KR100414611B1 - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 불소 첨가 카본막(102) 상에 SiF4와 C2H4를 소스 가스로 한 화학 기상 성장법에 의해 SiC로 이루어지는 무기 절연막(103)을 형성한다. 수소(H)를 포함하지 않은 SiF4와 CF4를 소스 가스로 함으로써 하드 마스크(113)를 형성하는 무기 절연막(103)내로의 H의 결합이 억제된다. 이에 따라, 무기 절연막(103)에서 외측으로 확산된 H가 불소 첨가 카본막(102) 중의 불소(F)와 결합하여 HF를 형성하여, 이 HF가 무기 절연막(103) 등을 부식하는 것이 억제된다. 이 때문에, 무기 절연막(103)으로 형성된 하드 마스크(113)와 불소 첨가 카본막(102) 등의 다른 층과의 밀착성의 열화를 억제할 수 있게 된다. 1c

Description

반도체 장치의 제조 방법{PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}
최근의 반도체 집적 회로 제조 업계에 있어서는, 고집적화를 도모하기 위해서 배선 패턴의 미세화나 배선의 다층화 등의 기술 개발이 이루어지고 있다. 예컨대, 배선의 다층화 기술에 있어서는, 복수의 배선층을 층간 절연막을 통해 적층하는 동시에, 층간 절연막에 설치된 관통 구멍에 배치된 도전부에 의해서 양 배선층을 접속하는 배선 구조가 이용되고 있다.
이 경우, 층간 절연막으로서는 반도체 기판으로서 가장 보급되어 있는 실리콘 기판 상에서 간단히 만들 수 있는 산화실리콘(SiO2)막을 이용하는 것이 일반적이다. 그러나, SiO2는 비유전률이 ε=4 정도로 비교적 큰 값이기 때문에, 보다 고속의 반도체 집적 회로의 개발의 장해가 되고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, SiO2보다 비유전률이 작은 탄소(C)와 불소(F)로 이루어지는 불소 첨가 카본막이 제안되고 있다. 이 불소 첨가 밀착 카본막은, 예컨대 전자 사이크로트론 공명(ECR)을 이용한 플라즈마 막 형성 처리에 의해 형성할 수 있다.
이 막 형성 방법을 설명하면, 우선 도 3에 도시한 바와 같은 막 형성 장치를 이용한다. 이 막 형성 장치는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성실(501a)과 이것에 연통하는 막 형성실(501b)을 구비하고 있다. 그 플라즈마 생성실(501a)에는 고주파 전원부(502)로부터 도파관(502a)을 통해 2.45 GHz의 마이크로파가 공급되고, 플라즈마를 생성할 수 있는 구성으로 되어 있다. 또, 막 형성실(501b)에는 적재대(506)가 배치되고, 이 위에 정전 척(506a)에 의해 막 형성 대상인 웨이퍼(507)가 고정 배치된다. 또한, 플라즈마 생성실(502a) 및 막 형성실(501b) 내부는 배기관(510)을 통해 이것에 연통하고 있는 도시하지 않은 진공 배기 수단에 의해 소정의 진공도로 배기되고 있다.
이와 같은 막 형성 장치를 이용하여, 다음과 같이 웨이퍼(507) 상에 불소 첨가 카본막을 형성한다. 우선, 플라즈마 생성실(501a) 내에 고주파 전원부(502)로부터 도파관(502a)을 통해 2.45 GHz의 마이크로파를 공급한다. 그리고, 이와 동시에 875 G의 자계를 자계 코일(503, 503a)에 의해 인가하여, 도입관(504)으로부터 도입되고 있는 아르곤(Ar) 가스를 전자 사이클로트론 공명에 의해 고밀도로 플라즈마화한다. 한편, C4F8가스 및 C2H4가스를 가스 도입관(505a, 505b)을 통해 가스 공급부(505)로부터 막 형성실(501b) 내로 도입하고, 이들을 상기한 고밀도의 플라즈마에 의해 활성화하여 활성종을 형성한다. 그리고, 이 활성종에 의해, 막 형성실(501b) 내에 배치된 적재대(506) 상의 웨이퍼(507) 표면에 밀착성 좋게 높은경도의 불소 첨가 카본막(508)을 형성한다.
그런데, 상기한 바와 같이, 반도체 장치를 구성하기 위해서는, 층간 절연막에 설치하는 관통 구멍에 배치된 도전부에 의해서 상하의 배선층을 접속하도록 하고 있기 때문에, 층간 절연막에 관통 구멍(홀부)을 형성하는 등의 미세 가공이 필요하게 된다. 따라서, 불소 첨가 카본막을 반도체 장치의 층간 절연막으로서 이용할 때도, 홀부를 형성하는 등의 미세 가공이 필요하게 된다.
