JP2001007356A

JP2001007356A - 薄膜太陽電池

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Publication number: JP2001007356A
Application number: JP11175782A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Nasuno; 善之奈須野
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-06-22
Filing date: 1999-06-22
Publication date: 2001-01-12
Anticipated expiration: 2019-06-22
Also published as: JP4562220B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電極層の凹凸表面テクスチャによる入射光の
高い利用効率を維持しつつ、その電極層と光電変換層と
の間の界面特性が改善された高性能の薄膜太陽電池を提
供する。【解決手段】薄膜太陽電池は平均表面粗さＲａが５０
ｎｍを超える凹凸表面テクスチャを有する第１電極層１
２上に順次積層された透明絶縁体層１３、半導体光電変
換層１４、および第２電極層１５を備え、透明絶縁体層
１３は第１電極層１２の表面テクスチャにおける凹凸の
最大高低差より大きな厚さを有していて半導体層１４と
の界面において５０ｎｍ未満の平均表面粗さＲａを有す
るとともに、半導体層１４を第１電極層１２に接続する
ための複数の開口１３ａを含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜太陽電池に関
し、特に、電極層が光を散乱させるための凹凸表面テク
スチャを有する薄膜太陽電池の改善に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図８において、従来の薄膜太陽電池の一
例が模式的な断面図で示されている。なお、本願の各断
面図においては、図面の明瞭化のために凹凸表面テクス
チャは誇張されて示されており、また、それぞれの層の
厚さなどは実際の寸法関係を反映してはいない。

【０００３】図８の太陽電池では、ガラス等の透明基板
８１上にＩＴＯ等の透明電極層８２が形成されている。
この透明電極層８２の表面は、微細な凹凸を含む表面テ
クスチャを有している。透明電極層８２の凹凸表面テク
スチャ上には半導体光電変換層が形成されており、これ
は順次積層されたｐサブ層８３、ｉサブ層８４、および
ｎサブ層８５を含んでいる。半導体層８３〜８５上に
は、銀、アルミニウム等からなる裏面電極層８６が形成
されている。なお、図８の例では透明電極層８２側から
ｐｉｎの順に半導体サブ層が積層されているが、これと
は逆にｎｉｐの順に積層されてもよいことは言うまでも
ない。

【０００４】透明電極層８２において凹凸表面テクスチ
ャが設けられる理由は、たとえば特開昭５８−５７７５
６に開示されているように、入射光を半導体光電変換層
８３〜８５内へ散乱させて、その半導体層内で光電変換
のために吸収される光量を増大させるためである。これ
によって、太陽電池の出力電流を増大させることができ
る。しかし、この反面において、透明電極層８２の凹凸
表面テクスチャは、ｎ半導体サブ層８３と透明電極層８
２との間の界面特性を劣化させるなどの問題を生じ得
る。

【０００５】このような界面特性の問題を改善するため
に、特開昭６１−２１６４８９においては、比較的大き
な結晶粒度によって大きな平均表面粗さＲａの凹凸表面
テクスチャを有する第１の透明電極層上に、小さな結晶
粒度による小さな平均表面粗さＲａの表面テクスチャを
有する第２の透明電極層を重ねて形成し、その上に半導
体光電変換層を形成することが開示されている。また、
特開平３−３４４２６２においては、透明電極層の凹凸
表面テクスチャ上に厚さが１〜１０ｎｍ程度の薄いパッ
シベーション層を設けることによって、半導体光電変換
層と透明電極層との間の界面特性を改善することが提案
されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜太陽電池に
おいては、製造の容易さとコストの低さなどの観点か
ら、主として非晶質の半導体光電変換層が利用されてい
る。しかし、非晶質光電変換層は長時間の光照射によっ
て特性が劣化するという光劣化の問題を含んでいる。そ
こで、近年では、結晶成分を含む（以下「微結晶」と称
す）半導体光電変換層が光劣化に対して安定でかつ高い
光電変換特性を達成し得るものとして期待されている。

