JPH05129277A - 多層反射防止膜 - Google Patents
多層反射防止膜Info
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- JPH05129277A JPH05129277A JP31398491A JP31398491A JPH05129277A JP H05129277 A JPH05129277 A JP H05129277A JP 31398491 A JP31398491 A JP 31398491A JP 31398491 A JP31398491 A JP 31398491A JP H05129277 A JPH05129277 A JP H05129277A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高温高湿の環境下で長期間の使用に耐え、また
任意の屈折率の透光性ガラスを基体として用いる多層反
射防止膜を提供する。 【構成】透光性ガラス基体の表面に、高屈折率物質薄層
と、低屈折率物質薄層と、中間屈折率物質薄層の３種の
薄層のうち少なくとも２種の薄層により多層反射防止膜
を構成する。また３種の薄層は適宜選択する。また成膜
方法として減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用い
る。
任意の屈折率の透光性ガラスを基体として用いる多層反
射防止膜を提供する。 【構成】透光性ガラス基体の表面に、高屈折率物質薄層
と、低屈折率物質薄層と、中間屈折率物質薄層の３種の
薄層のうち少なくとも２種の薄層により多層反射防止膜
を構成する。また３種の薄層は適宜選択する。また成膜
方法として減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層反射防止膜の改良に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透過光を利用する光学部品の表面
には、真空蒸着法あるいはスパッタリング法を用いて反
射防止膜が形成されている。この反射防止膜は単層また
は多層構造となっている。そして、それら各層の形成に
用いる膜物質としては、まず高屈折率層用には酸化チタ
ン（ＴｉＯ2）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等が、また低屈折
率層用には二酸化珪素（ＳｉＯ2）、弗化マグネシウム
（ＭｇＦ2）等が、そして中間屈折率層用には酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、弗化セリウム（ＣｅＦ3 ）等が
一般的である。
には、真空蒸着法あるいはスパッタリング法を用いて反
射防止膜が形成されている。この反射防止膜は単層また
は多層構造となっている。そして、それら各層の形成に
用いる膜物質としては、まず高屈折率層用には酸化チタ
ン（ＴｉＯ2）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等が、また低屈折
率層用には二酸化珪素（ＳｉＯ2）、弗化マグネシウム
（ＭｇＦ2）等が、そして中間屈折率層用には酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、弗化セリウム（ＣｅＦ3 ）等が
一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、真空蒸着法
やスパッタリング法により、透光性ガラス基体よりなる
光学部品の表面に反射防止膜を形成した場合、同基体へ
の膜の付着力も低く、３００℃以上の高温下での使用に
おいては、膜の反射防止特性が膜作成時の初特性から大
きく逸れて使用に耐えなくなる場合が多い。さらに、使
用温度を５００℃以上に上げて長時間使用すると、膜が
破壊され、極端な場合は基体から膜全体が剥離する結果
となる。また温度６０℃以上、湿度９０％以上の高温高
湿下での使用においても、同様に、膜の白濁から剥離へ
と発展する大きな欠点がある。これらの傾向は層数が増
えるに従って顕著となる。また、３層以上の多層反射防
止膜の膜構成においては、高屈折率層の屈折率（２．０
ないし２．３）と低屈折率層の屈折率（１．３８ないし
１．４７）の中間の屈折率を有する層を必要とするが、
そのような屈折率を有する膜物質として使用されるもの
は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）（屈折率：１．６
２）、弗化セリウム（ＣｅＦ3 ）（屈折率：１．６３）
など数種類に限られていた。この為、基体として用いる
のに適当な透光性ガラスの種類は、反射防止条件を満足
するようなある特定の屈折率を有するもの（通常は、
１．４５ないし１．５５の範囲の屈折率を有する光学ガ
ラス）に限定されていた。このように、従来は、ガラス
基体の種類の選択の幅が狭く、任意の屈折率の透光性ガ
ラスを反射防止膜の基体として用いることができない欠
点がある。
やスパッタリング法により、透光性ガラス基体よりなる
光学部品の表面に反射防止膜を形成した場合、同基体へ
の膜の付着力も低く、３００℃以上の高温下での使用に
おいては、膜の反射防止特性が膜作成時の初特性から大
きく逸れて使用に耐えなくなる場合が多い。さらに、使
用温度を５００℃以上に上げて長時間使用すると、膜が
破壊され、極端な場合は基体から膜全体が剥離する結果
となる。また温度６０℃以上、湿度９０％以上の高温高
湿下での使用においても、同様に、膜の白濁から剥離へ
と発展する大きな欠点がある。これらの傾向は層数が増
えるに従って顕著となる。また、３層以上の多層反射防
止膜の膜構成においては、高屈折率層の屈折率（２．０
ないし２．３）と低屈折率層の屈折率（１．３８ないし
１．４７）の中間の屈折率を有する層を必要とするが、
そのような屈折率を有する膜物質として使用されるもの
は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）（屈折率：１．６
２）、弗化セリウム（ＣｅＦ3 ）（屈折率：１．６３）
など数種類に限られていた。この為、基体として用いる