그런데, 불소 첨가 카본막은 유기(有機) 재료이기 때문에, 무기(無機)막인 SiO2막의 가공 기술을 그대로 이용할 수 없다. 이것은, 다음에 기술되는 이유 때문이다. 우선, 미세 가공에 있어서는 일반적으로 포토리소그래피 기술로 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 선택적인 에칭을 행하도록 하고 있다. 이 때, 레지스트 패턴은 그 하층의 가공 대상인 층에 대한 마스크로서, 에칭에 내성을 가지고 있을 필요가 있다. 가공 대상인 층이 두꺼운 경우에는 레지스트 패턴의 에칭 내성이 특히 필요하게 된다. 이 레지스트 패턴은, 예컨대 감광성을 갖는 포토레지스트를 노광 현상함으로써 형성되며, 유기 재료로 이루어진다.
그런데, 상기한 불소 첨가 카본막 등의 유기막을 미세 가공하는 경우, 산소가스(O2)의 플라즈마에 의한 드라이 에칭을 이용하게 된다. 이 경우, 마스크로서 유기막인 레지스트 패턴을 이용하면, 그것도 에칭되어 버리기 때문에 선택적으로 에칭할 수 없다. 이와 같이, 종래와 같이 포토레지스트를 마스터 패턴으로 하면, 선택적으로 에칭할 수 없어, 마스터 패턴도 에칭되어 버린다. 따라서, 마스터 패턴의치수 등이 변화되어 버리기 때문에, 불소 첨가 카본막을 치수 정밀도 좋게 미세 가공할 수 없다.
이에 대하여, O2의 플라즈마로 불소 첨가 카본막을 에칭할 때에, SiO2등의 무기 절연 재료로 이루어지는 마스터 패턴을 이용하면, 이것은 산소 플라즈마에서는 거의 에칭되지 않는다. 이 때문에, 선택적인 에칭이 가능하게 되어, 높은 치수 제도를 유지한 상태로 미세 가공하는 것이 가능해진다.
이 때문에, 불소 첨가 카본막의 미세 가공에서는 SiO2등으로 이루어지는 하드 마스크를 이용하도록 하고 있다. 또, 이들 무기 절연 재료로 하드 마스크를 구성하면, 불소 첨가 카본막과는 높은 에칭 선택비를 얻을 수 있기 때문에, 그 하드 마스크는 얇게 구비하여 두면 된다.
따라서, 불소 첨가 카본막을 층간 절연막으로서 이용하는 경우, 하드 마스크가 남아 있더라도, 절연성의 관점에서는 전혀 문제가 없고, 또한 막 두께도 얇으면 비유전율에 관해서도 큰 문제가 되지 않는다. 그 때문에, 불소 첨가 카본막을 층간 절연막으로서 이용하는 경우, 가공에 이용한 하드 마스크는 제거하려고 하면 공정의 증대를 초래하기 때문에, 제거하지 않고서 남겨 두도록 하고 있다.
이하, 그와 같은 하드 마스크를 이용한 불소 첨가 카본막의 미세 가공에 관해서 설명한다.
우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 베이스가 되는 하층 배선층(601) 상에, 상기한 바와 같이 불소 첨가 카본막(602)을 형성한다. 그리고, 그 불소 첨가카본막(602) 상에 잘 알려진 기술이지만, SiH4등을 원료로 한 화학적 기상 성장(CVD)법에 의해 SiO2로 이루어지는 무기 절연막(603)을 형성한다. SiO2등 실리콘(Si)을 포함하는 무기 절연막은 배선층에 이용되는 금속 재료와의 밀착성도 좋고, 또한 원료도 저렴하며 막 형성 기술도 확립되어 있어 다루기 용이한 재료이기 때문에, 일반적으로 자주 이용되고 있는 절연 재료이다.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이 공지의 포토리소그래피 기술에 의해 소정의 개소에 개구부(604a)를 갖춘 레지스트 패턴(604)을 무기 절연막(603) 상에 형성한다.
다음에, 레지스트 패턴(604)을 마스크로 하여 무기 절연막(603)을 선택적으로 에칭한다. 이에 의해, 도 4c에 도시한 바와 같이 개구부(604a)에 대응한 곳에 개구부(605a)를 갖춘 하드 마스크(605)를 형성한다. 여기서, 이 에칭에서는 예컨대, CF4나 C3F8의 플라즈마에 의한 드라이 에칭을 이용하도록 하면 좋다.
이어서, 하드 마스크(605)를 마스크로 하여 불소 첨가 카본막(602)을 선택적으로 에칭한다. 이에 의해, 도 4d에 도시한 바와 같이, 불소 첨가 카본막(602)에 홀부(606)를 형성한다. 여기서, 이 에칭에서는, 예컨대 O2의 플라즈마에 의한 드라이 에칭을 이용하도록 하면 좋다. 상기한 바와 같이, O2를 이용하도록 하면, 불소 첨가 카본막(602)과 하드 마스크(605)와의 사이에 큰 에칭 선택비(양자의 에칭 레이트끼리의 비)를 취할 수 있다. 또, O2의 플라즈마를 이용하면, 레지스트패턴(604)도 동시에 에칭 제거할 수 있다.
