JP2013540090A - 高効率かつ低コストの結晶珪素太陽電池セルのための方法、プロセス、及び製造技術 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 288
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 150
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 75
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 708
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 688
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 281
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 267
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 205
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 183
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 168
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 168
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 165
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 151
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 112
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 67
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 60
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 51
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 42
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 26
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 24
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 6
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 101100396546 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) tif-6 gene Proteins 0.000 claims 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 claims 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 64
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 44
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 522
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 37
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 34
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 29
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 27
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 23
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910021425 protocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 17
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 12
- -1 pyridine compound Chemical class 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 8
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 5
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 3
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- POKOASTYJWUQJG-UHFFFAOYSA-M 1-butylpyridin-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+]1=CC=CC=C1 POKOASTYJWUQJG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RZCJSVRGPHXBSM-UHFFFAOYSA-N 8-chloro-[1,3]dioxolo[4,5-g]quinazoline Chemical compound C1=C2C(Cl)=NC=NC2=CC2=C1OCO2 RZCJSVRGPHXBSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000167857 Bourreria Species 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001112258 Moca Species 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 2
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 239000002815 homogeneous catalyst Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 2
- BIZCJSDBWZTASZ-UHFFFAOYSA-N iodine pentoxide Inorganic materials O=I(=O)OI(=O)=O BIZCJSDBWZTASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(azetidin-3-yloxy)-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(OC2CNC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethoxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCC WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017982 Ag—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000993059 Homo sapiens Hereditary hemochromatosis protein Proteins 0.000 description 1
- 101000640743 Ralstonia solanacearum (strain GMI1000) Tryptophan 2,3-dioxygenase 2 Proteins 0.000 description 1
- 229910020216 SiOx-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000011874 heated mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006464 oxidative addition reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000004801 process automation Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000006894 reductive elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000009662 stress testing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 230000009772 tissue formation Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
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Abstract
【選択図】図2
Description
本出願は、“Method,Process And Fabrication Technology For High‐Efficiency Low‐Cost Crystalline Silicon Solar Cells”という名称で2010年9月16日に出願された米国仮特許出願第61/383,435号の米国特許法第119条(e)項に基づく優先権を主張するものであり、この文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本明細書に記載の発明の発明日の時点で当業者に周知の技術レベルについて、より完全に記載するため、本明細書で引用するすべての特許、特許出願、及び刊行物は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
H2SiF6+2H2O←→6HF+SiO2
“Room Temperature Wet Chemical Growth Process of SiO Based Oxides on Silicon(珪素上のSiO系酸化物の室温湿式化学成長プロセス)”という名称の米国特許第6080683号、及び“Method of Making Thin Films Dielectrics Using a Process for Room Temperature Wet Chemical Growth of SiO Based Oxides on a Substrate(基板上のSiO系酸化物の室温湿式化学成長のためのプロセスを用いて薄膜誘電体を作製する方法)”という名称の米国特許第6593077号は、半導体基板上でのSiOxのRTWCGの方法及びプロセスについて記載しており、これは、以下を含むものである。
