JP4903940B2

JP4903940B2 - タンデム型薄膜太陽電池の製造方法

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Publication number: JP4903940B2
Application number: JP2001032428A
Authority: JP
Inventors: 徹澤田; 雅士吉見
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2001-02-08
Filing date: 2001-02-08
Publication date: 2012-03-28
Anticipated expiration: 2021-02-08
Also published as: JP2002237608A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はタンデム型薄膜太陽電池の製造方法に関し、特に、その太陽電池の性能を低下させることなく製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では薄膜太陽電池も多様化し、従来の非晶質薄膜太陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発され、これらを積層したタンデム型（ハイブリッド）薄膜太陽電池も実用化されつつある。
【０００３】
半導体薄膜太陽電池は、一般に、少なくとも表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、１以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極を含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットはｐ型層とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。
【０００４】
光電変換ユニットの厚さの大部分を占めるｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作用は主としてこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型光電変換層は光吸収のためには厚い方が好ましいが、必要以上に厚くすればその堆積のためのコストと時間が増大することになる。
【０００５】
他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユニット内に拡散電位を生じさせる役目を果たし、この拡散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１つである開放端電圧の値が左右される。しかし、これらの導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であり、導電型層にドープされた不純物によって吸収される光は発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型とｎ型の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせ得る範囲内で、できるだけ小さな厚さを有することが好ましい。
【０００６】
このようなことから、光電変換ユニットまたは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユニットまたは非晶質薄膜太陽電池と称され、ｉ型層が結晶質のものは結晶質ユニットまたは結晶質薄膜太陽電池と称される。
【０００７】
ところで、薄膜太陽電池の変換効率を向上させる方法として、２以上の光電変換ユニットを積層してタンデム型にする方法がある。この方法においては、薄膜太陽電池の光入射側に大きなバンドギャップを有する光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後ろに順に小さなバンドギャップを有する（たとえばＳｉ−Ｇｅ合金などの）光電変換層を含む後方ユニットを配置することにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電変換を可能にし、これによって太陽電池全体としての変換効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄膜太陽電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変換ユニットの両方を含むものは特にハイブリッド薄膜太陽電池と称されることもある。
【０００８】