のに適当な透光性ガラスの種類は、反射防止条件を満足
するようなある特定の屈折率を有するもの（通常は、
１．４５ないし１．５５の範囲の屈折率を有する光学ガ
ラス）に限定されていた。このように、従来は、ガラス
基体の種類の選択の幅が狭く、任意の屈折率の透光性ガ
ラスを反射防止膜の基体として用いることができない欠
点がある。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑み発明したもので
あって、高温高湿の環境下で長期間の使用に耐える多層
反射防止膜を提供することを目的とする。加えて任意の
屈折率の透光性ガラスを基体として用いることのできる
多層反射防止膜を提供することを目的とする。
あって、高温高湿の環境下で長期間の使用に耐える多層
反射防止膜を提供することを目的とする。加えて任意の
屈折率の透光性ガラスを基体として用いることのできる
多層反射防止膜を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するために次の構成とする。すなわち、請求項１の
発明は、成膜方法として減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣ
ＶＤ法を用い、シラン（ＳｉＨ4）と、窒素（Ｎ2）及び
アンモニア（ＮＨ3）の少なくとも一種とからなる原料
ガスより形成される窒化珪素（ＳｉＮx）薄層と、シラ
ン（ＳｉＨ4）と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）及び酸素
（Ｏ2）の少なくとも一種とからなる原料ガスより形成
される二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄層と、シラン（Ｓｉ
Ｈ4）と、窒素（Ｎ2）及びアンモニア（ＮＨ3）の少な
くとも一種と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）及び酸素（Ｏ2）の
少なくとも一種とからなる原料ガスより形成されるシリ
コンオキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の３種の薄
層のうち、少なくとも２種の薄層から構成される多層反
射防止膜である。
解決するために次の構成とする。すなわち、請求項１の
発明は、成膜方法として減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣ
ＶＤ法を用い、シラン（ＳｉＨ4）と、窒素（Ｎ2）及び
アンモニア（ＮＨ3）の少なくとも一種とからなる原料
ガスより形成される窒化珪素（ＳｉＮx）薄層と、シラ
ン（ＳｉＨ4）と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）及び酸素
（Ｏ2）の少なくとも一種とからなる原料ガスより形成
される二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄層と、シラン（Ｓｉ
Ｈ4）と、窒素（Ｎ2）及びアンモニア（ＮＨ3）の少な
くとも一種と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）及び酸素（Ｏ2）の
少なくとも一種とからなる原料ガスより形成されるシリ
コンオキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の３種の薄
層のうち、少なくとも２種の薄層から構成される多層反
射防止膜である。
【０００６】請求項２の発明は請求項１の発明の多層反
射防止膜において、シリコンオキシナイトライド（Ｓｉ
ＯyＮz）薄層の屈折率が、透光性ガラス基体の屈折率の
値に応じて、反射防止条件を満足するような値を、窒化
珪素（ＳｉＮx）薄層の屈折率値と、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2）薄層の屈折率値の間で、ＣＶＤ成膜条件を調整し
て選定される多層反射防止膜である。これは、ＣＶＤ成
膜条件の調節によって、シリコンオキシナイトライド
（ＳｉＯyＮz）薄層の元素組成が変化し、これに伴なっ
てシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の屈
折率が変化することを利用するものである。
射防止膜において、シリコンオキシナイトライド（Ｓｉ
ＯyＮz）薄層の屈折率が、透光性ガラス基体の屈折率の
値に応じて、反射防止条件を満足するような値を、窒化
珪素（ＳｉＮx）薄層の屈折率値と、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2）薄層の屈折率値の間で、ＣＶＤ成膜条件を調整し
て選定される多層反射防止膜である。これは、ＣＶＤ成
膜条件の調節によって、シリコンオキシナイトライド
（ＳｉＯyＮz）薄層の元素組成が変化し、これに伴なっ
てシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の屈
折率が変化することを利用するものである。
【０００７】
【作用】本発明の多層反射防止膜は、減圧ＣＶＤ法また
はプラズマＣＶＤ法により形成されるので、３００℃以
上の高温下での使用においても、初期の反射防止特性を
長く維持し、また５００℃以上の高温下での使用におい
ても、基体からの剥離を生じない。更に、温度６０℃以
上、湿度９０％以上の高温高湿の環境に放置されても白
濁などの膜の変質を生じない。また、本発明の多層反射
防止膜においては、中間屈折率層であるシリコンオキシ
ナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層は、ＣＶＤ成膜条件の
調節により、該薄層の元素組成を制御することが可能で
あるので、高屈折率層である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層
の屈折率と低屈折率層である二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄
層の屈折率の間の任意の屈折率を実現することができ
る。従って、多層反射防止膜の基体として利用できる透