그런데, 유기막을 가공하기 위해서 일반적으로 이용되는 SiO2나 질화실리콘(SiN)으로 이루어지는 하드 마스크를 불소 첨가 카본막의 미세 가공에 이용한 후 그대로 남기는 경우, 상기 하드 마스크와 그 상하의 층과의 밀착성이 시간의 경과와 함께 열화된다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 불소 첨가 카본막을 절연층에 이용한 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키고 있었다. 예컨대, 하드 마스크를 이용하는 가공시에는 밀착이 유지되고 있더라도, 반도체 장치가 완성된 후에 하드 마스크 부분에 박리 등이 발생하여 그 반도체 장치의 고장 원인이 되고 있었다.
본 발명은 불소 첨가 카본막 등의 불소를 포함하는 층을 절연층으로서 이용하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1j는 본 발명의 실시예에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법을 (a)∼(j)의 공정 순으로 도시한 모식적 종단면도이다.
도 2는 밀착력의 측정 방법을 설명하기 위한 모식적 종단면도이다.
도 3은 불소 첨가 카본막을 형성하기 위한 플라즈마 막 형성 처리 장치의 구성을 도시하는 개략적인 종단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 종래의 반도체 장치의 제조 방법을 (a)∼(d)의 공정 순으로 도시한 모식적 종단면도이다.
본 발명은 이상과 같은 문제점을 해소하기 위해서 이루어진 것이다. 즉, 본 발명은 불소 첨가 카본막 등의 불소를 포함하는 절연층과, 하드 마스크로서의 실리콘을 포함하는 절연층이 인접한 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 그 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은,
소자가 형성된 반도체 기판 상에 배선층을 형성하는 공정과,
그 배선층 상에 불소를 포함하는 제1 절연층을 형성하는 공정과,
그 제1 절연층 상에 실리콘을 포함한 제2 절연층을 형성하는 공정과,
상기 제1 절연층의 표면이 부분적으로 노출될 때까지 상기 제2 절연층을 선택적으로 에칭하는 공정과,
그 선택적으로 에칭한 제2 절연층을 마스크로 하여 상기 제1 절연층을 선택적으로 에칭하는 공정과,
상기 제1 절연층을 선택적으로 에칭한 후, 상기 제2 절연층 상에 새로운 배선층을 형성하는 공정을 구비하고,
상기 제2 절연층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 제2 절연층을 구성하는 실리콘의 원료로서 수소를 포함하지 않은 실리콘 화합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
이와 같이, 제2 절연층을 형성하는 공정에 있어서, 제2 절연층을 구성하는 실리콘의 원료로서 수소를 포함하지 않은 실리콘 화합물을 이용함으로써, 형성된 제2 절연층내로의 수소의 결합(incorporate)이 억제된다. 이 때문에, 형성된 제2 절연층으로부터의 수소의 탈(脫)가스도 억제된다. 따라서, 제2 절연층으로부터 제1 절연층으로 외측으로 확산된 수소가 제1 절연층 내의 불소와 결합하여 HF를 형성하는 현상이 억제된다. 그 결과, HF에 의한 제2 절연층의 부식 등이 억제되고, 나아가서는 제2 절연층과 다른 층과의 밀착성의 열화가 억제된다. 이 때문에, 본 발명에 따르면 불소를 포함하는 절연층과 실리콘을 포함하는 절연층이 인접한 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 그 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 절연층을 형성하는 공정에 있어서, 제2 절연층을 구성하는 실리콘 이외의 물질의 원료로서, 수소를 포함하지 않은 물질을 이용함으로써, 제2 절연층내로의 수소의 결합이 보다 억제된다.
또, 제2 절연층을 형성하는 공정은 화학적 기상 성장법이나 스퍼터링 프로세스에 의해 행할 수 있다. 후자의 스퍼터링 프로세스에 의한 경우에는 수소를 포함하지 않은 가스의 플라즈마를 이용하도록 하면, 제2 절연층 중에의 수소의 결합이 보다 억제된다.
이하, 본 발명에 의한 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시예에 관해서, 도 1a 내지 도 1j의 공정 순으로 설명한다.
우선, 도 1a에 도시한 바와 같이, 소자 등이 형성된 반도체 기판(도시하지 않음) 위에 형성된 하층 배선층(101) 상에 불소 첨가 카본막[102: 제1 절연층]을 막 두께 400 nm 정도로 형성한다. 이것은, 예컨대 C4F8가스 및 C2H4가스를 소스 가스로 하여 전자 사이클로트론 공명을 이용한 플라즈마 막 형성 처리에 의해 행해진다.
