JPS60220967A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS60220967A JPS60220967A JP59077989A JP7798984A JPS60220967A JP S60220967 A JPS60220967 A JP S60220967A JP 59077989 A JP59077989 A JP 59077989A JP 7798984 A JP7798984 A JP 7798984A JP S60220967 A JPS60220967 A JP S60220967A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
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- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係シ、特に１そのセンサ部が非
晶質半導体からなるものにおいて、該センサ部を被覆保
護するための・母ッシペーション膜の構造に関する。
晶質半導体からなるものにおいて、該センサ部を被覆保
護するための・母ッシペーション膜の構造に関する。
非晶質半導体は、工業材料として加工性ならびに量産性
に富み、コストが低い上、材料を形成する元素の組成の
制御によって、その物性定数を連続的に変えられるとい
う構造敏感性を備えていることから、近年注目を浴びて
いる物質である。
に富み、コストが低い上、材料を形成する元素の組成の
制御によって、その物性定数を連続的に変えられるとい
う構造敏感性を備えていることから、近年注目を浴びて
いる物質である。
例えば、ショットキー型の非晶質（アモルファス）シリ
コン光センサは、明暗比が１０４以上と、光応答特性が
良好であるだめ、優れた密着型イメージセンサとして有
効に利用されている。
コン光センサは、明暗比が１０４以上と、光応答特性が
良好であるだめ、優れた密着型イメージセンサとして有
効に利用されている。
しかしながら、周囲の環境条件の変化する中で、センサ
の特性を経時的に安定に保つための保護膜を得ることは
難かしく、長期的な使用に耐え得るセンサを得るのは困
難であった。
の特性を経時的に安定に保つための保護膜を得ることは
難かしく、長期的な使用に耐え得るセンサを得るのは困
難であった。
すなわち、通常保護膜としては、プラズマＣＶＤ法によ
って形成される酸化シリコン膜（Ｓｉｎｇ）ある（因は
、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂等の高分子樹脂膜等
が使用されている。
って形成される酸化シリコン膜（Ｓｉｎｇ）ある（因は
、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂等の高分子樹脂膜等
が使用されている。
前者の酸化シリコン膜は着膜温度が高いため、着膜時に
、センサのショットキー接合を破壊してしまうことが多
く、また、特に、サンドイッチ型センサでは、プラズマ
環境下でショートビートが増加する等の不都合を招く。
、センサのショットキー接合を破壊してしまうことが多
く、また、特に、サンドイッチ型センサでは、プラズマ
環境下でショートビートが増加する等の不都合を招く。
更に後者の高分子樹脂膜では樹脂自体のキュア温度（ｌ
ｏｏ℃〜４００℃）が高いため、この場合も、保護膜の
生成時にセンサ部を破壊してしまうと、とがある。更に
、−ずれの場合も、耐湿性、耐熱性かい１１つであシ、
光センサとしての特性を劣化させることなく、経時的に
安定に保つことは不可能であった。
ｏｏ℃〜４００℃）が高いため、この場合も、保護膜の
生成時にセンサ部を破壊してしまうと、とがある。更に
、−ずれの場合も、耐湿性、耐熱性かい１１つであシ、
光センサとしての特性を劣化させることなく、経時的に
安定に保つことは不可能であった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、環境条件
の変化に対して安定であってかつ経時的に安定な、非晶
質半導体を用いた半導体装置を提供することを目的とす
る。
の変化に対して安定であってかつ経時的に安定な、非晶
質半導体を用いた半導体装置を提供することを目的とす
る。
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、非晶
質半導体からなるセンサ部を有機系の高分子樹脂で被覆
保護したものである。
質半導体からなるセンサ部を有機系の高分子樹脂で被覆
保護したものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
このショットキー型アモルファスシリコン光センサは、
