JPS5824951B2 - コウガクソウチ - Google Patents
コウガクソウチInfo
- Publication number
- JPS5824951B2 JPS5824951B2 JP49116418A JP11641874A JPS5824951B2 JP S5824951 B2 JPS5824951 B2 JP S5824951B2 JP 49116418 A JP49116418 A JP 49116418A JP 11641874 A JP11641874 A JP 11641874A JP S5824951 B2 JPS5824951 B2 JP S5824951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- polycrystalline silicon
- silicon layer
- light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学装置に関するものであって、太陽電池、フ
ォトダイオード等の半導体受光素子に適用するのに最適
な光学装置を提供するものである。
ォトダイオード等の半導体受光素子に適用するのに最適
な光学装置を提供するものである。
太陽電池においては、その出力を取出すに至るまでの様
々な損失により、例えば単結晶シリコンを用いるものの
光量の損失量は理論的には２５％が上限であるとされる
。
々な損失により、例えば単結晶シリコンを用いるものの
光量の損失量は理論的には２５％が上限であるとされる
。
この損失の原因としては入射光がシリコン基板表面にて
反射されることが考えられ、基板表面に伺らの無反射フ
ィルムのコーティングを施こさない場合には３５．４％
もの光量が失なわれる。
反射されることが考えられ、基板表面に伺らの無反射フ
ィルムのコーティングを施こさない場合には３５．４％
もの光量が失なわれる。
この防止策として、基板表面にＳｉ０層を設けるように
しているものがある。
しているものがある。
一般に光学的性質の互いに異なる２種類の物質の境界面
を通過する光の透過率を改善するには、両者の間にこれ
らの中間の屈折率を有しかつ吸収率の小さい物質をコー
ティングすることが行われる。
を通過する光の透過率を改善するには、両者の間にこれ
らの中間の屈折率を有しかつ吸収率の小さい物質をコー
ティングすることが行われる。
このコーテイング物質の屈折率をｎ。
、厚みをｄ とすると、。
＝ Ｊ］「下−・・・・・・・・・・・・・・・・・・
（１）ｎｄ −λ／４ ・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ （２） Ｃ （但し、ｎｓ’シリコンの屈折率、ｎａ：空気の屈折率
、λ：太陽光のピーク波長） なる関係式を満足したときに反射が最も少なくなる。
（１）ｎｄ −λ／４ ・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ （２） Ｃ （但し、ｎｓ’シリコンの屈折率、ｎａ：空気の屈折率
、λ：太陽光のピーク波長） なる関係式を満足したときに反射が最も少なくなる。
上記（１） 、 （２）式から１．８≦ｎｏ≦２．０と
なり、またλは４８００人であるから６００人≦ｄｏ≦
６６７人となる。
なり、またλは４８００人であるから６００人≦ｄｏ≦
６６７人となる。
ＳｉＯの屈折率は２．０程度であり、ｎ５＝４．ｎａ−
１であるから、ＳｉＯをコーティング材料として用いる
と上記（１）式を満足することが出来る。
１であるから、ＳｉＯをコーティング材料として用いる
と上記（１）式を満足することが出来る。
しかしながら、ＳｉＯの屈折率は２．０程度で固定して
いるために、その変化に自由度がなく、また上記（２）
式によってλとｎ とによってその厚みｄ。
いるために、その変化に自由度がなく、また上記（２）
式によってλとｎ とによってその厚みｄ。
も固定されてしまうため素子のパッシベーションに必要
な厚さが得られず、然もシリコンとの界面状態が悪くて
そのパッシベーション効果自体もあまり十分なものでは
ない。
な厚さが得られず、然もシリコンとの界面状態が悪くて
そのパッシベーション効果自体もあまり十分なものでは
ない。
またコーティング材料としてＳｉＯ２を用いるものもあ
るが、屈折率が１．４５程度であってＳｉＯよリモ悪く
、パッシベーションも十分ではない。
るが、屈折率が１．４５程度であってＳｉＯよリモ悪く
、パッシベーションも十分ではない。
本発明は上述の如き欠陥を是正すべ〈発明されたもので
あって、光学素子と、該素子表面に、０及び／又はＮを
含有するようにして気相成長形成された多結晶シリコン
層とを有し、該層の屈折率は前記素子と素子外部の夫々
の屈折率の中間の値である光学装置に係るものである。
あって、光学素子と、該素子表面に、０及び／又はＮを
含有するようにして気相成長形成された多結晶シリコン
層とを有し、該層の屈折率は前記素子と素子外部の夫々
の屈折率の中間の値である光学装置に係るものである。
このように構成することによって、反射を大巾に少なく
することが出来、屈折率の変化に自由度をもたせること
が可能となり、然もパッシベーション効果も良好となる
。
することが出来、屈折率の変化に自由度をもたせること
が可能となり、然もパッシベーション効果も良好となる
。
なおこトで「多結晶」とは平均粒径１００〜１０００人
のシリコンのグレインが結晶学的に存在する非単結晶状
態を言い、この多結晶中にＯ及び／又はＮが場所的に一
様に分布している。
のシリコンのグレインが結晶学的に存在する非単結晶状
態を言い、この多結晶中にＯ及び／又はＮが場所的に一
様に分布している。
次に本発明を太陽電池に適用した第１の実施例を第１図
〜第４図に付き述べる。
〜第４図に付き述べる。
