JP2002280584A

JP2002280584A - ハイブリッド型薄膜光電変換装置とその製造方法

Info

Publication number: JP2002280584A
Application number: JP2001078462A
Authority: JP
Inventors: Susumu Fukuda; 丞福田; Toru Sawada; 徹澤田
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 2001-03-19
Filing date: 2001-03-19
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】【課題】ハイブリッド型薄膜光電変換装置の性能の改
善を図るとともに、その製造工程の融通性を高めかつ生
産効率を改善し得る製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるハイブリッド型薄膜光電変
換装置は、透明基板１上において反応ガスの主要成分と
してシランと希釈水素を含むプラズマＣＶＤによって順
に堆積されたｐ型層３ｐ、非晶質ｉ型光電変換層３ｉ、
およびｎ型層３ｎを含む非晶質光電変換ユニット３と、
さらにその上に順に堆積されたｐ型層４ｐ、結晶質ｉ型
光電変換層４ｉ、およびｎ型層４ｎを含む結晶質光電変
換ユニット４とを含み、結晶質ユニット４に含まれるｐ
型層４ｐが非晶質ユニット３に含まれるｎ型層３ｎに比
べて大きい体積結晶化分率を有することを特徴としてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜光電変換装置に
関し、特に、ハイブリッド型薄膜光電変換装置とその製
造方法の改善に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から非晶質シリコン薄膜をプラズマ
ＣＶＤで形成する場合にはシランおよび適宜の希釈水素
と１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下のガス圧とが採用され
ていたが、特開平１１−３３０５２０においては、５０
倍以上の大きな水素希釈率と６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）
以上の高いガス圧を利用したプラズマＣＶＤによって、
比較的低温で良質の結晶質シリコン薄膜を迅速に形成し
得ることが述べられている。

【０００３】そして近年では、薄膜光電変換装置の典型
例である薄膜太陽電池も多様化し、従来の非晶質薄膜太
陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発され、これらを
積層したハイブリッド型薄膜太陽電池も実用化されつつ
ある。なお、本願明細書において、「結晶質」の用語
は、薄膜光電変換装置の技術分野において通常用いられ
ているように部分的に非晶質を含むものをも意味し、少
なくとも５０％を超える体積結晶化分率を有するものを
意味するものとする。

【０００４】一般に、半導体薄膜太陽電池は、少なくと
も表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、１
以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極を
含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットは、ｐ型
層とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。

【０００５】光電変換ユニットの厚さの大部分を占める
ｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作
用は主としてこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型
光電変換層は光吸収のためには厚い方が好ましいが、必
要以上に厚くすればその堆積のためのコストと時間が増
大することになる。

【０００６】他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユ
ニット内に拡散電位を生じさせる役割を果たし、この拡
散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１
つである開放端電圧の値が左右される。しかし、これら
の導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であ
り、導電型層にドープされた不純物によって吸収される
光は発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型と
ｎ型の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせる範囲内
でできるだけ薄いことが好ましく、ｉ型層に比べてはる
かに小さな厚さを有している。

【０００７】このようなことから、光電変換ユニットま
たは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電
型層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占
めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユニット
または非晶質薄膜太陽電池と称され、ｉ型層が結晶質の
ものは結晶質ユニットまたは結晶質薄膜太陽電池と称さ
れる。

【０００８】ここで、ガラス板のような透明絶縁基板上
に薄膜光電変換装置が形成される場合、その基板は光電
変換装置の表面保護用カバーガラスの役割を果たさせる
ことができ、一般に、ガラス基板上には透明電極を介し
て比較的大きなバンドギャップのｐ型層、ｉ型光電変換
層、および比較的小さなバンドギャップのｎ型層の順に
積層されることが多い。