【０００７】他方、最近の研究結果では、凹凸表面テク
スチャを有する基板上に微結晶シリコン薄膜を気相成長
によって堆積すれば、平坦な基板上に堆積した場合に比
べて、優先結晶配向性が低下するとともに結晶粒度が小
さくなることが明らかになっている。また、凹凸表面テ
クスチャを有する透明電極層上にシリコン層が堆積され
る場合、微結晶層は非晶質層に比べて剥離しやすいこと
もわかっている。すなわち、入射光の利用効率を高める
ための凹凸表面テクスチャを有する電極層上に半導体光
電変換層を堆積する場合、その半導体層の結晶粒度を大
きくすることが困難で、また、光電変換層と電極層との
間における不所望な界面エネルギー準位の低減も困難で
あり、その界面での剥離も生じやすいという課題があ
る。

【０００８】上述のような従来技術における課題に鑑
み、本発明は、凹凸表面テクスチャによる入射光の高い
利用効率を維持しつつ、改善された品質の半導体光電変
換層の積層を可能にするとともに、光電変換層と電極層
との間の界面特性が改善された高性能の薄膜太陽電池を
提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による薄膜太陽電
池では、光を散乱させるための微細な凹凸を含み平均表
面粗さＲａが５０ｎｍを超える表面テクスチャを有する
第１電極層のその表面テクスチャ上に、順次積層された
透明絶縁体層、半導体光電変換層、および第２電極層を
備え、透明絶縁体層は、第１電極層の表面テクスチャに
おける凹凸の最大高低差より大きな厚さを有していて半
導体層との界面において５０ｎｍ未満の平均表面粗さＲ
ａを有するとともに、半導体層を第１電極層に接続する
ための複数の開口を含んでいることを特徴としている。

【００１０】このような薄膜太陽電池においては、第１
電極の凹凸表面テクスチャの平均表面粗さＲａに比べて
透明絶縁体層の表面テクスチャ７Ｒａが減少させられて
いるので、その透明絶縁体層上において結晶配向性が高
くて結晶粒度の大きな高品質の微結晶半導体光電変換層
が形成され得る。また、透明絶縁体層を介在させること
によって半導体光電変換層と第１電極層との間の界面エ
ネルギー準位を低減させることができるので、界面にお
けるキャリアの再結合が抑制され、それによる光電変換
効率の向上も期待され得る。

【００１１】半導体層と第２電極層との間には付加的な
第２の透明絶縁体層が挿入されてもよく、そのような第
２絶縁体層は半導体層を第２電極層に接続するための複
数の開口を含んでいる。このような付加的な第２透明絶
縁体層によって、半導体層と第２電極層との間の界面特
性をも改善することができる。

【００１２】第２透明絶縁体層は、第２電極層との界面
において光を散乱させるための凹凸表面テクスチャを有
することが好ましい。このような第２透明絶縁体層の凹
凸表面テクスチャによっても、入射光の利用効率をさら
に高めることができる。

【００１３】第１電極層は透明基板上に形成された透明
電極として形成することができ、第２電極層は裏面電極
として形成することができる。一般には、ＳｎＯ₂、Ｚ
ｎＯ等からなる透明電極上に半導体層をプラズマＣＶＤ
で堆積させる場合には、その透明電極が直接プラズマに
晒されて水素原子による還元反応が生じ、それによって
透明電極の透光性が劣化することが知られている。しか
し、本発明による薄膜太陽電池においては透明電極が直
接プラズマに晒されることを透明絶縁体層によって防止
し得るので、透明電極の透光性の劣化を防止することが
できる。

【００１４】他方、第１電極層は基板上に形成された裏
面電極であって、第２電極層が透明電極であってもよ
い。この場合には、裏面電極は透明である必要がないの
で、光の反射率の高い金属材料で形成することができ
る。また、第１電極がそのような金属材料からなる裏面
電極である場合には、それが基板を兼ねることも可能で
ある。裏面電極が金属電極で形成される場合には、透明
絶縁体層は裏面電極から半導体層への金属元素の拡散を
防止するように作用し得るとともに、金属電極の表面に
反射率の小さな化合物層が形成されることを防止するよ
うにも作用し得る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態をより具体化したいくつかの実施例について説明す
る。なお、これらの実施例における薄膜太陽電池は公知
の種々の方法によって形成することができ、その製造方
法は特定の方法に限定されるものではない。