第１図に示す如く、商品名コーニング７０５９として市
販されている絶縁性のガラス基板ｌ上に、所定形状に・
そターン分割して形成されたりｏム（Ｃｒ ）電極２と
、このクロム電極２上に形成された光導電体層としての
アモルファス水素化シリコン層５−８ｉ ：、Ｈ３と、
透光性電極としての酸化インジウム錫（ＩＴＯ）電極４
とからなるサンなる透光性の保護膜５で被覆してなるも
のである。。
第１図に示す如く、商品名コーニング７０５９として市
販されている絶縁性のガラス基板ｌ上に、所定形状に・
そターン分割して形成されたりｏム（Ｃｒ ）電極２と
、このクロム電極２上に形成された光導電体層としての
アモルファス水素化シリコン層５−８ｉ ：、Ｈ３と、
透光性電極としての酸化インジウム錫（ＩＴＯ）電極４
とからなるサンなる透光性の保護膜５で被覆してなるも
のである。。
次ニ、このショットキー型アモルファスシリコン光セン
サの製造方法について説明する。
サの製造方法について説明する。
まず、絶縁性のガラス基板１上に電子ビーム蒸着法によ
って、膜厚約２０００〜３ｏｏｏ１のクロム薄膜を着膜
したのち、フォトリソグラフィーにより所定の形状にパ
ターン分割されたクロム電極２を第２図に示す如く形成
する。
って、膜厚約２０００〜３ｏｏｏ１のクロム薄膜を着膜
したのち、フォトリソグラフィーにより所定の形状にパ
ターン分割されたクロム電極２を第２図に示す如く形成
する。
次いで、第３図に示す如くプラズマＣＶＤ法によシ、約
り０．１〜３μｍの厚さに非晶質水素化シリコン層３を
着膜する。このときの着膜条件としては、使用ガス＝１
００％のモノシラン（５ＩＨ４）ガス、圧力０．１〜Ｉ
Ｔｏｒｒ、ガス流量１０〜１００ ｓｃｃｍ。
り０．１〜３μｍの厚さに非晶質水素化シリコン層３を
着膜する。このときの着膜条件としては、使用ガス＝１
００％のモノシラン（５ＩＨ４）ガス、圧力０．１〜Ｉ
Ｔｏｒｒ、ガス流量１０〜１００ ｓｃｃｍ。
電力１０〜２００Ｗ１基板温度１５０〜３ｏＯ℃であシ
、約１時間にわたって着膜を続行する。
、約１時間にわたって着膜を続行する。
続いて、ターグットとして酸化インジウム錫（９０ｍｏ
１％の酸化インジウムＩｎ２０ｇ ＋ １０ ｍｏｔ％
の酸化錫桓０２）を使用し、酸素分圧０５〜１．５刈ｏ
−４Ｔｏｒｒ Ｓ電力密度１００〜１０１００Ｏ／ｃ
ｒｎ２、基板温度５０〜２５０℃の条件でスパッタリン
グ法により、透光性電極としての酸化インジウム錫層４
′ｆ：第４図に示す如く形成する。
１％の酸化インジウムＩｎ２０ｇ ＋ １０ ｍｏｔ％
の酸化錫桓０２）を使用し、酸素分圧０５〜１．５刈ｏ
−４Ｔｏｒｒ Ｓ電力密度１００〜１０１００Ｏ／ｃ
ｒｎ２、基板温度５０〜２５０℃の条件でスパッタリン
グ法により、透光性電極としての酸化インジウム錫層４
′ｆ：第４図に示す如く形成する。
そして最後に、第５図に示す如く前述のシリコン樹脂を
スピンコーティングによシ１〜１００μｍ塗布した後、
１００〜３００℃の温度雰囲気中で５分〜１２０分加熱
硬化させ、透光性の保護膜５を形成する。
スピンコーティングによシ１〜１００μｍ塗布した後、
１００〜３００℃の温度雰囲気中で５分〜１２０分加熱
硬化させ、透光性の保護膜５を形成する。
このようにして形成されたショットキー型アモルファス
シリコンセンサは、保護膜形成時に、特性を低下せしめ
られることもなく、良好な電気特性を保持しており、セ
ンサ部を保護膜によって気密に封止されておシ、湿度あ
るいは温度等の外部環境によっても左右されることなく
、経時的に安定である。まだ、摩擦、振動等によるスト
レスを防止し機械的衝撃からセンサを守ると共に１熱的
衝撃からもセンサを保護することができる。
シリコンセンサは、保護膜形成時に、特性を低下せしめ
られることもなく、良好な電気特性を保持しており、セ
ンサ部を保護膜によって気密に封止されておシ、湿度あ
るいは温度等の外部環境によっても左右されることなく
、経時的に安定である。まだ、摩擦、振動等によるスト
レスを防止し機械的衝撃からセンサを守ると共に１熱的
衝撃からもセンサを保護することができる。
シリコン樹脂を保護膜として用いた本発明実施例のアモ
ルファスシリコン光センサの耐湿性試験の結果を第６図
に実線番で示す。これは、高湿度下（６０℃、９０１
ＲＨ）の環境下における明暗比を測定したものである。
ルファスシリコン光センサの耐湿性試験の結果を第６図
に実線番で示す。これは、高湿度下（６０℃、９０１
ＲＨ）の環境下における明暗比を測定したものである。
比較の為に、該保護膜を付与しない従来例のアモルファ
スシリコン光センサについての測定結果を点線共で示す
。これらの比較からも明らかなように、保護Ｍを付与し
ないものについては、早期に電気的特性が悪化してしま
うのに対し、シリコン樹脂によって保護したものについ
ては６０℃９０％ＲＨＯ高湿度下においても１０００時