【０００９】また、薄膜太陽電池の変換効率を向上させ
る方法として、２以上の光電変換ユニットを積層してタ
ンデム型にする方法がある。この方法においては、薄膜
太陽電池の光入射側に大きなバンドギャップを有する光
電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後ろに順に
小さなバンドギャップを有する（たとえばＳｉ−Ｇｅ合
金などの）光電変換層を含む後方ユニットを配置するこ
とにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電変換を
可能にし、これによって太陽電池全体としての光電変換
効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄膜太陽
電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変
換ユニットの両方を含むものは、特にハイブリッド型薄
膜太陽電池と称される。

【００１０】たとえば、非晶質ｉ型シリコンが光電変換
し得る光の波長は長波長側において８００ｎｍ程度まで
であるが、結晶質ｉ型シリコンはそれより長い約１１０
０ｎｍ程度の波長の光までを光電変換することができ
る。ここで、光吸収係数の大きな非晶質シリコン光電変
換層は光吸収のためには単一光電変換ユニットの場合で
も０．３μｍ以下の厚さで十分であるが、光吸収係数の
小さな結晶質シリコン光電変換層は長波長の光をも十分
に吸収するためには単一光電変換ユニットの場合では２
〜３μｍ程度以上の厚さを有することが好ましい。すな
わち、結晶質光電変換層は、通常は、非晶質光電変換層
に比べて１０倍程度に大きな厚さを有することが望まれ
る。ただし、ハイブリッド型薄膜太陽電池においては、
単一ユニットの場合に比べて、各光電変換層を比較的薄
くすることができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上述べられたよう
に、単一の非晶質ユニットのみを含む非晶質薄膜光電変
換装置に比べて、ハイブリッド型薄膜光電変換装置は高
い光電変換効率を有し得ることが明らかである。しか
し、そのようなハイブリッド型薄膜光電変換装置におい
ても、更なる性能改善が望まれている。

【００１２】また、ハイブリッド型薄膜光電変換装置に
おいて、非晶質ユニットを形成する際に最適なプラズマ
ＣＶＤ条件と結晶質ユニットを形成するのに最適なプラ
ズマＣＶＤ条件とは互いに異なるので、互いに別々のプ
ラズマＣＶＤ装置でそれぞれの最適条件のもとで形成す
ることが好ましい。また、結晶質ユニットは非晶質ユニ
ットに比べて長い形成時間を要するので、単一の製造ラ
インで形成された非晶質ユニット上に、結晶質ユニット
を複数の製造ラインで迅速に形成することが望まれる場
合もある。

【００１３】しかし、たとえば基板上に非晶質ユニット
を形成した後に、その基板をプラズマＣＶＤ装置から一
旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置に移して結
晶質ユニットをさらに形成した場合、得られるハイブリ
ッド型薄膜光電変換装置の変換特性は基板を大気中に取
出すことなく両ユニットを連続的に形成した場合に比べ
て低下するという事実を本発明者は経験している。

【００１４】そこで、本発明は、ハイブリッド型薄膜光
電変換装置の性能の更なる改善を図るとともに、その製
造工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方
法を提供することをも目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明によるハイブリッ
ド型薄膜光電変換装置は、透明基板上において反応ガス
の主要成分としてシランと希釈水素を含むプラズマＣＶ
Ｄによって順に堆積されたｐ型層、非晶質ｉ型光電変換
層、およびｎ型層を含む非晶質光電変換ユニットと、さ
らにその上に順に堆積されたｐ型層、結晶質ｉ型光電変
換層、およびｎ型層を含む結晶質光電変換ユニットとを
含み、結晶質ユニットに含まれるｐ型層が非晶質ユニッ
トに含まれるｎ型層に比べて大きい体積結晶化分率を有
することを特徴としている。

【００１６】このようなハイブリッド型薄膜光電変換装
置を製造するための方法では、結晶質ユニットに含まれ
るｐ型層は非晶質ユニットに含まれるｎ型層に比べて大
きい水素希釈率と高いガス圧のもとでプラズマＣＶＤに
よって堆積されることを特徴としている。