i. 珪素源、ピリジン化合物、及び還元酸化水溶液からなる反応混合物を調製すること;
ii. 反応を促進する触媒;
iii.混合物を基板と反応させて、酸化珪素層を形成すること。
反射防止コーティング(ARC)は、反射光量を大幅に低減するために太陽電池セル設計に組み込まれる。むき出しのSiは、1.1μmの長波長の光の42%、1μmの波長の光の37%、及び0.4μmの短波長の光の約54%を失う。規則的間隔の角錐状又は多孔質珪素(PS:Porous Silicon)などの組織化(textured)表面によって、AM1.5加重平均反射率を、0.4μm〜1.2μmの波長範囲で12〜18%まで低減することができる。
現状では、スクリーン印刷珪素太陽電池セルは、40〜60Ω/sq程度のシート抵抗、及び2×1020cm-3より大きい表面ドーピング濃度を持つように拡散されたn+/pエミッタを利用している。高濃度表面ドーピングと低シート抵抗は、1μΩ‐cm2程度の許容接触抵抗を達成するためだけではなく、接合の短絡と空間電荷領域における再結合を低く抑えるためにも必要とされる。しかし、このタイプのエミッタは、開放電圧が低く(高濃度表面ドーピングのエミッタにおける高い表面再結合、及びオージェ再結合)、更には、低い青色感度(高いエミッタ再結合、及び自由キャリア吸収)に起因して短絡電流が小さい。スクリーン印刷による良好な、約1.0×10-4Ω‐cm2の接触抵抗を持つコンタクト、100Ω/sqより大きいシート抵抗を持つエミッタ、及び1019cm-3程度の表面ドーピングが、高効率産業用太陽電池セルの開発における主要課題である。
a.アライメントなしで、マスキングとエッチングにより作製された選択エミッタセル。
b.マスキング又はエッチングを必要とすることなく、自己整合により作製された選択エミッタセル。
c.Agペーストの自己整合された自己ドーピングにより作製された選択エミッタセル。
(a)と(b)の手法は、一般に時間がかかり、やや高価である。(c)の手法は、SiにおけるAgの拡散性がPのそれよりも高いので、簡単ではなく、高い接合リーク電流と高い接合理想係数につながり得る。
低コストかつ高効率の太陽電池セルは、太陽光発電(PV:PhotoVoltaic)システムが大規模に受け入れられる鍵となる。新たな材料及び処理工程技術により再設計された小面積太陽電池セルによって、数多くの実験室セル構成が作製された結果、セル効率は20%を超えた。最初はソーラーカーなどのニッチ市場で採用された2つの小面積の実験室規模アプローチは、背面局所拡散・不活性化エミッタ(PERL:Passivated Emitter with Rear Locally diffused)セルと、交差指型背面接触(IBC:Interdigitated Back Contact)セルである。これら及び他の実験室セル設計は、これまで、c‐Si太陽電池セルの効率を押し上げてきたが、これらのセル設計はいずれも、低コストのソーラーグレード珪素基板を使用しておらず、また、それらのうちほんの少数のみが、スクリーン印刷メタライゼーションなど、低コストの製作技術の処理工程を用いている。
i. メタライズ表面を含むセル表面をその場化学洗浄することにより、それらを相互接続できるようにする。
ii. エミッタの表面を不活性化すると共に、平面エミッタ表面に成長させた場合に10%未満のAM1.5加重平均反射率(AWR)を持つ勾配屈折率SiOx ARC。
iii. 非メタライズ・エミッタ表面を制御可能にエッチングバックすることにより生成される極めて効果的なSE。
・ 拡散前の切断損傷の除去及び洗浄。
・ キンク・アンド・テイル型正味多数キャリア濃度拡散プロファイルによるリンの拡散であって、好ましくはセルエッジの高濃度の拡散を防ぐために機械的又は他のタイプの周縁マスキングを用いる。
・ 表面コンタクト及び裏面コンタクトの標準的なスクリーン印刷、及び一段階工程による通常の表面コンタクト及び裏面コンタクトのアニーリング。
i. むき出しの太陽電池セルの珪素及びメタライゼーション表面を洗浄する。
ii. n+/p及びp+/n、又は高効率化拡散n+/p/p+又はp+/n/n+構造のエッジ・アイソレーションを実施することができる。
iii.非メタライズ・セル表面上で、珪素基板のタイプに応じて5%〜9%のAM1.5 AWRを持つ勾配屈折率SiOx ARCを成長させる。
iv. オプションである、その場TOフィーチャによって、AM1.5 AWRを更に3%まで低減することができる。
v. 大量かつ低コストの生産に適合する、優れた品質のSEを形成する。
vi. >200nm/minの比較的高い成長速度のRTWCG SiOx溶液で得られるSiOx膜によって、ARC/SEフィーチャと同時にTOフィーチャを生成することができる。<50nm/minのより低い成長速度のRTWCG SiOx溶液で得られるSiOx膜の場合は、0.5%〜2%のHF(aq)で、10〜20秒の追加のエッチング工程が必要となり得る。
図2に従ったデバイス製造の前に、珪素基板表面200が下処理される。拡散によりエミッタを形成する前の、珪素(Si)半導体ウェハの表面処理は、当技術分野では周知であり、通常は単なるウェハ洗浄を指す。半導体分野で使用される表面洗浄技術は、従来の太陽電池セル製造技術にも適用されるものであって、特に多くの高効率珪素太陽電池セル技術に適用されるものであり、それらは通常、ラインの前工程(FEOL:Front‐End Of Line)、ラインの拡散後工程(DEOL:Diffusion‐End Of Line)、ラインのメタライゼーション後工程(MEOL:Metallization‐End Of Line)、ラインの後工程(BEOL:Back‐End Of Line)、の4つのグループに分けられる。
1. MoPiranha溶液[2部分の98%H2SO4:1部分の30%H2O2:20部分のH2O]中で、50℃〜60℃で3〜5分間、洗浄する。
2. 超高純度水(UHPW)でリンスする。
3. 0.5%HF(aq)中で1分間、洗浄する。
4. UHPWでリンスする。
5. MoRCAのSC‐1溶液[3部分のNH4OH:1部分のH2O2:25部分のH2O]中で、50℃〜60℃で3〜5分間、洗浄する。
6. 2回、UHPWでリンスする。
7. 0.5%HF(aq)中で30秒間、洗浄する。
8. UHPWでリンスする。
9. MoRCAのSC‐2溶液[25部分の0.05モル/リットルHCl:1部分のH2O2]中で、50℃〜60℃で3〜5分間、洗浄する。
10.UHPWでリンスする。
11.0.5%HF(aq)中で30秒間、洗浄する。
12.UHPWでリンスする。
13.N2で乾燥する。
図2Aに示すように、表面処理された珪素ベース200上に、最初にエミッタ層210を堆積させる。
結晶珪素太陽電池セル処理で使用されるウェハは、通常ホウ素ドープされたものであるが、当技術分野でよく理解されているように任意のp型基板を用いることが可能であり、一般に、n型接合がp型基板内に拡散される。標準的なn型ドーピングは、通常、市販のリン源を用いて行われる。当技術分野でよく理解されているように、他の一般的なn型ドーパントを使用することもできる。リン源にかかわらず、リンは、望ましいウェハ表面に拡散するだけではなく、エッジ及び裏面でも拡散する。これによって、太陽電池セルの前面と裏面との間にシャントパスが形成される。このような理由で、プラズマエッチング及びレーザカットを含む様々なエッジ・アイソレーション技術が考案されている。標準的技法として、エッジ接合アイソレーション又はウェハエッジ周辺のパスの除去は、通常、セルの「コインスタッキング」によって行われる。スタックされたセルが、プラズマエッチング室内に配置されて、露出したエッジが除去される。
次に、図2Bに示すように、メタライゼーションによる裏面コンタクト230及び表面グリッドライン220が、デバイスに施される。
表面及び裏面のスクリーン印刷メタライゼーションに続いて、追加の表面処理を施すことなく、RTWCG溶液によって、図2Cに示すように、セルの非メタライズ表面上にRTWCG SiOx薄膜250を成長させる。この方法は、いくつかの機能を果たすSiOx層を調製するために用いることができる。
i. c‐Si及びmc‐Siのような様々な結晶珪素基板;
ii. アモルファス珪素基板;
iii.限定するものではないが、GaAsのようなIII‐V族化合物半導体、及びI‐II‐VI族半導体を含む、半導体基板。
I. SiOx成長溶液の成分を選択する。
II. SiOx成長制御を選択する。
III. 組成、SiOx化学組成、及び不純物の制御。
IV. 様々なサイズの多数の結晶珪素太陽電池セルで、RTWCG SiOx溶液を試験する。
V. 様々なメタライゼーション法で、RTWCG SiOx溶液を試験する。
VI. RTWCG SiOx溶液の、フォトレジストとの適合性を試験する。
VII. 以下のものを使用して、RTWCG SiOxの均一性及び共形性を試験する。
i. 高分解能ノマルスキ顕微鏡;
ii. 走査型電子顕微鏡(SEM);
iii.透過電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscopy);
iv. 原子間力顕微鏡(AFM)。
VIII.以下のものを使用して、RTWCG SiOxの化学組成、及びSiOx膜の種々の成分の原子濃度を試験する。
i. エネルギー分散型X線分析(EDAX:Energy‐Dispersive Analysis X‐ray);
ii. X線光電子分光法(XPS)による検査及び深さプロファイル;
iii.オージェ電子分光法(AES)による深さプロファイル;
iv. 2次イオン質量分析(SIMS)による深さプロファイル;
v. 全反射蛍光X線分析(TXRF:Total reflection X‐Ray Fluorescence)による深さプロファイル;
vi. フーリエ変換赤外分光法(FTIR:Fourier Transform InFrared)による深さプロファイル。
IX. SiOx膜表面の気相分解(VPD:Vapor Phase Decomposition)。
X. 以下のものを使用して、SiOx厚を測定した。
i. エリプソメトリ;
ii. Dektak表面形状測定器;
iii.SiOx膜側面のSEM像。
XI. 以下のものを使用して、RTWCG SiOx膜の、波長の関数としての屈折率及び吸光係数を含む光学特性を試験する。
i. 高分解能エリプソメトリ;
ii. 紫外/可視分光光度法による波長の関数としての反射率のプロット;
iii.SiOx膜のSEM断面像。
XII. 最新のI‐V/C‐Vケースレー(Keithley)プロッタを使用した、−100V〜+100Vの印加電圧の関数としてのI‐V及びC‐Vプロット、そして、以下のものを含む関心のある電気データを抽出する。
i. リーク電流;
ii. 降伏電圧;
iii.静的誘電率;
iv. 様々なSiOxコーティング・珪素基板上に作製されたAl(Au)/as‐grown RTWCG SiOx/Si/Au‐Ti‐Ag 小ゲート面積MOSキャパシタにおける可動電荷密度であって、限定するものではないが、乾熱、強い近紫外線、強いプラズマを含む様々な環境にMOSキャパシタをさらす前と後の可動電荷密度;
v. 以下のものについての、暗状態と光照射時のI‐V特性、及びIsc、Voc、FF、Pmax、Rs、Rsh:
i. 小面積及び大面積の単結晶(c‐Si)RTWCG SiOx ARC/SE太陽電池セル;
ii. 小面積及び大面積の多結晶(mc‐Si)RTWCG SiOx ARC/SE/(TO)太陽電池セル;
iii.スクリーン印刷コンタクトを備える、従来のn+/p Siホモ接合珪素太陽電池セル;