まず第１図に付き本実施例における太陽電池１の構成を
説明する。
説明する。
この太陽電池は、電極２が被着されたＮ形シリコン半導
体基板３と、この半導体基板表面に設けられかつ電極４
が被着されたＰ形シリコン半導体層５と、このＰ形半導
体層表面に後述する方法により気相成長しかつＯが場所
的に一様にドーピングされた多結晶シリコン層６とによ
って構成されている。
体基板３と、この半導体基板表面に設けられかつ電極４
が被着されたＰ形シリコン半導体層５と、このＰ形半導
体層表面に後述する方法により気相成長しかつＯが場所
的に一様にドーピングされた多結晶シリコン層６とによ
って構成されている。
この多結晶シリコン層に含有されている０の量は例えば
はゾロ８重量％（ＳｉＯ２換算）であって層全体として
の屈折率はは’、’１．８９である。
はゾロ８重量％（ＳｉＯ２換算）であって層全体として
の屈折率はは’、’１．８９である。
この屈折率は空気の屈折率（＝１．０）とシリコンの屈
折率（＝４．０）との中間の値のものである。
折率（＝４．０）との中間の値のものである。
多結晶シリコン層６の屈折率はＯのドーピング量によっ
て変化するが、上記の如き値に選択することにより上記
（１）式が実質的に満足され、またその厚みも上記（２
）式から６３４λ程度となる。
て変化するが、上記の如き値に選択することにより上記
（１）式が実質的に満足され、またその厚みも上記（２
）式から６３４λ程度となる。
多結晶シリコン層６の形成に際しては第３図に示す如き
気相成長装置を用いる。
気相成長装置を用いる。
この装置においては、反応装置７の内部に収容されたウ
ェハ保持台８上に、第１図に示す如きＰＮ接合が予め形
成された半導体ウェハ９が保持されている。
ェハ保持台８上に、第１図に示す如きＰＮ接合が予め形
成された半導体ウェハ９が保持されている。
また反応装置７の左側に接続された連結管１０には、調
整弁１１，１２，１３．１４を具備するＮ２ガス（キャ
リヤガス）収容器１５、モノシランガスＳｔＨ，ｉ収容
器１６ 、 Ｎ、２０収容器１７及びＮＨ３収容器１８
が夫々連結されている。
整弁１１，１２，１３．１４を具備するＮ２ガス（キャ
リヤガス）収容器１５、モノシランガスＳｔＨ，ｉ収容
器１６ 、 Ｎ、２０収容器１７及びＮＨ３収容器１８
が夫々連結されている。
この気相成長装置を操作するに際しては、反応装置７内
を適当な加熱手段（図示せず）により成長時の温度であ
る６５０°Ｃ程度に加熱しかつ調整弁１１を開放してＮ
２ガスを反応装置７内に流入させ、調整弁１２．１３を
開放して所定流量のＳｉＨ４及びＮ２０をＮ２ガスに連
行させて反応装置７内に送り込む。
を適当な加熱手段（図示せず）により成長時の温度であ
る６５０°Ｃ程度に加熱しかつ調整弁１１を開放してＮ
２ガスを反応装置７内に流入させ、調整弁１２．１３を
開放して所定流量のＳｉＨ４及びＮ２０をＮ２ガスに連
行させて反応装置７内に送り込む。
このときのＮ２０／５ｔＨ４は例えば１．８９程度とす
る。
る。
この結果、ＳｉＨ４の熱分解によって半導体ウェハ９表
面に多結晶シリコン層が形成されると共に、この多結晶
シリコン層内にＮ２０による所定量のＯが一様にドーピ
ングされる。
面に多結晶シリコン層が形成されると共に、この多結晶
シリコン層内にＮ２０による所定量のＯが一様にドーピ
ングされる。
なおＮ２０／ＳｉＨ４の流量比を変えれば、ドーピング
される酸素の量が変化し、これによって屈折率を下記の
ように変化させることが可能である。
される酸素の量が変化し、これによって屈折率を下記の
ように変化させることが可能である。
このように流量比を変えるのみで好ましい屈折率（本実
施例ではｎ＝１．８９）を得ることが出来る。
施例ではｎ＝１．８９）を得ることが出来る。
なお酸素ドーピング量と屈折率との関係を図示すれば第
２図の如くになる。
２図の如くになる。
この場合ドーピング量が６５〜１００重量％のときには
可視光に対する吸収係数ははゾ零となる。
可視光に対する吸収係数ははゾ零となる。
本実施例における多結晶シリコン層と従来のＳｉＯとを
比較すると、まずＳｉＯは屈折率が２．０程度と固定し
ているのに対し、多結晶シリコン層の屈折率はＮ２０／
ＳｉＨ４の比を調整することにより１．８〜２．０の間
の最適値を容易に得ることが出来、その変化の自由度が
大きい。
比較すると、まずＳｉＯは屈折率が２．０程度と固定し
ているのに対し、多結晶シリコン層の屈折率はＮ２０／
ＳｉＨ４の比を調整することにより１．８〜２．０の間
の最適値を容易に得ることが出来、その変化の自由度が
大きい。
また素子の上面に例えば樹脂コートをするようなときも
この樹脂の屈折率を考慮して最適な屈折率を得ることが
可能となる。
この樹脂の屈折率を考慮して最適な屈折率を得ることが
可能となる。
また多結晶ポリシリコンは素子表面との界面状態が極め
て良好であり、低温で成長するから熱膨張係数もシリコ
ンに近くかつまたヤング率も小さくて素子表面に与える
ストレスが小さく、従って表面パッシベーション膜とし
てＳｉＯよりも優れている。
て良好であり、低温で成長するから熱膨張係数もシリコ
ンに近くかつまたヤング率も小さくて素子表面に与える
ストレスが小さく、従って表面パッシベーション膜とし
てＳｉＯよりも優れている。
また素子外の電荷と素子内の電荷との結びつきを遮断し
、素子内のキャリヤの表面再結合を防止する効果があっ
て電気的安定性の優れた素子を提供することが出来る。
、素子内のキャリヤの表面再結合を防止する効果があっ
て電気的安定性の優れた素子を提供することが出来る。
また屈折率の変化に自由度があることから、上記（２）
式で決まる厚さｄ。
式で決まる厚さｄ。
は固定されずにこの式を満足しつ５変化させることが出
来、パッシベーションに必要な厚さにすることが可能で
ある。
来、パッシベーションに必要な厚さにすることが可能で
ある。