【００１７】なお、非晶質ユニットに含まれるｎ型層の
第１の部分的ｎ層が堆積された後に基板が一旦プラズマ
ＣＶＤ装置外に取り出されてその第１部分的ｎ層の表面
が大気に露呈され、その後に基板が再度プラズマＣＶＤ
装置内に導入されて第１部分的ｎ層の表面が水素プラズ
マエッチングされ、これに続いて第１部分的ｎ層上に残
りの第２部分的ｎ層が堆積されてもよい。

【００１８】また、非晶質ユニットに含まれるｎ型層の
第１の部分的ｎ層が堆積された前記基板が一旦プラズマ
ＣＶＤ装置外に取り出されてその第１部分的ｎ層の表面
が大気に露呈され、その後に基板が再度プラズマＣＶＤ
装置内に導入されて第１部分的ｎ層の表面が水素プラズ
マエッチングされ、これに続いて第１部分的ｎ層上に残
りの第２部分的ｎ層が堆積され、その際に、結晶質ユニ
ットに含まれるｐ型層は第１部分的ｎ層に比べて大きい
水素希釈率と高いガス圧のもとでプラズマＣＶＤによっ
て堆積されるが、第２部分的ｎ層は結晶質ユニットに含
まれるｐ型層に比べて小さい水素希釈率であるが同じガ
ス圧のもとでプラズマＣＶＤによって堆積されてもよ
い。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下において、本発明のいくつか
の実施例が、いくつかの比較例との比較において説明さ
れる。

【００２０】（比較例１）比較例１として、図１に示さ
れているようなハイブリッド型薄膜太陽電池が作製され
た。まず、ガラス基板１上に、酸化錫の透明電極層２が
熱ＣＶＤで形成された。その後、基板１はプラズマＣＶ
Ｄ装置内に導入され、基板温度は２００℃に設定され
た。

【００２１】そして、非晶質光電変換ユニット３に含ま
れる厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３
ｐ、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光
電変換層３ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層３
ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積された。

【００２２】その際に、ｎ型シリコン層３ｎのプラズマ
ＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２
０ｓｃｃｍ、水素が１７００ｓｃｃｍ、そして５０００
ｐｐｍに水素希釈されたホスフィンが１００ｓｃｃｍに
設定された。また、反応ガス圧は３３３Ｐａ（２．５Ｔ
ｏｒｒ）に設定され、プラズマ励起用高周波電力が１０
０ｍＷ／ｃｍ²の密度で印加された。

【００２３】次に、結晶質光電変換ユニット４に含まれ
る厚さ１２ｎｍのｐ型シリコン層４ｐ、厚さ２．０μｍ
の結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉ、および厚さ１５
ｎｍのｎ型シリコン層４ｎが、プラズマＣＶＤによって
順次に堆積された。

【００２４】その際に、ｐ型シリコン層４ｐのプラズマ
ＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２
０ｓｃｃｍ、水素が１７００ｓｃｃｍ、そして５０００
ｐｐｍに水素希釈されたジボランが７５ｓｃｃｍに設定
された。また、反応ガス圧は３３３Ｐａに設定され、プ
ラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ²の密度で
印加された。

【００２５】すなわち、非晶質光電変換ユニット３のｎ
型シリコン層３ｎとその上の結晶質光電変換ユニット４
のｐ型シリコン層４ｐとは、同じ反応ガス圧と同じ水素
希釈率によるプラズマＣＶＤで堆積された。

【００２６】結晶質光電変換ユニット４が形成された後
には、裏面電極層５として、厚さ９０ｎｍの酸化亜鉛膜
５ａと厚さ２４０ｎｍの銀膜がスパッタリングによって
順次に堆積された。