iv. 限定するものではないが、以下のものを含む、特殊なセル設計:
a) 全裏面コンタクトのセル;
b) 球状太陽電池セル;
c) 垂直多接合(VMJ)セル。
XIII.むき出しのセル、対、同じセルのRTWCG SiOx ARC/SE/(TO)プロセス後の性能データ。
XIV. RTWCG SiOx ARC/SE/(TO)太陽電池セルを様々な環境にさらした後の性能データ。
XV. 内部量子効率及び外部量子効率のプロット。
i. メタライゼーションを含むセル表面を、その場洗浄し、
ii. 優れた品質のエッジ・アイソレーションを形成する可能性があり、
iii.低反射率SiOx ARCを生成し、
iv. 表面のAg系コンタクト及び裏面のAlコンタクトを含むセル表面を不活性化し、
v. 優れた品質の選択エミッタ(SE)を形成し、
vi. 組織化SiOx(TO)表面を形成する。
i. 珪素及びメタライゼーション表面を、その場洗浄し、
ii. 生産用n+p Si基板上でのAM1.5加重平均反射率(AWR)が5%〜9%であり、最適化されたRTWCG SiOx ARC/TOセル構造上でのAM1.5 AWRが3%〜5%である勾配屈折率SiOx反射防止コーティング(ARC)を成長させ、
iii.SiOxによって、SiOx/エミッタ界面でダングリングボンドを極めて良好に不活性化し、
iv. 本明細書に記載のマスクを用いた拡散を利用することで、良好なエッジ・アイソレーションを形成し、
v. 標準的なスクリーン印刷メタライゼーションをマスクとして用いて、エミッタの活性領域のみをエッチングバックすることで、大規模な低コスト生産に適合する優れた品質のSEを生成し、
vi. 光学的損失の更なる低減が可能な、オプションの組織化SiOx表面を生成する。
希釈化学を利用する超低コストのRTWCG SiOx水溶液製剤は、好ましくは、製造施設においてオンサイトで作製される。これによって、H2SiF6、H2TiF6、及び他の溶液成分のコストが大幅に削減されるだけではなく、メーカによる品質管理が最大限に有効となる。
全ての試験的な小面積・高効率セルは、クリーンルーム設備で製作されるが、現状技術による太陽電池セルの多くの製造は、非クリーンルーム環境で行われる。非クリーンルーム環境は、セル表面に不純物が取り込まれることで、セルの効率にマイナスの影響を与える。最後の製造工程であるRTWCG SiOx ARC/SEプロセスでは、活性表面及びスクリーン印刷による表面グリッドラインを洗浄することにより、非クリーンルーム環境に起因する効率の損失を奪還する。また、以下の実施例でわかるように、その場洗浄によって、同じバッチ内だけではなく、バッチ間でも、効率のばらつきが低減する。
太陽電池セルの効率は、大部分、その反射率によって決まり、すなわち、太陽エネルギーを宇宙に跳ね返すことなく保持する能力によって決まる。多くの太陽電池メーカは、依然として二酸化チタン(TiOx)を単層反射防止コーティング(SLARC)として用いており、これは通常、セル上にスプレーコーティングされた後、溶媒を除去するためにベークされる。比較的低コストであるTiOx ARCの主な欠点は、AM1.5 AWRが約15%と比較的高いことである。また、TiOx膜は、表面メタライゼーションを覆うので、太陽電池モジュール製造の際にラインへのセルの相互接続を可能にするため、表面バスバーからそれを除去する必要がある。
ARC薄膜による有効な光の吸収を低減するためには、それを、300〜1200nmの波長範囲で、できる限り透明としなければならない。RTWCG SiOx ARCに比較して、従来のSLARCは、可視光の、特にスペクトルの青色領域での吸収が大きい。光の吸収は、考慮されていない場合が多いが、より厚い多層ARCの場合には、特に大きい。
この産業分野では、長い間、選択エミッタの有効性が認識されているものの、この高効率化フィーチャを実現するためのコスト効率の良い方法がなかった。優れた光学性能は重要であるので、好ましいRTWCG SiOx成長プロセスによって、極めてコスト効率が高く、優れた品質の選択エミッタを(SE)を更に作製する。
エミッタの表面組織化リングは、従来のn+/p結晶珪素太陽電池セルの設計において、表面からの光の反射を減少させることで光学的損失を低減するために、よく用いられる。表面組織化リングは、主にc‐Si太陽電池セルに用いられ、拡散前にウェハを化学的にエッチングすることにより達成される。例えば、(100)珪素基板の(111)面に沿って選択的エッチングすることで、「ランダムピラミッド」で覆われた表面が得られる。これらのピラミッドの25μmの高さ(図21(c)を参照)とすることができるピークは、拡散の後に拡散ガラスを除去する際に、折れて取れる可能性があることが、これまでの例で明らかになっている。その場合、スクリーン印刷プロセスによって、シャントパスが形成される可能性があり、これによって、シャント抵抗、フィルファクタ、及び開放電圧が大幅に低減されることがあり、これら全てによって、セル効率が著しく低減する。
幾つかのRTWCG溶液製剤の貯蔵寿命を試験した。最も長い貯蔵寿命試験は、約8年の試験であり、初期の溶液製剤について実施された。この進行中である貯蔵寿命試験では、3.785L(1ガロン)の図14にあるようなVT溶液を、密封したナルゲン容器内に保管し、上記期間中に定期的に使用して、100個を超える大面積c‐Si、mc‐Sim 及びpoly‐Si n+/p太陽電池セル上でSiOx膜を成長させた。これまでに、作製されたRTWCG SiOx ARC/SEセル構造の品質、又は結果として得られた太陽電池セル性能に、有意な変化はなかった。また、比較的最近のRTWCG成長溶液製剤の貯蔵寿命試験には、小面積n+/p太陽電池セルも使用している。比較的新しい製剤の多くについても、同じく、RTWCGセル構造又は性能に有意な変化は認められなかった。
ここで、Iはリーク電流、Vはバイアス電圧、dは試料の直径、tは膜厚である。1つの具体的な測定値のセットは、上記を参照して、I=6mA、V=100V、d=5cm、t=50nmであった。上記の式を適用して、SiOx膜はσ=1.5×10-11/Ω‐cmであったが、これは、約6×10E+10Ω‐cmの比較的低い膜抵抗率に相当する。この比較的高い導電率はFe不純物のワーストケースシナリオに関するものであるが、それにも関わらず、従来のTiOx ARC膜及び他の所謂室温スピンオン薄膜誘電体の公表値に十分匹敵する。
RTWCG SiOx ARC/SE/TO低コスト結晶珪素太陽電池セル技術は、チョクラルスキー及びフローティングゾーン単結晶(c‐Si)、キャスト多結晶(マルチ結晶)(mc‐Si)、リボン多結晶(ポリ結晶)珪素(poly‐Si)基板など、あらゆる結晶珪素基板に有効である。RTWCG SiOxプロセスは、スクリーン印刷メタライゼーションなどの既存の製造方法と良く適合し、拡散工程のみ修正が必要である。その他には、標準的な処理工程の数及び複雑さが低減される。
i. むき出しセルの表面をその場洗浄する。
ii. 低反射率かつ高透過率のSiOx膜を生成する。
iii.同時に優れた品質の選択エミッタを生成する。
iv. オプションで組織化膜表面を形成する。
i. SiOx膜上面の屈折率を制御する(図25(a),25(b)を参照)。
ii. 勾配屈折率を形成する(図9〜図15を参照)。
iii.SiOx膜上面を組織化する(図28を参照)。
ARC薄膜などの誘電体層は、Si表面にこれらを直接堆積又は成長させる場合には、その表面を良好に不活性化することが不可欠である。このことは、現状技術で一般的なARC、DLARC、又はTLARC反射防止コーティングのための当技術分野で知られているほとんどの析出技術にとって問題となる。
n+/p(P,B)セル構造の接合形成の際には、リンが、望ましい前面側ウェハ表面に拡散するだけではなく、エッジと裏面側表面にも拡散する。工業的実施では、リンシリカガラス(PSG:Phosphorus Silica Glass)を除去した後に、通常、裏面接合を除去しようとはされず、場合によっては、エッジ・アイソレーションが実施されない。この技術的影響は、裏面Alコンタクトの焼成によって軽減されるものの、限られた成果しか得られないことが多く、結果的に、裏面表面場が弱く、赤色感度が低くなることがある。
一実施例において、ホウ素含有メタライゼーションの小さなドットが裏面に形成される。そして、高速成長RTWCG SiOx:B溶液を施すことで、ホウ素含有SiOx:Bパッシベーション薄膜を裏面に成長させる。薄膜成長と同時に、RTWCG SiOx:B溶液によって、裏面とウェハエッジから、残りのPSGと、更にはn+接合のほとんどが除去される。次に、表面グリッドラインが堆積されて、裏面ドットと共に高温(800℃〜920℃)で焼結され、これにより、下層面と共に優れたオーミックコンタクトが形成され、また、非メタライズ裏面上に浅いp+接合が形成される。次に、セルは、例1にあるような高速RTWCG溶液上に、前面側を下にして浮かべられる。これによって、セルの前面側の非メタライズ部分にARコーティングSiOxパッシベーション膜と、良質のSEが形成される。最後に、Ag系バスバーと共に、Al裏面コンタクトが裏面全体に形成されて、400℃程度の低温で焼結される。
第2の実施例では、標準的なPSG除去の後に、上記のような溶液製剤を使用して、RTWCG SiOx:Bパッシベーション層を成長させる。この一段階の工程で、溶液によって、同時に、残りのPSGを除去し、裏面全体とエッジからn+拡散層をエッチングバックし、SiOx:Bパッシベーション層を成長させる。そして、Me:Bドットが裏面に、Ag系グリッドラインが前面に堆積される。次に、セルに高温(800℃〜920℃)焼結が施されることで、オーミックコンタクトが形成され、また、SiOx:B薄膜で覆われたセル裏面には浅いp+層が形成される。次に、セルの前面にRTWCG SiOx ARC/SEパッシベーション層が形成され、これは更なるエッジ・アイソレーションに役立つ。最後に、裏面全体にAlでスクリーン印刷され、バスバーが堆積され、低温(約400℃)で焼結される。
高価な高寿命フローティングゾーン(FZ)c‐Si基板を使用していることが多い現状技術の高効率太陽電池セル設計のほとんどに、RTWCG SiOx ARC/SE/(TO)プロセスを適用することが原理的には可能である。しかし、RTWCG SiOx ARC/SE/(TO)技術の本質的に経済的な高効率化フィーチャによれば、より安価なソーラーグレード・チョクラルスキー(Chockralski)(Cz)c‐Si基板、より低グレードのmc‐Si基板、又はリボンpoly‐Si基板上に、比較的高効率な両面受光型の結晶珪素太陽電池セルを作製することが可能である。
i. 低濃度にドープされたp型又はn型のc‐Si又はmc‐Si開始ウェハから表面切断損傷を除去する一方で、平滑ウェハ表面を維持する、本明細書に記載のMoPiranha及びMoRCAなどの希釈エッチャント・シーケンス;
ii. 希釈液の拡散源と、n++及びp++拡散に対してエッジを保護する手順とを用いて、好ましくはベルト炉で、ウェハの両面に同時にn++及びp++高濃度ドープ層を形成することにより、n++pp++又はp++nn++拡散構造のいずれかを生成する;
iii.希HF(aq)エッチング液による拡散ガラスの除去;
iv. 現状技術のスクリーン印刷ペーストを使用して、表面及び裏面のグリッドラインをスクリーン印刷する;
v. ベルト炉において、当技術分野で知られている、低接触抵抗を得るための温度と時間で、表面と裏面のメタライゼーションを同時焼成する;
