JPH07235684A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH07235684A JPH07235684A JP6025273A JP2527394A JPH07235684A JP H07235684 A JPH07235684 A JP H07235684A JP 6025273 A JP6025273 A JP 6025273A JP 2527394 A JP2527394 A JP 2527394A JP H07235684 A JPH07235684 A JP H07235684A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antireflection film
- layer
- refractive index
- solar cell
- interface
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 太陽電池の受光面に形成される反射防止膜を
改善し、高効率の太陽電池を実現する。 【構成】 半導体層（AlGaAs層）２の受光面２ａにＴｉ
Ｏ2 層３を形成した後更にＳｉＯＮ層４を積層して二層
構造の反射防止膜５を形成する。その際、AlGaAs層２の
屈折率 3.5に対し、ＴｉＯ2 層３の屈折率を厚さ方向に
3.3から2.4 まで、ＳｉＯＮ層４の屈折率を同じく 2.3
から 1.4まで変化させる。これにより反射防止膜５とAl
GaAs層２との界面での屈折率差が 0.5以下、反射防止膜
５の光入射面５ａの屈折率が1.3 〜1.6 、反射防止膜５
の各層３．４間の界面での屈折率差が 0.3以下に抑えら
れ、広い波長域で反射率を大幅に低減し、変換効率を大
幅に向上できる。
改善し、高効率の太陽電池を実現する。 【構成】 半導体層（AlGaAs層）２の受光面２ａにＴｉ
Ｏ2 層３を形成した後更にＳｉＯＮ層４を積層して二層
構造の反射防止膜５を形成する。その際、AlGaAs層２の
屈折率 3.5に対し、ＴｉＯ2 層３の屈折率を厚さ方向に
3.3から2.4 まで、ＳｉＯＮ層４の屈折率を同じく 2.3
から 1.4まで変化させる。これにより反射防止膜５とAl
GaAs層２との界面での屈折率差が 0.5以下、反射防止膜
５の光入射面５ａの屈折率が1.3 〜1.6 、反射防止膜５
の各層３．４間の界面での屈折率差が 0.3以下に抑えら
れ、広い波長域で反射率を大幅に低減し、変換効率を大
幅に向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反射防止膜を有する太陽
電池に関するものである。
電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池を構成する半導体層（エピタキ
シャル層）の受光面（ｐ形層表面）には、受光面への光
の入射を促進し光電変換効率を高めるために反射防止膜
が形成されている。図８は半導体層６の受光面６ａに単
層の反射防止膜７を形成した場合、図９は屈折率の互い
に異なる二つの層８，７を順次積層してなる反射防止膜
９を形成した場合である。これらは真空蒸着、スパッタ
リングあるいはＣＶＤなどの方法で形成されるものであ
り、各層７，８の屈折率は層毎に面方向及び厚さ方向に
一定である。
シャル層）の受光面（ｐ形層表面）には、受光面への光
の入射を促進し光電変換効率を高めるために反射防止膜
が形成されている。図８は半導体層６の受光面６ａに単
層の反射防止膜７を形成した場合、図９は屈折率の互い
に異なる二つの層８，７を順次積層してなる反射防止膜
９を形成した場合である。これらは真空蒸着、スパッタ
リングあるいはＣＶＤなどの方法で形成されるものであ
り、各層７，８の屈折率は層毎に面方向及び厚さ方向に
一定である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、単層構造の
反射防止膜の場合、太陽電池の半導体層６の受光面６
ａ、反射防止膜７及びその入射面７ａと接する媒質の屈
折率をそれぞれｎs ，ｎ1，ｎ0 とし、反射防止膜７の
厚さをｄ1 、光の波長をλとすると（図９（ａ）参
照）、ｎ1 2 ＝ｎ0 ｎs およびｎ1 ｄ1 ＝λ／４の関係
が成り立つときに波長λの光に対する反射率が最小とな
る。また、二層構造の反射防止膜の場合、層８の屈折率
をｎ2 、厚さをｄ2 とすると（図９（ｂ）参照）、ｎ1
2 ｎs ＝ｎ2 2 ｎ0 およびｎ1 ｄ1 ＝ｎ2 ｄ2 ＝λ／４
の関係が成り立つときに波長λの光に対する反射率が最
小となる。
反射防止膜の場合、太陽電池の半導体層６の受光面６
ａ、反射防止膜７及びその入射面７ａと接する媒質の屈
折率をそれぞれｎs ，ｎ1，ｎ0 とし、反射防止膜７の
厚さをｄ1 、光の波長をλとすると（図９（ａ）参
照）、ｎ1 2 ＝ｎ0 ｎs およびｎ1 ｄ1 ＝λ／４の関係
が成り立つときに波長λの光に対する反射率が最小とな
る。また、二層構造の反射防止膜の場合、層８の屈折率
をｎ2 、厚さをｄ2 とすると（図９（ｂ）参照）、ｎ1
2 ｎs ＝ｎ2 2 ｎ0 およびｎ1 ｄ1 ＝ｎ2 ｄ2 ＝λ／４
の関係が成り立つときに波長λの光に対する反射率が最
小となる。
【０００４】しかしながら、これらの関係を考慮して太
陽電池の受光面に反射防止膜を形成しても、極限られた
波長域の光に対してのみ反射防止効果が得られるだけで
ある。図１０は太陽電池表面の反射率Ｒを単層反射防止
の場合と二層反射防止膜の場合について測定した結果を
示すものである。同図からわかるように、反射防止膜を
形成しても 300〜900nm の波長域全域で反射率が大きく
低減するわけではなく、単層反射防止膜の場合 600nm付