光性ガラスの種類に選択の幅が広がり、任意の屈折率を
有する透光性ガラスの表面に本発明の多層反射防止膜を
形成することができる。
はプラズマＣＶＤ法により形成されるので、３００℃以
上の高温下での使用においても、初期の反射防止特性を
長く維持し、また５００℃以上の高温下での使用におい
ても、基体からの剥離を生じない。更に、温度６０℃以
上、湿度９０％以上の高温高湿の環境に放置されても白
濁などの膜の変質を生じない。また、本発明の多層反射
防止膜においては、中間屈折率層であるシリコンオキシ
ナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層は、ＣＶＤ成膜条件の
調節により、該薄層の元素組成を制御することが可能で
あるので、高屈折率層である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層
の屈折率と低屈折率層である二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄
層の屈折率の間の任意の屈折率を実現することができ
る。従って、多層反射防止膜の基体として利用できる透
光性ガラスの種類に選択の幅が広がり、任意の屈折率を
有する透光性ガラスの表面に本発明の多層反射防止膜を
形成することができる。
【０００８】
【実施例１】以下本発明を実施例により詳細に説明す
る。図１は、ガラス基体表面に形成した３層反射防止膜
の模式的部分拡大断面図である。図１において、１は光
学部品に用いるガラス基体、２、３および４はそれぞ
れ、３層反射防止膜を構成する第１層、第２層及び第３
層である。これら第１層ないし第３層の各層はいずれも
減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いて形成す
る。
る。図１は、ガラス基体表面に形成した３層反射防止膜
の模式的部分拡大断面図である。図１において、１は光
学部品に用いるガラス基体、２、３および４はそれぞ
れ、３層反射防止膜を構成する第１層、第２層及び第３
層である。これら第１層ないし第３層の各層はいずれも
減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いて形成す
る。
【０００９】原料ガスの選定は例えば次のようにする。
第１層は、例えばこれを中間屈折率物質であるシリコン
オキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層とするならば、
シラン（ＳｉＨ4）と、窒素（Ｎ2）およびアンモニア
（ＮＨ3）の少なくとも一種と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）お
よび酸素（Ｏ2）の少なくとも一種とからなる原料ガス
から形成する。
第１層は、例えばこれを中間屈折率物質であるシリコン
オキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層とするならば、
シラン（ＳｉＨ4）と、窒素（Ｎ2）およびアンモニア
（ＮＨ3）の少なくとも一種と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）お
よび酸素（Ｏ2）の少なくとも一種とからなる原料ガス
から形成する。
【００１０】第２層は、例えばこれを高屈折率物質であ
る窒化珪素（ＳｉＮx）薄層とするならば、シラン（Ｓ
ｉＨ4）と、窒素（Ｎ2）およびアンモニア（ＮＨ3）の
少なくとも一種とからなる原料ガスから形成する。
る窒化珪素（ＳｉＮx）薄層とするならば、シラン（Ｓ
ｉＨ4）と、窒素（Ｎ2）およびアンモニア（ＮＨ3）の
少なくとも一種とからなる原料ガスから形成する。
【００１１】第３層は、例えばこれを低屈折率物質であ
る二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄層とするならば、シラン
（ＳｉＨ4）と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）および酸素
（Ｏ2）の少なくとも一種とから原料ガスから形成す
る。そうして、例えば次の表１に示す成膜条件によっ
て、第１層、第２層および第３層の屈折率（波長５００
ないし５５０ｎｍでの値）をそれぞれ、１．６９，２．
１２および１．４６とし、また膜厚（推定値）をそれぞ
れ、７７ｎｍ、１２３ｎｍおよび８９ｎｍとする。この
ような屈折率および膜厚の組合せを有する３層反射防止
膜は図２に示す分光反射特性を与えた。
る二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄層とするならば、シラン
（ＳｉＨ4）と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）および酸素
（Ｏ2）の少なくとも一種とから原料ガスから形成す
る。そうして、例えば次の表１に示す成膜条件によっ
て、第１層、第２層および第３層の屈折率（波長５００
ないし５５０ｎｍでの値）をそれぞれ、１．６９，２．
１２および１．４６とし、また膜厚（推定値）をそれぞ
れ、７７ｎｍ、１２３ｎｍおよび８９ｎｍとする。この
ような屈折率および膜厚の組合せを有する３層反射防止
膜は図２に示す分光反射特性を与えた。
【００１２】表１
【００１３】次に上記説明と同じ膜構成を有する３層反
射防止膜について、真空蒸着法と、減圧ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法によって形成した膜の耐久性の比較結
果を表３に示す。
射防止膜について、真空蒸着法と、減圧ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法によって形成した膜の耐久性の比較結
果を表３に示す。
【００１４】表３
【００１５】真空蒸着法の場合は、第１層（ＳｉＯyＮz
薄層）の形成には、例えば蒸発源物質として酸化珪素
（ＳｉＯ）を用い、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中でイ
オンプレーティング方式により成膜し、また第２層（Ｓ