vi. 拡散ウェハの両面にRTWCG SiOx膜を同時に成長させ、これによって、n++及びp++高濃度拡散層の非メタライズ部分の一定の厚さをエッチングバックしながら、低反射率ARCを生成し、更には、ウェハのエッジにある不要な拡散層をエッチング除去することで、従来のエッジ・アイソレーション処理工程の必要性を排除する;
vii.ステップviにおける高速SiOx成長溶液の副生成物として得られるか、又は希HF(aq)溶液を利用した別個の工程で得られるか、いずれかであるSiOx表面組織化。
i. より高い拡散温度と、より短い拡散時間によって、表面及び裏面の強い表面場が生成される。
ii. ポリッシュト裏面を持つ平滑表面によって、原理的には、組織化エミッタ表面を用いるセル設計に比して、より1に近い理想係数が得られる。
iii. メタライゼーションの下の表面濃度が、低接触抵抗を確保するのに十分に高い。
iv. より深いエミッタによって、焼成工程中にメタライゼーションが接合を短絡することが防止される。
v. 平滑エミッタ表面に組織化SiOx ARCを備えるセル設計により、従来のセル設計の組織化エミッタ表面によって生じる横方向の抵抗による大きな電力損失がないので、グリッドラインの間隔をより大きく離すことが可能となり、これによって、グリッドによる遮光損失が最小限に抑えられる。
vi. 表面及び裏面の低濃度にドープされた非メタライズ表面と、優れた表面パッシベーションとによって、再結合損失が最小限に抑えられる。
vii. RTWCG SiOx ARC/TO膜によって、AM1.5 AWRを、35%から3%という低さまで低下させることが可能である。
viii.SiOx膜における可視スペクトルの吸収が、従来のARCに比べて、特に透明性の低い2層又は3層ARC設計の場合に比べて、著しく少ない。
所謂、背面局所拡散・不活性化エミッタ(PERL:Passivated Emitter with Rear Locally diffused)セル設計は、当技術分野でよく知られている。これによって、標準AM1.5スペクトルで25%に近い記録的な高効率を有するセルが産出されている。このような高効率PERLセルのエミッタを不活性化するために、熱酸化SiO2薄膜を用いて、表面のキャリア再結合を低減させている。セルの裏面では、金属コンタクトにおいてのみ局所的に拡散させることで、良好な電気的接触を維持しながら、裏面における再結合を最小限に抑えている。
透明導電性酸化物(TCO)は、当技術分野でよく知られており、a‐Si及び他の薄膜太陽電池セルにおいて重要な役割を果たすものである。他の用途として、フラットパネル・ディスプレイ、及び他の多くのエレクトロニクス(オプトエレクトロニクス)用途がある。従来のTCO膜として、In2O3:Sn(ITO)、SnO2:F(FTO)、SnO2:Sb(ATO)、及び導電性ポリマが含まれる。低コストかつ高効率のa‐Si太陽電池セル、及び他のエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス用途には、従来のTCO膜は、以下のことから十分に適合しない。
i. 比較的高い析出温度;
ii. 比較的低い透明性;
iii.比較的高い反射率;
iv. TCO/a‐Si界面における高い欠陥密度;
v. a‐Si下層との比較的高い接触抵抗;
vi. 比較的高いコスト。
i. 室温プロセスによって、温度に敏感な基板を使用することが可能である。
ii. a‐Si下層への格子整合が向上することによる、SiOMの優れたa‐Si表面パッシベーション。
iii. SiOM TCOは、より透明性が高く、可視スペクトルで95%を超える透過率である。
iv. SiOMの勾配屈折率と、a‐Si下層への屈折率整合がより良好であることによって、10%より低いAM1.5 AWRが得られる。
v. c‐Si珪素基板上に1分未満で成長させて、その抵抗率が1E−03Ω‐cm〜1E−01Ω‐cmに調整された幾つかのSiOCu及びSiOBiのSiOM膜によって立証されているように、SiOM膜の導電率は、特定の用途に合わせて調整することが可能である。
vi. RTWCG SiOM表面は組織化が容易に可能であるため、光閉じ込めが容易に実現される。
vii. 紫外線、温度変化、湿度などの環境要因に対して、より安定性が高い。
viii.SiOM TCOインライン生産システムは、単純かつ低コストである。
i. 好ましい、プラスチック/表面グリッド・スクリーン印刷メタライゼーション/n+/n/i/p/Al/プラスチックの低コストa‐Siセルにおいて、銀又は銅系表面コンタクトの抵抗を最小限に抑えるために、前面側のn+犠牲層が望ましい。
ii. その場合、n+層は、上記スクリーン印刷表面グリッドのみと接触し、セル前面側の非メタライズ表面部分からエッチングバックされることで、良質のSEを形成する。
iii.SEと、他の固有の高効率化フィーチャによる、より高い透明性、より低い反射率、向上した収集効率、推定されるフィルファクタの向上が大きいことによって、RTWCG SiOM a‐Si薄膜太陽電池セルの効率は著しく向上する。
iv. 当技術分野で知られている同じ基本設計クラスの標準的なa‐Siセルに比べて、高い環境安定性。
研究努力は、かなりの部分、Si基板上にSiOx膜を成長させることと、その結果得られる膜の特性評価に焦点を当てたものであった。そこで、更に、GaAs、GaP、AlGaAs、CuInSe2薄膜を含む非Si基板上で、RTWCGプロセスを用いて様々な薄膜誘電体コーティングを作製した。
[参考文献]
Claims (72)
- 基板上の酸化物系層の室温湿式化学成長のための組成物であって、
フッ素含有酸性水溶液と、
Ti、Co、V、Cr、Ni、Sr、Cu、Ce、Y、Zr、Nb、Ru、Rh、Fe、Ba、Pb、Pd、I、Br、Al、Sb、Be、Bi、Hf、Ta、W、La、Ir、Os、As、Sn、Ag及びMgからなる群から選択された1つ又は複数の元素を含む無機還元酸化系と、
を含み、珪素を実質的に含まないことを特徴とする組成物。 - 基板上の酸化物系層の室温湿式化学成長のための組成物であって、
フッ素含有酸性水溶液と、
I、Br、Al、Sb、Be、Bi、Hf、Ta、W、La、Ag、Ir、Os、As、Sn及びMgからなる群から選択された1つ又は複数の元素を含む無機還元酸化系と、を含む、組成物。 - 珪素源を更に含む、請求項2に記載の組成物。
- 前記珪素源が、SiO2で飽和させたコロイドシリカ、H2SiF6、金属ケイ酸塩からなる群から選択される、請求項3に記載の組成物。
- フッ化物源が、H2SiF6、NH4F、HF、H2TiF6、BaF、BF4、NaF、他の金属及び非金属フッ化物からなる群から選択される、請求項1〜4のいずれか1項に記載に記載の組成物。
- 前記無機還元酸化系の成分から選択された、該還元酸化系の還元酸化反応を促進する触媒を更に含む、請求項1〜5に記載の組成物。
- 前記触媒が、Pd(O2C3F3)2、H2TiF6、TiCl4及び(NH4)2TiF6からなる群から選択される、請求項6に記載の組成物。
- 前記還元酸化系の成分を含む1つ又は複数の化合物を、フッ素含有酸性水溶液成分に溶解させることによって生成される、請求項1〜7に記載の組成物。
- 前記化合物が、I2O5とPbO2からなる群から選択される、請求項8に記載の組成物。
- 前記化合物が、I2O5、V2O5、PbO2、Co3O4、NbO、NbO2、Nb2O5、K3FeCn6、FeO、Fe3O4及びFe2O3からなる群から選択される、請求項8に記載の組成物。
- Co(OH)2を更に含む、請求項1〜10に記載の組成物。
- 前記水溶液が、H2TiF6又はHFを含み、前記還元酸化系が、K3Fe(CN)6を含み、また、該組成物が、有機成分又は珪素源を含まない、請求項1に記載の組成物。
- 前記水溶液が、H2TiF6又はHFを含み、前記還元酸化系が、V2O5を含み、また、該組成物が、有機成分又は珪素源を含まない、請求項1に記載の組成物。
- 前記水溶液が、HFを含み、前記還元酸化系が、PbO2を含む、請求項1又は2に記載の組成物。
- 前記水溶液が、HFを含み、前記還元酸化系が、I2O5を含む、請求項1又は2に記載の組成物。
- 前記水溶液が、HFを含み、前記還元酸化系が、Co3O4を含む、請求項1に記載の組成物。
- 金属化合物を更に含み、当該組成物が、珪素基板に施されると、珪素酸化物系導電膜を前記基板上に形成する、請求項1〜16に記載の組成物。
- 前記金属化合物が、金属窒化物、金属塩化物、及び金属フッ化物である、請求項17に記載の組成物。
- 前記金属窒化物が、Bi、Ti、Co、Cu、Se、Ce系窒化物からなる群から選択され、前記金属塩化物及び前記金属フッ化物は、Bi、Ti、Co、V、Ce、Al、La、Mg系塩化物及びフッ化物からなる群から選択される、請求項18に記載の組成物。
- ドープ半導体層を調製する方法であって、
ドープ層を有する半導体基板を準備する工程、及び
前記ドープ層に室温湿式化学成長溶液を施すことにより、前記ドープ層をエッチングしつつ、同時に、前記ドープ層から酸化物層を成長させる工程であって、そのエッチングと成長のバランスが、予め選択される特性を持つ酸化物層が得られるように選択される工程、
を含むことを特徴とする方法。 - ドープ半導体層上で反射防止コーティングを調製する方法であって、
ドープ層を有する半導体基板を準備する工程、及び
少なくとも前記ドープ層に室温湿式化学成長溶液を施すことにより、前記ドープ層をエッチングしつつ、同時に、約1.4から約3.5までの範囲の屈折率を示す組成勾配を持つ酸化物層を前記ドープ層から成長させる工程であって、そのエッチングと成長のバランスは、予め選択される特性を持つ酸化物層が得られるように選択される工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 基板上での珪素酸化物系層の室温湿式化学成長のための組成物が、
フッ素含有酸性水溶液と、
Ti、Co、V、Cr、Ni、Sr、Cu、Ce、Y、Zr、Nb、Ru、Rh、Fe、Ba、Pb、Pd、I、Br、Al、Sb、Be、Bi、Hf、Ta、W、La、Ir、Os、As、Sn、Ag及びMgからなる群から選択された1つ又は複数の元素を含む無機還元酸化系と、
を含む、請求項20及び21に記載の方法。 - 前記酸化物層を調製する際に、前記ドープ層の略全てが消費される、請求項20〜22に記載の方法。
- 前記酸化物層を調製する際に、前記ドープ層の厚さの一部が消費される、請求項20〜22に記載の方法。
- 前記ドープ層が、前記基板の片面にある、請求項24に記載の方法。
- 前記ドープ層が、前記基板の両面にある、請求項24に記載の方法。
- 前記ドープ層が、前記基板のサイドエッジにある、請求項25又は26に記載の方法。
- 前記室温湿式化学成長溶液を施す前に、前記ドープ層の一部をマスキングする工程を更に含む、請求項20〜27に記載の方法。
- 前記マスクが、レジスト又はメタライゼーションである、請求項28に記載の方法。
- 前記予め選択される特性が、表面組織化、屈折率、酸化物層厚、吸光係数、ドープ層消費量、誘電率、抵抗率及び化学組成からなる群から選択される、請求項20に記載の方法。
- 施与後が、開始層に対して相対的に、前記ドープ層の表面における正味少数キャリア濃度が低減し、前記ドープ層の四探針シート抵抗が増加する、請求項20〜29に記載の方法。
- 前記基板が、珪素を含み、前記酸化物層が、SiOxを含む、請求項20〜31に記載の方法。
- 前記酸化物層が、該酸化物層の表面での酸素リッチ組成から、該酸化物層の裏側での酸化物プア組成に至る組成勾配を有する、請求項32に記載の方法。
- 前記酸化物層が、パッシベーション層を形成する、請求項32に記載の方法。
