JPH04296063A - 太陽電池素子 - Google Patents
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Abstract
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Description
に半導体基板の受光面側に反射防止膜を有する太陽電池
素子に関する。 【0002】 【従来の技術およびその問題点】太陽電池素子の受光面
側には、太陽電池素子の受光面部分での反射損失を低減
させるために反射防止膜を形成するのが一般的である。 【0003】この反射防止膜としては、酸化シリコン膜
、酸化チタン膜、酸化タンタル膜、あるいはフッ化マグ
ネシウム膜などを単層にしたり、二層にしたりする。 この場合、反射防止膜の屈折率、太陽電池素子を被覆す
るカバーガラスの屈折率、空気の屈折率の順で徐々に小
さくなるように反射防止膜の材料を選択すればよいが、
反射防止膜としては、単層のものより二層のものが効果
的である。反射防止膜を二層構造にする場合も、半導体
基板に屈折率の大きい膜を被着して、この上に屈折率の
比較的小さい膜を被着するように形成される(例えば特
開昭57─126173号公報参照)。 【0004】このような反射防止膜は、真空蒸着法、ス
パッタリング法、あるいは回転塗布法などで形成される
が、半導体基板側から順次屈折率が小さくなるような反
射防止膜を形成するには、一層目の反射防止膜の材料と
二層目の反射防止膜の材料を変えなければならず、それ
ぞれの膜を形成するために複数の装置が必要で、製造工
程も煩雑であるという問題がある。 【0005】そこで、例えば窒化シリコン(SixNy
)膜などのように、構成元素の比率を変えることによっ
て屈折率を変えることができる材料で反射防止膜を形成
すれば、同一材料で順次屈折率が小さくなるように形成
でき、製造工程が簡略化できる。 【0006】ところが、窒化シリコン膜を一層目の屈折
率が例えばn=2.1以上のものとなり、二層目がn=
2.1以下のものとなるような二層構造に形成すると、
反射率を低下させることはできるものの、太陽電池素子
の出力特性はむしろ低下するという問題があった。すな
わち、反射率は低下するが、太陽電池の短絡光電流は全
く向上せず、開放電圧は逆に低下してしまう。このよう
に、屈折率の高い窒化シリコン膜をシリコン基板上に形
成した場合に短絡光電流が向上せずしかも開放電圧が低
下する理由は明らかでないが、250〜600℃程度の
温度で窒化シリコン膜を形成して室温まで降下させる際
の窒化シリコン膜のストレスでシリコン基板の表面に格
子欠陥ができ、この欠陥部分でキャリアが再結合して、
再結合損失による特性の低下を来すものと考えられる。 すなわち、より屈折率が大きくて密度の高い窒化シリコ
ン膜には、パシベーション効果がないものと思われる。 【0007】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みて案出されたものであり、シリコン基板の表面部分に
格子欠陥が生じるのを防止して出力特性の向上した太陽
電池素子を形成することを目的とするものである。 【0008】 【問題点を解決するための手段】本発明によれば、半導
体基板内にp−n接合部を形成して受光面側と裏面側に
電極を形成するとともに受光面側に反射防止膜を形成し
て成る太陽電池素子において、前記反射防止膜を屈折率
n=2.1以下の第1の窒化シリコン膜と、この第1の
窒化シリコン膜よりも屈折率の大きい第2の窒化シリコ
ン膜とを順次積層して形成したことを特徴とする太陽電
池素子が提供され、そのことにより上記目的が達成され
る。 【0009】 【作用】上記のように構成することにより、半導体基板
表面に格子欠陥ができるのを防止できるとともに、反射
率も低下させることができ、出力特性の良好な太陽電池
素子を提供できる。また、二層構造の反射防止膜を同一
の化合物で形成することから、同一の装置で連続的に形
成でき、製造工程も簡略化できる。 【0010】 【実施例】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明
する。図1は、本発明に係る太陽電池素子の一実施例を
示す断面図であり、1はシリコン基板である。 【0011】前記シリコン基板1は、例えばボロンなど
のp型不純物を含有したp型シリコン基板で構成される
。このシリコン基板1は引上げ法などによって形成した
単結晶シリコン基板やキャスティング法によって形成し
た多結晶シリコン基板などで構成される。このシリコン
基板1の受光面側には、リン(P)などを高濃度に拡散
させたn+層2が形成されており、このn+層2とp型
シリコン基板でp−n接合が形成される。なお、シリコ
ン基板1内の裏面側には、BSF(裏面電界)層となる
アミニウム元素が高濃度に拡散されたp+層3を形成し