【００１６】（実施例１）図１において、本発明の実施
例１による薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されてい
る。この太陽電池においては、透明なガラス基板１１上
にＳｎＯ₂からなる透明電極層１２が堆積された。この
透明電極層１２は、その凹凸表面テクスチャの平均表面
粗さＲａが１５０ｎｍになるように５００ｎｍの厚さに
堆積された。このような表面テクスチャを有する透明電
極層１２上にＳｉＯ_Xからなる透明絶縁体層１３が２５
０ｎｍの厚さに形成され、その平均表面粗さは２０ｎｍ
程度になった。すなわち、透明電極層１２の平均表面粗
さＲａ＝１５０ｎｍに対して、透明絶縁体層１３の表面
においてはその平均表面粗さがＲａ＝２０ｎｍに減少さ
せられたことになる。

【００１７】なお、透明絶縁体層１３は、透明基板１１
と透明電極層１２の光透過率に対してほとんど影響を与
えなかった。すなわち、透明絶縁体層１３内において、
光吸収はほとんど生じていないといえる。また、この実
施例１では、透明絶縁体層１３がマグネトロンスパッタ
リング法によって堆積された後に、フォトリソグラフィ
を利用したパターニングによって複数の開口１３ａが設
けられた。

【００１８】透明絶縁体層１３において表面粗さが減少
させられて平坦化された表面上に微結晶シリコンからな
る半導体層１４が形成された。この半導体層１４は、透
明基板１１側から順にｎサブ層１４ｎ、ｉサブ層１４
ｉ、およびｐサブ層１４ｐを含んでいる。この実施例１
においては、半導体層１４はプラズマＣＶＤによって堆
積され、その堆積条件としては、ＲＦ（高周波）周波数
が８１ＭＨｚ、ＲＦパワーが５０ｍＷ、ガス圧が０．３
ｍＴｏｒｒであった。原料ガスとしては、ｎサブ層の堆
積のためには、流量２ｓｃｃｍのＳｉＨ₄、２ｓｃｃｍ
のＰＨ₃、および１００ｓｃｃｍのＨ₂が用いられた。
ｉサブ層の堆積のためには、２ｓｃｃｍのＳｉＨ₄と１
００ｓｃｃｍのＨ₂が用いられた。そしてｐサブ層の堆
積のためには、２ｓｃｃｍのＳｉＨ₄、１０ｓｃｃｍの
Ｂ₂Ｈ₆、および２００ｓｃｃｍのＨ₂が用いられた。
また、ｎサブ層、ｉサブ層、およびｐサブ層の膜厚は、
それぞれ１０ｎｍ、１０００ｎｍ、および１０ｎｍに設
定された。

【００１９】ここで、透明絶縁体層１３が設けられてい
る場合と設けられていない場合について、上記のプラズ
マＣＶＤ条件の下で基板温度を１００℃〜３００℃の範
囲で変化させたときの微結晶シリコンの結晶性について
調べられた。

【００２０】図２は、微結晶シリコン層についてＸ線回
折から求めた結晶粒度の基板温度依存性を示している。
すなわち、このグラフの横軸は基板温度（℃）を表わ
し、縦軸は結晶粒径（ｎｍ）を表わしている。また、○
は透明絶縁体層１３上に堆積されたシリコン層を表わ
し、●は透明絶縁体層１３を設けることなく透明電極層
１２上に直接に堆積されたシリコン層を表わしている。

【００２１】図２のグラフから理解されるように、基板
温度が１５０℃以下では透明絶縁体層１３の有無にかか
わらず、いずれの試料においてもシリコン層の結晶粒径
は２０ｎｍ以下でほぼ同程度である。しかし、基板温度
が１５０℃以上になれば、透明電極層１２上に直接堆積
されたシリコン層の結晶粒径は２０ｎｍ程度を上限とし
てそれ以上に粒成長していないが、透明絶縁体層１３上
に堆積されたシリコン層においては３００℃までほぼ直
線的に結晶粒径が大きくなっていることがわかる。これ
は、大きな平均表面粗さＲａを有する透明電極層１２上
に直接シリコン層を堆積した場合には結晶粒径の増大に
限界が生じるが、より平坦な表面を有する透明絶縁体層
１３上に堆積されるシリコン層においては結晶粒径の増
大に対してそのような上限が存在しないと考えられる。
そして、結晶粒度が大きくなれば結晶粒界領域が減少
し、そのような粒界領域におけるキャリアの再結合が低
減されるので、そのことによる光電変換効率の向上が期
待され得る。