이어서, 그 불소 첨가 카본막(102) 상에, 예컨대 SiF4와 C2H4를 소스 가스로 한 CVD법에 의해 SiC로 이루어지는 무기 절연막[103: 제2 절연층]을 형성한다. 이것은, 예컨대 플라즈마 CVD법에 의해 SiF4가스를 10 sccm으로, C2H4가스를 15 sccm으로, Ar 가스를 200 sccm으로 각각 공급하면서, 출력 2500 W의 마이크로파를 공급함으로써 플라즈마를 생성하고, 기판 온도를 360℃로 함으로써 형성할 수 있다. 이 무기 절연막(103)은 이하에 나타낸 바와 같이 하드 마스크로서 이용된다.
다음에, 도 1b에 도시한 바와 같이, 소정 개소에 개구부(104a)가 설치된 레지스트 패턴(104)을 무기 절연막(103) 상에 형성한다. 이 레지스트 패턴(104)의 형성에는 공지의 포토리소그래피 기술을 이용할 수 있다.
이어서, 그 레지스트 패턴(104)을 마스크로 하여 무기 절연막(103)을 에칭 가공함으로써, 도 1c에 도시한 바와 같은, 개구부(113a)를 갖춘 하드 마스크(113)를 형성한다. 이 에칭에는, 예컨대 C4F8의 플라즈마에 의한 드라이 에칭을 이용하면 된다. 이 C4F8의 플라즈마에 의한 드라이 에칭에서는 불소 첨가 카본막(102)은 거의 에칭되지 않기 때문에, 선택적인 에칭에 의한 하드 마스크(113)의 가공이 가능해진다.
다음에, 개구부(113a)가 형성된 하드 마스크(113)를 마스크로 하여 하층의 불소 첨가 카본막(102)을 선택적으로 에칭한다. 이에 의해, 도 1d에 도시한 바와 같이, 불소 첨가 카본막(102)에 홀부(102a)를 형성한다. 이 에칭에는 O2의 플라즈마에 의한 반응성 이온 에칭을 이용함으로써, 유기막인 레지스트 패턴(104)도 동시에 제거할 수 있다. 한편, 하드 마스크(113)는 SiC로 구성되어 있기 때문에, O2의 플라즈마에서는 거의 에칭되지 않고서 남는다.
이어서, 도 1e에 도시한 바와 같이, 형성된 홀부(102a) 및 개구부(113a) 내에, 예컨대 알루미늄(Al) 등의 도전 재료를 충전하여 플러그(105)를 형성한다.
다음에, 도 1f에 도시한 바와 같이, 플러그(105)상을 포함하는 하드 마스크(113)상에 불소 첨가 카본막(106)을 막 두께 400 nm 정도로 형성한다.
다음에, 도 1g에 도시한 바와 같이, 그 불소 첨가 카본막(106) 상에 역시 SiF4와 CF4를 소스 가스로 한 CVD법에 의해 SiC로 이루어지는 무기 절연막(107)을 형성한다. 이에 계속해서, 소정 개소에 홈부(108a)가 설치된 레지스트 패턴(108)을 형성한다. 이 홈부(108a)는 이미 형성되어 있는 플러그(105)상을 통과하도록 형성한다.
이어서, 그 레지스트 패턴(108)을 마스크로 하여 무기 절연막(107)을 에칭 가공하여, 도 1h에 도시한 바와 같이 홈부(117a)를 갖춘 하드 마스크(117)를 형성한다. 이 에칭에도, 예컨대 C4F8의 플라즈마에 의한 드라이 에칭을 이용하면 된다.
다음에, 도 1i에 도시한 바와 같이, 홈부(117a)가 형성된 하드 마스크(117)를 마스크로 하여 불소 첨가 카본막(106)을 에칭 가공하여 홈부(106a)를 형성한다. 이것은 상기한 홀부(102a)의 형성과 같은 방식으로 행해지고, 역시 레지스트 패턴(108)도 동시에 제거된다.
이어서, 도 1j에 도시한 바와 같이, 홈부(106a) 및 홈부(117a) 내에 Al 등의 도전 재료를 충전함으로써, 이미 형성되어 있는 플러그(105)에 접속한 배선(109)을 형성한다. 그 결과, 하층 배선층(101)에 플러그(105)를 통해 배선(109)이 접속된 구조의 반도체 장치가 형성된다. 또, 당연하지만, 상기한 프로세스를 반복함으로써, 3층 이상의 배선층을 갖춘 반도체 장치를 형성할 수도 있다.
이상과 같이, 이 실시예에서는 하드 마스크로서 이용하는 무기 절연막(제2 절연층)을, H를 포함하지 않은 SiF4와 CF4를 소스 가스로 한 CVD법에 의해 형성함으로써, 하드 마스크 중에 H가 결합되는 것을 억제하도록 했다. 이에 의해, 이하에 설명하는 바와 같이, 하드 마스크와 불소 첨가 카본막 등의 다른 층과의 밀착성의 열화를 억제할 수 있게 된다.
우선, 하드 마스크 중에 H가 존재하고, 이것이 하드 마스크에서부터 외측으로 확산된 경우, 그 H는 인접한 불소 첨가 카본막 중의 F와 결합하여 HF를 생성하게 된다. 그리고, 생성된 HF에 의해 하드 마스크나 근처의 배선층이 부식되는 결과, 불소 첨가 카본막이나 배선층과 하드 마스크와의 밀착성이 열화되어 나가게 된다.