ｉＮx薄層）の成形には、例えば蒸発源物質として珪素
（Ｓｉ）を用い、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中でイオ
ンプレーティング方式により成膜し、さらに第３層（Ｓ
ｉＯ2薄層）の形成には、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）
を用い、通常の真空蒸着法により成膜した。表３に示す
ように、減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって
形成した本発明の３層反射防止膜は、真空蒸着法による
ものより耐久性が優れている。なお表３において、６０
０℃での耐熱性試験には、従来例、実施例共に石英ガラ
スを基体としこれに３層反射防止膜を形成した試料を用
いた。
薄層）の形成には、例えば蒸発源物質として酸化珪素
（ＳｉＯ）を用い、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中でイ
オンプレーティング方式により成膜し、また第２層（Ｓ
ｉＮx薄層）の成形には、例えば蒸発源物質として珪素
（Ｓｉ）を用い、アンモニア（ＮＨ3）雰囲気中でイオ
ンプレーティング方式により成膜し、さらに第３層（Ｓ
ｉＯ2薄層）の形成には、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）
を用い、通常の真空蒸着法により成膜した。表３に示す
ように、減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって
形成した本発明の３層反射防止膜は、真空蒸着法による
ものより耐久性が優れている。なお表３において、６０
０℃での耐熱性試験には、従来例、実施例共に石英ガラ
スを基体としこれに３層反射防止膜を形成した試料を用
いた。
【００１６】また中屈折率物質であるシリコンオキシナ
イトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の所望の屈折率は、例え
ば次のようにして実現させる。すなわち、シリコンオキ
シナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の形成に用いる原料
ガスのガス流量とシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ
yＮz）薄層の屈折率との関係を予め実験的に求めてお
き、この関係を利用して原料ガスのガス流量を制御する
ことによって所望の屈折率を実現させる。該薄層をシラ
ン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）および亜酸化窒素
（Ｎ2Ｏ）の原料ガスの組合わせから形成する場合、ア
ンモニア（ＮＨ3）および亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）のガス流
量と該薄層の屈折率との関係が、例えば図４に示すよう
な曲線であるならば、前記説明の屈折率値１．６９を実
現するには、アンモニア（ＮＨ3）が４０sccm、亜酸化
窒素（Ｎ2Ｏ）が、１１５sccmのガス流量とすればよ
い。
イトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の所望の屈折率は、例え
ば次のようにして実現させる。すなわち、シリコンオキ
シナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の形成に用いる原料
ガスのガス流量とシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ
yＮz）薄層の屈折率との関係を予め実験的に求めてお
き、この関係を利用して原料ガスのガス流量を制御する
ことによって所望の屈折率を実現させる。該薄層をシラ
ン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）および亜酸化窒素
（Ｎ2Ｏ）の原料ガスの組合わせから形成する場合、ア
ンモニア（ＮＨ3）および亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）のガス流
量と該薄層の屈折率との関係が、例えば図４に示すよう
な曲線であるならば、前記説明の屈折率値１．６９を実
現するには、アンモニア（ＮＨ3）が４０sccm、亜酸化
窒素（Ｎ2Ｏ）が、１１５sccmのガス流量とすればよ
い。
【００１７】５層反射防止膜は、例えばガラス基体の表
面に減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により、例え
ば第１層として中間屈折率物質であるシリコンオキシナ
イトライド（ＳｉＯyＮz）薄層を形成し、第２層として
高屈折率物質である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層を形成
し、第３層として中間屈折率物質であるシリコンオキシ
ナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層を形成し、第４層とし
て高屈折率物質である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層を形成
し、第５層として低屈折率物質である二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2）薄層を形成して構成する。この実施例において、
原料ガスの組合せを前記実施例１と同様にし、表２に示
す成膜条件で形成した５層反射防止膜は、図３に示すよ
うな分光反射特性を与えた。
面に減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により、例え
ば第１層として中間屈折率物質であるシリコンオキシナ
イトライド（ＳｉＯyＮz）薄層を形成し、第２層として
高屈折率物質である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層を形成