近で反射率が最低となるが、それよりも長波長あるいは
単波長になるに従って反射率が増大している。また二層
構造の場合、450nm 付近〜 750nm付近において反射率の
低減が見られるが、それ以外の波長域では反射率が増大
している。
陽電池の受光面に反射防止膜を形成しても、極限られた
波長域の光に対してのみ反射防止効果が得られるだけで
ある。図１０は太陽電池表面の反射率Ｒを単層反射防止
の場合と二層反射防止膜の場合について測定した結果を
示すものである。同図からわかるように、反射防止膜を
形成しても 300〜900nm の波長域全域で反射率が大きく
低減するわけではなく、単層反射防止膜の場合 600nm付
近で反射率が最低となるが、それよりも長波長あるいは
単波長になるに従って反射率が増大している。また二層
構造の場合、450nm 付近〜 750nm付近において反射率の
低減が見られるが、それ以外の波長域では反射率が増大
している。
【０００５】本発明は前記した従来技術の欠点を解消す
べく創案されたものであり、その目的は太陽電池の受光
面に形成される反射防止膜の特性を改善し、高効率の太
陽電池を実現することにある。
べく創案されたものであり、その目的は太陽電池の受光
面に形成される反射防止膜の特性を改善し、高効率の太
陽電池を実現することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の太陽電池は、半導体層の受光面に反射防止膜
を形成してなる太陽電池を前提とし、上記反射防止膜の
屈折率をその光入射面から上記半導体層との界面にかけ
て膜厚方向に連続的に増大させたことを特徴とする。
に本発明の太陽電池は、半導体層の受光面に反射防止膜
を形成してなる太陽電池を前提とし、上記反射防止膜の
屈折率をその光入射面から上記半導体層との界面にかけ
て膜厚方向に連続的に増大させたことを特徴とする。
【０００７】本発明の太陽電池において、上記反射防止
膜と半導体層との界面での屈折率差は 0.5以内であるこ
とが望ましく、上記反射防止膜の光入射面の屈折率は
1.3〜1.6 であることが望ましい。
膜と半導体層との界面での屈折率差は 0.5以内であるこ
とが望ましく、上記反射防止膜の光入射面の屈折率は
1.3〜1.6 であることが望ましい。
【０００８】また、上記反射防止膜は、屈折率を膜厚方
向に連続的に変化させた複数の層を積層して形成しても
よい。その場合、反射防止膜の各層間の界面での屈折率
差は0.3以下であることが望ましい。
向に連続的に変化させた複数の層を積層して形成しても
よい。その場合、反射防止膜の各層間の界面での屈折率
差は0.3以下であることが望ましい。
【０００９】
【作用】本発明の太陽電池によれば、反射防止膜の屈折
率をその光入射面から半導体層との界面にかけて膜厚方
向に連続的に増大させたことにより、反射防止膜とその
光入射面に接する媒質との界面及び半導体層と反射防止
膜との界面における屈折率差を小さく抑えることができ
る。これにより、反射防止膜の光入射面での反射が抑え
られ、反射防止膜中に入射した光は膜内部で反射するこ
となく屈折率のより大きい側すなわち半導体層側へ導か
れ、半導体層との界面で反射することなく受光面である
半導体層表面に達する。したがって、広い波長域で反射
率を大幅に低減することができる。
率をその光入射面から半導体層との界面にかけて膜厚方
向に連続的に増大させたことにより、反射防止膜とその
光入射面に接する媒質との界面及び半導体層と反射防止
膜との界面における屈折率差を小さく抑えることができ
る。これにより、反射防止膜の光入射面での反射が抑え
られ、反射防止膜中に入射した光は膜内部で反射するこ
となく屈折率のより大きい側すなわち半導体層側へ導か
れ、半導体層との界面で反射することなく受光面である
半導体層表面に達する。したがって、広い波長域で反射
率を大幅に低減することができる。
【００１０】上記反射防止膜と上記半導体層との界面で
の屈折率差を 0.5以下、上記反射防止膜の光入射面の屈
折率を 1.3〜1.6 とすることにより、各界面での光の反
射をより確実に防止できる。
の屈折率差を 0.5以下、上記反射防止膜の光入射面の屈
折率を 1.3〜1.6 とすることにより、各界面での光の反
射をより確実に防止できる。
【００１１】また、複数の層を積層して反射防止膜とす
ることにより、任意の屈折率分布を有する反射防止膜を
容易に形成することができ、その場合各層間の界面での
屈折率差を 0.3以下とすることにより、膜内部での光の
反射を防ぐことができる。
ることにより、任意の屈折率分布を有する反射防止膜を
容易に形成することができ、その場合各層間の界面での
屈折率差を 0.3以下とすることにより、膜内部での光の
反射を防ぐことができる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。
【００１３】図１（ａ）に示す太陽電池１は、半導体層
の表面層をＡｌＧａＡｓ層２（屈折率3.5 ）とし、その
表面（受光面２ａ）にＴｉＯ2 層３を形成した後更にＳ
ｉＯＮ層４を積層して二層構造の反射防止膜５を形成し
たものである。反射防止膜５の各層３，４はスパッタリ
ング法によって層厚を厳密に制御して形成される。この
場合各層３，４の層厚は 100nmである。スパッタリング
法では原料物質と共に導入するガスの種類・圧力を変え
ることにより厚さ方向の屈折率を制御することができ
る。そこで、ＴｉＯ2 層３は、導入ガスをＡｒとＯ2 と
の混合ガスとし、Ｏ2 の分圧を変化させることによっ
て、屈折率を 3.3から2.4 まで変化させた。また、Ｓｉ
ＯＮ層４は、導入ガスをＡｒとＮ2 との混合ガスからＡ
ｒとＯ2 との混合ガスに連続的に変化させることによっ