여기서, 예컨대 종래와 같이 SiC로 이루어지는 무기 절연막을 구성하는 Si의 원료로서 H를 포함한 SiH4를 이용하고, 이것과 CF4를 소스 가스로 한 CVD법에 의해 무기 절연막을 막 형성한 경우, 이 무기 절연막 중에는 H가 결합된 상태가 되어 버린다.
이것은 TEOS[Si(OC2H5)4: Tetraethoxysilane]를 원료로 한 SiO2로 이루어지는 무기 절연막의 형성에 있어서도 마찬가지이다. 특히, Si의 원료로서 Si와 H와의 화합물을 이용하면, 형성하고 있는 무기 절연막 중에 H가 결합되기 용이하게 된다. 이것은 Si와 H와의 결합 에너지가 높기 때문에, 원료 가스를 분해하여 Si를 퇴적시키는 단계에 있어서도, Si-H의 상태로 막 형성에 관여하는 경우가 발생하기 쉽게 되는 때문이다.
이에 대하여, SiC로 이루어지는 무기 절연막을 구성하는 C의 원료로서 C2H4와 같은 탄화수소 화합물을 이용하더라도, 형성된 무기 절연막 중에는 거의 H가 결합되는 경우가 없다. 이것은 C-H의 결합 에너지가 너무 높지 않아, 플라즈마 CVD나 열 CVD의 막 형성 환경에서는 용이하게 해리되기 때문에, C가 퇴적하는 단계에서 C-H의 상태가 막 형성에 관여하는 일이 거의 없기 때문이다. 또, 그것이 막 형성에 관여하고 있었다고 하여도, CVD법에 의한 막 형성 중의 높은 에너지 상태에서는 H가 C보다 용이하게 제거되기 때문이다.
따라서, 상기한 바와 같이 SiC막을 막 형성하는 경우, C의 원료로서 탄화수소 화합물을 이용했다고 하여도, Si의 원료로서 SiF4를 이용하면, 형성된 SiC 막 중에 H가 결합되는 경우가 거의 억제되게 된다. 또한, C의 원료에 있어서도 형성된 하드 마스크 중에 있어서의 H의 양을 보다 저하시킨다고 하는 관점에서는 H를 포함하지 않은 원료, 예컨대 CF4를 이용하도록 하면 보다 좋은 상태를 얻을 수 있다.
여기서, Si를 포함하는 무기 절연막을 CVD법으로 형성하는 경우의 소스 가스와, 형성되는 무기 절연막과의 조합 예를 이하에 나타낸다. 또, 이하에서는 「→」의 좌측이 소스 가스를 나타내고, 「→」의 우측이 막 형성되는 무기 절연막을 나타낸다. 또, 「→」의 좌측에 있어서는 Si의 원료 가스 + 다른 원료 가스의 순으로 기재하고 있다. 한편, TICS는 Si(NCO)4(Tetraisocyanatesilane)이다.
(A) SiF4+C2H4→SiC
(B) SiF4+CF4→SiC
(C) SiF4+N2→SiN
(D) SiF4+NF3→SiN
(E) SiF4+C2H4+N2→SiCN
(F) SiF4+CF4+N2→SiCN
(G) SiF4+C2H4+NF3→SiCN
(H) SiF4+CF4+NF3→SiCN
(I) Si2F6+C2H4→SiC
(J) Si2F6+CF4→SiC
(K) Si2F6+N2→SiN
(L) Si2F6+NF3→SiN
(M) Si2F6+C2H4+N2→SiCN
(N) Si2F6+CF4+N2→SiCN
(0) Si2F6+C2H4+NF3→SiCN
(P) Si2F6+CF4+NF3→SiCN
(Q) TICS+C2H4→SiC
(R) TICS+C2H4+N2→SiCN
(S) TICS+N2(또는 NH3) →SiN
(T) TICS+C2H4+BF3(또는 B2F6) →SiBC
(U) TICS+BF3(또는 B2F6)+N2(또는 NH3) →SiBN
(V) TICS+BF3(또는 B2F6)+C2H4+N2(또는 NH3) →SiBCN
(W) TICS+SiF4+02→SiOF
(X) TICS+O2→SiO2
이어서, Si의 원료로서 상기 (A)∼(P)와 같이 SiF4또는 Si2F6을 이용한 경우와, 종래와 같이 SiH4를 이용한 경우에서, 형성된 무기 절연막으로부터 탈가스되는 H의 양을 비교 측정했다. 탈가스의 측정은 다음과 같이 했다. 우선, 무기 절연막을 형성한 기판을 1 cm 각으로 절단하여, 이것을 진공 용기 내에 얹어 놓은 상태로,기판 온도를 12℃/분의 승온 속도로 가열한다. 그리고, 기판의 온도가 400℃가 된 시점에서 30분간 그 온도를 유지하여, 무기 절연막으로부터 발생하는 가스의 질량 스펙트럼을 관측함으로써, 무기 절연막으로부터의 H의 탈가스 농도를 측정했다(승온 이탈 가스 분석법).