【００２２】図３は、図２に示された試料におけるシリ
コン層のラマン分光測定結果を示すグラフである。すな
わち、このグラフの横軸におけるＡは透明電極層１２上
に直接堆積されたシリコン層を表わし、Ｂは透明絶縁体
層１３上に堆積されたシリコン層を表わしており、そし
て縦軸はそれらのシリコン層の表面から散乱されたラマ
ンスペクトルのピーク位置（ｃｍ^-1）を表わしている。
ラマンスペクトルのピーク位置５２０ｃｍ^-1は単結晶シ
リコンの場合のピーク位置を表わしている。すなわち、
シリコン層についてのラマン分光測定におけるピーク位
置が５２０ｃｍ ^-1に近いほど単結晶状態に近いことを表
わし、結晶粒度が小さくなったり外部応力が加わってい
る場合や、結晶欠陥や不純物元素の混入などによる内部
応力が存在する場合などにピーク位置が５２０ｃｍ^-1か
らシフトすると考えられる。

【００２３】図３のグラフにおいて、透明電極層１２の
凹凸表面テクスチャ上に直接堆積されたシリコン層Ａに
関してはピーク位置が約３ｃｍ^-1だけ低波数側にシフト
しているのに対して、透明絶縁体層１３のより平坦な表
面上に堆積されたシリコン層Ｂにおいてはラマンピーク
が０．５ｃｍ^-1程度しかシフトしていない。すなわち、
大きな平均表面粗さＲａを有する透明電極層１２上に直
接堆積されたシリコン層Ａに比べて、より平坦な表面を
有する透明絶縁体層１３上に堆積されたシリコン層Ｂの
方がより大きな結晶粒度と小さな欠陥密度を有していて
単結晶に近似の構造を有していると考えられる。そし
て、このように結晶質の改善されたシリコン層に基づい
て、光電変換効率の向上が期待され得る。また、ラマン
ピークのシフト量の小さなシリコン層Ｂは界面などから
の外部応力も受けていないと考えられるので、下地層か
らのシリコン層の剥離も起こりにくくなると期待され得
る。

【００２４】図１に戻って、最後に半導体層１４上にＡ
ｇからなる裏面電極層１５がスパッタリングを利用して
形成されることによって実施例１の太陽電池が得られ
る。

【００２５】こうして得られた実施例１の薄膜太陽電池
について、２５℃においてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ
の光量で照射した場合の出力特性が測定された。この測
定結果は、図８に示された従来例の薄膜太陽電池の光電
変換特性を基準にした相対値として表１に示されてい
る。この表１から明らかなように、実施例１の薄膜太陽
電池は従来例のものに比べてすべての出力特性値におい
て改善されていることがわかる。すなわち、実施例１の
薄膜太陽電池においては従来と同等の光利用効率を維持
しつつ、半導体光電変換層を高品質化させることによっ
て、短絡電流、開放電圧、曲線因子、および変換効率の
いずれもが改善されていることがわかる。

【００２６】

【表１】

【００２７】（実施例２）図４において、実施例２によ
る薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されている。この
図４の太陽電池は図１のものに類似しており、複数の層
４１〜４５は図１中の複数の層１１〜１５にそれぞれ対
応している。しかし、図４の太陽電池においては、半導
体層４４と裏面電極層４５との間に第２の透明絶縁体層
４６が設けられている。そして、半導体層４４は透明絶
縁体層４６に設けられた複数の開口４６ａを介して裏面
電極４５に接続されている。このような第２の透明絶縁
体層４６の存在によって、半導体層４４と裏面電極４５
との間の界面エネルギー準位を低減させることができ、
キャリアの再結合を抑制することができる。そして、こ
れによって光電変換効率がさらに改善され得る。