間も安定に動作することがわかる。
スシリコン光センサについての測定結果を点線共で示す
。これらの比較からも明らかなように、保護Ｍを付与し
ないものについては、早期に電気的特性が悪化してしま
うのに対し、シリコン樹脂によって保護したものについ
ては６０℃９０％ＲＨＯ高湿度下においても１０００時
間も安定に動作することがわかる。
なお、実施例においては、スピンコーティングによって
、保護膜を塗布したが、この方法に限定されるものでは
なく、ロールコーティング、スプレーコーティング、デ
ィッピング、ポツティング、キャスティング、シーリン
グ、ドリップコーティング等の方法によっても均一な保
護膜を形成することができる。
、保護膜を塗布したが、この方法に限定されるものでは
なく、ロールコーティング、スプレーコーティング、デ
ィッピング、ポツティング、キャスティング、シーリン
グ、ドリップコーティング等の方法によっても均一な保
護膜を形成することができる。
また、保護膜としては、実施例に示したシリコーン樹脂
の他、他の有機系高分子樹脂例えばエポキシ樹脂、アク
リル樹脂、ウレタン樹脂Ｉリイミド等の使用も可能であ
る。
の他、他の有機系高分子樹脂例えばエポキシ樹脂、アク
リル樹脂、ウレタン樹脂Ｉリイミド等の使用も可能であ
る。
以上、説明してきたように、本発明の半導体装置によれ
ば非晶質半導体からなるセンサ部を有機系の高分子樹脂
からなる保護膜によって被覆保護されているため、温度
、湿度等の外部環境によっても左右されることなく、経
時的に安定である。
ば非晶質半導体からなるセンサ部を有機系の高分子樹脂
からなる保護膜によって被覆保護されているため、温度
、湿度等の外部環境によっても左右されることなく、経
時的に安定である。
また、キュア温度も比較的低いため、保護膜の形成時に
センサ部が悪影響を受けることもない。
センサ部が悪影響を受けることもない。
第１図は、本発明実施例のショットキー型アモルファス
シリコン光センサを示す図、第２図乃至８１！５図ハ、
同ショットキー型アそルファスシリコン光センサの製造
工程図、第６図は、第１図に示すレタショットキー型ア
モルファスシリコン光センサと、従来例のセンサとに対
する耐湿性試験の結果を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・クロム電極、３・・・ア
モルファス水素化シリコン層、４・・・酸化インジウム
錫電極、５・・・保護膜。 第１図 第６図 時間 手続補正用 昭和５９年７月１８日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第７７９８９号 ２、発明の名称 半導体装価 ３、補正をする者 事件との関係 特Ｖ［出願人 富士ゼロックス株式会社 ４、代理人 （〒１０４）東京都中央区銀座２丁ｌＴ１１１ｆｆ１２
Ｆ号銀座大作ビル６階 電話０３−５４５−３５０８
（代表）６、補正の内容 く１）本願明細書、第２ページ第１９行目の「ショート
ビート」を「ショー１〜ビツト」に訂正する。 （２）同第４ページ第４行目乃至第５行目「ア［ルフ７
ス水素化シリコン層α−３ｉ ：Ｈ３Ｊを「非晶質くア
モルファス）水素化シリコン８３ （ａ −８ｉ ：
１−ｌ） ｊと訂正する。
シリコン光センサを示す図、第２図乃至８１！５図ハ、
同ショットキー型アそルファスシリコン光センサの製造
工程図、第６図は、第１図に示すレタショットキー型ア
モルファスシリコン光センサと、従来例のセンサとに対
する耐湿性試験の結果を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・クロム電極、３・・・ア
モルファス水素化シリコン層、４・・・酸化インジウム
錫電極、５・・・保護膜。 第１図 第６図 時間 手続補正用 昭和５９年７月１８日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第７７９８９号 ２、発明の名称 半導体装価 ３、補正をする者 事件との関係 特Ｖ［出願人 富士ゼロックス株式会社 ４、代理人 （〒１０４）東京都中央区銀座２丁ｌＴ１１１ｆｆ１２
Ｆ号銀座大作ビル６階 電話０３−５４５−３５０８
（代表）６、補正の内容 く１）本願明細書、第２ページ第１９行目の「ショート
ビート」を「ショー１〜ビツト」に訂正する。 （２）同第４ページ第４行目乃至第５行目「ア［ルフ７
ス水素化シリコン層α−３ｉ ：Ｈ３Ｊを「非晶質くア
モルファス）水素化シリコン８３ （ａ −８ｉ ：
１−ｌ） ｊと訂正する。
Claims (2)
- （１）非晶質半導体からなるセンサ部を有する半導体装
置において、該センサ部を有機系の高分子樹脂で被覆し
たことを特徴とする半導体装置。 - （２）前記センサ部はショットキー構造をなしており、