し、第３層として中間屈折率物質であるシリコンオキシ
ナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層を形成し、第４層とし
て高屈折率物質である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層を形成
し、第５層として低屈折率物質である二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2）薄層を形成して構成する。この実施例において、
原料ガスの組合せを前記実施例１と同様にし、表２に示
す成膜条件で形成した５層反射防止膜は、図３に示すよ
うな分光反射特性を与えた。
【００１８】表２
【００１９】この５層反射防止膜について、前記説明と
同様の耐久性試験を行なったところ、この場合も６００
℃の高温下でも膜状態に変化は発生せず、また６０℃、
９０％の高温高湿下でも膜状態は変化しなかった。さら
に分光反射特性も、温度６００℃の場合に少し変化を生
じたのみであった。
同様の耐久性試験を行なったところ、この場合も６００
℃の高温下でも膜状態に変化は発生せず、また６０℃、
９０％の高温高湿下でも膜状態は変化しなかった。さら
に分光反射特性も、温度６００℃の場合に少し変化を生
じたのみであった。
【００２０】
【発明の効果】上記した本発明の多層反射防止膜は、次
のような効果を有する。まず、成膜方法として、減圧Ｃ
ＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いたので、従来の真
空蒸着法あるいはスパッタリング法による膜にはない優
れた耐久性を有する多層反射防止膜を得ることができ
る。ＣＶＤ法により形成した膜の耐久性が真空蒸着法あ
るいはスパッタリング法による膜よりも優れているの
は、膜の構造が緻密で、原子レベルでの構造欠陥が少な
いこと、膜の内部反応力が小さいことによるものであ
る。また中間屈折率層としてシリコンオキシナイトライ
ド（ＳｉＯyＮz）薄層を用いたので、原料ガス流量など
の成膜条件の調節によって、シリコンオキシナイトライ
ド（ＳｉＯyＮz）薄層の元素組成を適当に制御して、高
屈折率層である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層の屈折率（お
おむね２．１０）と、低屈折率層である二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2）薄層の屈折率（おおむね１．４６）の間の任意
の屈折率を実現できるので、多層反射防止膜の基体とし
て用いることのできる透光性ガラスの種類に選択の幅が
広がる特有な効果を有する。さらにＣＶＤ法を用いたの
で、多層反射防止膜を構成する屈折率の異なる各層を、
同一のＳｉ元素供給源物質、すなわちシラン（Ｓｉ
Ｈ4）から形成することが可能となる。このため成膜装
置の構成、特にガス制御系の構成が簡素化し、また成膜
条件の制御も、従来の真空蒸着法などよりも容易とな
り、大量生産、自動生産に適する効果を有する。
のような効果を有する。まず、成膜方法として、減圧Ｃ
ＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いたので、従来の真
空蒸着法あるいはスパッタリング法による膜にはない優
れた耐久性を有する多層反射防止膜を得ることができ
る。ＣＶＤ法により形成した膜の耐久性が真空蒸着法あ
るいはスパッタリング法による膜よりも優れているの
は、膜の構造が緻密で、原子レベルでの構造欠陥が少な
いこと、膜の内部反応力が小さいことによるものであ
る。また中間屈折率層としてシリコンオキシナイトライ
ド（ＳｉＯyＮz）薄層を用いたので、原料ガス流量など
の成膜条件の調節によって、シリコンオキシナイトライ
ド（ＳｉＯyＮz）薄層の元素組成を適当に制御して、高
屈折率層である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層の屈折率（お
おむね２．１０）と、低屈折率層である二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2）薄層の屈折率（おおむね１．４６）の間の任意
の屈折率を実現できるので、多層反射防止膜の基体とし
て用いることのできる透光性ガラスの種類に選択の幅が
広がる特有な効果を有する。さらにＣＶＤ法を用いたの
で、多層反射防止膜を構成する屈折率の異なる各層を、
同一のＳｉ元素供給源物質、すなわちシラン（Ｓｉ
Ｈ4）から形成することが可能となる。このため成膜装
置の構成、特にガス制御系の構成が簡素化し、また成膜
条件の制御も、従来の真空蒸着法などよりも容易とな
り、大量生産、自動生産に適する効果を有する。
【図１】本発明の３層反射防止膜の模式的部分拡大断面
図。
図。
【図２】本発明の実施例１の３層反射防止膜の分光反射
率曲線図。
率曲線図。
【図３】本発明の実施例２の５層反射防止膜の分光反射
率曲線図。
率曲線図。
【図４】本発明において用いる原料ガスであるアンモニ
ア（ＮＨ3）および亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）のガ ス流量と
シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の屈折
率との関係を示す曲線図。
ア（ＮＨ3）および亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）のガ ス流量と
シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯyＮz）薄層の屈折
率との関係を示す曲線図。
１ 透光性ガラス基体 ２ ３層反射防止膜第１層 ３ ３層反射防止膜第２層 ４ ３層反射防止膜第３層
【表１】
【表２】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川井 博 埼玉県行田市壱里山町１一１ 岩崎電気株 式会社埼玉製作所内 (72)発明者 芹田 功 埼玉県川越市芳野台２丁目８番36号 株式 会社幸和クリエイター内
Claims (2)