- 前記室温湿式化学成長溶液の施与後に、前記酸化物層が、前記ドープ層に対して相対的にドーパント不純物が減少している、請求項32に記載の方法。
- 表面は、前記層の表面で少なくとも50%の酸素を含み、酸化物半導体界面では実質的に酸素を含まない、請求項33に記載の方法。
- 金属添加物を含む室温湿式化学成長溶液を前記基板に施す工程を更に含み、これによって、導電酸化膜を成長させる、請求項20〜36に記載の方法。
- 前記金属添加物には、Bi、Ti、Co、Cu、Se、Ce系窒化物からなる群から選択される金属窒化物と、Bi、Ti、Co、V、Ce、Al、La、Mg系塩化物及びフッ化物からなる群から選択される金属塩化物及び金属フッ化物と、が含まれる、請求項37に記載の方法。
- 前記添加物には、H3BO4、B2O3、BI3又はB2O3からなる群から選択されるホウ素源が含まれる、請求項37に記載の方法。
- 電子デバイスを処理する方法であって、
エミッタ層を有する珪素基板を準備する工程、及び
少なくとも前記エミッタ層に室温湿式化学成長溶液を施すことにより、前記エミッタ層をエッチングしつつ、同時に、前記エミッタ層からSiOx層を成長させる工程であって、前記エミッタ層の少なくとも一部が除去される工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記エミッタ層が、前記デバイスの前面にある、請求項40に記載の方法。
- 前記エミッタ層が、前記デバイスの裏面にある、請求項40に記載の方法。
- 前記エミッタ層が、前記基板を略取り囲んでいる、請求項40に記載の方法。
- 接合アイソレーションを形成するために、前記エミッタ層は、前記基板のサイドエッジから除去される、請求項44に記載の方法。
- 前記エミッタ層が、前記デバイスの前面又は裏面のうち一方から除去される、請求項43に記載の方法。
- 薄化されたエミッタ層上にSiOx層を設けるため、前記エミッタは部分的に除去される、請求項43に記載の方法。
- 前記SiOx層が、前記デバイスの入射面上にあって、反射防止コーティングとして機能する、請求項46に記載の方法。
- 前記SiOx層が、前記デバイスの裏面側にあって、反射コーティングとして機能する、請求項46に記載の方法。
- 前記エミッタ層に前記室温湿式化学成長溶液を施す前に、前記エミッタ層の上にマスクを施すことを更に含む、請求項46に記載の方法。
- 前記マスクが、メタライゼーション・コンタクト又はレジストである、請求項49に記載の方法。
- 選択エミッタを形成すること、反射防止コーティングを形成する工程、パッシベーション膜を形成する工程、組織化された反射防止コーティングを形成する工程、エミッタを除去する工程、透明導電性酸化物を形成する工程、酸化物系薄膜を形成する工程、犠牲層を形成する工程、エミッタを薄化する工程、電子デバイス表面を洗浄する工程、リンシリカガラス・コーティング層を除去する工程、垂直多接合(VMJ)Si太陽電池セルの非メタライズ表面を不活性化する工程、のうち1つ又は複数を遂行するために用いられる、請求項40に記載の方法。
- エミッタ層を有する基板を処理する方法であって、
基板を略取り囲むエミッタを有する珪素基板を準備する工程、及び
前記基板のサイドエッジと片面に、一段階の工程で室温湿式化学成長溶液を施すことにより、前記エミッタ層をエッチング除去しつつ、同時に、前記エミッタ層からSiOx層を成長させて、これにより、インタクトなエミッタ面と、接合アイソレーション層と、不活性化された面と、を有するデバイスを得る工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記RTCWG溶液に、前記基板を浮かべるか又は浮遊させることによる、請求項52に記載の方法。
- 前記エミッタ上の残留シリカガラスも同様に除去される、請求項52に記載の方法。
- エミッタ層を有する基板を処理する方法であって、
エミッタ層を有する基板を準備する工程、
前記エミッタ層に、一段階の工程で室温湿式化学成長溶液を施すことにより、前記エミッタ層の少なくとも一部をエッチングしつつ、同時に、前記エミッタ層からSiOx層を成長させて、これにより、その上に反射防止層又は反射層が配備されたインタクトなエミッタ面を有するデバイスを得る工程、
を含むことを特徴とする方法。 - エミッタ層を有する基板を処理する方法であって、
エミッタ層を有する基板を準備する工程、
前記エミッタ層に、一段階の工程で室温湿式化学成長溶液を施すことにより、前記エミッタ層の少なくとも一部をエッチングしつつ、同時に、前記エミッタ層からSiOx層を成長させて、これにより、その上にパッシベーション層が配備されたインタクトなエミッタ面を有するデバイスを得る工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記エッチング及び成長の条件が、組織化された酸化物表面が得られるように選択される、請求項20〜56に記載の方法。
- 成長速度が、200nm/minよりも大きい、請求項56に記載の方法。
- 前記エッチング及び成長の条件が、平滑な酸化物表面が得られるように選択される、請求項20〜56に記載の方法。
- 成長速度が、約50〜200nm/minである、請求項59に記載の方法。
- 前記基板が、単結晶Si(c‐Si)、多結晶Si(mc‐Si)、poly‐Si、微結晶Si(μm‐Si)、アモルファス珪素(a‐Si)、任意の結晶形態のリボン珪素、III‐V、I‐III‐VI、及びII‐VI族化合物半導体、GaAs、CuInSe2、及びCdTe、カーボン基板、グラファイト基板、カーボン繊維、カーボンナノチューブ、からなる群から選択される、請求項20〜60に記載の方法。
- 前記ドープ層は、平滑表面、組織化表面、又は多孔質珪素表面を含む任意のウェハ・アーキテクチャである、請求項61に記載の方法。
- 前記SiOx層は、拡散プロファイルを含む珪素基板上に形成され、該拡散プロファイルでは、該基板のドーパント濃度が一定の深さまで増加した後に、表面ドーパント濃度を下回る濃度まで深さにつれて減少する、請求項32に記載の方法。
- 前記拡散プロファイルによって、0.5μmから0.65μmの間の接合深さ、5E+20/cm3から8E+20/cm3の間の表面濃度、及び20Ω/sqから25Ω/sqの間のシート抵抗を有するエミッタが得られる、請求項63に記載の方法。
- 太陽電池セルを処理する方法であって、
請求項1〜20のいずれかに記載の組成物を、ドープ層の上に表面コンタクトと裏面コンタクトを含む太陽電池セルに施す工程であって、非メタライズ表面から前記ドープ層をエッチングバックする工程を含み、その結果、該太陽電池セルの前記非メタライズ表面上に珪素酸化物系反射防止コーティングと、選択エミッタが形成され、エッジから接合が除去される、方法。 - 太陽電池セルを処理する方法であって、
請求項1〜20のいずれかに記載の組成物を、残留珪素ガラスでコーティングされたドープ層を有する珪素基板に施す工程を含み、これによって、前記残留珪素ガラスは除去され、また、前記組成物が前記基板ウェハの裏面及びサイドエッジと反応することで、これらの表面から前記ドープ層の大部分を除去すると共に、裏面及びサイドエッジ上にパッシベーション薄膜層を成長させ、
その後、表面コンタクトと裏面コンタクトを前記基板の前面と裏面に堆積させて、焼成し、
最後に、前記組成物を前記基板の前面と反応させることで、反射防止コーティングと選択エミッタを形成し、前記基板のエッジに未だ存在する接合を更に減少させる、方法。 - 太陽電池セルを処理する方法であって、
請求項1〜20のいずれかに記載の組成物を、残留珪素ガラスでコーティングされたドープ層を有する珪素基板に施すことで、非メタライズ表面上にホウ素含有パッシベーション薄膜を成長させると共に、基板表面と基板エッジから、前記残留リンシリカガラスと前記ドープ層の大部分を除去することを含み、
その後、表面グリッドラインを堆積させて、裏面のドットと共に、800℃〜920℃の範囲の高温で焼結し、
その後、前面側を、請求項1〜18のいずれかに記載の組成物溶液と反応させることで、反射防止コーティング、パッシベーション、選択エミッタを形成することが可能である、方法。 - 前記メタライゼーション・ドットが、前記組成物を前記裏面に施した後に形成される、請求項67に記載の方法。
- 両面受光型太陽電池セルを作製する方法であって、
低濃度にドープされたp型又はn型 c‐Si又はmc‐Si開始ウェハを準備する工程、
前記ウェハの両面にn++とp++の高濃度にドープされた層を形成する工程、
残留酸化物ガラスを除去する工程、
裏面及び表面グリッドラインを印刷し、焼成する工程、
請求項1〜18のいずれかに記載の組成物を基板に施して、前記表面及び裏面と反応させることで、反射防止コーティングと選択エミッタを形成すると共に、前記基板のエッジ上にある不要な拡散層をエッチング除去する工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 太陽電池セルを作製する方法であって、
ドープ層と、表面グリッドラインと、フォトリソグラフィを用いて裏面に形成された小ドット領域と、を有する珪素基板に、請求項1〜20のいずれかに記載の組成物を施すことで、珪素酸化物系薄膜を、前面側の非メタライズ表面と裏面のフォトレジストの無い表面上に同時に成長させると共に、前記非メタライズ表面とフォトレジストの無い表面をエッチングバックする工程、
前記フォトレジストを除去する工程、
前記ドープ層の前記ドット領域と直接接触する裏面コンタクトを形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 珪素基板上で拡散を形成するためのシステムであって、
下側室壁の上に載置された上側室壁を備え、これによって拡散室を形成しており、該拡散室は基本的に、加熱要素と、基板のエッジ部分をクランプする上側及び下側マスクと、拡散源を噴霧するためのノズルと、を含み、該ノズルが、前記上側室壁か、又は前記下側室壁か、又は上側と下側の両方の前記室壁か、いずれかに配置することができる、システム。 - 珪素ウェハが、2つの半導体グレード・セラミックマスクの間に配置されることで、高濃度の拡散から基板のエッジが保護され、また、開始時の温度上昇を急速(50〜100℃/min)として拡散源を堆積させることで、優れた品質のn+及びp+拡散層が、前記珪素ウェハの2つの反対面上に同時に生成される、請求項70に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US38343510P | 2010-09-16 | 2010-09-16 | |
US61/383,435 | 2010-09-16 | ||
PCT/US2011/028190 WO2012036760A1 (en) | 2010-09-16 | 2011-03-11 | Method, process and fabrication technology for high-efficency low-cost crytalline silicon solar cells |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013540090A true JP2013540090A (ja) | 2013-10-31 |
JP2013540090A5 JP2013540090A5 (ja) | 2014-05-01 |
Family