【００２７】以上のようにして得られた比較例１のハイ
ブリッド型薄膜太陽電池に関して、ソーラシミュレータ
を用いてＡＭ１．５に近いスペクトル分布を有する擬似
太陽光を１００ｍＷ／ｃｍ²のエネルギ密度で照射して
出力特性を測定したところ、開放端電圧が１．３２Ｖ、
短絡電流密度が１１．５０ｍＡ／ｃｍ²、曲線因子が７
１．５％、そして変換効率が１０．８５％であった。

【００２８】（実施例１）実施例１においても、比較例
１の場合と同様にして図１に示されているようなハイブ
リッド型薄膜太陽電池が作製された。ただし、実施例１
は、結晶質光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐを
堆積する際に希釈水素流量が４５００ｓｃｃｍに高めら
れるとともに反応ガス圧が６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）に
高められたことのみにおいて比較例１と異なっていた。

【００２９】こうして得られた実施例１のハイブリッド
型薄膜太陽電池に関して、比較例１の場合と同一の条件
で擬似太陽光を照射して出力特性を測定したところ、開
放端電圧が１．３６Ｖ、短絡電流密度が１１．６１ｍＡ
／ｃｍ²、曲線因子が７３．０％、そして変換効率が１
１．５３％であった。

【００３０】以上の比較例１と実施例１との比較から、
実施例１のハイブリッド型薄膜太陽電池は比較例１に比
べて明らかに改善された出力特性を有していることがわ
かる。この理由としては、以下のことが考えられる。

【００３１】一般に、ｎ型シリコン層とｐ型シリコン層
を同一の反応ガス圧と同一のシランに対する水素希釈率
とのもとでプラズマＣＶＤによって堆積させた場合、ｐ
型シリコン層はｎ型シリコン層に比べて結晶化しにく
く、その体積結晶化分率が低くなる。このような状況の
もとにおいて、比較例１に比べて、実施例１では結晶質
光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐを堆積する際
に水素希釈率が２倍以上に高められるとともに反応ガス
圧も２倍に高められている。したがって、比較例１に比
べて、実施例１では結晶質光電変換ユニット４のｐ型シ
リコン層４ｐにおける体積結晶化分率が向上していると
考えられる。そして、実施例１では体積結晶化分率の向
上したｐ型シリコン層４ｐを下地層としてその上に良質
の結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉが形成され、ハイ
ブリッド型薄膜太陽電池の性能が改善されたものと考え
られる。

【００３２】なお、比較例１と実施例１のｎ型シリコン
層３ｎとｐ型シリコン層４ｐにおける体積結晶化分率を
推測すべく、それぞれのプラズマＣＶＤ条件のもとでｎ
層とｐ層を直接ガラス基板上に堆積して分光エリプソメ
トリによって評価したところ、比較例１に対応するｎ層
とｐ層の体積結晶化分率はそれぞれ７２％と６６％であ
り、実施例１に対応するｎ層とｐ層の体積結晶化分率は
それぞれ７２％と７５％であった。

【００３３】（比較例２）比較例２においても、比較例
１の場合と同様にして図１に示されているようなハイブ
リッド型薄膜太陽電池が作製された。ただし、比較例２
は、非晶質光電変換ユニット３のｎ型シリコン層３ｎを
堆積するプロセスが一部変更されたことのみにおいて比
較例１と異なっていた。

【００３４】すなわち比較例２においても、ガラス基板
１上で非晶質光電変換ユニット３の非晶質ｉ型シリコン
光電変換層３ｉまでは、比較例１と同じ条件で形成され
た。これに続いて、ｎ型層３ｎの一部を構成する第１の
ｎ型シリコン部分層３ｎ₁が比較例１と同じＣＶＤ条件
のもとで１５ｎｍの厚さに堆積された。

【００３５】この後に、基板１がプラズマＣＶＤ装置か
ら大気中に取出され、異なる第２のプラズマＣＶＤ装置
内に導入された。この第２のプラズマＣＶＤ装置内にお
いても、基板温度は２００℃に設定された。