그 결과, 이하에 나타낸 바와 같이, Si의 원료로서 SiF4또는 Si2F6을 이용한 경우 쪽이, SiH4를 이용한 경우보다도 대폭적으로 H의 탈가스량이 적은 것을 알 수 있었다. 또한, 이하에서는 좌측의 (A)∼(P)가 상기한 소스 가스와 형성되는 무기 절연막과의 조합의 (A)∼(P)에 각각 대응하고 있다. 또, 「→」의 우측에 SiF4또는 Si2F6을 이용한 경우의 탈가스 강도(질량 스펙트럼)를 나타내고, 「→」의 좌측에 이들 대신에 SiH4를 이용한 경우의 탈가스 강도를 나타냈다. 예컨대, 이하의 (A)에서 나타내는 H의 탈가스 강도는 「→」의 좌측에 SiH4+C2H4로 SiC를 막 형성했을 때의 결과를 나타내고, 「→」의 우측에 SiF4+C2H4로 SiC를 막 형성했을 때의 결과를 나타내고 있다.
(A) 16280 →2130
(D) 12547 →1145
(C) 11457 →1245
(D) 11457 →1038
(E) 17519 →2431
(F) 10985 →1368
(G) 18273 →2538
(H) 13658 →1147
(I) 17420 →2359
(J) 10235 →1258
(K) 12369 →1147
(L) 11903 →1047
(M) 19561 →2631
(N) 13697 →1039
(O) 20231 →2852
(P) 11903 →1239
다음에, 상기된 바와 같이 Si의 원료로서 SiF4, Si2F6또는 TICS를 이용한 경우와 종래와 같이 SiH4를 이용한 경우에 형성된 무기 절연막과, 그리고 적층된 불소 첨가 카본막과의 밀착성을 비교했다. 이 경우, 「불소 첨가 카본막/무기 절연막/불소 첨가 카본막」의 3층 구조에 있어서의 밀착력을 각각 비교했다. 그 밀착력은 다음에 나타낸 바와 같이 측정한다. 우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(401) 상에 불소 첨가 카본막(402), 무기 절연막(403) 및 불소 첨가 카본막(404)을 순차적으로 적층하여 형성한 샘플을 제작하고, 그 불소 첨가 카본막(404) 상에 소정의 접착제로 시험 막대(405)를 고정한다. 그리고, 기판(401)을 고정한 상태로 그 기판(401)으로부터 이격되는 방향의 하중을 시험 막대(405)에 가한다. 그리고, 어느 막이 박리되었을 때의 하중(Kpsi)을 밀착력으로 한다.
그 결과, 이하에 나타낸 바와 같이, SiF4, Si2F6또는 TICS를 이용한 경우가 SiH4를 이용한 경우보다도 밀착력이 커지는 것을 알 수 있었다. 또, 이하에서는 좌측의 (A)∼(W)는 상기한 소스 가스와 형성되는 무기 절연막과의 조합의 (A)∼(W)에 각각 대응하고 있다. 또, 「→」의 우측에 SiF4, Si2F6또는 TICS를 이용한 경우의 밀착력(Kpsi)을 나타내고, 「→」의 좌측에 이들 대신에 SiH4를 이용한 경우의 밀착력(Kpsi)을 나타냈다. 예컨대, 이하의 (A)에서 나타내는 밀착력은 「→」의 좌측에 SiH4+C2H4로 SiC를 막 형성했을 때의 결과를 나타내고, 「→」의 우측에 SiF4+C2H4로 SiC를 막 형성했을 때의 결과를 나타내고 있다.
(A) 4.0 →9.3
(B) 4.4 →9.6
(C) 1.9 →6.2
(D) 1.8 →6.1
(E) 3.0 →8.0
(F) 3.8 →9.2
(G) 2.9 →7.9
(H) 3.7 →9.1
(I) 3.9 →9.3
(J) 4.3 →9.4
(K) 1.6 →4.9
(L) 1.5 →4.6
(M) 2.8 →7.8
(N) 3.6 →8.7
(O) 2.7 →7.7
(P) 3.5 →8.6
(Q) 4.0 →6.3
(R) 4.2 →6.0
(S) 3.9 →5.8
(T) 4.0 →6.1
(U) 3.8 →5.9
(V) 4.3 →6.4
(W) 3.5 →6.2
또, 불소를 포함하는 절연막(제1 절연층)으로서 상기한 불소 첨가 카본막 대신에 FSG(SiOF)막을 이용한 경우의 밀착성을 마찬가지로 행하여 비교했다. 그 결과, 이 경우도 이하에 나타낸 바와 같이 SiF4, Si2F6또는 TICS를 이용한 경우가 SiH4를 이용한 경우보다도 밀착력이 커지는 것을 알 수 있었다.