なお多結晶シリコン層の存在によって第４図に示す如く
に反射率が著しく向上することが分る。
に反射率が著しく向上することが分る。
太陽光の波長によって反射率を数％以Ｆに抑えてはゾ無
反射のコーティングを施こすことが出来る。
反射のコーティングを施こすことが出来る。
このように反射の極めて少ない太陽電池が得られるから
、素子内に多量の光１９が入射し、この入射による電子
−ホール対の発生量が多くてＰ形半導体層５及びＮ形半
導体基板３に分離収集されるキャリヤの量が多くなり、
従って得られる電力を大巾に増加させることが出来る。
、素子内に多量の光１９が入射し、この入射による電子
−ホール対の発生量が多くてＰ形半導体層５及びＮ形半
導体基板３に分離収集されるキャリヤの量が多くなり、
従って得られる電力を大巾に増加させることが出来る。
次に本発明を太陽電池に適用した第２の実施例を述べる
。
。
この実施例においては、多結晶シリコン中に０の代りに
Ｎをドーピングしている点で前記第１の実施例とは異な
る。
Ｎをドーピングしている点で前記第１の実施例とは異な
る。
即ち第３図に示す装置において、調整弁１３を閉じて調
整弁１４を開放してＮＨ３を所定流量で以って反応装置
７内に送り込む。
整弁１４を開放してＮＨ３を所定流量で以って反応装置
７内に送り込む。
これによってＮＨ３によるＮをＳｉＨ４の熱分解による
多結晶シリコン層６中にドーピングする。
多結晶シリコン層６中にドーピングする。
この場合Ｎのドーピングにより多結晶シリコン層６の屈
折率は２．０〜４．０の範囲内で変化するが、本実施例
ではＮＨ３／ Ｓ ｔ Ｈ４の流量比の制御によって屈
折率が２．０のものを容易に得ることが出来、４．０ま
では自由に変化させることが可能である。
折率は２．０〜４．０の範囲内で変化するが、本実施例
ではＮＨ３／ Ｓ ｔ Ｈ４の流量比の制御によって屈
折率が２．０のものを容易に得ることが出来、４．０ま
では自由に変化させることが可能である。
Ｎをドーピングする場合はＯの場合に較べて屈折率変化
の下限の自由度は小さい。
の下限の自由度は小さい。
しかし、パッシベーション効果はＯのドーピングの場合
よりも優れている点では有利である。
よりも優れている点では有利である。
次に本発明をフォトダイオードに適用した第３の実施例
を第５図に付き述べる。
を第５図に付き述べる。
この実施例におけるフォトダイオード２１は、電極２２
が被着されたＮ形シリコン半導体基板２３と、電極２４
が一側端に被着されたＰ形シリコン半導体層２５と、こ
の半導体層表面に被着されかつ前記第１の実施例で述べ
たと同一の多結晶シリコン層２６とを夫々具備している
。
が被着されたＮ形シリコン半導体基板２３と、電極２４
が一側端に被着されたＰ形シリコン半導体層２５と、こ
の半導体層表面に被着されかつ前記第１の実施例で述べ
たと同一の多結晶シリコン層２６とを夫々具備している
。
電極２２に正の電圧を、電極２４に負の電圧を印加して
ＰＮ接合を逆バイアスした状態にて素子上方から光２９
を照射すると、この光が素子内に吸収されて発生したキ
ャリヤにより飽和電流が流れて出力が取出される。
ＰＮ接合を逆バイアスした状態にて素子上方から光２９
を照射すると、この光が素子内に吸収されて発生したキ
ャリヤにより飽和電流が流れて出力が取出される。
この場合、多結晶シリコン層２６の屈折率が２．０程度
であるから前記第１の実施例で述べた理由により、反射
される光量が極めて少ないから高出力を得ることが出来
、かつまた表面パッシベーション効果も発揮することが
出来る。
であるから前記第１の実施例で述べた理由により、反射
される光量が極めて少ないから高出力を得ることが出来
、かつまた表面パッシベーション効果も発揮することが
出来る。
以上本発明を実施例に基いて説明したが、本発明の技術
的思想に基いて更に変形が可能であることが理解されよ
う。
的思想に基いて更に変形が可能であることが理解されよ
う。
例えば、ＳｉＨ４の代りにＳ ＩＣ１４を、Ｎ２０の代
りにＮ０２．ＮＯ又はＨ２０蒸気を用いてよい。
りにＮ０２．ＮＯ又はＨ２０蒸気を用いてよい。
また前記第１及び第２の実施例を組合せて、ＮＯ２及び
ＮＨ３を同時に供給し、これによって多結晶シリコン層
中に０及びＮを一緒に含有させるようにすることも可能
である。
ＮＨ３を同時に供給し、これによって多結晶シリコン層
中に０及びＮを一緒に含有させるようにすることも可能
である。
また半導体材料としてＳｉ以外にＧｅを用いる場合には
多結晶シリコン層の屈折率を２．０以下とし、またＧａ
Ａｓを用いる場合にはその屈折率を１．８７以下とすれ
ばよく、種類の異なる半導体材料に対しても屈折率の調
整を自由に行うことが出来る。
多結晶シリコン層の屈折率を２．０以下とし、またＧａ
Ａｓを用いる場合にはその屈折率を１．８７以下とすれ
ばよく、種類の異なる半導体材料に対しても屈折率の調
整を自由に行うことが出来る。
本発明は上述の如く、光学素子と素子外部の夫夫の屈折
率の中間の値である屈折率を有しかつＯ及び／又はＮを
含有する多結晶シリコン層を設けるようにしているから
、反射を大巾に少なくすることが出来て効率を向上させ
ることが可能となる。
率の中間の値である屈折率を有しかつＯ及び／又はＮを
含有する多結晶シリコン層を設けるようにしているから
、反射を大巾に少なくすることが出来て効率を向上させ
ることが可能となる。
またＯ及び／又はＮを含有する多結晶シリコン層を気相
成長によって形成するようにしているから、このＯ及び
／又はＮのドーピング量の制御が容易であって、多結晶
シリコンの屈折率の変化に自由度をもたせ得て必要な値
に設定することが容易となる。
成長によって形成するようにしているから、このＯ及び
／又はＮのドーピング量の制御が容易であって、多結晶
シリコンの屈折率の変化に自由度をもたせ得て必要な値
に設定することが容易となる。
