JPH0614552B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents

光電変換素子の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光電変換素子、特に長尺薄膜原稿読取素子の
製造方法に関する。
一般に光信号を電気信号に変換する光電変換素子として
用いられている素子の一つに長尺薄膜原稿読取素子があ
る。
第１図は、従来の長尺薄膜原稿読取素子の断面図であ
る。第１図に示すように原稿予期取素子１は、絶縁性基
板２上に下部電極３を形成し、この電極の一部に重ねて
水素化したアモルファスシリコン膜４を形成し、さらに
この上に上部透明電極５を設けた構造となっている。
絶縁性基板２としては、セラミック、ガラス、プラスチ
ック等が用いられるが、該基板２は機械的強度が強く、
当該原稿読取素子Ｉの製造工程において加わえられる温
度に対して軟化せず、しかも絶縁性が高いことが必要で
ある。次に、下部電極３としては、クロム（Cr）、ニツ
ケル（Ni）、白金（Pt）、パラジウム（Pd）、チタン
（Ti）、モリブテン（Mo）およびタンタル（Ta）等の金
属が用いられる。この下部電極３は、例えば上記金属を
基板２に厚さ500Å乃至5000Åで着膜し、フオトリソグ
ラフィとエッチングによって適宜の大きさ、形状となる
ように形成する。また、水素化したアモルファスシリコ
ン膜４（水素を含まないノンドープを含む）はホウ素
(B)など周期律表第III族に属する元素をドーブしたＰ型
のシリコン膜などが用いられる。このアモルファスシリ
コン膜４の形成方法としては、例えばプラズマCVD法に
よって厚さ１μｍ程度に堆積する。さらに、上部透明電
極５としては、ITO膜（In2O3＋SnO2）などが用いられ、
この上部透明電極５は、例えば反応性蒸着法あるいは反
応性スパッタリング法などによって、厚さ500Å乃至200
0Å程度に形成する。
上述した積層構造を有する原稿読取素子１は、明電流と
暗電流との比（以下、明／暗比という）が１０３以上と
いう光電変換特性および光応答速度が１ｍｓ以下という
光応答性など優れた素子特性を有している。
なお、前記暗電流は水素化したアモルファスシリコン膜
４と上部透明電極５との界面に形成されたエレクトロン
バリア層（図示せず）によって抑制されており、該エレ
クトロンバリア層は明／暗比の優劣の決定要因の一つと
なっている。
このような原稿読取素子１の性能は、該素子１を大気中
で１時間２５０℃に加熱した場合、あるいは２気圧の大
気中で３０分間120℃に加熱した場合であっても劣化す
ることのない耐熱性および耐圧性を有している。
しかし、当該原稿読取素子１がファクシミリ等の画像情
報処理装置に実際に組み込まれた場合、光を受光する上
部透明電極５の汚損あるいは該素子１に対する機械的接
触および摩耗によって上記性能が劣化するという問題が
あった。また、該素子１に水分が付着することによって
絶縁性が低下するという問題があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、原稿読取素
子などの光電変換素子の性能の劣化を防ぐとともに、絶
縁性を保持する光電変換素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
そこで、本発明では光電変換素子に対して酸化シリコン
膜による保護膜を亜酸化窒素ガスの過剰雰囲気下でプラ
ズマＣＶＤ法を用いて形成するようにしたことを特徴と
するものである。
これによりシランガスに含まれる水素と亜酸化窒素ガス
に含まれる酸素とを化合させて水にすることによって、
余分な水素ラジカルがＩＴＯ膜を変質させるのを防ぎ、
アモルファスシリコンとＩＴＯとの界面の接合特性の劣
化を生じることなく水素プラズマによるＩＴＯの劣化を
防止し、接合特性の良好な光電変換素子を得ることがで
きる。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
第２図は本発明に係る光電変換素子の製造方法によって
製造した原稿読取素子の断面図である。なお、第１図と
同様の機能を果たす部分については同一の符号が用いら
れている。
第２図に示すように原稿読取素子１は、ガラス基板２上
で下部電極３を形成し、この電極の一部に重ねて水素化
したアモルファスシリコン膜４および上部透明電極５を
積層し、さらに基板２の図示しない下部電極３および上
部透明電極５の接続端子（引出線）の部分を除く全体を
酸化シリコン膜６で覆った構造となっている。
次に当該原稿読取素子１の製造方法を詳細に説明する。
まず、ガラス基板２の上全面にわたつてクロムを厚さ30
00Åで堆積し、フォトエッチングによって適宜の形状、
大きさの下部電極３を形成する。アモルファスシリコン
膜４はシランガスをグロー放電によって解離し、水素化
したアモルファスシリコンを厚さ約１μｍで堆積して形
成する。また、上部透明電極５はアルゴンおよび酸素の
雰囲気中でＤＣスパッタリングによりITO膜を厚さ約150
0Åに堆積したものである。
さらに、下部電極３および上部透明電極５の外部接続端
子（図示せず）の部分をメタルマスクで覆う。
このようにして形成した原稿読取素子１に酸化シリコン
膜６を形成するが、その方法としては、プラズマＣＶＤ
（化学蒸着）法、常圧CVD法、スパッタリング法、ある
いは回転塗布法などがあるが、当該原稿読取素子１に用
いられている水素化されたアモルファスシリコン膜は、
400℃以上に加熱されるとシリコン原子と結合していた
水素の脱離反応を生じるため、パシベーション膜着膜時
に400℃以下の低温プロセス処理が可能なプラズマCVD法
が最も望ましい。
このプラズマCVD法は、反応室内に薄膜を形成する基板
を置き、該反応室内に膜形成に必要な反応性ガスおよび