【００３６】そして第２のプラズマＣＶＤ装置内におい
て、まず、一旦表面が大気に晒された第１ｎ型シリコン
部分層３ｎ₁の表面をリフレッシュさせるように、プラ
ズマ反応室内に水素ガスのみが導入されて水素プラズマ
エッチング処理が行なわれた。これに続いて、ｎ型層３
ｎに含まれる残りの第２ｎ型シリコン部分層３ｎ₂が第
１ｎ型シリコン部分層３ｎ₁と同じＣＶＤ条件のもとで
１５ｎｍの厚さに堆積された。すなわち、比較例２にお
いては、第１と第２のｎ型シリコン部分層３ｎ ₁と３ｎ₂
を含むｎ型層３ｎは、３０ｎｍの厚さを有していた。

【００３７】非晶質ユニット３上には、比較例１と同じ
条件のもとで結晶質ユニット４と裏面電極５が形成され
た。

【００３８】このように、水素プラズマ処理を行なって
さらに第２のｎ型シリコン部分層３ｎ₂を追加成膜する
ことによって、異なるプラズマＣＶＤ装置間を移動させ
るときに大気に晒されて汚染された第１ｎ型シリコン部
分層３ｎ₁の表面を清浄化して大気暴露の影響を低減さ
せることができ、真空中で連続成膜する場合とほぼ同等
の品質のｎ型層３ｎを得ることができる。

【００３９】こうして得られた比較例２のハイブリッド
型薄膜太陽電池に関して、比較例１の場合と同一の条件
で擬似太陽光を照射して出力特性を測定したところ、開
放端電圧が１．３２Ｖ、短絡電流密度が１１．４８ｍＡ
／ｃｍ²、曲線因子が７１．３％、そして変換効率が１
０．８０％であった。

【００４０】（実施例２）実施例２においても、比較例
２の場合と同様にして図１に示されているようなハイブ
リッド型薄膜太陽電池が作製された。ただし、実施例２
は、結晶質光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐを
堆積する際に希釈水素流量が４５００ｓｃｃｍに高めら
れるとともに反応ガス圧が６６７Ｐａに高められたこと
のみにおいて比較例２と異なっていた。

【００４１】こうして得られた実施例２のハイブリッド
型薄膜太陽電池に関して、比較例２の場合と同一の条件
で擬似太陽光を照射して出力特性を測定したところ、開
放端電圧が１．３６Ｖ、短絡電流密度が１１．５８ｍＡ
／ｃｍ²、曲線因子が７２．８％、そして変換効率が１
１．４７％であった。

【００４２】以上の比較例２と実施例２との比較から、
実施例２のハイブリッド型薄膜太陽電池は比較例２に比
べて明らかに改善された出力特性を有していることがわ
かる。また、実施例２では第１ｎ型シリコン部分層３ｎ
₁の表面がプラズマＣＶＤ装置外の大気に一旦晒された
が、その表面が水素プラズマエッチングでクリーニング
されているので、実施例１とほぼ同等の出力特性を有す
るハイブリッド型薄膜太陽電池が得られている。

【００４３】（実施例３）実施例３においても、実施例
２の場合と同様にして図１に示されているようなハイブ
リッド型薄膜太陽電池が作製された。ただし、実施例２
では、第２ｎ型シリコン部分層３ｎ₂を堆積する際に水
素流量が３５００ｓｃｃｍに高められるとともに反応ガ
ス圧が６６７Ｐａに高められたことのみにおいて実施例
２と異なっていた。

【００４４】こうして得られた実施例３のハイブリッド
型薄膜太陽電池に関して、実施例２の場合と同一の条件
で擬似太陽光を照射して出力特性を測定したところ、開
放端電圧が１．３５Ｖ、短絡電流密度が１１．６０ｍＡ
／ｃｍ²、曲線因子が７３．１％、そして変換効率が１
１．４５％であった。