更にまた、０及び／又はＮを含有した多結晶シリコンは
素子表面との界面状態が良好であって素子内のキャリヤ
の表面再結合を防止して電気的安定化を得るパッシベー
ション効果があり、然もその厚みを光の反射を最小にす
るという条件下で自由に変えられるからこのパッシベー
ション効果にとって十分なものとすることが出来る。
素子表面との界面状態が良好であって素子内のキャリヤ
の表面再結合を防止して電気的安定化を得るパッシベー
ション効果があり、然もその厚みを光の反射を最小にす
るという条件下で自由に変えられるからこのパッシベー
ション効果にとって十分なものとすることが出来る。
第１図〜第４図は本発明を太陽電池に適用した第１の実
施例を示すものであって、第１図は太陽電池の概略断面
図、第２図は多結晶シリコン層の酸素ドーピング量と屈
折率との関係を示す曲線図、第３図は多結晶シリコン層
を形成する際に用いる気相成長装置の概略図、第４図は
多結晶シリコン層のコーティング前後における反射率を
示す曲線図である。 第５図は本発明をフォトダイオードに適用した第３の実
施例を示すものであって、フォトダイオードの概略断面
図である。 なお図面に用いられている符号において、１は太陽電池
、６は多結晶シリコン層、９は半導体ウェハ、１５はＮ
２ガス収容器、１６はＳｉＨ４収容器、１７はＮ２０収
容器、１８はＮＨ３収容器、１９は光、２１はフォトダ
イオード、２６は多結晶シリコン層、２９は光である。
施例を示すものであって、第１図は太陽電池の概略断面
図、第２図は多結晶シリコン層の酸素ドーピング量と屈
折率との関係を示す曲線図、第３図は多結晶シリコン層
を形成する際に用いる気相成長装置の概略図、第４図は
多結晶シリコン層のコーティング前後における反射率を
示す曲線図である。 第５図は本発明をフォトダイオードに適用した第３の実
施例を示すものであって、フォトダイオードの概略断面
図である。 なお図面に用いられている符号において、１は太陽電池
、６は多結晶シリコン層、９は半導体ウェハ、１５はＮ
２ガス収容器、１６はＳｉＨ４収容器、１７はＮ２０収
容器、１８はＮＨ３収容器、１９は光、２１はフォトダ
イオード、２６は多結晶シリコン層、２９は光である。
Claims (1)
- １ 光学素子と、該素子表面に、０及び／又はＮを含有
するようにして気相成長形成された多結晶シリコン層と
を有し、該層の屈折率は前記素子と素子外部の夫々の屈
折率の中間の値である光学装置。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49116418A JPS5824951B2 (ja) | 1974-10-09 | 1974-10-09 | コウガクソウチ |
| CA236,812A CA1045235A (en) | 1974-10-09 | 1975-10-01 | Semiconductor device having an antireflective coating |
| AU85356/75A AU499375B2 (en) | 1974-10-09 | 1975-10-01 | Photosensitive semiconductor device |
| US05/619,054 US3990100A (en) | 1974-10-09 | 1975-10-02 | Semiconductor device having an antireflective coating |
| GB40358/75A GB1497442A (en) | 1974-10-09 | 1975-10-02 | Photosensitive semiconductor devices |
| SE7511249A SE405776B (sv) | 1974-10-09 | 1975-10-08 | Ljuskensligt halvledardon innefattande ett halvledarkristallsubstrat och en antireflexbeleggning pa substratet |
| CH1305375A CH593563A5 (ja) | 1974-10-09 | 1975-10-08 | |
| DE19752545136 DE2545136A1 (de) | 1974-10-09 | 1975-10-08 | Lichtempfindliches halbleiterbauelement |
| IT28093/75A IT1043219B (it) | 1974-10-09 | 1975-10-08 | Dispositivo semiconduttore dotato di un rivestimento antiriflet tente |
| FR7531005A FR2287775A1 (fr) | 1974-10-09 | 1975-10-09 | Semi-conducteur a revetement antireflechissant |
| AT773775A AT344805B (de) | 1974-10-09 | 1975-10-09 | Photoempfindlicher halbleiterbauteil, insbesondere solarzelle |
| NLAANVRAGE7511906,A NL182524C (nl) | 1974-10-09 | 1975-10-09 | Lichtgevoelige halfgeleiderinrichting. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49116418A JPS5824951B2 (ja) | 1974-10-09 | 1974-10-09 | コウガクソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5143088A JPS5143088A (ja) | 1976-04-13 |