て、屈折率を 2.3から 1.4まで変化させた。図１（ｂ）
はこの場合の膜厚方向の屈折率分布を示したものであ
る。ＴｉＯ2 層３と半導体層２との界面における屈折率
差は0.2 、ＴｉＯ2 層３とＳｉＯＮ層４との界面におけ
る屈折率差は 0.1、ＳｉＯＮ層４とこの場合の入射側の
媒質である空気との屈折率差は 0.4に抑えられている。
の表面層をＡｌＧａＡｓ層２（屈折率3.5 ）とし、その
表面（受光面２ａ）にＴｉＯ2 層３を形成した後更にＳ
ｉＯＮ層４を積層して二層構造の反射防止膜５を形成し
たものである。反射防止膜５の各層３，４はスパッタリ
ング法によって層厚を厳密に制御して形成される。この
場合各層３，４の層厚は 100nmである。スパッタリング
法では原料物質と共に導入するガスの種類・圧力を変え
ることにより厚さ方向の屈折率を制御することができ
る。そこで、ＴｉＯ2 層３は、導入ガスをＡｒとＯ2 と
の混合ガスとし、Ｏ2 の分圧を変化させることによっ
て、屈折率を 3.3から2.4 まで変化させた。また、Ｓｉ
ＯＮ層４は、導入ガスをＡｒとＮ2 との混合ガスからＡ
ｒとＯ2 との混合ガスに連続的に変化させることによっ
て、屈折率を 2.3から 1.4まで変化させた。図１（ｂ）
はこの場合の膜厚方向の屈折率分布を示したものであ
る。ＴｉＯ2 層３と半導体層２との界面における屈折率
差は0.2 、ＴｉＯ2 層３とＳｉＯＮ層４との界面におけ
る屈折率差は 0.1、ＳｉＯＮ層４とこの場合の入射側の
媒質である空気との屈折率差は 0.4に抑えられている。
【００１４】次に、本実施例の太陽電池１に対して行っ
た反射率Ｒの測定結果を図２に示す。この測定結果か
ら、上記反射防止膜５を形成したことによって広い波長
域に亙り反射率Ｒが低く抑えられていることがわかる。
このように反射率Ｒを低くできることにより、太陽電池
１の変換効率を著しく向上できる。例えば、反射防止膜
が無い状態での変換効率が 18%のＧａＡｓ太陽電池の受
光面に屈折率が均一な従来の反射防止膜を形成した場
合、Ｓｉ3 Ｎ4 のみの単層の反射防止膜（図７の構造）
で21% 、ＭｇＦ2 層とＺｎＳ層とからなる二層構造の反
射防止膜（図８の構造）で23.5% であったものが、本実
施例の反射防止膜５を形成することによって効率が24.9
に向上した（図３参照）。
た反射率Ｒの測定結果を図２に示す。この測定結果か
ら、上記反射防止膜５を形成したことによって広い波長
域に亙り反射率Ｒが低く抑えられていることがわかる。
このように反射率Ｒを低くできることにより、太陽電池
１の変換効率を著しく向上できる。例えば、反射防止膜
が無い状態での変換効率が 18%のＧａＡｓ太陽電池の受
光面に屈折率が均一な従来の反射防止膜を形成した場
合、Ｓｉ3 Ｎ4 のみの単層の反射防止膜（図７の構造）
で21% 、ＭｇＦ2 層とＺｎＳ層とからなる二層構造の反
射防止膜（図８の構造）で23.5% であったものが、本実
施例の反射防止膜５を形成することによって効率が24.9
に向上した（図３参照）。
【００１５】ここで反射防止膜５のＴｉＯ2 層３と半導
体層２との界面における屈折率差を0.5以上とすると、
図４に示すように波長400 nmの光に対する反射率が増大
する。また、反射防止膜５の光入射面５ａすなわち上記
ＳｉＯＮ層４の表面の屈折率が 1.6以上であると、図５
に示すように波長400 nmの光に対する反射率が増大す
る。また、ＴｉＯ2 層３とＳｉＯＮ層４との界面におけ
る屈折率差が 0.3以上であると、図６に示すように波長
600nmの光に対する反射率が増大する。
体層２との界面における屈折率差を0.5以上とすると、
図４に示すように波長400 nmの光に対する反射率が増大
する。また、反射防止膜５の光入射面５ａすなわち上記
ＳｉＯＮ層４の表面の屈折率が 1.6以上であると、図５
に示すように波長400 nmの光に対する反射率が増大す
る。また、ＴｉＯ2 層３とＳｉＯＮ層４との界面におけ
る屈折率差が 0.3以上であると、図６に示すように波長
600nmの光に対する反射率が増大する。
【００１６】なお、本発明の太陽電池は上記実施例に限
定されるものではなく、半導体層の表面層はＩｎＰなど
他の半導体でもよい。また、ＴｉＯ2 の代わりにＣｅＯ
2 を用いてもよい。また、上記ＳｉＯＮ層４の代わりに
ＴｉＯ2 層３上にＳｉ3 Ｎ4 層とＳｉＯ2 層とを積層形
成してもよい。また、これらの層の上に更にＭｇＦ2 な
どの膜を形成してもよい。また、以上のようにして形成
された反射防止膜の表面を屈折率が1.4 程度の樹脂で被
覆してもよい。
定されるものではなく、半導体層の表面層はＩｎＰなど
他の半導体でもよい。また、ＴｉＯ2 の代わりにＣｅＯ
2 を用いてもよい。また、上記ＳｉＯＮ層４の代わりに
ＴｉＯ2 層３上にＳｉ3 Ｎ4 層とＳｉＯ2 層とを積層形
成してもよい。また、これらの層の上に更にＭｇＦ2 な
どの膜を形成してもよい。また、以上のようにして形成
された反射防止膜の表面を屈折率が1.4 程度の樹脂で被
覆してもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上要するに、本発明の太陽電池によれ
ば以下のごとき優れた効果を発揮できる。
ば以下のごとき優れた効果を発揮できる。
【００１８】（１）請求項１記載の発明によれば、反射
防止膜の屈折率をその光入射面から半導体層との界面に
かけて膜厚方向に連続的に増大させたことにより、反射
防止膜とその光入射面に接する媒質との界面及び半導体
層と反射防止膜との界面における屈折率差を小さく抑え
ることができる。これにより広い波長域で反射率を大幅
に低減し、変換効率を大幅に向上できる。
防止膜の屈折率をその光入射面から半導体層との界面に