【００４５】すなわち、実施例３においても、実施例１
とほぼ同等の出力特性を有するハイブリッド型薄膜太陽
電池が得られていることがわかる。ところで、実施例３
では第２ｎ型シリコン部分層３ｎ₂を堆積する際の反応
ガス圧が、それに続いて堆積されるｐ型シリコン層４ｐ
の体積の際と同一の６６７Ｐａに高められているので、
反応室内のガス圧調整のための時間を節約することがで
きる。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ハイブ
リッド型薄膜光電変換装置の性能の改善を図るととも
に、その製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し
得る製造方法を提供することができ、生産効率を高める
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例と比較例によるハイブリッド
型薄膜太陽電池の積層構造を示す模式的な断面図であ
る。

【符号の説明】

１ガラス基板、２透明電極、３非晶質光電変換ユ
ニット、３ｐｐ型層、３ｉ非晶質ｉ型光電変換層、
３ｎｎ型層、３ｎ₁ 第１ｎ型部分層、３ｎ₂第２ｎ型
部分層、４結晶質光電変換ユニット、４ｐｐ型層、
４ｉ結晶質ｉ型光電変換層、４ｎｎ型層、５裏面
電極層、５ａ酸化亜鉛膜、５ｂ銀膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上において反応ガスの主要成分
としてシランと希釈水素を含むプラズマＣＶＤによって
順に堆積されたｐ型層、非晶質ｉ型光電変換層、および
ｎ型層を含む非晶質光電変換ユニットと、さらにその上
に順に堆積されたｐ型層、結晶質ｉ型光電変換層、およ
びｎ型層を含む結晶質光電変換ユニットとを含み、前記結晶質ユニットに含まれる前記ｐ型層が前記非晶質
ユニットに含まれる前記ｎ型層に比べて大きい体積結晶
化分率を有することを特徴とするハイブリッド型薄膜光
電変換装置。
【請求項２】請求項１に記載されたハイブリッド型薄
膜光電変換装置を製造するための方法であって、前記結晶質ユニットに含まれる前記ｐ型層は前記非晶質
ユニットに含まれる前記ｎ型層に比べて大きい水素希釈
率と高い反応ガス圧のもとで前記プラズマＣＶＤによっ
て堆積されることを特徴とする製造方法。
【請求項３】前記非晶質ユニットに含まれる前記ｎ型
層の第１の部分的ｎ層が堆積された後に前記基板が一旦
プラズマＣＶＤ装置外に取り出されてその第１部分的ｎ
層の表面が大気に露呈され、その後に前記基板が再度プラズマＣＶＤ装置内に導入さ
れて前記第１部分的ｎ層の表面が水素プラズマエッチン
グされ、これに続いて前記第１部分的ｎ層上に残りの第２部分的
ｎ層が堆積されることを特徴とする請求項２に記載の製
造方法。
【請求項４】請求項１に記載されたハイブリッド型薄
膜光電変換装置を製造するための方法であって、前記非晶質ユニットに含まれる前記ｎ型層の第１の部分
的ｎ層が堆積された後に前記基板が一旦プラズマＣＶＤ
装置外に取り出されてその第１部分的ｎ層の表面が大気
に露呈され、その後に前記基板が再度プラズマＣＶＤ装置内に導入さ
れて前記第１部分的ｎ層の表面が水素プラズマエッチン
グされ、さらに前記第１部分的ｎ層上に残りの第２部分的ｎ層が
堆積され、その際に、前記結晶質ユニットに含まれる前記ｐ型層は
前記第１部分的ｎ層に比べて大きい水素希釈率と高いガ
ス圧のもとで前記プラズマＣＶＤによって堆積される
が、前記第２部分的ｎ層は前記結晶質ユニットに含まれ
る前記ｐ型層に比べて小さい水素希釈率であるが同じガ
ス圧のもとで前記プラズマＣＶＤによって堆積されるこ
とを特徴とする製造方法。