たとえば、ｉ型非晶質シリコンが光電変換し得る光の波長は長波長側において８００ｎｍ程度までであるが、ｉ型結晶質シリコンはそれより長い約１１００ｎｍ程度の波長の光までを光電変換することができる。ここで、光吸収係数の大きな非晶質シリコン光電変換層は光吸収のためには単層でも０．３μｍ以下の厚さで十分であるが、光吸収係数の小さな結晶質シリコン光電変換層は長波長の光をも十分に吸収するためには単層では２〜３μｍ程度以上の厚さを有することが好ましい。すなわち、結晶質光電変換層は、通常は、非晶質光電変換層に比べて１０倍程度に大きな厚さを有することが望まれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のようなタンデム型薄膜太陽電池において、それが非晶質ユニットと結晶質ユニットの両方を含む場合に、非晶質ユニットを形成する際に最適なプラズマＣＶＤ条件と結晶質ユニットを形成するのに最適なプラズマＣＶＤ条件とは互いに異なるので、互いに別々のプラズマＣＶＤ装置でそれぞれの最適条件のもとで形成することが好ましい。また、結晶質ユニットは非晶質ユニットに比べて長い形成時間を要するので、単一の製造ラインで形成された非晶質ユニット上に、結晶質ユニットを複数の製造ラインで迅速に形成することが望まれる場合もある。さらに、タンデム型薄膜太陽電池において、それが複数の結晶質ユニットのみを含む場合でも、光吸収効率の最適化を図るために、光入射側に近い前方ユニットとその後ろに形成される後方ユニットとの間では互いに厚さやその他の特性が変えられるので、各ユニットを別々のプラズマＣＶＤ装置で形成することが望まれる場合が多い。
【００１０】
しかしながら、このような状況下において、たとえば透明基板側から順にｐｉｎの接合を含むｐｉｎ型非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラズマＣＶＤ装置から一旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置に移してｐｉｎ型結晶質ユニットをさらに形成した場合、得られるタンデム型薄膜太陽電池の光電変換特性は基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連続的に形成した場合に比べて低下するという事実を本発明者たちは経験した。具体的には、光電変換効率の絶対値による比較において０．５％以上の低下が見られた。
【００１１】
このような本発明者たちが経験した知見に基づいて、本発明は、タンデム型薄膜太陽電池の性能を低下させることなくその製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、透明基板上で順に堆積されたｐ型層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含む光電変換ユニットの複数が積層されていて、少なくともその基板側から最も遠い後方ユニットは結晶質ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニットであるタンデム型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上で少なくとも１つのユニットがプラズマＣＶＤによって形成された後に基板が大気中に取出されることによって、既に形成されている最外表面が大気に露呈され、その後にその最外表面が水素プラズマに晒された後に引続いて結晶質ユニットがプラズマＣＶＤで形成されるステップを含むことを特徴としている。
【００１３】
基板上で少なくとも１つの光電変換ユニットがプラズマＣＶＤによって形成された後に引続いて５ｎｍ以下の厚さのｉ型中間層をプラズマＣＶＤで形成し、その後に基板が大気中に取出されることが好ましい。
【００１４】
大気に露呈されたｉ型中間層表面の水素プラズマ暴露処理時のガス圧と、その後に結晶質ユニットのｐ型層をプラズマＣＶＤで堆積するときのガス圧とは、同一の減圧チャンバ内において実質的に同一の圧力に設定され得る。
【００１５】
プラズマ暴露処理時の後で結晶質ユニットのｐ型層の堆積の前に付加的なｎ型微結晶中間層がプラズマＣＶＤで堆積されることが好ましく、このｎ型微結晶中間層の堆積中のガス圧もプラズマ暴露処理時のガス圧と実質的に同一にされ得る。
【００１６】
基板上で最初のユニットとして、非晶質ｉ型光電変換層を含む非晶質ユニットが形成されることが好ましい。
【００１７】
プラズマＣＶＤには、Ｈ₂で希釈されたＳｉＨ₄を含むガスが反応ガスとして好ましく利用され得る。
【００１８】
【発明の実施の形態】