【００２８】このような実施例２による太陽電池に対し
ても、実施例１の場合と同様の光照射によって出力特性
が測定された。この実施例２の太陽電池について測定さ
れた出力特性も、表１において示されている。表１に見
られるように、実施例２の太陽電池においては、すべて
の出力特性が従来の太陽電池に比べて改善されているの
みならず、開放電圧、曲線因子、および変換効率につい
ては実施例１に比べてもさらに改善されている。

【００２９】（実施例３）図５においては、実施例３に
よる薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されている。図
５の太陽電池は図４のものに類似しており、複数の層５
１〜５５は図４中の複数の層４１〜４５にそれぞれ対応
している。しかし、図５中の第２の透明絶縁体層５６に
おいては、裏面電極層５５との界面が凹凸を含む表面テ
クスチャを有している。したがって、図５の太陽電池に
おいては、銀の裏面電極５５と第２透明絶縁体層５６と
の界面における凹凸表面テクスチャによって光の散乱効
果を生じることができ、特に半導体層５４を透過してき
た長波長の光を再度半導体層５４内へ散乱反射させるこ
とができる。その結果、特に長波長の光の利用効率を高
めることができ、光電変換効率のさらなる向上が期待さ
れ得る。

【００３０】なお、第２透明絶縁体層５６は、マグネト
ロンスパッタリングによって酸素欠陥のないＺｎＯ層と
して２００ｎｍの厚さに堆積したところ、平均表面粗さ
Ｒａ＝１００ｎｍの凹凸表面テクスチャが形成された。
その後、複数の開口４６ａはフォトリソグラフィを利用
したパターニングによって形成された。

【００３１】こうして得られた実施例３の薄膜太陽電池
に関しても実施例１の場合と同様に光照射して出力特性
を測定したところ、表１に示されているような結果が得
られた。その表１に示されているように、実施例３の太
陽電池は従来の太陽電池に比べてすべての出力特性が向
上していることはもちろんのこと、短絡電流と変換効率
については実施例２に比べてもさらに向上していること
がわかる。

【００３２】（実施例４）図６において、実施例４によ
る薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されている。図６
の太陽電池においては、ステンレスからなる基板６１上
に、銀の裏面電極６２が平均表面粗さＲａ＝１５０ｎｍ
の凹凸表面テクスチャを有するように厚さ５００ｎｍま
でスパッタリングによって堆積された。その裏面電極６
２上には、実施例１の場合と同様にＳｉＯ_Xからなる透
明絶縁体層６３が厚さ２５０ｎｍに堆積され、その凹凸
表面テクスチャにおける平均表面粗さＲａは約２０ｎｍ
であった。このとき、透明絶縁体層６３は、実施例１の
場合と同様にマグネトロンスパッタリング法によって形
成され、フォトリソグラフィを利用したパターニングに
よって複数の開口６３ａが設けられた。

【００３３】透明絶縁体層６３の平坦化された表面上に
は、２５０℃の基板温度の下に実施例１の場合と同じプ
ラズマＣＶＤ条件の下でｎサブ層６４ｎ、ｉサブ層６４
ｉ、およびｐサブ層６４ｐを含む半導体層６４が堆積さ
れた。

【００３４】半導体層６４上には、酸素欠陥のないＺｎ
Ｏからなる第２の透明絶縁体層６５が形成された。第２
透明絶縁体層６５は、マグネトロンスパッタリング法を
利用して厚さ２００ｎｍに堆積され、平均表面粗さＲａ
＝８０ｎｍの凹凸表面テクスチャを有していた。その
後、フォトリソグラフィを利用したパターニングによっ
て、複数の開口６５ａが設けられた。第２透明絶縁体層
６５上には、ＳｎＯ₂からなる透明前面電極６６をスパ
ッタリングで形成することによって、図６に示されてい
るような実施例４の太陽電池が完成する。

【００３５】このような実施例４による太陽電池に対し
ても実施例１の場合と同様の光照射試験を行なったとこ
ろ、表１に示された実施例３の太陽電池と同等の出力特
性が得られた。