ID=45831899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013529138A Pending JP2013540090A (ja) | 2010-09-16 | 2011-03-11 | 高効率かつ低コストの結晶珪素太陽電池セルのための方法、プロセス、及び製造技術 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9068112B2 (ja) |
EP (1) | EP2616401A4 (ja) |
JP (1) | JP2013540090A (ja) |
KR (1) | KR101836548B1 (ja) |
AU (1) | AU2011302575A1 (ja) |
BR (1) | BR112013006364A2 (ja) |
MX (1) | MX2013003007A (ja) |
RU (1) | RU2013117118A (ja) |
TW (1) | TW201228010A (ja) |
WO (1) | WO2012036760A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101541422B1 (ko) | 2014-05-15 | 2015-08-03 | 한국에너지기술연구원 | 도금을 이용한 태양전지 제조 방법 |
JP2016046525A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2023041057A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101915161B1 (ko) | 2012-11-14 | 2019-01-07 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지의 제조방법 |
WO2014014113A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
KR101890282B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2018-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 선택적 에미터를 갖는 태양전지 및 이의 제조 방법 |
TWI643351B (zh) * | 2013-01-31 | 2018-12-01 | 澳洲商新南創新有限公司 | 太陽能電池金屬化及互連方法 |
US9859455B2 (en) | 2013-02-08 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field |
US9640699B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-05-02 | International Business Machines Corporation | Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device |
JP6115634B2 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-04-19 | 信越化学工業株式会社 | p型選択エミッタ形成方法 |
EP3008152B1 (en) * | 2013-06-11 | 2020-08-05 | Specmat Inc. | Chemical composition for semiconductor manufacturing processes |
WO2014205238A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Novel dielectric nano-structure for light trapping in solar cells |
TWI497733B (zh) * | 2013-06-20 | 2015-08-21 | Motech Ind Inc | 背接觸太陽能電池及其模組 |
EP3047524B1 (en) * | 2013-09-16 | 2020-11-04 | Specmat Inc. | Solar cell and method of fabricating solar cells |
RU2540753C1 (ru) * | 2013-10-31 | 2015-02-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН) | Способ поиска новых кристаллических соединений в стеклообразующих эвтектических оксидных системах, кристаллизующихся в порошке |
WO2015143056A1 (en) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Specmat, Inc. | Process and fabrication technology for oxide layers |
EP3138130B1 (en) * | 2014-04-30 | 2021-02-24 | 1366 Technologies Inc. | Methods and apparati for making thin semi-conductor wafers with locally controlled regions that are relatively thicker than other regions |
US10619097B2 (en) * | 2014-06-30 | 2020-04-14 | Specmat, Inc. | Low-[HF] room temperature wet chemical growth (RTWCG) chemical formulation |
CN104123999A (zh) * | 2014-07-07 | 2014-10-29 | 苏州世优佳电子科技有限公司 | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 |
US9520507B2 (en) | 2014-12-22 | 2016-12-13 | Sunpower Corporation | Solar cells with improved lifetime, passivation and/or efficiency |
US9508667B2 (en) * | 2014-12-23 | 2016-11-29 | Intel Corporation | Formation of solder and copper interconnect structures and associated techniques and configurations |
TWI511316B (zh) * | 2015-02-13 | 2015-12-01 | Neo Solar Power Corp | 異質接面太陽能電池及其製造方法 |
WO2016149696A1 (en) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Specmat, Inc. | Silicon-containing semiconductor structures, methods of making the same and devices including the same |
US9953841B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-04-24 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
TWI568012B (zh) * | 2015-06-11 | 2017-01-21 | 太極能源科技股份有限公司 | 雙面太陽能電池製造方法 |
DE102016101801B4 (de) * | 2016-02-02 | 2021-01-14 | Infineon Technologies Ag | Lastanschluss eines leistungshalbleiterbauelements, leistungshalbleitermodul damit und herstellungsverfahren dafür |
US9859127B1 (en) * | 2016-06-10 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Line edge roughness improvement with photon-assisted plasma process |
RU2653843C2 (ru) * | 2016-08-01 | 2018-05-15 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Способ повышения плотности и стабильности тока матрицы многоострийного автоэмиссионного катода |
CN106328765A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺 |
DE102016225120A1 (de) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Reduzierung der optischen Reflexion an Solarzellen |
US10269279B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-04-23 | Misapplied Sciences, Inc. | Display system and method for delivering multi-view content |
US10163974B2 (en) * | 2017-05-17 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming absorption enhancement structure for image sensor |
CN109004042A (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-14 | 中国科学院物理研究所 | 垂直型光电子器件及其制造方法 |
CN109119337A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-01-01 | 镇江仁德新能源科技有限公司 | 一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法 |
US10427045B2 (en) | 2017-07-12 | 2019-10-01 | Misapplied Sciences, Inc. | Multi-view (MV) display systems and methods for quest experiences, challenges, scavenger hunts, treasure hunts and alternate reality games |