必要に応じて該反応性ガスを適宜に循環させるキャリア
ガスを導入し、さらに適宜の直流あるいは交流電圧によ
ってグロー放電を生じさせ、該反応ガスの解離およびイ
オン化を引き起こすことによって該解離あるいはイオン
化した反応性ガスを基板に着膜させるものである。
そこで、上記原稿読取素子１を第３図に示す反応室１０
内の電極板１４の上に載置する。この電極板１４に対向
して配置された電極板１３との距離は４０mmであり、両
電極板間には電源１５から周波数１３．６MHz、出力100
乃至200の高周波電圧が印加されるようになっている。
また、基板１の温度は200乃至300℃、反応室１０内の圧
力は０．５乃至１．５Torrとする。さらに、この反応室
１０内には、酸化シリコン膜６の形成に必要な反応性ガ
スとしてシラン（SiH4）ガスと亜酸化窒素（N2）ガスと
の混合ガスが吸気口１１から矢印Ｇ１のように流入し、
排気口１２から矢印Ｇ２のように流出するようになって
いる。なお、鋳造吸気口１１は電極板１３と共通になっ
ている該電極板１３にあけられた多数の吸気穴から反応
ガスが反応室１０に流入する。
ところで、プラズマＣＶＤ法においては反応性ガスの多
くは、解離エネルギーがイオン化エネルギーよりも小さ
いので、反応を生じさせる活性種（ラジカル）のうちイ
オンの生成速度は遅く、さらに、正イオンは電子と再結
合してしまうのでプラズマ中には中性ラジカル（水素ラ
ジカル）が多く存在することになる。すなわち、イオン
を除く活性種は寿命が長く、プラズマCVD法による膜形
成には、シランガスに含まれる水素ラジカルが酸化シリ
コン膜成長の初期段階でITOと反応し、上部透明電極５
（ITO膜）に変質を生じさせ、該透明電極５とアモルフ
ァスシリコン膜４との接合性が劣化し、その結果として
暗電流の増加による明／暗比の大幅な低下の原因とな
る。このため、本実施例では亜酸化窒素ガスとシランガ
スの流量比を２０対１乃至８０対１として亜酸化窒素ガ
スはシランガスに比べて過剰に使用した。これは、シラ
ンガスに含まれる水素と亜酸化窒素ガスに含まれる酸素
とを化合して水にすることによって、余分な水素ラジカ
ルがITO膜を変質させるのを防ぐようにした。また、亜
酸化窒素ガスに含まれる窒素は、該パッシベーション膜
６に０乃至１０原子パーセントの割合で混入するが、こ
れはパッシベーション膜６の耐熱性の向上に寄与するの
で問題とはならない。
なお、本実施例で使用したシランガスと亜酸化窒素ガス
とアンモニアとの混合ガスに、さらにキャリアガスとし
てアルゴン（Ａｒ）ガスあるいはヘリウム（Ｈｅ）等の
不活性気体を加えてもよい。
以上のような温度、圧力、電圧および混合ガスの条件の
もとに酸化シリコン膜６を形成した。この酸化シリコン
膜６で被覆した原稿読取素子１に対し、120℃、２atmの
条件によるプレッシャークック試験を３０分間行なった
が、下記第１表に酸化シリコン膜６の着膜前、着膜後お
よび前記プレッシャークック試験後の該素子１の明／暗
比を示す。
第１表において、光電流は原稿読取素子１の上部透明電
極５に−５Ｖのバイアス電圧を印加し、100lxの緑色螢
光灯の光を照射した時に、該素子１に流れた電流値から
暗電流値を減じた値であり、また明／暗比は該光電流値
を暗電流値で除した値である。第１表から明らかなよう
に、酸化シリコン膜６の着膜後は光電流が６％程度減少
し、暗電流が増加して明／暗比が低下した。該光電流の
減少は酸化シリコン膜６の表面および酸化シリコン膜６
と上部透明電極５の境界面での光の反射等が影響してい
るものと考えられるが、酸化シリコン膜６の膜厚の最適
化によって改善される。また、明／暗比3000は使用上特
に問題となる大きさではない。さらに、プレッシャーク
ック試験後は明／暗比の低下はない。
なお、原稿読取素子の製造に限らず太陽電池等の光電変
換素子の製造も可能であり、特に受光面にITO膜の透明
電極を用いた素子に有効である。
以上、説明したように本発明によれば、原稿読取素子あ
るいは太陽電池等の光電変換素子を酸化シリコン膜で被
覆することによって、該素子の諸特性の劣化および耐熱
性、耐圧性の低下を生ずることのない光電変換素子を製
造できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の原稿読取素子の断面図、第２図は本発明
に係る光電変換素子の製造方法によって製造した原稿読
取素子の断面図、第３図は本発明に係る光電変換素子の
製造方法の一工程であるパシベーション膜形成を示す斜
視図である。 １……原稿読取素子、２……絶縁性（ガラス）基板、３
……下部電極、４……アモルファスシリコン膜、５……
上部透明電極、６……酸化シリコン膜、１０……反応
室、１１……吸気口、１２……排気口、１３，１４……
電極板、１５……電源。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板表面に下部電極を形成する下部電極形
    成工程と 光導電体層としてのアモルファスシリコン層を形成する
    光電導体層形成工程と 透明電極としての酸化インジウム錫層を形成する透明電
    極形成工程と 亜酸化窒素ガス過剰雰囲気中でプラズマＣＶＤ法により
    酸化シリコン膜を形成する保護膜形成工程とを含むこと
    を特徴とする光電変換素子の製造方法。
  2. 【請求項２】前記亜酸化窒素過剰雰囲気が少なくとも亜
    酸化窒素ガスとシランガスとを含み、亜酸化窒素ガスが
    シランガスに対して２０：１乃至８０：１の流量比であ
    る特許請求の範囲(1)に記載の光電変換素子の製造方
    法。
JP58015832A 1983-02-02 1983-02-02 光電変換素子の製造方法 Expired - Lifetime JPH0614552B2 (ja)