かけて膜厚方向に連続的に増大させたことにより、反射
防止膜とその光入射面に接する媒質との界面及び半導体
層と反射防止膜との界面における屈折率差を小さく抑え
ることができる。これにより広い波長域で反射率を大幅
に低減し、変換効率を大幅に向上できる。
【００１９】（２）請求項２記載の発明によれば、反射
防止膜と半導体層との界面での屈折率差を 0.5以下とす
ることにより、この界面での光の反射を防ぎ、上記
（１）項の場合より更に変換効率を向上できる。
防止膜と半導体層との界面での屈折率差を 0.5以下とす
ることにより、この界面での光の反射を防ぎ、上記
（１）項の場合より更に変換効率を向上できる。
【００２０】（３）請求項３記載の発明によれば、反射
防止膜の光入射面の屈折率を1.3 〜1.6 とすることによ
り、この光入射面に接する媒体との界面での光の反射を
防ぎ、上記（１）項の場合より更に変換効率を向上でき
る。
防止膜の光入射面の屈折率を1.3 〜1.6 とすることによ
り、この光入射面に接する媒体との界面での光の反射を
防ぎ、上記（１）項の場合より更に変換効率を向上でき
る。
【００２１】（４）請求項４記載の発明によれば、屈折
率を膜厚方向に連続的に変化させた複数の層を積層して
反射防止膜とすることにより、スパッタリング法などに
より任意の屈折率分布を有する反射防止膜を容易に形成
できる。
率を膜厚方向に連続的に変化させた複数の層を積層して
反射防止膜とすることにより、スパッタリング法などに
より任意の屈折率分布を有する反射防止膜を容易に形成
できる。
【００２２】（５）請求項５記載の発明によれば、反射
防止膜の各層間の界面での屈折率差を0.3以下とするこ
とにより、反射防止膜の内部における反射を防止し、変
換効率を防止できる。
防止膜の各層間の界面での屈折率差を0.3以下とするこ
とにより、反射防止膜の内部における反射を防止し、変
換効率を防止できる。
【図１】本発明の太陽電池の一実施例を示す図であり、
（ａ）は太陽電池の反射防止膜が形成された部分の概略
図、（ｂ）は膜厚方向の屈折率分布を示すグラフであ
る。
（ａ）は太陽電池の反射防止膜が形成された部分の概略
図、（ｂ）は膜厚方向の屈折率分布を示すグラフであ
る。
【図２】図１の太陽電池における反射率の測定結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】反射防止膜の種類による太陽電池の変換効率の
違いを示すグラフである。
違いを示すグラフである。
【図４】屈折率差と反射率との関係を示すグラフであ
る。
る。
【図５】屈折率と反射率との関係を示すグラフである。
【図６】屈折率と反射率との関係を示すグラフである。
【図７】従来の太陽電池の単層反射防止膜が形成された
部分の概略図である。
部分の概略図である。
【図８】従来の太陽電池の二層反射防止膜が形成された
部分の概略図である。
部分の概略図である。
【図９】反射率算出方法を説明するための図であり、
（ａ）は単層反射防止膜の場合、（ｂ）は二層反射防止
膜の場合である。
（ａ）は単層反射防止膜の場合、（ｂ）は二層反射防止
膜の場合である。
【図１０】従来の単層及び二層反射防止膜が形成された
太陽電池表面の反射率を示すグラフである。
太陽電池表面の反射率を示すグラフである。
１ 太陽電池 ２ 半導体層（ＡｌＧａＡｓ層） ２ａ 受光面２ａ ３ ＴｉＯ2 層 ４ ＳｉＯＮ層 ５ 反射防止膜 ５ａ 光入射面
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体層の受光面に反射防止膜を形成し
てなる太陽電池において、上記反射防止膜の屈折率をそ
の光入射面から上記半導体層との界面にかけて膜厚方向
に連続的に増大させてなることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 上記反射防止膜と上記半導体層との界面
での屈折率差が 0.5以下である請求項１記載の太陽電
池。 - 【請求項３】 上記反射防止膜の光入射面の屈折率が
1.3〜1.6 である請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項４】 上記反射防止膜が屈折率を厚さ方向に連
続的に変化させた複数の層を積層してなる請求項１乃至
３のいずれかに記載の太陽電池。 - 【請求項５】 上記反射防止膜の各層間の界面での屈折
率差が 0.3以下である請求項４記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6025273A JPH07235684A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6025273A JPH07235684A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235684A true JPH07235684A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12161429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6025273A Pending JPH07235684A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235684A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333637B1 (ko) * | 2000-06-10 | 2002-04-22 | 오길록 | 루타일 산화티타늄 슬러리를 이용한 나노입자 루타일산화티타늄 필름 형성 방법 및 염료감응 나노입자 루타일산화티타늄 태양전지 제조 방법 |