US10565616B2 (en) | 2017-07-13 | 2020-02-18 | Misapplied Sciences, Inc. | Multi-view advertising system and method |
US10404974B2 (en) | 2017-07-21 | 2019-09-03 | Misapplied Sciences, Inc. | Personalized audio-visual systems |
DE102017121228A1 (de) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer Probe die mindestens eine Oberfläche eines Metalloxids aufweist und Metalloxid mit behandelter Oberfläche |
CN107910398B (zh) * | 2017-10-12 | 2020-08-04 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | P型perc双面太阳电池的制作方法 |
US10778962B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-09-15 | Misapplied Sciences, Inc. | Precision multi-view display |
CN108470795A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-08-31 | 镇江仁德新能源科技有限公司 | 一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法 |
KR102535127B1 (ko) * | 2018-03-06 | 2023-05-22 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 반사방지 광학 기판 및 제조 방법 |
CN109351324A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-02-19 | 天津碧水源膜材料有限公司 | 选择性铵离子筛及其制备方法与应用 |
GB201821095D0 (en) * | 2018-12-21 | 2019-02-06 | Univ Loughborough | Cover sheet for photovoltaic panel |
TWI737311B (zh) * | 2020-05-25 | 2021-08-21 | 大葉大學 | 利用液相沉積製作太陽能電池的製備方法及其太陽能電池 |
CN114005886B (zh) * | 2021-10-29 | 2024-01-09 | 苏州光汇新能源科技有限公司 | 一种适用于室内发电的硅异质结太阳电池结构及其制备方法 |
EP4341987A1 (en) * | 2022-06-23 | 2024-03-27 | Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. | Energy-saving heat treatment device for metal substrate in corrosive gas |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264640A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Ube Ind Ltd | 複合半導体基板 |
JP2001110801A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Takeshi Yao | パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板 |
JP2002540599A (ja) * | 1999-03-22 | 2002-11-26 | スペシャル マテリアルズ リサーチ アンド テクノロジー, インコーポレイテッド | シリコン上のSiOベースの酸化物の室温湿式化学的成長 |
US6613697B1 (en) * | 2001-06-26 | 2003-09-02 | Special Materials Research And Technology, Inc. | Low metallic impurity SiO based thin film dielectrics on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth process, method and applications thereof |
JP2007500941A (ja) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 高度に均一な酸化物層、とりわけ超薄層の調節された成長 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4002512A (en) | 1974-09-16 | 1977-01-11 | Western Electric Company, Inc. | Method of forming silicon dioxide |
US4578419A (en) | 1985-03-28 | 1986-03-25 | Amchem Products, Inc. | Iodine compound activation of autodeposition baths |
JPH05148657A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-06-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光利用めつき液およびめつき方法 |
IT1252896B (it) | 1991-11-08 | 1995-07-05 | Perini Fabio Spa | Apparecchiatura perfezionata per incollare il lembo finale di rotoli di materiale nastriforme |
JP2681433B2 (ja) | 1992-09-30 | 1997-11-26 | 株式会社フロンテック | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
SE501195C2 (sv) | 1993-04-26 | 1994-12-05 | Pharmacia Lkb Biotech | Sätt och anordning för vätskekromatografi |
KR0154252B1 (ko) * | 1994-03-31 | 1998-12-01 | 아베 아끼라 | 에칭제 및 전자소자와 그의 제조방법 |
JP2755376B2 (ja) * | 1994-06-03 | 1998-05-20 | 株式会社フロンテック | 電気光学素子の製造方法 |
US5601656A (en) | 1995-09-20 | 1997-02-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for cleaning silicon wafers with an aqueous solution of hydrofluoric acid and hydriodic acid |
US7227176B2 (en) | 1998-04-10 | 2007-06-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Etch stop layer system |
US6593077B2 (en) | 1999-03-22 | 2003-07-15 | Special Materials Research And Technology, Inc. | Method of making thin films dielectrics using a process for room temperature wet chemical growth of SiO based oxides on a substrate |
IL147235A0 (en) * | 1999-08-13 | 2002-08-14 | Cabot Microelectronics Corp | Chemical mechanical polishing systems and methods for their use |
US6795226B2 (en) | 2000-05-04 | 2004-09-21 | Schott Corporation | Chromogenic glazing |
WO2002046483A2 (en) | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Northwestern University | Silver stain removal from dna detection chips by cyanide etching or sonication |
US7045098B2 (en) * | 2001-02-02 | 2006-05-16 | James Matthew Stephens | Apparatus and method for removing interfering substances from a urine sample using a chemical oxidant |
US6652661B2 (en) * | 2001-10-12 | 2003-11-25 | Bobolink, Inc. | Radioactive decontamination and translocation method |
JP4010819B2 (ja) | 2002-02-04 | 2007-11-21 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6821309B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-11-23 | University Of Florida | Chemical-mechanical polishing slurry for polishing of copper or silver films |
US7008839B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor thin film |
US6935756B2 (en) * | 2002-06-11 | 2005-08-30 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective articles having moire-like pattern |
US7402448B2 (en) * | 2003-01-31 | 2008-07-22 | Bp Corporation North America Inc. | Photovoltaic cell and production thereof |
SG129274A1 (en) * | 2003-02-19 | 2007-02-26 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaaning solution and cleaning process using the solution |
