）の周期250Å ノンドープ試料 σｄ＝５×10-12S/cm σｐ＝６×10-6S/cm （700mm0.3mW/cm2の光照射時） Ｂドープ試料 σｄ＝５×10-7S/cm Ｐドープ試料 σｐ＝７×10-6S/cm 本発明によると電気特性に優れたＡ−SiGe（H,X）膜
が得られ、また、、ドーピングが十分に行なわれたＡ−
SiGe（H,X）膜が得られることが判かった。
実施例２ 実施例１と同じく第１図に示した装置を使い、以下の
如き操作によって第２鵜に示した如き層構成のドラム状
電子写真用像形成部材を作成した。
成膜室101に基体103としてAl板をいれ、加熱ヒーター
104で200℃に昇温した。
また、活性化室（Ａ）112に固体Si粒114を詰めて、電
気炉113により加熱し、約1100℃に保ち、Siを赤熱状態
とし、そこへ導入管115を通じて不図示のベンベからSiF
4を吹き込むことにより、活性種（Ａ）としてのSiF2 ＊
を生成させ、該SiF2 ＊150SCCMを導入管206を経て成膜室
201へ導入した。またボンベ106に充てんしたGeF41SCCM
をガス導入管127を介して、活性化室（Ｂ）125へ導入し
た。活性化室（Ｂ）125において150Wの電力を印加した
2.45GHzマイクロ波プラズマ発生装置126により活性化
し、Gen（ｎ３）という形の活性種（Ｃ）が生成され
た。生成された活性種（Ｃ）はガス導入管128を通して
三方弁129に導かれ、断続的に５秒ごとの開閉で成膜室1
01に導入された。
また、導入管110よりH2の各ガスを活性化室（Ｃ）123
内に導入した。導入されたH2ガスは活性化室（Ｃ）123
に於いてマイクロ波プラズマ発生装置122によりプロズ
マ化等の活性化処理を受けて活性化水素等となり、導入
管124を通じて成膜室101内に導入された。この際、必要
に応じてPH3,B2H6等の不純物ガスも活性化室（Ｃ）123
内に導入されて活性化された。成膜空間101内の内圧を
1.0Torrに保った。
排ガスは排気バルブ120を通じて排気させる。このよ
うにしてＡ−SiとＡ−SiGeよりなる多層の感光層13が形
成される。
また、中間層12は、感光層に先立って導入管110よりH
2及びB2H6（容量％でB2H6ガスが0.2％）の混合ガスを導
入し、他の条件は感光層13と同様にして膜厚2000Åで成
膜された。
得られたドラム状の電子写真像形成部材の製造条件と
性能を以下に示した。
活性種（Ａ）生成用原料ガス SiF4 150SCCM 活性種（Ｂ）生成用原料ガス GeF4 1.5SCCM 活性種（Ｃ）生成用原料ガス H2 100SCCM 成膜室内圧 1.0Torr 成膜速度 15Å/S 感光層13の層厚 21μ のコロナ帯電による受容電位 290V 700mm、0.3mW/cm2光0.2秒照射 後の電位 0V 実施例３ 実施例１と同様第１図の装置を用いて、第３図に示し
たPIN型ダイオードを作製した。
まず、1000ÅのITO膜22を蒸着したガラス基板21を支
持台に載置し、10-6Torrに減圧した後、実施例１と同様
に導入管115SiF4150SCCMをSi粒と熱反応させて生成した
SiF2 ＊の活性種を導入管116より、また、導入管110から
H2150SCCM、B2H6ガス（1000ppm水素ガス稀釈）のそれぞ
れを活性化室（Ｃ）123に導入してマイクロ波プラズマ
により活性化した。
それと同時に導入管127を介してボンベに充てんしたC
2F6ガスを活性化室（Ｂ）125に流し、マイクロ波プラズ
マにより活性化し、活性種（Ｂ）を生成した。三方弁12
9の制御により10秒間隔で成膜室101へフッ素化炭素の活
性種（Ｃ）を導入した。
次いでこの活性化されたガスを導入管116を介して導
入し成膜室内の圧力を0.4Torrに保ちながらＢでドーピ
ングされたＡ−Si（H,X）及びＡ−SiC（Ｈ）よりなる多
層膜24（膜圧200Å）を形成した。
次いで、活性種（Ａ）は上記と同様にして作製し、活
性種（Ｂ）としてはGeF4ガスを５秒間隔で活性種（Ｃ）
の原料ガスにはB2H6を全く含めないで生成した後各活性
種（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）を成膜空間に導入し、ｉ−
型のＡ−Si（H,X）とＡ−SiGe（H,X）の多層膜25（膜厚
5000Å）を形成した。
次いで、PH3ガス（1000ppm水素ガス稀釈）を含んだH2
0ガスを使用しGeF4の導入を中止した以外はｉ型と同じ
条件でＤでドーピングされたＮ型Ａ−SiGe（H,X）膜26
（膜厚300Å）を形成した。さらに、このＮ型膜上に真
空蒸着により膜厚500ÅのAl電極27を形成し、PIN型ダイ
オードを得た。
斯して得られたダイオード素子（面積1cm2）のＩ−Ｖ
特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した。
ダイオードの整流比３×102、ダイオードのｎ値1.2を得
た。
又、光照射特性においても基体側から光を導入し、光
照射強度AMI（約100mW/cm2）で、変換効率8.2％以上、
開放端電圧0.8V、短絡電流14mA/cm2が得られた。
〔発明の効果〕
本発明の多層堆積膜形成法によれば、形成される膜に
所望される電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が
向上し、しかも高速成膜が可能となる。また、成膜にお
ける再現性が向上し、膜品質の向上と膜質の均一化が可
能になると共に、膜の大面積化に有利であり、膜の生産
性の向上並びに量産化を容易に達成することができる。
更に成膜時に殊に励起エネルギーを用いないので、耐熱
性に乏しい基体上にも成膜できる。低温処理によって工
程の短縮化を図れるといった効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例で用いた発明方法を実施するための装置
の構成を説明するための模式図である。 第２図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模式図である。 第３図は本発明方法を用いて製造されるPIN型ダイオー
ドの構成例を説明するための模式図である。 101……成膜室、103……基体、112……活性化室
（Ａ）、123……活性化室（Ｃ）、125……活性化室
（Ｂ）、106,107,108,109,113,122,126……活性化装
置、10……電子写真用像形成部材、11……基体、12……
中間層、13……感光層、21……基体、22,27……薄膜電
極、24……ｎ型半導体層、25……ｉ型半導体層、26……
ｐ型半導体層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−140267（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−90923（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−78528（ＪＰ，Ａ) 1984年（昭和59年）秋季第45回応用物理 学会学術講演会 講演予稿集 第311頁上 段 14ａ−０−５