- 【請求項１】透光性ガラス基体表面に形成され、かつ高
屈折率物質である窒化珪素（ＳｉＮx）薄層と、低屈折
率物質である二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄層と、中間屈折
率物質であるシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ
yＮz）薄層の３種の薄層のうち、少なくとも２種の薄層
から構成される多層反射防止膜において、 膜形成方法として減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法
を用い、且つ窒化珪素（ＳｉＮx）薄層がシラン（Ｓｉ
Ｈ4）と、窒素（Ｎ2）およびアンモニア（ＮＨ3）の少
なくとも一種とからなる原料ガスから形成され、 二酸
化珪素（ＳｉＯ2）薄層がシラン（ＳｉＨ4）と、亜酸化
窒素（Ｎ2Ｏ）および酸素（Ｏ2）の少なくとも一種とか
らなる原料ガスから形成され、シリコンオキシナイトラ
イド（ＳｉＯyＮz）薄層がシラン（ＳｉＨ4）と、窒素
（Ｎ2）およびアンモニア（ＮＨ3）の少なくとも一種
と、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）および酸素（Ｏ2）の少なくと
も一種とからなる原料ガスから形成されることを特徴と
する多層反射防止膜。 - 【請求項２】シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ
yＮz）薄層の屈折率は、透光性ガラス基体の屈折率の値
に応じて、反射防止条件を満足するような値を窒化珪素
（ＳｉＮx）薄層の屈折率と二酸化珪素（ＳｉＯ2）薄層
の屈折率の値の間で、ＣＶＤ成膜条件を調節して選定さ
れることを特徴とする請求項１記載の多層反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31398491A JPH05129277A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 多層反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31398491A JPH05129277A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 多層反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129277A true JPH05129277A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18047832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31398491A Pending JPH05129277A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 多層反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129277A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2095429A1 (en) * | 2006-11-20 | 2009-09-02 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| JP2011511453A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-04-07 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2011129925A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Lg Electronics Inc | 半導体ナノ結晶を用いた太陽電池モジュール |
| US8552443B2 (en) | 2009-02-20 | 2013-10-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
| JP2023040981A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP31398491A patent/JPH05129277A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP2095429A4 (en) * | 2006-11-20 | 2012-09-05 | Lg Electronics Inc | SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
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| US8759140B2 (en) | 2008-08-01 | 2014-06-24 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
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| JP2023040981A (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 上海晶科緑能企業管理有限公司 | 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール |
| US11784266B2 (en) | 2021-09-10 | 2023-10-10 | Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd. | Solar cell, method for preparing same and solar cell module |
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