シリコーン系樹脂で被覆せしめられていることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077989A JPS60220967A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 半導体装置 |
| US06/723,086 US4829353A (en) | 1984-04-18 | 1985-04-15 | Photoelectric converting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077989A JPS60220967A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220967A true JPS60220967A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13649241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077989A Pending JPS60220967A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4829353A (ja) |
| JP (1) | JPS60220967A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5450286A (en) * | 1992-12-04 | 1995-09-12 | Parlex Corporation | Printed circuit having a dielectric covercoat |
| DE4410799C2 (de) * | 1994-03-29 | 1996-02-08 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Diode |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795679A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing method of selenium semiconductor device |
| JPS57141977A (en) * | 1981-11-25 | 1982-09-02 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric transducing semiconductor device |
| JPS6062278A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336997B2 (ja) * | 1973-10-12 | 1978-10-05 | ||
| JPS5753944A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| US4471371A (en) * | 1981-01-06 | 1984-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thin film image pickup element |
| JPH0614552B2 (ja) * | 1983-02-02 | 1994-02-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP59077989A patent/JPS60220967A/ja active Pending
-
1985
- 1985-04-15 US US06/723,086 patent/US4829353A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795679A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing method of selenium semiconductor device |
| JPS57141977A (en) * | 1981-11-25 | 1982-09-02 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric transducing semiconductor device |
| JPS6062278A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4829353A (en) | 1989-05-09 |
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