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体上に堆積膜を形成するための成膜空間
    内に、多流量成分であるSiF4から形成された活性種
    （Ａ）と、該活性種（Ａ）のガス量に対して1/10以下の
    ガス量を有する少流量成分であるGeF4から生成された活
    性種（Ｂ）と、前記活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）と化
    学的相互作用をするH2より生成される活性種（Ｃ）と、
    を夫々別々に導入して、前記活性種（Ａ）および前記活
    性種（Ｂ）と、前記活性種（Ｃ）とを化学反応させるこ
    とによって、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成
    法であって、 前記活性種（Ｂ）の成膜空間への導入を制御することに
    より多層構造膜を形成せしめることを特徴とする堆積膜
    形成法。
  2. 【請求項２】多層構造膜の夫々の層の層厚が10〜200オ
    ングストロームの範囲にある特許請求の範囲第（１）項
    記載の堆積膜形成法。
  3. 【請求項３】前記活性種（Ｂ）の成膜空間への導入を三
    方弁によって制御することを特徴とする特許請求の範囲
    第（１）項記載の堆積膜形成法。
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CA000527132A CA1294181C (en) 1986-01-14 1987-01-12 Method for forming deposited film
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2185758B (en) * 1985-12-28 1990-09-05 Canon Kk Method for forming deposited film
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
WO1989001988A1 (en) * 1987-08-31 1989-03-09 Santa Barbara Research Center In-situ generation of volatile compounds for chemical vapor deposition
US4885067A (en) * 1987-08-31 1989-12-05 Santa Barbara Research Center In-situ generation of volatile compounds for chemical vapor deposition
DE3923390A1 (de) * 1988-07-14 1990-01-25 Canon Kk Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
US5122431A (en) * 1988-09-14 1992-06-16 Fujitsu Limited Thin film formation apparatus
JPH02258689A (ja) * 1989-03-31 1990-10-19 Canon Inc 結晶質薄膜の形成方法
US6583057B1 (en) * 1998-12-14 2003-06-24 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor device having a layer deposited by varying flow of reactants
KR100414611B1 (ko) * 1999-03-09 2004-01-07 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US6872636B2 (en) * 2001-03-21 2005-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for fabricating a semiconductor device
US6942318B2 (en) * 2002-05-31 2005-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Chamber having a protective layer
US6774059B1 (en) 2003-04-16 2004-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High crack resistance nitride process
US20050255245A1 (en) * 2004-01-13 2005-11-17 Fanton Mark A Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials
US20090293943A1 (en) * 2008-05-14 2009-12-03 Energy Photovoltaics, Inc. Silicon Film Deposition Method Utilizing a Silent Electric Discharge
US8535760B2 (en) 2009-09-11 2013-09-17 Air Products And Chemicals, Inc. Additives to silane for thin film silicon photovoltaic devices

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52140267A (en) * 1976-05-19 1977-11-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Vapor epitaxial crystal growing device
US4217374A (en) * 1978-03-08 1980-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors
US4226898A (en) * 1978-03-16 1980-10-07 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
US4517223A (en) * 1982-09-24 1985-05-14 Sovonics Solar Systems Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4664937A (en) * 1982-09-24 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
AU560521B2 (en) * 1982-10-18 1987-04-09 Energy Conversion Devices Inc. Layered amorphous semiconductor alloys
JPS59166238A (ja) * 1983-03-10 1984-09-19 Toshiba Corp 薄膜形成装置
JPS59200248A (ja) * 1983-04-28 1984-11-13 Canon Inc 像形成部材の製造法
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
GB8324531D0 (en) * 1983-09-13 1983-10-12 Secr Defence Cadmium mercury telluride
US4678679A (en) * 1984-06-25 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous deposition of activated process gases
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
US4637895A (en) * 1985-04-01 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
１９８４年（昭和５９年）秋季第４５回応用物理学会学術講演会講演予稿集第３１１頁上段１４ａ−０−５

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Publication number Publication date
EP0229707A3 (en) 1988-04-27
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AU599623B2 (en) 1990-07-26
CA1294181C (en) 1992-01-14
US4824697A (en) 1989-04-25
EP0229707A2 (en) 1987-07-22
DE3768665D1 (de) 1991-04-25
EP0229707B1 (en) 1991-03-20
AU6751387A (en) 1987-07-16

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