| JP2005268643A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| WO2007136000A1 (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Alps Electric Co., Ltd. | 発光装置およびその製造方法 |
| KR100900443B1 (ko) * | 2006-11-20 | 2009-06-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그의 제조방법 |
| CN101814560A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-08-25 | 涂爱国 | 一种光电器件用光学介质、发光器件和太阳能电池 |
| US20110146768A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating |
| JP2012510723A (ja) * | 2008-12-03 | 2012-05-10 | サン−ゴバン グラス フランス | 層状素子およびその層状素子を含む光起電力デバイス |
| JP2012089629A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2012114223A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス及び基板処理装置 |
| WO2013121817A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | シャープ株式会社 | 集積型光電変換装置、その製造方法および太陽電池 |
| US8552443B2 (en) | 2009-02-20 | 2013-10-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
| WO2014018122A1 (en) * | 2012-03-21 | 2014-01-30 | Dow Corning Corporation | Method of forming a light emitting diode module |
| JP2014067831A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Honda Motor Co Ltd | 微細光電変換素子 |
| JP2014110405A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 表面電極付透明導電ガラス基板及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2015202023A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-12 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池複合型表示体 |
| KR20170024124A (ko) | 2011-02-10 | 2017-03-06 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 태양 전지용 투명막 형성용 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| US9985146B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion device, and solar cell |
| JP2023040981A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
| WO2023148839A1 (ja) * | 2022-02-02 | 2023-08-10 | 株式会社京都セミコンダクター | 光半導体素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192085A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-26 | Toshiba Corp | Solar cell and manufacture thereof |
| JPS60208813A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置とその製造方法 |
| JPS6371801A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 反射防止膜 |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP6025273A patent/JPH07235684A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192085A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-26 | Toshiba Corp | Solar cell and manufacture thereof |
| JPS60208813A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置とその製造方法 |