前述のように基板上にｐｉｎ型非晶質ユニットを形成した後にその基板をプラズマＣＶＤ装置から一旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置に移してｐｉｎ型結晶質ユニットをさらに形成した場合に、得られるタンデム型薄膜太陽電池の光電変換特性が基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連続的に形成した場合に比べて低下することの原因について、本発明者たちが検討した。その結果、この原因の１つとして、非晶質ユニットと結晶質ユニットを連続的に形成した場合には非晶質ユニットのｎ層として微結晶層が形成され（ｎ層はｐ層に比べて結晶化しやすい）、そのｎ層の微結晶が結晶核として作用してその上に良質の結晶質ユニットが形成され得るのに対して、非晶質ユニットの形成後にそれが一旦大気に露呈されれば、そのｎ層表面の酸化や異物の付着などによって、その後に形成される結晶質ユニットの結晶化が阻害されるという理由が考えられた。
【００１９】
また、微結晶ｎ層にリンがドープされていればその表面がポーラスになりやすく、特にそのドープ量が多くなるほどその傾向が強くなる。したがって、そのようなｎ層のポーラスな表面を大気に露呈すれば、平坦な表面に比べて、より酸化や異物の付着などが促進されやすいと考えられる。
【００２０】
上述のような本発明者たちの分析に基づいて、以下において本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本願の各図において、厚さや長さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わしてはいない。また、各図において、同一の参照符号は同一部分または相当部分を表わしている。
【００２１】
まず図１において、一形態の製法によって作製されたタンデム型薄膜太陽電池セルが模式的な断面図で示されている。すなわち、この太陽電池セルでは、ガラスなどの透明絶縁基板１上に透明導電性酸化物（ＴＣＤ）からなる透明電極２が形成される。透明電極２上には、第１の光電変換ユニット３に含まれるｐ型層３ｐ、実質的に真性半導体の非晶質または結晶質の光電変換層３ｉ、およびｎ型層３ｎがプラズマＣＶＤで順次に堆積される。
【００２２】
その後、基板１がプラズマＣＶＤ装置から大気中に引出され、それによってｎ型層３ｎの表面が大気に露呈される。その後に、基板１が他のプラズマＣＶＤ装置内に導入され、大気中露呈によって汚染または変質させられたｎ型層３ｎの表面層を浄化または改質するように水素プラズマへの暴露処理がなされる。水素プラズマ暴露処理されたｎ型層３ｎ上には、好ましくは、次に形成される結晶質光電変換ユニット４の結晶化を容易にするように作用し得るフレッシュな付加的ｎ型微結晶中間層５ｎがプラズマＣＶＤで堆積される。そして、そのｎ型微結晶中間層５ｎ上に、第２の光電変換ユニット４に含まれるｐ型層４ｐ、実質的に真性の結晶質光電変換層４ｉおよびｎ型層４ｎが順次プラズマＣＶＤで堆積され、最後に裏面電極１０が形成される。
【００２３】
なお、水素プラズマ暴露処理は、それに引続くｎ型中間層５ｎおよびｐ型層４ｐのプラズマＣＶＤの際と実質的に同一のガス圧の下で行なうことができる。すなわち、水素プラズマ暴露処理とｎ型中間層５ｎの形成の工程を付加しても、それに伴って必要となるガス圧調整時間を非常に短くすることができる。
【００２４】
このようなタンデム型薄膜太陽電池セルの製造方法においては、第１光電変換ユニット３のｎ型層３ｎが大気中に露呈されてその表面層が劣化したとしても、水素プラズマ暴露処理によって浄化または改質することができる。すなわち、水素プラズマはｎ型層３ｎの表面を浄化するとともにその結晶化を促し、または非晶質成分を除去するように作用する。そして、その浄化または改質されたｎ型層３ｎ上に新たに形成されるフレッシュなｎ型微結晶中間層５ｎがその上に堆積される結晶質光電変換ユニット４の結晶化を容易にさせる効果とも相俟って、結晶質ユニット４は大気に露呈されたｎ型層３ｎ上に水素プラズマ暴露処理を経ることなく直接堆積される場合に比べて良好な結晶性を有し、基板１が一旦大気中に取出されることによる悪影響を顕著に軽減することができる。
【００２５】
このようにして第１ユニット３と第２ユニット４とが別々のＣＶＤ装置で形成することが可能になれば、それぞれのユニットに求められる最良の特性を実現するために最も適合するＣＶＤ条件を別々に設定することができ、タンデム型薄膜太陽電池セル全体としての性能をむしろ改善し得ると期待される。また、それぞれのユニットのために複数の製造ラインを利用することができるので生産効率を高めることができ、さらに複数のプラズマＣＶＤ装置の利用によってそれらの装置のメンテナンスを順次円滑に行なうことができるようになる。
【００２６】