| JPS5824951B2 true JPS5824951B2 (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=14686575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49116418A Expired JPS5824951B2 (ja) | 1974-10-09 | 1974-10-09 | コウガクソウチ |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3990100A (ja) |
| JP (1) | JPS5824951B2 (ja) |
| AT (1) | AT344805B (ja) |
| AU (1) | AU499375B2 (ja) |
| CA (1) | CA1045235A (ja) |
| CH (1) | CH593563A5 (ja) |
| DE (1) | DE2545136A1 (ja) |
| FR (1) | FR2287775A1 (ja) |
| GB (1) | GB1497442A (ja) |
| IT (1) | IT1043219B (ja) |
| NL (1) | NL182524C (ja) |
| SE (1) | SE405776B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326602A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Ｃｒｔフイルタ− |
| JPS6326601A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Ｃｒｔフイルタ− |
| JPH0249630Y2 (ja) * | 1985-05-14 | 1990-12-27 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51128285A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-09 | Sony Corp | Solid photographing unit |
| JPS51128268A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-09 | Sony Corp | Semiconductor unit |
| GB1536412A (en) * | 1975-05-14 | 1978-12-20 | English Electric Valve Co Ltd | Photocathodes |
| US4086102A (en) * | 1976-12-13 | 1978-04-25 | King William J | Inexpensive solar cell and method therefor |
| FR2376513A1 (fr) * | 1976-12-31 | 1978-07-28 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semiconducteur muni d'un film protecteur |
| US4101923A (en) * | 1977-03-22 | 1978-07-18 | Gulko Arnold G | Solar cells |
| US4133699A (en) * | 1978-04-26 | 1979-01-09 | Communications Satellite Corporation | Shaped edge solar cell coverslide |
| JPS5614201A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection preventing film |
| JPS5624969A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-10 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit element |
| DE2944185A1 (de) * | 1979-11-02 | 1981-05-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Solarzelle |
| US4246043A (en) * | 1979-12-03 | 1981-01-20 | Solarex Corporation | Yttrium oxide antireflective coating for solar cells |
| USRE31151E (en) * | 1980-04-07 | 1983-02-15 | Inexpensive solar cell and method therefor | |
| JPS5787183A (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Photosensitive semiconductor |
| JPH0614552B2 (ja) * | 1983-02-02 | 1994-02-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS59143362A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Fuji Xerox Co Ltd | パツシベ−シヨン膜 |