| JPS6371801A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 反射防止膜 |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333637B1 (ko) * | 2000-06-10 | 2002-04-22 | 오길록 | 루타일 산화티타늄 슬러리를 이용한 나노입자 루타일산화티타늄 필름 형성 방법 및 염료감응 나노입자 루타일산화티타늄 태양전지 제조 방법 |
| JP2005268643A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| WO2007136000A1 (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Alps Electric Co., Ltd. | 発光装置およびその製造方法 |
| KR100900443B1 (ko) * | 2006-11-20 | 2009-06-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그의 제조방법 |
| TWI398004B (zh) * | 2006-11-20 | 2013-06-01 | Lg Electronics Inc | 太陽能電池及其製備方法 |
| JP2012510723A (ja) * | 2008-12-03 | 2012-05-10 | サン−ゴバン グラス フランス | 層状素子およびその層状素子を含む光起電力デバイス |
| US8552443B2 (en) | 2009-02-20 | 2013-10-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
| CN101814560A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-08-25 | 涂爱国 | 一种光电器件用光学介质、发光器件和太阳能电池 |
| US20110146768A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating |
| JP2012089629A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2012114223A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス及び基板処理装置 |
| KR20170024124A (ko) | 2011-02-10 | 2017-03-06 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 태양 전지용 투명막 형성용 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| WO2013121817A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | シャープ株式会社 | 集積型光電変換装置、その製造方法および太陽電池 |
| WO2014018122A1 (en) * | 2012-03-21 | 2014-01-30 | Dow Corning Corporation | Method of forming a light emitting diode module |
| JP2014067831A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Honda Motor Co Ltd | 微細光電変換素子 |
| JP2014110405A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 表面電極付透明導電ガラス基板及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| WO2014087741A1 (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 表面電極付透明導電ガラス基板及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2015202023A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-12 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池複合型表示体 |
| US9985146B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion device, and solar cell |
| JP2023040981A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
| US11784266B2 (en) | 2021-09-10 | 2023-10-10 | Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd. | Solar cell, method for preparing same and solar cell module |
| WO2023148839A1 (ja) * | 2022-02-02 | 2023-08-10 | 株式会社京都セミコンダクター | 光半導体素子 |
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