図２においては、本発明の一実施形態による製法によって作製されたタンデム型薄膜太陽電池セルが模式的な断面図で示されている。図２の実施の形態は、図１のものに類似しているが、第１光電変換ユニット３に含まれるｎ型層３ｎの堆積の後に引続いて実質的に真性半導体の付加的なｉ型中間層６ｉがトンネル効果を生じ得る５ｎｍ以下の厚さにプラズマＣＶＤで堆積される点において異なっている。そして、このｉ型中間層６ｉが形成された後に基板１がプラズマＣＶＤ装置から大気中に引出され、ｉ型中間層６ｉの表面が大気に露呈される。
【００２７】
この場合、真性半導体のｉ型層６ｉは、大気中に露呈されてもｎ型層３ｎに比べてその表面が劣化しにくいという利点を有している。また、ｉ型中間層６ｉは５ｎｍ以下の厚さであって、トンネル効果を生じ得るほどの薄さなので、電流を阻害することもない。
【００２８】
ｉ型中間層６ｉの表面が大気に露呈された後には、図１の実施形態の場合と同様にそのｉ型中間層６ｉに対して水素プラズマ暴露処理が施され、これに引続いてｎ型微結晶中間層５ｎと結晶質光電変換ユニット４がプラズマＣＶＤで堆積される。
【００２９】
ところで、図１と図２の実施形態ではいずれの場合にもｎ型微結晶中間層５ｎが形成されたが、これは第１光電変換ユニット３のｎ型層３ｎの機能を補助するようにも作用し、第１光電変換ユニット３に含まれるｎ型層の一部と考えることもできる。他方、このｎ型中間層５ｎは必ずしも必須のものではなく、省略することも可能である。たとえば、ｎ型層３ｎを良質の微結晶層として十分な厚さに形成しておけば、その表面層が大気に露呈されて劣化しても水素プラズマ暴露処理によってリフレッシュさせることが可能であるので、その場合にはそのリフレッシュされた表面上に直接に結晶質光電変換ユニット４をプラズマＣＶＤで堆積することも可能である。
【００３０】
なお、上述のような種々の実施形態の製造方法によって得られるタンデム型薄膜太陽電池において、各光電変換ユニットが効率的に光を吸収することができるように、光電変換されるべき光は各光電変換ユニットのｐ型層側から入射させられる。また、タンデム型薄膜太陽電池が非晶質ユニットと結晶質ユニットとの両方を含むハイブリッド薄膜太陽電池である場合には、より短い波長の光を吸収し得る非晶質光電変換ユニットが光入射側に近い前方ユニットとして配置され、より長い波長の光を吸収し得る結晶質光電変換ユニットは光入射側から遠い後方ユニットとして配置される。
【００３１】
ところで、以上の実施形態では２つの光電変換ユニットが積層された２段タンデム型薄膜太陽電池のみについて説明されたが、本発明は３段以上の光電変換ユニットを含むタンデム型薄膜太陽電池にも適用し得ることは言うまでもない。
【００３２】
以下においては、上述の実施形態に対応する積層構造を含む集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法の実施例が、図３を参照しつつ、参考例および比較例とともに説明される。
【００３３】
（実施例１）
図３は、実施例１において作製された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を模式的な断面図で図解している。この太陽電池の製造において、まず、ガラス基板１上に、微細な表面凹凸構造（表面テクスチャ）を有する酸化スズ膜からなる透明電極層２が形成された。この透明電極層２は、ＹＡＧレーザを用いたレーザスクライブによって形成された溝２ａによって複数の短冊状の透明電極領域に分離された。すなわち、透明電極分離溝２ａは、図３の紙面に対して垂直方向に延びている。
【００３４】
その後、透明電極層２上には、１７５℃の基板温度のもとで、ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット層３がＳｉＨ₄とＨ₂を含む原料ガスを利用してプラズマＣＶＤによって形成された。この非晶質光電変換ユニット層３に含まれるｐ型シリコン層３ｐは、１０ｎｍの厚さに堆積された。ノンドープのｉ型非晶質シリコン光電変換層３ｉは、０．２７μｍの厚さに堆積された。そして、ｎ型シリコン層３ｎは、ＳｉＨ₄／ＰＨ₃（Ｈ₂ベースで０．５％ドープ）／Ｈ₂混合ガス中のそれぞれのガス流量比が１／４／９６のもとで１２ｎｍの厚さの微結晶層として堆積された。
【００３５】
その後、基板１がＣＶＤ装置のアンロードチャンバ内に搬送され、そのチャンバが速やかにＮ₂ガスで満たされた後に、基板１が大気中に取出されて、ｎ型微結晶シリコン層３ｎの表面が４０時間または８０時間だけ大気に露呈された。
【００３６】