| JPS63150976A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | Fujitsu Ltd | 赤外線検出装置 |
| DK170189B1 (da) * | 1990-05-30 | 1995-06-06 | Yakov Safir | Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf |
| DE4019853C2 (de) * | 1990-06-22 | 1996-02-22 | Wandel & Goltermann | Halbleiter-Fotodiode mit Antireflex-Beschichtung |
| US5968324A (en) | 1995-12-05 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing antireflective coating |
| US5620904A (en) * | 1996-03-15 | 1997-04-15 | Evergreen Solar, Inc. | Methods for forming wraparound electrical contacts on solar cells |
| US5762720A (en) * | 1996-06-27 | 1998-06-09 | Evergreen Solar, Inc. | Solar cell modules with integral mounting structure and methods for forming same |
| US5986203A (en) * | 1996-06-27 | 1999-11-16 | Evergreen Solar, Inc. | Solar cell roof tile and method of forming same |
| US5741370A (en) * | 1996-06-27 | 1998-04-21 | Evergreen Solar, Inc. | Solar cell modules with improved backskin and methods for forming same |
| US6083852A (en) * | 1997-05-07 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Method for applying films using reduced deposition rates |
| US6127262A (en) | 1996-06-28 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing an etch stop layer |
| US5895972A (en) * | 1996-12-31 | 1999-04-20 | Intel Corporation | Method and apparatus for cooling the backside of a semiconductor device using an infrared transparent heat slug |
| US6278053B1 (en) | 1997-03-25 | 2001-08-21 | Evergreen Solar, Inc. | Decals and methods for providing an antireflective coating and metallization on a solar cell |
| US5923086A (en) * | 1997-05-14 | 1999-07-13 | Intel Corporation | Apparatus for cooling a semiconductor die |
| US6114046A (en) * | 1997-07-24 | 2000-09-05 | Evergreen Solar, Inc. | Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications |
| US6187448B1 (en) | 1997-07-24 | 2001-02-13 | Evergreen Solar, Inc. | Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications |
| US6320116B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-11-20 | Evergreen Solar, Inc. | Methods for improving polymeric materials for use in solar cell applications |
| US20060210783A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Seder Thomas A | Coated article with anti-reflective coating and method of making same |
| DE102007034782A1 (de) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Atmel Germany Gmbh | Halbleiterbauelement, Beleuchtungseinrichtung für Matrixbildschirme und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