(A) 0.9 →6.8
(B) 1.1 →7.2
(C) 1.3 →7.3
(D) 0.6 →7.8
(E) 1.7 →8.4
(F) 1.3 →7.0
(G) 0.9 →6.8
(H) 1.0 →7.7
(I) 1.0 →8.2
(J) 1.2 →6.6
(K) 1.4 →6.9
(L) 0.9 →7.2
(M) 0.6 →7.8
(N) 0.9 →6.9
(O) 1.1 →8.1
(P) 0.9 →7.9
(Q) 1.5 →7.7
(R) 1.1 →7.9
(S) 1.3 →8.1
(T) 1.2 →6.9
(U) 1.2 →7.0
(V) 0.9 →7.1
(W) 1.0 →7.4
또한, 불소를 포함하는 절연막(제1 절연층)으로서 상기한 불소 첨가 카본막 대신에 「SiCO(H)에 F를 도핑한 막[(H)은 CxHy기 중의 H]」를 이용한 경우의 밀착성도 마찬가지로 행하여 비교했다. 또, 이 SiCO(H)막은, 예컨대 SiHx(CH3)y로 나타내는 메틸실란 또는 알콕시실란을 원료로 하여, 그 단독 또는 산소계 가스(O2, N2O 등)를 사용하여 플라즈마 CVD법으로 형성된다. 또 「SiCO(H)에 F를 도핑한 막」이란 그와 같은 SiCO(H)막의 형성시에 F를 포함한 원료 가스(예컨대, SiF4, C2F4, C2F6등의 CxFy, NF3등)를 더욱 추가하여 플라즈마 CVD법으로 형성된 SiCO(H)막의 것을 의미한다. 그 결과, 이 경우도 이하에 나타낸 바와 같이 SiF4, Si2F6또는 TICS를 이용한 경우가 SiH4를 이용한 경우보다도 밀착력이 커지는 것을 알 수 있었다.
(A) 2.6 →8.0
(B) 3.1 →7.9
(C) 3.2 →8.8
(D) 2.8 →7.6
(E) 2.1 →8.0
(F) 3.3 →6.9
(G) 2.9 →7.7
(H) 2.2 →7.1
(I) 2.0 →8.9
(J) 1.9 →8.8
(K) 2.1 →6.9
(L) 2.2 →7.2
(M) 2.3 →8.1
(N) 2.5 →7.7
(O) 2.9 →7.9
(P) 2.2 →8.7
(Q) 3.1 →6.9
(R) 2.9 →7.7
(S) 2.4 →7.6
(T) 3.2 →9.0
(U) 3.1 →8.7
(V) 3.0 →7.7
(W) 2.5 →7.0
이상 나타낸 바와 같이, 이 실시예에서는 하드 마스크가 되는 무기 절연막을 CVD법으로 막 형성할 때에 Si의 원료 가스로서 H가 포함되어 있지 않은 것을 이용하도록 하고, 보다 바람직하게는 모든 원료 가스에 H가 포함되어 있지 않도록 했다. 그 결과, 막 형성된 무기 절연막내로의 H의 결합이 억제되어, 하드 마스크와 불소 첨가 카본막 등의 인접한 막과의 밀착성의 열화를 억제할 수 있게 된다.
그런데, 이상의 실시예에서는 원료 가스에 H가 포함되어 있지 않은 상태에서 CVD법에 의해 무기 절연막을 막 형성하도록 했지만, 동일한 상태에서 스퍼터링 프로세스에 의해 무기 절연막을 막 형성하도록 하여도, 막 형성한 무기 절연막내로의 H의 결합을 억제할 수 있게 된다.
즉, H를 포함하지 않은 가스로 플라즈마를 생성한 스퍼터링 프로세스에 의해 무기 절연막을 형성하도록 하면, 막 형성한 무기 절연막내로의 H의 결합을 억제할 수 있다. 이 스퍼터링 프로세스에 의해, 예컨대 무기 절연막으로서 SiC, SiN, SiCN을 막 형성하는 경우, 이하의 표에 나타낸 바와 같이 가스와 타겟을 선택하도록 하면 된다.
무기 절연막 타겟 가스
SiC막 SiC Ar
SiN막 Si Ar + N2(또는 NH3)
SiCN막 SiC Ar + N2(또는 NH3)
또한, 스퍼터링 프로세스에 의해 막 형성한 경우, 상기한 바와 같이 400℃에 있어서의 H의 탈가스 강도를 측정한 바, SiC의 경우 2100 정도, SiCN의 경우 2900 정도로 낮은 값이었다.
또, 스퍼터링 프로세스에 의해 막 형성한 경우, 상기한 바와 같이 불소 첨가 카본막과의 밀착력을 측정했다. 그 결과, SiC의 경우 7.17 Kpsi, SiCN의 경우 12.2 Kpsi가 되어, 어느 경우도 Si의 원료에 SiH4를 이용한 CVD법으로 형성한 경우와 비교하여, 밀착력의 저하가 억제되고 있음이 판명되었다.