さらにその後、基板１が他のＣＶＤ装置のロードチャンバ内にセットされ、１７５℃に昇温された後に、０．１〜０．２Ｗ／ｃｍ²のＲＦ（高周波）パワー密度条件の下の水素プラズマにｎ型微結晶シリコン層３ｎの表面が３０〜６０秒の間暴露された。その後にＲＦ電源を切って、一旦高真空に真空引きすることなく、ＳｉＨ₄／ＰＨ₃／Ｈ₂混合ガスにて調圧した後に厚さ３０ｎｍのｎ型微結晶シリコン中間層５ｎが堆積されるとともに、これに続いてｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層４が堆積された。この結晶質光電変換ユニット層４に含まれるｐ型微結晶シリコン層４ｐは１５ｎｍの厚さに堆積され、ノンドープのｉ型結晶質シリコン光電変換層４ｉが１．７μｍの厚さに堆積され、そしてｎ型微結晶シリコン層４ｎが２０ｎｍの厚さに堆積された。さらに、裏面電極層１０の一部として働く厚さ６０ｎｍの酸化亜鉛膜が、結晶質光電変換ユニット層４上を覆うようにスパッタリングによって形成された。
【００３７】
その後、基板が大気中に取出され、ＹＡＧレーザを用いたレーザスクライブによって半導体層分割溝４ａが形成された。そして、さらに裏面電極１０に含まれる厚さ３０ｎｍの酸化亜鉛膜、２００ｎｍの銀膜、および厚さ５ｎｍのチタン膜がそれぞれスパッタリングによって形成された。最後に、裏面電極層１０を複数の短冊状裏面電極に分離するために、ＹＡＧレーザを用いたレーザスクライブによって裏面電極分離溝１０ａが形成された。こうして、図３に示されているように左右に隣接する短冊状ハイブリッドセルが互いに電気的に直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池が製造された。
【００３８】
なお、本実施例における薄膜太陽電池に含まれる各層の成膜の際に用いられた反応ガスに関するガス混合比率、圧力、調圧時間が、表１においてまとめられている。
【００３９】
【表１】

【００４０】
この表１からわかるように、水素プラズマ暴露処理のガス圧とその後に堆積されるｎ型中間層５ｎの成膜ガス圧とが、さらにその後に堆積されるｐ型層４ｐの成膜ガス圧と同じ１３３Ｐａにされ得る。したがって、ｎ型中間層５ｎとｐ型層４ｐの成膜のために要する調圧時間を合計で３５秒のように短くすることができる。すなわち、水素プラズマ暴露処理とｎ型中間層５ｎの成膜の工程が付加されても、それに伴って必要となる調圧時間を短くすることができ、薄膜太陽電池の成膜工程の時間的効率に対してほとんど悪影響を及ぼすことがない。
【００４１】
この実施例１において製造された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池において、ソーラシミュレータを用いてＡＭ１．５の光を１ｋＷ／ｍ²のエネルギ密度で２５℃のもとで照射することによって光電変換特性が測定された。その結果の相対的値が表２に示されている。
【００４２】
（実施例２）
実施例２においては、ｎ型微結晶層３ｎの厚さが８ｎｍに減じられるとともに、そのｎ型層３ｎに引続いてＰＨ₃のドープを０にしたｉ型中間層６ｉが４ｎｍの厚さに堆積され、その後に基板１が大気中に取出されたことのみにおいて実施例１と異なっていた。
【００４３】
（実施例３）
実施例３においては、付加的なｎ型微結晶中間層５ｎの形成が省略されたことのみにおいて実施例２と異なっていた。
【００４４】
（参考例）
参考例においては、ｎ型微結晶層３ｎの厚さが３０ｎｍにされ、その後に基板が大気中に露呈されることなくそのまま引続いて結晶質光電変換ユニット４が堆積されたことのみにおいて実施例１と異なっていた。
【００４５】
（比較例）
比較例においては、水素プラズマ暴露処理が省略されたことのみにおいて実施例１と異なっていた。
【００４６】
上述の実施例１〜３、参考例、および比較例のそれぞれにおいて４つのサンプル（Ｎ＝４）について光電変換特性が測定された。表２では、参考例による集積型ハイブリッド薄膜太陽電池における光電変換特性を基準として、実施例１〜３と比較例による集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の光電変換効率が規格化されて示されている。
【００４７】
【表２】

【００４８】
表２に示されているように、実施例１においてｎ型層３ｎの形成後に基板１を大気中に４０時間放置した場合であっても、非晶質ユニット３を形成した後に基板を大気中に取出すことなく引続いて結晶質ユニット４を形成した参考例に比べて、その光電変換効率の低下が測定誤差として無視できる程度（相対値で０．５％未満）に留まっていることがわかる。
【００４９】
また、実施例２では、ｉ型中間層６ｉの形成後に基板１を大気中に放置する時間を８０時間まで延ばしてもよいことがわかる。さらに、実施例３では、ｎ型中間層５ｎを省略することも可能であることがわかる。
【００５０】
他方、ｎ型層３ｎの形成後に基板１が大気中に取出されるがその後に水素プラズマ処理の施されなかった比較例では、参考例に比べて相対値で最小でも０．５％以上で最大では５％以上もの光電変換効率の低下を生じている。
【００５１】