JP4400281B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-01-20 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの結晶欠陥評価方法 |
US20060213868A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Siddiqui Junaid A | Low-dishing composition and method for chemical-mechanical planarization with branched-alkylphenol-substituted benzotriazole |
US7678702B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-03-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | CMP composition of boron surface-modified abrasive and nitro-substituted sulfonic acid and method of use |
KR100678482B1 (ko) | 2006-01-17 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 표면의 세정용액 및 이를 사용하는 반도체 소자의제조방법들 |
US20100112728A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
KR20090005489A (ko) | 2007-07-09 | 2009-01-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 습식 에천트 및 그를 이용한 배선 구조체의형성방법 |
KR100930672B1 (ko) | 2008-01-11 | 2009-12-09 | 제일모직주식회사 | 실리콘계 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 |
JP5453725B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-03-26 | 株式会社リコー | エレクトロクロミック化合物およびそれを用いたエレクトロクロミック表示素子 |
JP2010077010A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-04-08 | Hiroshima Univ | 結晶製造装置、それを用いて製造された半導体デバイスおよびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US8338692B2 (en) | 2008-11-27 | 2012-12-25 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Electrolyte for photoelectric conversion elements, and photoelectric conversion element and dye-sensitized solar cell using the electrolyte |
US8318606B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Lsi Corporation | Dielectric etching |
US20130247971A1 (en) | 2011-09-20 | 2013-09-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Oxygen Containing Precursors for Photovoltaic Passivation |
US20130186464A1 (en) | 2012-01-03 | 2013-07-25 | Shuran Sheng | Buffer layer for improving the performance and stability of surface passivation of silicon solar cells |
JP2013165160A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
US9012261B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-04-21 | Intermolecular, Inc. | High productivity combinatorial screening for stable metal oxide TFTs |
US9129814B2 (en) * | 2013-11-25 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit patterning |
-
2011
- 2011-03-11 EP EP11825579.3A patent/EP2616401A4/en not_active Ceased
- 2011-03-11 WO PCT/US2011/028190 patent/WO2012036760A1/en active Application Filing
- 2011-03-11 MX MX2013003007A patent/MX2013003007A/es not_active Application Discontinuation
- 2011-03-11 RU RU2013117118/28A patent/RU2013117118A/ru not_active Application Discontinuation
- 2011-03-11 JP JP2013529138A patent/JP2013540090A/ja active Pending
- 2011-03-11 US US13/823,214 patent/US9068112B2/en active Active
- 2011-03-11 KR KR1020137009497A patent/KR101836548B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-11 BR BR112013006364A patent/BR112013006364A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-03-11 AU AU2011302575A patent/AU2011302575A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-16 TW TW100133428A patent/TW201228010A/zh unknown
-
2014
- 2014-11-20 US US14/549,261 patent/US10526538B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264640A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Ube Ind Ltd | 複合半導体基板 |
JP2002540599A (ja) * | 1999-03-22 | 2002-11-26 | スペシャル マテリアルズ リサーチ アンド テクノロジー, インコーポレイテッド | シリコン上のSiOベースの酸化物の室温湿式化学的成長 |
JP2001110801A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Takeshi Yao | パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板 |
US6613697B1 (en) * | 2001-06-26 | 2003-09-02 | Special Materials Research And Technology, Inc. | Low metallic impurity SiO based thin film dielectrics on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth process, method and applications thereof |
JP2007500941A (ja) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 高度に均一な酸化物層、とりわけ超薄層の調節された成長 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101541422B1 (ko) | 2014-05-15 | 2015-08-03 | 한국에너지기술연구원 | 도금을 이용한 태양전지 제조 방법 |
JP2016046525A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2023041057A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
US11784266B2 (en) | 2021-09-10 | 2023-10-10 | Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd. | Solar cell, method for preparing same and solar cell module |
JP7431303B2 (ja) | 2021-09-10 | 2024-02-14 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150162460A1 (en) | 2015-06-11 |
US10526538B2 (en) | 2020-01-07 |
US9068112B2 (en) | 2015-06-30 |
US20140061531A1 (en) | 2014-03-06 |
MX2013003007A (es) | 2013-09-26 |
EP2616401A4 (en) | 2017-06-28 |
BR112013006364A2 (pt) | 2016-06-28 |
WO2012036760A1 (en) | 2012-03-22 |
RU2013117118A (ru) | 2014-10-27 |
AU2011302575A1 (en) | 2013-05-02 |
TW201228010A (en) | 2012-07-01 |
EP2616401A1 (en) | 2013-07-24 |
KR101836548B1 (ko) | 2018-03-08 |
KR20130121095A (ko) | 2013-11-05 |
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Legal Events
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