그런데, 상기한 실시예에서는 불소 첨가 카본막 등의 F를 포함하는 층간막에 홈부를 형성하여, 거기에 배선층을 매립하도록 했지만, 이것에 한정하는 것이 아니다. 즉, 배선층을 형성하고 난 후 이것을 덮도록 층간막을 형성하도록 하더라도 좋다.
또, 상기한 실시예에서는 배선층에 Al을 이용하도록 했지만, 이것에 한정하는 것이 아니라, Cu 등의 다른 도전성 재료를 이용하도록 하더라도 마찬가지이다.

Claims (9)

  1. 소자가 형성된 반도체 기판 상에 배선층을 형성하는 공정과;
    상기 배선층 상에 불소를 포함하는 제1 절연층을 형성하는 공정과;
    상기 제1 절연층 상에 실리콘을 포함한 제2 절연층을 형성하는 공정과;
    상기 제1 절연층의 표면이 부분적으로 노출될 때까지 상기 제2 절연층을 선택적으로 에칭하는 공정과;
    상기 선택적으로 에칭된 제2 절연층을 마스크로 하여 상기 제1 절연층을 선택적으로 에칭하는 공정과;
    상기 제1 절연층을 선택적으로 에칭한 후 상기 제2 절연층상에 새로운 배선층을 형성하는 공정을 구비하고,
    상기 제2 절연층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 제2 절연층을 구성하는 실리콘의 원료로서 수소를 포함하지 않은 실리콘 화합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정에서, 상기 제2 절연층을 구성하는 실리콘 이외의 물질의 원료로서 수소를 포함하지 않은 물질을 이용하는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정은 화학적 기상 성장법에 의해 행해지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정은 스퍼터링 프로세스에 의해 행해지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정은 수소를 포함하지 않은 가스의 플라즈마를 이용한 스퍼터링 프로세스에 의해 행해지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정은 화학적 기상 성장법에 의해 행해지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정은 스퍼터링 프로세스에 의해 행해지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하는 공정은 수소를 포함하지 않은 가스의 플라즈마를 이용한 스퍼터링 프로세스에 의해 행해지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재한 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4715207B2 (ja) * 2004-01-13 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び成膜システム
US7119032B2 (en) * 2004-08-23 2006-10-10 Air Products And Chemicals, Inc. Method to protect internal components of semiconductor processing equipment using layered superlattice materials
EP2256229A1 (de) * 2005-11-04 2010-12-01 Sulzer Metaplas GmbH Schichtsystem zur Bildung einer Oberflächenschicht auf einer Oberfläche eines Substrats, Beschichtungsverfahren und Substrat mit einem Schichtsystem
EP2332417B1 (en) 2005-12-09 2023-08-16 Marel Poultry B.V. Method and device for processing a carcass part of slaughtered poultry
KR100822622B1 (ko) * 2007-04-20 2008-04-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
US7838426B2 (en) 2007-08-20 2010-11-23 Lam Research Corporation Mask trimming
US9514932B2 (en) * 2012-08-08 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Flowable carbon for semiconductor processing
US9607825B2 (en) * 2014-04-08 2017-03-28 International Business Machines Corporation Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication
JP6363385B2 (ja) * 2014-04-21 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 封止膜の形成方法及び封止膜製造装置
US11328973B2 (en) 2020-06-26 2022-05-10 General Electric Company Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH084072B2 (ja) * 1986-01-14 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US5011706A (en) * 1989-04-12 1991-04-30 Dow Corning Corporation Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide
US5244730A (en) * 1991-04-30 1993-09-14 International Business Machines Corporation Plasma deposition of fluorocarbon
JPH05313210A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Ricoh Co Ltd 薄膜積層デバイス
CA2157257C (en) * 1994-09-12 1999-08-10 Kazuhiko Endo Semiconductor device with amorphous carbon layer and method of fabricating the same
US5466639A (en) * 1994-10-06 1995-11-14 Micron Semiconductor, Inc. Double mask process for forming trenches and contacts during the formation of a semiconductor memory device
JP3323055B2 (ja) 1996-04-03 2002-09-09 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP3400918B2 (ja) * 1996-11-14 2003-04-28 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP3409984B2 (ja) 1996-11-14 2003-05-26 東京エレクトロン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP3228183B2 (ja) * 1996-12-02 2001-11-12 日本電気株式会社 絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
US6184572B1 (en) * 1998-04-29 2001-02-06 Novellus Systems, Inc. Interlevel dielectric stack containing plasma deposited fluorinated amorphous carbon films for semiconductor devices
JP3148183B2 (ja) * 1998-08-31 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法

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WO2000054328A1 (fr) 2000-09-14
TW460909B (en) 2001-10-21
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US6620739B1 (en) 2003-09-16
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KR20010080574A (ko) 2001-08-22

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