ところで、水素プラズマ暴露処理時間は、１２０秒以内に制限されることが好ましい。なぜならば、それより長く水素プラズマ暴露処理を行なえば、逆に光電変換特性の低下が見られるからである。その理由としては、あまりに長く水素プラズマ暴露処理を行なえば、ｉ型非晶質光電変換層３ｉにまで水素ラジカルによるダメージが及ぶからであろうと推測される。
【００５２】
なお、参考例において非晶質光電変換ユニット層３と結晶質光電変換ユニット層４を連続的にプラズマＣＶＤで形成する際には基板ホルダの熱容量の関係から温度を変更することが困難なことから１７５℃の一定温度のもとでそれらの光電変換ユニット層が形成された。そして、この参考例との比較を明瞭化するために、実施例においても非晶質光電変換ユニット層３と結晶質光電変換ユニット層４の堆積時における基板温度も１７５℃の一定温度に維持された。しかし、非晶質光電変換ユニット層３と結晶質光電変換ユニット層４のより好ましい堆積温度は互いに異なっている。したがって、もし実施例においてこれらの最適温度が採用されていたならば、実施例の薄膜太陽電池は参考例に比べて光電変換効率がむしろ改善されるのではないかという可能性もある。
【００５３】
また、前述のように、本発明によれば非晶質光電変換ユニット３と結晶質光電変換ユニット４のそれぞれを別々の成膜ラインで形成することができるので、両ユニットの成膜時間が異なっていてもそれぞれの成膜ラインを無駄なく稼動することができ、生産ラインのメンテナンス管理がしやすくなるという利点を生じ、タンデム型薄膜太陽電池を高い生産効率で提供することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、タンデム型薄膜太陽電池の性能を低下させることなくその製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一形態にかかる製造方法によって作製されるタンデム型薄膜太陽電池を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による製造方法により作製されるハイブリッド薄膜太陽電池を示す模式的な断面図である。
【図３】図１の形態による半導体積層構造を有する集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１透明絶縁基板、２透明電極、２ａ透明電極分離溝、３第１光電変換ユニット、３ｐｐ型層、３ｉ真性半導体の光電変換層、３ｎｎ型層、４第２光電変換ユニット、４ｐｐ型層、４ｉ真性半導体の結晶質光電変換層、４ｎｎ型層、４ａ半導体層分割溝、５ｎｎ型中間層、６ｉｉ型中間層、１０裏面電極、１０ａ裏面電極分離溝。

Claims

透明基板上で順に堆積されたｐ型層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含む光電変換ユニットの複数が積層されていて、少なくとも前記基板側から最も遠い後方ユニットは結晶質ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニットであるタンデム型薄膜太陽電池の製造方法であって、
前記基板上で少なくとも１つの前記ユニットがプラズマＣＶＤによって形成された後に引続いて５ｎｍ以下の厚さのｉ型中間層がプラズマＣＶＤで形成され、その後に前記基板が大気中に取出されることによって、既に形成されている前記ｉ型中間層の表面が大気に露呈され、
その後にｉ型中間層の表面が水素プラズマに暴露される処理をされた後に引続いて結晶質ユニットがプラズマＣＶＤで形成されるステップを含むことを特徴とする製造方法。
大気に露呈された前記ｉ型中間層の表面の前記水素プラズマ暴露処理時のガス圧と、その後に前記結晶質ユニットの前記ｐ型層をプラズマＣＶＤで堆積するときのガス圧とが、同一の減圧チャンバ内において実質的に同一の圧力に設定されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
前記プラズマ暴露処理の後で前記結晶質ユニットの前記ｐ型層の堆積の前に付加的なｎ型微結晶中間層がプラズマＣＶＤで堆積され、このｎ型微結晶中間層の堆積中のガス圧も前記プラズマ暴露処理時のガス圧と実質的に同一であることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
前記水素プラズマ暴露処理の時間は２分以内であることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の製造方法。
前記基板上で最初の前記ユニットとして、非晶質ｉ型光電変換層を含む非晶質ユニットが形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかの項に記載の製造方法。
前記プラズマＣＶＤにはＨ₂で希釈されたＳｉＨ₄を含むガスが反応ガスとして利用されることを特徴とする請求項１から５のいずれかの項に記載の製造方法。