JP7431303B2 - 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール - Google Patents
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Description
比較例1では、一種の太陽電池構造が提供され、具体的には、図13に示すように、対向する前面と裏面とを有するベース200と、ベース200の前面に位置する、SiaNb材料を含む前面パッシベーション層220と、を備える。
比較例2では、一種の太陽電池構造が提供され、具体的には、図14に示すように、対向する前面と裏面とを有するベース300と、ベース300の前面に位置しかつベース300から離れる方向に順次設置されている、AiOk材料を含む第1パッシベーション層320及びSipNq材料を含む第2パッシベーション層330と、を備える。
Claims (12)
- 太陽電池であって、
対向する前面と裏面を有するベースと、
前記ベースの前記前面に位置しかつ前記ベースから離れる方向に順次設置されている、誘電体材料を含む第1パッシベーション層、第1SiuNv材料を含む第2パッシベーション層、及びSirOs材料を含む第3パッシベーション層と、
前記ベースの裏面に位置しかつ前記裏面から離れる方向に順次設置されている、トンネル酸化層、及びドープ導電層と、を備え、
前記第1SiuNv材料において、1.3≦v/u≦1.7であり、ここで、vはN原子の数を表し、uはSi原子の数を表し、
前記第3パッシベーション層のSirOs材料において、1.9≦s/r≦3.2であり、sはO原子の数を表し、rはSi原子の数を表し、
前記第3パッシベーション層は、前記ベースから離れる方向に積層されて設けられた第1酸化ケイ素層、第2酸化ケイ素層および第3酸化ケイ素層を含む3層構造であり、
前記第1酸化ケイ素層、前記第2酸化ケイ素層および前記第3酸化ケイ素層は、いずれもSirOs材料を含み、且つ、前記第1酸化ケイ素層、前記第2酸化ケイ素層および前記第3酸化ケイ素層の屈折率は、順次に小さくなっており、前記第1酸化ケイ素層におけるO原子数とSi原子数との比値は、1.9≦s/r≦2.2であり、前記第2酸化ケイ素層におけるO原子数とSi原子数との比値は、2.2<s/r≦2.7であり、前記第3酸化ケイ素層におけるO原子数とSi原子数との比値は、2.7<s/r≦3.2であり、
前記太陽電池は、前記ドープ導電層における前記ベースから離反する側に位置する第4パッシベーション層をさらに備え、前記第4パッシベーション層は、第2SimNn材料を含み、ここで、1.2≦n/m≦1.6であり、
前記第4パッシベーション層は、多層構造であり、かつ、前記ベースの裏面から前記ドープ導電層に向かう方向において、各層の屈折率が徐々に低くなり、
前記太陽電池は、前記ベースの前面に位置し、前記第3パッシベーション層、前記第2パッシベーション層及び前記第1パッシベーション層を貫通してエミッタと電気的に接続されている第1電極と、前記ベースの裏面に位置し、前記第4パッシベーション層を貫通して前記ドープ導電層と電気的に接続されている第2電極と、をさらに備える、
ことを特徴とする太陽電池。 - 前記第3パッシベーション層の屈折率は、前記第2パッシベーション層の屈折率よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第3パッシベーション層の屈折率は1.4~1.6であり、前記第2パッシベーション層の屈折率は1.8~2である、
ことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。 - 前記誘電体材料は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ガリウム、酸化ハフニウムのうちの一種または複数種を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記誘電体材料は、AlxOy材料であり、且つ1.4≦y/x≦1.6である、
ことを特徴とする請求項4に記載の太陽電池。 - 前記第1酸化ケイ素層の厚さは10nm~20nmであり、前記第2酸化ケイ素層の厚さは20nm~30nmであり、前記第3酸化ケイ素層の厚さは30nm~40nmである、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記前面に垂直な方向において、前記第2パッシベーション層の厚さは、35nm~55nmである、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記前面に垂直な方向において、前記第1パッシベーション層の厚さは、2nm~8nmである、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第1パッシベーション層の屈折率は、1.6~1.8である、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第4パッシベーション層の屈折率は、1.9~2.1であり、
前記裏面に垂直な方向において、前記第4パッシベーション層の厚さは、80nm~100nmである、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記ベースは、N型半導体ベースであり、
前記ドープ導電層は、N型ドープポリシリコン層、N型ドープ微結晶シリコン層、またはN型ドープアモルファスシリコン層のうちの少なくとも一種である、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 請求項1~11のいずれか1項に記載の太陽電池を複数接続してなる少なくとも1つのセルストリングと、
前記セルストリングの表面を覆うための封止層と、
前記封止層における前記セルストリングから離れる表面を覆うためのカバープレートと、
を備えることを特徴とする光起電力モジュール。
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