| DE102008035575B4 (de) * | 2008-07-30 | 2016-08-11 | Soitec Solar Gmbh | Photovoltaik-Vorrichtung zur direkten Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie enthaltend eine zweistufige aus mehreren Elementen bestehende Konzentratoroptik |
| US20110089557A1 (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-21 | Jeng-Jye Shau | Area reduction for die-scale surface mount package chips |
| JP5884486B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2016-03-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池の反射防止膜用組成物、太陽電池の反射防止膜、太陽電池の反射防止膜の製造方法、及び太陽電池 |
| EP2651035B1 (en) * | 2012-04-11 | 2017-05-03 | Imec | Low voltage drop unidirectional smart bypass elements |
| FR2993087B1 (fr) * | 2012-07-06 | 2014-06-27 | Wysips | Dispositif pour ameliorer la qualite d'une image recouverte d'un film photovoltaique semi-transparent |
| US10276816B2 (en) | 2014-12-11 | 2019-04-30 | International Business Machines Corporation | Illumination sensitive current control device |
| CN106950722B (zh) * | 2017-04-12 | 2023-05-23 | 厦门腾诺光学科技有限公司 | 一种雾面太阳镜片及其生产工艺 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2049507C3 (de) * | 1970-10-08 | 1979-11-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Lichtempfindliche Halbleiteranordnung |
| US3743847A (en) * | 1971-06-01 | 1973-07-03 | Motorola Inc | Amorphous silicon film as a uv filter |
| NL7204741A (ja) * | 1972-04-08 | 1973-10-10 | ||
| US3922774A (en) * | 1972-05-01 | 1975-12-02 | Communications Satellite Corp | Tantalum pentoxide anti-reflective coating |
| US3886587A (en) * | 1973-07-19 | 1975-05-27 | Harris Corp | Isolated photodiode array |
-
1974
- 1974-10-09 JP JP49116418A patent/JPS5824951B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-10-01 AU AU85356/75A patent/AU499375B2/en not_active Expired
- 1975-10-01 CA CA236,812A patent/CA1045235A/en not_active Expired
- 1975-10-02 GB GB40358/75A patent/GB1497442A/en not_active Expired
- 1975-10-02 US US05/619,054 patent/US3990100A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-10-08 DE DE19752545136 patent/DE2545136A1/de not_active Ceased
- 1975-10-08 CH CH1305375A patent/CH593563A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-10-08 SE SE7511249A patent/SE405776B/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-10-08 IT IT28093/75A patent/IT1043219B/it active
- 1975-10-09 FR FR7531005A patent/FR2287775A1/fr active Granted
- 1975-10-09 NL NLAANVRAGE7511906,A patent/NL182524C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-10-09 AT AT773775A patent/AT344805B/de not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249630Y2 (ja) * | 1985-05-14 | 1990-12-27 | ||