【００３６】（実施例５）図７において、実施例５によ
る薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されている。この
太陽電池においては、まず、ステンレスからなる導電性
基板７１上に電解複合研磨（ＥＣＢ）法によって平均表
面粗さＲａ＝１００ｎｍの凹凸表面テクスチャが形成さ
れた。この導電性基板７１は裏面電極の機能をも兼ねる
ように用いられ、その凹凸表面テクスチャ上には図６に
おける複数の層６３〜６６のそれぞれに対応する複数の
層７２〜７５が対応する条件の下に積層された。こうし
て得られた実施例５の太陽電池に対して実施例１の場合
と同様の光照射試験を行なったところ、表１に示された
実施例３と同様の出力特性が得られた。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電極層
の凹凸表面テクスチャによる入射光の高い利用効率を維
持しつつ、改善された品質の半導体光電変換層の積層を
可能にするとともに光電変換層と電極層との間の界面特
性が改善された高性能の薄膜太陽電池を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１による薄膜太陽電池の構造を
示す模式的な断面図である。

【図２】シリコン層に関してＸ線回折から求められた結
晶粒度の基板温度依存性を示すグラフである。

【図３】シリコン層に関するラマン分光測定の結果を示
すグラフである。

【図４】本発明の実施例２による薄膜太陽電池の構造を
示す模式的な断面図である。

【図５】本発明の実施例３による薄膜太陽電池の構造を
示す模式的な断面図である。

【図６】本発明の実施例４による薄膜太陽電池の構造を
示す模式的な断面図である。

【図７】本発明の実施例５による薄膜太陽電池の構造を
示す模式的な断面図である。

【図８】従来の薄膜太陽電池の構造を示す模式的な断面
図である。

【符号の説明】

１１，４１，５１，８１：透明基板１２，４２，５２，８２：透明電極層１３，４３，５３，６３，７２：透明絶縁体層１３ａ，４３ａ，５３ａ，６３ａ，７２ａ：開口１４，４４，５４，６４，７３：半導体光電変換層１５，４５，５５，６２，７１，８６：裏面電極層４６，５６，６５，７４：第２透明絶縁体層４６ａ，５６ａ，６５ａ，７４ａ：開口６１：基板６６：透明前面電極７１：導電性基板１４ｎ，４４ｎ，５４ｎ，６４ｎ，７３ｎ，８５：ｎサ
ブ層１４ｉ，４４ｉ，５４ｉ，６４ｉ，７３ｉ，８４：ｉサ
ブ層１４ｐ，４４ｐ，５４ｐ，６４ｐ，７３ｐ，８３：ｐサ
ブ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光を散乱させるための微細な凹凸を含み
平均表面粗さＲａが５０ｎｍを超える表面テクスチャを
有する第１電極層の前記表面テクスチャ上に、順次積層
された透明絶縁体層、半導体光電変換層、および第２電
極層を備え、前記透明絶縁体層は、前記第１電極層の前記表面テクス
チャにおける凹凸の最大高低差より大きな厚さを有して
いて、前記半導体層との界面において５０ｎｍ未満の平
均表面粗さＲａを有するとともに、前記半導体層を前記
第１電極層に接続するための複数の開口を含むことを特
徴とする薄膜太陽電池。
【請求項２】前記半導体層と前記第２電極層との間に
付加的な第２の透明絶縁体層をさらに備え、前記第２絶
縁体層は前記半導体層を前記第２電極層に接続するため
の複数の開口を含むことを特徴とする請求項１に記載の
薄膜太陽電池。
【請求項３】前記第２透明絶縁体層は、前記第２電極
層との界面において光を散乱させるための凹凸表面テク
スチャを有することを特徴とする請求項２に記載の薄膜
太陽電池。
【請求項４】前記第１電極層は透明基板上に形成され
た透明電極であり、前記第２電極層は裏面電極であるこ
とを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の
薄膜太陽電池。
【請求項５】前記第１電極層は基板上に形成された裏
面電極であり、前記第２電極層は透明電極であることを
特徴とする請求項１または３に記載の薄膜太陽電池。
【請求項６】前記第１電極は基板を兼ねる裏面電極で
あり、前記第２電極は透明電極であることを特徴とする
請求項１または３に記載の薄膜太陽電池。