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60220967A (ja) * 1984-04-18 1985-11-05 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置
US4727407A (en) * 1984-07-13 1988-02-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Image sensor
US5084399A (en) * 1984-10-01 1992-01-28 Fuji Xerox Co., Ltd. Semi conductor device and process for fabrication of same
JPS61253870A (ja) * 1985-05-07 1986-11-11 Hitachi Ltd 光起電力素子
JPH0673372B2 (ja) * 1985-06-24 1994-09-14 三菱電機株式会社 光読み取り装置及びその製造方法
JPS62136871A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光センサ−、その製造方法及びその製造装置
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
EP0228712B1 (en) * 1986-01-06 1995-08-09 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device with a high response speed and method for manufacturing the same
JPS62172755A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Canon Inc フオトセンサの作製方法
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
US4901153A (en) * 1988-08-10 1990-02-13 Seiko Instruments Inc. Image sensor with reduced surface reflection interference
US5318857A (en) * 1989-11-06 1994-06-07 Dow Corning Corporation Low temperature ozonolysis of silicon and ceramic oxide precursor polymers to ceramic coatings
TW371796B (en) * 1995-09-08 1999-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
US5736423A (en) * 1995-11-16 1998-04-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method for depositing very thin PECVD SiO2 in 0.5 micron and 0.35 micron technologies
JP3164019B2 (ja) * 1997-05-21 2001-05-08 日本電気株式会社 酸化シリコン膜およびその形成方法と成膜装置
US6326231B1 (en) * 1998-12-08 2001-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. Use of silicon oxynitride ARC for metal layers
US6618409B1 (en) * 2000-05-03 2003-09-09 Corning Incorporated Passivation of semiconductor laser facets
EP1351858B1 (de) * 2001-11-07 2004-08-25 Hassia Verpackungsmaschinen GmbH Verfahren zum vorsterilisieren einer schlauchbeutel-verpackungsmaschine
JPWO2004107450A1 (ja) * 2003-05-30 2006-07-20 富士通株式会社 半導体装置と半導体装置の製造方法
JP4961111B2 (ja) * 2005-02-28 2012-06-27 富士フイルム株式会社 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法
KR101664633B1 (ko) * 2011-10-31 2016-10-10 후지필름 가부시키가이샤 광전 변환 소자 및 촬상 소자

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5824951B2 (ja) * 1974-10-09 1983-05-24 ソニー株式会社 コウガクソウチ
JPS558092A (en) * 1978-07-04 1980-01-21 Nec Corp Fine film solar cell and its production method
JPS55151329A (en) * 1979-05-14 1980-11-25 Shunpei Yamazaki Fabricating method of semiconductor device
JPS5643776A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Seiko Epson Corp Production of solar battery
EP0030798B1 (en) * 1979-12-17 1983-12-28 Hughes Aircraft Company Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition
JPS56157075A (en) * 1980-05-09 1981-12-04 Hitachi Ltd Photoelectric transducing device
US4410558A (en) * 1980-05-19 1983-10-18 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous amorphous solar cell production system
JPS5747711A (en) * 1980-08-08 1982-03-18 Fujitsu Ltd Chemical plasma growing method in vapor phase
JPS57124983A (en) * 1981-01-28 1982-08-04 Hitachi Ltd Color solid-state image pickup element
JPS57190455A (en) * 1981-05-19 1982-11-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Adhesion type image sensor
US4379943A (en) * 1981-12-14 1983-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Current enhanced photovoltaic device

Also Published As

Publication number Publication date
DE3463588D1 (en) 1987-06-11
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JPS59141278A (ja) 1984-08-13
EP0117980B1 (en) 1987-05-06

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