| JPS6326602A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Ｃｒｔフイルタ− |
| JPS6326601A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Ｃｒｔフイルタ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1045235A (en) | 1978-12-26 |
| AU499375B2 (en) | 1979-04-12 |
| GB1497442A (en) | 1978-01-12 |
| JPS5143088A (ja) | 1976-04-13 |
| NL182524B (nl) | 1987-10-16 |
| AU8535675A (en) | 1977-04-07 |
| FR2287775B1 (ja) | 1979-06-29 |
| NL182524C (nl) | 1988-03-16 |
| ATA773775A (de) | 1977-12-15 |
| CH593563A5 (ja) | 1977-12-15 |
| US3990100A (en) | 1976-11-02 |
| IT1043219B (it) | 1980-02-20 |
| FR2287775A1 (fr) | 1976-05-07 |
| DE2545136A1 (de) | 1976-04-22 |
| NL7511906A (nl) | 1976-04-13 |
| AT344805B (de) | 1978-08-10 |
| SE7511249L (sv) | 1976-04-12 |
| SE405776B (sv) | 1978-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5824951B2 (ja) | コウガクソウチ | |
| Chen et al. | A novel and effective PECVD SiO/sub 2//SiN antireflection coating for Si solar cells | |
| US5738732A (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JPS6249672A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
| JPS5513938A (en) | Photoelectronic conversion semiconductor device and its manufacturing method | |
| JPS5513939A (en) | Photoelectronic conversion semiconductor device | |
| US20050011548A1 (en) | Photovoltaic converter | |
| CN102723370A (zh) | 一种用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜 | |
| CN110473921A (zh) | 一种perc电池背钝化结构及制备方法 | |
| JPH04296063A (ja) | 太陽電池素子 | |
| US8450219B2 (en) | Method of fabricating Al2O3 thin film layer | |
| US7352044B2 (en) | Photoelectric transducer, photoelectric transducer apparatus, and iron silicide film | |
| Kamath et al. | Large-area high-efficiency (AlGa) As—GaAs solar cells | |
| JPS6334632B2 (ja) | ||
| CN107068774A (zh) | 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片 | |
| US4710254A (en) | Process for fabricating a solar energy converter employing a fluorescent wavelength shifter | |
| CN112490297B (zh) | 一种空间三结砷化镓太阳电池用三层减反射膜及其制备方法 | |
| KR20090076035A (ko) | 표면 부동태화된 다공성 구조의 벌크형 태양전지와 그제조방법 | |
| CN107293604A (zh) | 一种p型面低反射率晶硅电池的制备方法 | |
| JP2003303985A (ja) | 太陽電池の製造方法およびその方法により製造される太陽電池 | |
| CN209515679U (zh) | Perc电池结构 | |
| JPS62179164A (ja) | 光電変換装置 | |
| El-Kadry et al. | Variation of optical constants of cadmium telluride thin films with deposition conditions | |
| US7629236B2 (en) | Method for passivating crystal silicon surfaces | |
| JPH0329373A (ja) | 非晶質太陽電池 |