てもよい。 【0012】前記シリコン基板1の表面側には、屈折率
n=2.1以下の第1の窒化シリコン膜4と、この第1
の窒化シリコン膜4よりも屈折率の大きい第2の窒化シ
リコン膜5とが形成されている。第1の窒化シリコン膜
4は、シランガス(SiH4)を0.21l/mit以
下、アンモニアガス(NH3)を1.5l/mit、お
よびキャリアガスとしての窒素ガス(N2)を用いて9
0〜450KHzの高周波電源でグロー放電分解して堆
積させるプラズマCVD法により、シリコン基板1上に
厚み100〜1000Å程度に形成される。このような
第1の窒化シリコン膜は、屈折率n=2.1以下となる
。また、このようにアンモニアガスの流量比を相対的に
多くすることによって、パシベーション効果を持たせ、
シリコン基板1表面に格子欠陥が生じるのを低減させる
ことができるものと考えられる。 【0013】前記第1の窒化シリコン膜4上に、第2の
窒化シリコン膜5を形成する。この第2の窒化シリコン
膜4もプラズマCVD法により形成される。この第2の
窒化シリコン膜は、シランガス(SiH4)の流量比を
0.21l/mit以上に設定して形成する他は第1の
窒化シリコン膜と同一の条件で厚み600Å程度に形成
される。この第2の窒化シリコン膜5は、第1の窒化シ
リコン膜4の屈折率よりも大きくなるように形成すれば
よく、屈折率n=2.0以上となるように形成すること
により、反射率を低下させることができる。すなわち、
第1の窒化シリコン膜3が2.0以下の場合でも、この
第2の窒化シリコン膜の屈折率は2.0以上にすること
が望ましい。この第2の窒化シリコン膜5は、第1の窒
化シリコン膜と同一のプラズマCVD装置を用いて連続
して形成することができる 【0014】なお、前記シリコン基板1の裏面側には、
BSR(裏面側反射防止)膜を兼ねるAlなどから成る
裏面側電極6がスクリーン印刷法や蒸着法によって形成
され、シリコン基板1の裏面側には、反射防止膜4、5
を部分的に除去して表面側電極7が形成される。 【0015】 【実験例】キャスティング法で形成した多結晶シリコン
基板上に、厚みが660Åで屈折率n=2.0、n=2
.2、n=2.3の窒化シリコン膜から成る一層構造の
反射防止膜を形成した試料1、2、3と、厚みが660
Åで屈折率n=2.0の第1の窒化シリコン膜と厚みが
350Åで屈折率n=2.3の第2の窒化シリコン膜と
から成る二層構造の反射防止膜を形成した試料4のそれ
ぞれの短絡電流Isc(mA)、開放電圧Voc(V)
、変換効率Effi.(%)、曲線因子F.Fをそれぞ
れ下表に示す。 【0016】
表試料No. 屈折率
Isc(mA) Voc(V)
Effi.(%) F.F 1.
n=2.0 30.3
8 0.585 13.2
4 0.745 2. n=
2.2 30.52
0.577 12.92
0.734 3. n=2.3
29.15 0.565
11.99 0.728
4. n=2.0/n=2.3
32.50 0.597
14.45 0.745 【0017】上記表から明らかなように、屈折率n=2
.2、n=2.3の試料2および試料3では、開放電圧
Vocが0.597、0.565と低く、窒化シリコン
膜によるパシベーション効果が表れず、変換効率のEf
fi.も低いものとなる。一方、屈折率n=2.0の試
料1では、反射防止膜の反射率が比較的大きいことから
短絡電流Iscはそれほど伸びないが、開放電圧Voc
は大きく伸び、窒化シリコン膜によるパシベーション効
果が認められる。さらに、試料1のものに、反射率を低
下させるための屈折率の大きい(n=2.3)窒化シリ
コン膜をつけて二層構造とした試料4のものでは、短絡
電流Iscが大きく伸びるとともに、開放電圧Vocも
最も高くなる。 【0018】 【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子によれば、反射防止膜が屈折率n=2.1以下の第1
の窒化シリコン膜と、この第1の窒化シリコン膜よりも
屈折率の大きい第2の窒化シリコン膜とを順次積層して
形成したことから、半導体基板表面の近傍に格子欠陥が
できるのを防止できるとともに、反射率も低下させるこ
とができ、出力特性の良好な太陽電池素子を提供できる
。また、二層構造の反射防止膜を一つの装置で連続して
形成でき、製造工程も簡略化される。 【0019】
示す断面図
Claims (1)
- 【請求項1】半導体基板内にp−n接合部を形成して受
光面側と裏面側に電極を形成するとともに受光面側に反
射防止膜を形成して成る太陽電池素子において、前記反
射防止膜を屈折率n=2.1以下の第1の窒化シリコン
膜と、この第1の窒化シリコン膜よりも屈折率の大きい
第2の窒化シリコン膜とを順次積層して形成したことを
特徴とする太陽電池素子。
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